1、PIE工藝整合工程師101個(gè)問(wèn)答題,1,學(xué)習(xí)交流PPT,1.何謂PIE? PIE的主要工作是什么?,答：Process Integration Engineer(工藝整合工程師), 主要工作是整合各部門(mén)的資源, 對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善, 確保產(chǎn)品的良率（yield）穩(wěn)定良好。,2,學(xué)習(xí)交流PPT,2. 200mm，300mm Wafer 代表何意義?,答：8吋硅片(wafer)直徑為 200mm , 直徑為 300mm硅片即12吋。,3,學(xué)習(xí)交流PPT,3.目前中芯國(guó)際現(xiàn)有的三個(gè)工廠采用多少mm的硅片(wafer)工藝？未來(lái)北京的Fab4(四廠) 采用多少mm的wafer工藝？,答：當(dāng)前13廠為2

2、00mm(8英寸)的wafer, 工藝水平已達(dá)0.13um工藝。未來(lái)北京廠工藝wafer將使用300mm(12英寸)。,4,學(xué)習(xí)交流PPT,4.我們?yōu)楹涡枰?00mm?,答：wafer size 變大，單一wafer 上的芯片數(shù)(chip)變多，單位成本降低200300 面積增加2.25倍,芯片數(shù)目約增加2.5倍,5,學(xué)習(xí)交流PPT,Increase in Number of Chips on Larger Wafer Diameter,目的：降低成本,6,學(xué)習(xí)交流PPT,5.所謂的0.13 um 的工藝能力(technology)代表的是什么意義？,答：是指工廠的工藝能力可以達(dá)到0.13 u

3、m的柵極線寬。當(dāng)柵極的線寬做的越小時(shí)，整個(gè)器件就可以變的越小，工作速度也越快。,7,學(xué)習(xí)交流PPT,6.0.35um0.25um0.18um0.15um0.13um 的technology改變又代表的是什么意義？,答：柵極線的寬（該尺寸的大小代表半導(dǎo)體工藝水平的高低）做的越小時(shí)，工藝的難度便相對(duì)提高。從0.35um0.25um0.18um0.15um 0.13um 代表著每一個(gè)階段工藝能力的提升。,8,學(xué)習(xí)交流PPT,7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可區(qū)分為N,P兩種類(lèi)型（type）,何謂 N, P-type wafer?,答：N-type wafer 是指摻雜 nega

4、tive元素(5價(jià)電荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指摻雜 positive 元素(3價(jià)電荷元素, 例如：B、In)的硅片。,9,學(xué)習(xí)交流PPT,8.工廠中硅片（wafer）的制造過(guò)程可分哪幾個(gè)工藝過(guò)程(module)？,答：主要有四個(gè)部分：DIFF（擴(kuò)散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蝕）。其中DIFF又包括FURNACE(爐管)、WET(濕刻)、IMP(離子注入)、RTP(快速熱處理)。TF包括PVD(物理氣相淀積)、CVD(化學(xué)氣相淀積) 、CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)。硅片的制造就是依據(jù)客戶的要求，不斷的在不同工藝過(guò)程（module）間重復(fù)進(jìn)

5、行的生產(chǎn)過(guò)程，最后再利用電性的測(cè)試，確保產(chǎn)品良好。,10,學(xué)習(xí)交流PPT,光刻概念,光刻占成本,11,學(xué)習(xí)交流PPT,9.一般硅片的制造常以幾P幾M 及光罩層數(shù)(mask layer)來(lái)代表硅片工藝的時(shí)間長(zhǎng)短，請(qǐng)問(wèn)幾P幾M及光罩層數(shù)(mask layer)代表什么意義？,答：幾P幾M代表硅片的制造有幾層的Poly(多晶硅)和幾層的metal(金屬導(dǎo)線).一般0.15um 的邏輯產(chǎn)品為1P6M( 1層的Poly和6層的metal)。而光罩層數(shù)（mask layer）代表硅片的制造必需經(jīng)過(guò)幾次的PHOTO（光刻）,12,學(xué)習(xí)交流PPT,10.Wafer下線的第一道步驟是形成start oxide

6、和zero layer? 其中start oxide 的目的是為何？,答：不希望有機(jī)成分的光刻膠直接碰觸Si 表面。 在laser刻號(hào)過(guò)程中,亦可避免被產(chǎn)生的粉塵污染。,13,學(xué)習(xí)交流PPT,11.為何需要zero layer?,答：芯片的工藝由許多不同層次堆棧而成的, 各層次之間以zero layer當(dāng)做對(duì)準(zhǔn)的基準(zhǔn)。,14,學(xué)習(xí)交流PPT,12.Laser mark是什么用途? Wafer ID 又代表什么意義?,答：Laser mark 是用來(lái)刻wafer ID（ID是英文IDentity的縮寫(xiě),ID是身份標(biāo)識(shí)號(hào)碼的意思. ）, Wafer ID 就如同硅片的身份證一樣,一個(gè)ID代表一片硅

7、片的身份。,15,學(xué)習(xí)交流PPT,13.一般硅片的制造(wafer process)過(guò)程包含哪些主要部分？,答：前段（frontend）-元器件(device)的制造過(guò)程。后段（backend）-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層（passivation）,16,學(xué)習(xí)交流PPT,14.前段（frontend）的工藝大致可區(qū)分為那些部份?,答：STI的形成(定義AA區(qū)域及器件間的隔離)阱區(qū)離子注入（well implant）用以調(diào)整電性 柵極(poly gate)的形成 源/漏極（source/drain）的形成硅化物(salicide)的形成,17,學(xué)習(xí)交流PPT,15.STI 是什么的縮寫(xiě)? 為何需要ST

8、I?,答：STI: Shallow Trench Isolation(淺溝道隔離)，STI可以當(dāng)做兩個(gè)組件（device）間的阻隔, 避免兩個(gè)組件間的短路.,18,學(xué)習(xí)交流PPT,16.AA 是哪兩個(gè)字的縮寫(xiě)? 簡(jiǎn)單說(shuō)明 AA 的用途?,答：Active Area, 即有源區(qū)，是用來(lái)建立晶體管主體的位置所在，在其上形成源、漏和柵極。兩個(gè)AA區(qū)之間便是以STI來(lái)做隔離的。,19,學(xué)習(xí)交流PPT,17.在STI的刻蝕工藝過(guò)程中，要注意哪些工藝參數(shù)？,答：STI etch（刻蝕）的角度；STI etch 的深度；STI etch 后的CD尺寸大小控制。(CD control, CD=critical

9、 dimension),20,學(xué)習(xí)交流PPT,18.在STI 的形成步驟中有一道liner oxide（線形氧化層）, liner oxide 的特性功能為何？,答：Liner oxide 為1100, 120 min 高溫爐管形成的氧化層，其功能為：修補(bǔ)進(jìn)行STI etch 造成的基材損傷；將STI etch 造成的etch 尖角給于圓化( corner rounding)。,21,學(xué)習(xí)交流PPT,22,學(xué)習(xí)交流PPT,19.一般的阱區(qū)離子注入調(diào)整電性可分為那三道步驟? 功能為何？,答：阱區(qū)離子注入調(diào)整是利用離子注入的方法在硅片上形成所需要的組件電子特性，一般包含下面幾道步驟： Well I

10、mplant ：形成N,P 阱區(qū)； Channel Implant：防止源/漏極間的漏電； Vt Implant：調(diào)整Vt（閾值電壓）。,23,學(xué)習(xí)交流PPT,20.一般的離子注入層次（Implant layer）工藝制造可分為那幾道步驟?,答：一般包含下面幾道步驟：光刻(Photo)及圖形的形成；離子注入調(diào)整；離子注入完后的ash (plasma(等離子體)清洗)光刻膠去除（PR strip）,24,學(xué)習(xí)交流PPT,21.Poly（多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些?,答：Gate oxide(柵極氧化層)的沉積；Poly film的沉積及SiON(在光刻中作為抗反射層的物質(zhì))的沉積）；P

11、oly 圖形的形成(Photo)；Poly及SiON的Etch；Etch完后的ash( plasma(等離子體)清洗)及光刻膠去除（PR strip）；Poly的Re-oxidation（二次氧化）。,25,學(xué)習(xí)交流PPT,22.Poly（多晶硅）柵極的刻蝕(etch)要注意哪些地方？,答：Poly 的CD(尺寸大小控制；避免Gate oxie 被蝕刻掉，造成基材（substrate）受損。,26,學(xué)習(xí)交流PPT,23.何謂 Gate oxide (柵極氧化層)?,答：用來(lái)當(dāng)器件的介電層，利用不同厚度的 gate oxide ,可調(diào)節(jié)柵極電壓對(duì)不同器件進(jìn)行開(kāi)關(guān),27,學(xué)習(xí)交流PPT,28,學(xué)習(xí)

12、交流PPT,24.源/漏極(source/drain)的形成步驟可分為那些?,答：LDD的離子注入（Implant）；Spacer的形成；N+/P+IMP高濃度源/漏極(S/D)注入及快速熱處理(RTA：Rapid Thermal Anneal)。,29,學(xué)習(xí)交流PPT,25.LDD是什么的縮寫(xiě)? 用途為何?,答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用較低濃度的源/漏極, 以防止組件產(chǎn)生熱載子效應(yīng)的一項(xiàng)工藝。,30,學(xué)習(xí)交流PPT,26.何謂 Hot carrier effect (熱載流子效應(yīng))?,答：在線寛小于0.5um以下時(shí), 因?yàn)樵?漏極間的高濃度所產(chǎn)生的高電

13、場(chǎng),導(dǎo)致載流子在移動(dòng)時(shí)被加速產(chǎn)生熱載子效應(yīng), 此熱載子效應(yīng)會(huì)對(duì)gate oxide造成破壞, 造成組件損傷。,31,學(xué)習(xí)交流PPT,27.何謂Spacer? Spacer蝕刻時(shí)要注意哪些地方？,答：在柵極(Poly)的兩旁用dielectric（介電質(zhì)）形成的側(cè)壁，主要由Ox/SiN/Ox組成。蝕刻spacer 時(shí)要注意其CD大小，profile(剖面輪廓)，及remain oxide(殘留氧化層的厚度),32,學(xué)習(xí)交流PPT,28.Spacer的主要功能?,答：使高濃度的源/漏極與柵極間產(chǎn)生一段LDD區(qū)域; 作為Contact Etch時(shí)柵極的保護(hù)層。,33,學(xué)習(xí)交流PPT,29.為何在離子

14、注入后, 需要熱處理( Thermal Anneal)的工藝?,答：為恢復(fù)經(jīng)離子注入后造成的芯片表面損傷;使注入離子擴(kuò)散至適當(dāng)?shù)纳疃?使注入離子移動(dòng)到適當(dāng)?shù)木Ц裎恢谩?34,學(xué)習(xí)交流PPT,30.SAB是什么的縮寫(xiě)? 目的為何？,答：SAB：Salicide block (硅化物掩蔽層), 用于保護(hù)硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的保護(hù)下硅片不與其它鈦Ti,鈷Co形成硅化物(salicide),35,學(xué)習(xí)交流PPT,31.簡(jiǎn)單說(shuō)明SAB工藝的流層中要注意哪些?,答：SAB 光刻后（photo），刻蝕后(etch)的圖案（特別是小塊區(qū)域）。要確定有完整的包覆（b

15、lock）住必需被包覆（block）的地方。remain oxide (殘留氧化層的厚度)。,36,學(xué)習(xí)交流PPT,32.何謂硅化物( salicide)?,答：Si 與 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一般來(lái)說(shuō)是用來(lái)降低接觸電阻值（Rs, Rc）。,37,學(xué)習(xí)交流PPT,33.硅化物(salicide)的形成步驟主要可分為哪些?,答：Co(或Ti)+TiN的沉積；第一次RTA（快速熱處理）來(lái)形成Salicide。將未反應(yīng)的Co(Ti)以化學(xué)酸去除。第二次RTA (用來(lái)形成Ti的晶相轉(zhuǎn)化, 降低其阻值)。,38,學(xué)習(xí)交流PPT,34.MOS器件的主要特性是什么？,答：它主要

16、是通過(guò)柵極電壓（Vg）來(lái)控制源，漏極(S/D)之間電流，實(shí)現(xiàn)其開(kāi)關(guān)特性。,39,學(xué)習(xí)交流PPT,35.我們一般用哪些參數(shù)來(lái)評(píng)價(jià)device的特性？,答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk( break down)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk (break down)值盡量大， Ioff、Rc盡量小，Vt、Rs盡量接近設(shè)計(jì)值.,40,學(xué)習(xí)交流PPT,36.什么是Idsat? Idsat 代表什么意義？,答：飽和電流。也就是在柵壓(Vg)一定時(shí)，源/漏(Source/Drain)之間流動(dòng)的最大電流.,41,學(xué)習(xí)交流PPT,37.在工藝制作過(guò)程中哪些工藝可以影響到Idsat?,答：

17、Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(柵氧化層厚度)、AA(有源區(qū))寬度、Vt imp.條件、LDD imp.條件、N+/P+ imp. 條件。,42,學(xué)習(xí)交流PPT,38.什么是Vt? Vt 代表什么意義？,答：閾值電壓（Threshold Voltage），就是產(chǎn)生強(qiáng)反轉(zhuǎn)所需的最小電壓。當(dāng)柵極電壓VgVt時(shí), MOS處于關(guān)的狀態(tài)，而Vg Vt時(shí)，源/漏之間便產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，MOS處于開(kāi)的狀態(tài)。,43,學(xué)習(xí)交流PPT,39.在工藝制作過(guò)程中哪些工藝可以影響到Vt?,答：Poly CD、Gate oxide Thk. (柵氧化層厚度)、AA(有源區(qū))寬度及Vt imp.條件

18、。,44,學(xué)習(xí)交流PPT,40.什么是Ioff? Ioff小有什么好處？,答：關(guān)態(tài)電流，Vg=0時(shí)的源、漏級(jí)之間的電流，一般要求此電流值越小越好。Ioff越小, 表示柵極的控制能力愈好, 可以避免不必要的漏電流(省電)。,45,學(xué)習(xí)交流PPT,41.什么是 device breakdown voltage?,答：指崩潰電壓（擊穿電壓），在 Vg=Vs=0時(shí)，Vd所能承受的最大電壓，當(dāng)Vd大于此電壓時(shí)，源、漏之間形成導(dǎo)電溝道而不受柵壓的影響。在器件越做越小的情況下，這種情形會(huì)將會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重。,46,學(xué)習(xí)交流PPT,42.何謂ILD? IMD? 其目的為何？,答： ILD ：Inter Layer

19、 Dielectric, 是用來(lái)做device 與 第一層metal 的隔離（isolation），而IMD：Inter Metal Dielectric，是用來(lái)做metal 與 metal 的隔離（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。,47,學(xué)習(xí)交流PPT,43.一般介電層ILD的形成由那些層次組成？,答： SiON層沉積(用來(lái)避免上層B,P滲入器件)； BPSG（摻有硼、磷的硅玻璃）層沉積； PETEOS（等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂）層沉積；最后再經(jīng)ILD Oxide CMP(SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨)來(lái)做平坦化。,48,學(xué)習(xí)交流PPT,44.一般介電層IMD的形成由

20、那些層次組成？,答： SRO層沉積(用來(lái)避免上層的氟離子往下滲入器件)； HDP-FSG（摻有氟離子的硅玻璃）層沉積; PE-FSG（等離子體增強(qiáng),摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；使用FSG的目的是用來(lái)降低dielectric k值, 減低金屬層間的寄生電容。最后再經(jīng)IMD Oxide CMP(SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨)來(lái)做平坦化。,49,學(xué)習(xí)交流PPT,45.簡(jiǎn)單說(shuō)明Contact (CT)的形成步驟有那些?,答：Contact是指器件與金屬線連接部分，分布在poly、AA上。 Contact的Photo（光刻）； Contact的Etch及光刻膠去除(ash & PR strip)； Glue

21、layer（粘合層）的沉積； CVD W（鎢）的沉積 W-CMP 。,50,學(xué)習(xí)交流PPT,46.Glue layer（粘合層）的沉積所處的位置、成分、薄膜沉積方法是什么？,答：因?yàn)閃較難附著在Salicide上,所以必須先沉積只Glue layer再沉積WGlue layer是為了增強(qiáng)粘合性而加入的一層。主要在salicide與W(CT)、W(VIA)與metal之間, 其成分為T(mén)i和TiN, 分別采用PVD 和CVD方式制作。,51,學(xué)習(xí)交流PPT,47.為何各金屬層之間的連接大多都是采用CVD的W-plug(鎢插塞)?,答： 因?yàn)閃有較低的電阻； W有較佳的step coverage(階

22、梯覆蓋能力)。,52,學(xué)習(xí)交流PPT,48.一般金屬層(metal layer)的形成工藝是采用哪種方式?大致可分為那些步驟?,答： PVD (物理氣相淀積) Metal film 沉積 光刻(Photo)及圖形的形成； Metal film etch 及plasma(等離子體)清洗（此步驟為連續(xù)工藝，在同一個(gè)機(jī)臺(tái)內(nèi)完成，其目的在避免金屬腐蝕） Solvent（溶劑）-ELECTRONICS GRADE PROCESS SOLVENT (電子生產(chǎn)溶劑)光刻膠去除。,53,學(xué)習(xí)交流PPT,49.Top metal和inter metal的厚度，線寬有何不同?,答：Top metal通常要比int

23、er metal厚得多，0.18um工藝中inter metal為4kAo,而top metal要8kAo.主要是因?yàn)閠op metal直接與外部電路相接，所承受負(fù)載較大。一般top metal 的線寬也比 inter metal寬些。,54,學(xué)習(xí)交流PPT,50.在量測(cè)Contact /Via（是指metal與metal之間的連接）的接觸窗開(kāi)的好不好時(shí), 我們是利用什么電性參數(shù)來(lái)得知的?,答：通過(guò)Contact 或Via的 Rc值，Rc值越高，代表接觸窗的電阻越大, 一般來(lái)說(shuō)我們希望Rc 是越小越好的。,55,學(xué)習(xí)交流PPT,51.什么是Rc? Rc代表什么意義？,答：接觸窗電阻，具體指金屬

24、和半導(dǎo)體（contact）或金屬和金屬(via-通孔)，在相接觸時(shí)在節(jié)處所形成的電阻，一般要求此電阻越小越好。,56,學(xué)習(xí)交流PPT,52.影響Contact (CT) Rc的主要原因可能有哪些?,答：ILD CMP(化學(xué)機(jī)械拋光) 的厚度是否異常；CT 的CD大?。籆T 的刻蝕過(guò)程是否正常；接觸底材的質(zhì)量或濃度（Salicide，non-salicide)；CT的glue layer（粘合層）形成；CT的W-plug。,57,學(xué)習(xí)交流PPT,53.在量測(cè)Poly/metal導(dǎo)線的特性時(shí), 是利用什么電性參數(shù)得知?,答：可由電性量測(cè)所得的spacing & Rs 值來(lái)表現(xiàn)導(dǎo)線是否異常。,58,

25、學(xué)習(xí)交流PPT,54.什么是spacing?如何量測(cè)?,答：在電性測(cè)量中，給一條線(poly or metal)加一定電壓，測(cè)量與此線相鄰但不相交的另外一線的電流，此電流越小越好。當(dāng)電流偏大時(shí)代表導(dǎo)線間可能發(fā)生短路的現(xiàn)象。,59,學(xué)習(xí)交流PPT,55.什么是 Rs?,答：片電阻（單位面積、單位長(zhǎng)度的電阻），用來(lái)量測(cè)導(dǎo)線的導(dǎo)電情況如何。一般可以量測(cè)的為 AA(N+,P+), poly & metal.,60,學(xué)習(xí)交流PPT,56.影響Rs有那些工藝?,答： 導(dǎo)線line（AA, poly & metal）的尺寸大小。(CD=critical dimension) 導(dǎo)線line（poly & me

26、tal）的厚度。 導(dǎo)線line (AA, poly & metal) 的本身電導(dǎo)性。（在AA, poly line 時(shí)可能為注入離子的劑量有關(guān)）,61,學(xué)習(xí)交流PPT,57.一般護(hù)層的結(jié)構(gòu)是由哪三層組成?,答： HDP Oxide(高濃度等離子體二氧化硅) SRO Oxide（Silicon rich oxygen富氧二氧化硅） SiN Oxide,62,學(xué)習(xí)交流PPT,58.護(hù)層的功能是什么?,答：使用oxide或SiN層, 用來(lái)保護(hù)下層的線路，以避免與外界的水汽、空氣相接觸而造成電路損害。,63,學(xué)習(xí)交流PPT,59.Alloy (合金化)的目的為何?,答： Release 各層間的str

27、ess（應(yīng)力），形成良好的層與層之間的接觸面 降低層與層接觸面之間的電阻。,64,學(xué)習(xí)交流PPT,60.工藝流程結(jié)束后有一步驟為WAT，其目的為何?,答：WAT (wafer acceptance test圓片驗(yàn)收測(cè)試), 是在工藝流程結(jié)束后對(duì)芯片做的電性測(cè)量，用來(lái)檢驗(yàn)各段工藝流程是否符合標(biāo)準(zhǔn)。（前段所講電學(xué)參數(shù)Idsat, Ioff, Vt, Vbk (break down), Rs, Rc就是在此步驟完成）,65,學(xué)習(xí)交流PPT,61.WAT電性測(cè)試的主要項(xiàng)目有那些?,答： 器件特性測(cè)試； Contact resistant (Rc)； Sheet resistant (Rs)； Brea

28、k down test； 電容測(cè)試； Isolation (spacing test)。,66,學(xué)習(xí)交流PPT,62.什么是WAT Watch系統(tǒng)? 它有什么功能?,答：Watch(監(jiān)視)系統(tǒng)提供PIE工程師一個(gè)工具, 來(lái)針對(duì)不同WAT測(cè)試項(xiàng)目,設(shè)置不同的欄住產(chǎn)品及發(fā)出Warning警告標(biāo)準(zhǔn), 能使PIE工程師早期發(fā)現(xiàn)工藝上的問(wèn)題。,67,學(xué)習(xí)交流PPT,63.什么是PCM SPEC?,答：PCM (Process control monitor) SPEC (Specification-詳細(xì)說(shuō)明)廣義而言是指芯片制造過(guò)程中所有工藝量測(cè)項(xiàng)目的規(guī)格,狹義而言則是指WAT測(cè)試參數(shù)的規(guī)格。,68,學(xué)

29、習(xí)交流PPT,64.當(dāng)WAT量測(cè)到異常是要如何處理?,答： 查看WAT機(jī)臺(tái)是否異常,若有則重測(cè)之 利用手動(dòng)機(jī)臺(tái)Double confirm (加倍核定) 檢查產(chǎn)品是在工藝流程制作上是否有異常記錄 切片檢查,69,學(xué)習(xí)交流PPT,65.什么是EN? EN有何功能或用途?,答：由CE發(fā)出,詳記關(guān)于某一產(chǎn)品的相關(guān)信息(包括Technology ID, Reticle and some split condition ETC.) 或是客戶要求的事項(xiàng) (包括HOLD, Split, Bank, Run to complete, Package.), 根據(jù)EN提供信息我們才可以建立Process flow

30、及處理此產(chǎn)品的相關(guān)動(dòng)作。,70,學(xué)習(xí)交流PPT,66.PIE工程師每天來(lái)公司需要Check哪些項(xiàng)目(開(kāi)門(mén)五件事)?,答： Check MES系統(tǒng), 察看自己Lot情況 處理in line hold lot.(defect, process, WAT) 分析匯總相關(guān)產(chǎn)品in line數(shù)據(jù).(raw data & SPC) 分析匯總相關(guān)產(chǎn)品CP test結(jié)果 參加晨會(huì), 匯報(bào)相關(guān)產(chǎn)品信息,71,學(xué)習(xí)交流PPT,67.WAT工程師每天來(lái)公司需要Check哪些項(xiàng)目(開(kāi)門(mén)五件事)?,答： 檢查WAT機(jī)臺(tái)Status 檢查及處理WAT hold lot 檢查前一天的retest wafer及量測(cè)是否有異常

31、 是否有新產(chǎn)品要到WAT 交接事項(xiàng),72,學(xué)習(xí)交流PPT,68.BR工程師每天來(lái)公司需要Check哪些項(xiàng)目(開(kāi)門(mén)五件事)?,答： Pass down Review urgent case status Check MES issues which reported by module and line Review documentation Review task status,73,學(xué)習(xí)交流PPT,69.ROM是什么的縮寫(xiě)?,答：ROM: Read only memory唯讀存儲(chǔ)器,74,學(xué)習(xí)交流PPT,70.何謂YE?,答： Yield Enhancement 良率改善,75,學(xué)習(xí)交流P

32、PT,71.YE在FAB中所扮演的角色？,答：針對(duì)工藝中產(chǎn)生缺陷的成因進(jìn)行追蹤，數(shù)據(jù)收集與分析，改善評(píng)估等工作。進(jìn)而與相關(guān)工程部門(mén)工程師合作提出改善方案并作效果評(píng)估。,76,學(xué)習(xí)交流PPT,72.YE工程師的主要任務(wù)？,答： 降低突發(fā)性異常狀況。(Excursion reduction) 改善常態(tài)性缺陷狀況。(Base line defectimprovement),77,學(xué)習(xí)交流PPT,73.如何reduce excursion?,答：有效監(jiān)控各生產(chǎn)機(jī)臺(tái)及工藝上的缺陷現(xiàn)況, defect level異常升高時(shí)迅速予以查明，并協(xié)助異常排除與防止再發(fā)。,78,學(xué)習(xí)交流PPT,74.如何impro

33、ve base line defect?,答：藉由分析產(chǎn)品失效或線上缺陷監(jiān)控等資料，而發(fā)掘重點(diǎn)改善目標(biāo)。持續(xù)不斷推動(dòng)機(jī)臺(tái)與工藝缺陷改善活動(dòng)，降低defect level使產(chǎn)品良率于穩(wěn)定中不斷提升,79,學(xué)習(xí)交流PPT,75.YE 工程師的主要工作內(nèi)容？,答： 負(fù)責(zé)生產(chǎn)過(guò)程中異常缺陷事故的追查分析及改善工作的調(diào)查與推動(dòng)。 評(píng)估并建立各項(xiàng)缺陷監(jiān)控(monitor)與分析系統(tǒng)。 開(kāi)發(fā)并建立有效率的缺陷工程系統(tǒng)，提升缺陷分析與改善的能力。 協(xié)助module建立off-line defect monitor system, 以有效反應(yīng)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)狀況。,80,學(xué)習(xí)交流PPT,76.何謂Defect?,答：W

34、afer上存在的有形污染與不完美，包括 Wafer上的物理性異物（如：微塵，工藝殘留物，不正常反應(yīng)生成物）。 化學(xué)性污染（如：殘留化學(xué)藥品，有機(jī)溶劑）。 圖案缺陷（如：Photo或etch造成的異常成象，機(jī)械性刮傷變形，厚度不均勻造成的顏色異常）。 Wafer本身或制造過(guò)程中引起的晶格缺陷。,81,學(xué)習(xí)交流PPT,77.Defect的來(lái)源？,答： 素材本身：包括wafer,氣體，純水，化學(xué)藥品。 外在環(huán)境：包含潔凈室，傳送系統(tǒng)與程序。 操作人員：包含無(wú)塵衣，手套。 設(shè)備零件老化與制程反應(yīng)中所產(chǎn)生的副生成物。,82,學(xué)習(xí)交流PPT,78.Defect的種類(lèi)依掉落位置區(qū)分可分為?,答： Rando

35、m defect : defect分布很散亂 cluster defect : defect集中在某一區(qū)域 Repeating defect : defect重復(fù)出現(xiàn)在同一區(qū)域,83,學(xué)習(xí)交流PPT,79.依對(duì)良率的影響Defect可分為?,答： Killer defect對(duì)良率有影響 Non-Killer defect 不會(huì)對(duì)良率造成影響 Nuisance defect 因顏色異?；騠ilm grain造成的defect,對(duì)良率亦無(wú)影響,84,學(xué)習(xí)交流PPT,80.YE一般的工作流程?,答： Inspection tool掃描wafer 將defect data傳至YMS 檢查defect增

36、加數(shù)是否超出規(guī)格 若超出規(guī)格則將wafer送到review station review 確認(rèn)defect來(lái)源并通知相關(guān)單位一同解決,85,學(xué)習(xí)交流PPT,81.YE是利用何種方法找出缺陷(defect)?,答：缺陷掃描機(jī) (defect inspection tool)以圖像比對(duì)的方式來(lái)找出defect.并產(chǎn)出defect result file.,86,學(xué)習(xí)交流PPT,82.Defect result file包含那些信息?,答： Defect大小 位置,坐標(biāo) Defect map,87,學(xué)習(xí)交流PPT,83.Defect Inspection tool 有哪些型式？,答：Bright f

37、ield & Dark Field,88,學(xué)習(xí)交流PPT,84.何謂 Bright field?,答：接收反射光訊號(hào)的缺陷掃描機(jī),89,學(xué)習(xí)交流PPT,85.何謂 Dark field?,答：接收散射光訊號(hào)的缺陷掃描機(jī),90,學(xué)習(xí)交流PPT,86.Bright field 與 Dark field 何者掃描速度較快?,答：Dark field,91,學(xué)習(xí)交流PPT,87.Bright field 與 Dark field 何者靈敏度較好?,答：Bright field,92,學(xué)習(xí)交流PPT,88.Review tool 有哪幾種？,答：Optical review tool 和 SEM review tool.,93,學(xué)習(xí)交流PPT,89.何為o