1、第1章半導體的電子狀態(tài)，本章主要討論半導體的電子的運動狀態(tài)。 定性地介紹了能量樂隊理論，用Schrodinger方程和Kroning-Penney模型近似推導了半導體中電子的狀態(tài)和能量樂隊特征. 引入有效質(zhì)量和空位的概念，闡述本征半導體的導電機制。 最后簡要介紹了幾種半導體材料的能量能帶結(jié)構(gòu)。 1.1*半導體晶體結(jié)構(gòu)和耦合性質(zhì)crystalstructureandbondsinsemiconductors，學習要點：1，晶體結(jié)構(gòu)： (1)金剛石型： Ge，Si (2)由同種晶體構(gòu)成的元素半導體，原子間沒有負的電學差異，共有一對自旋共價鍵，(1)共價鍵的特征、飽和性方向性。 (2)向金剛石型結(jié)構(gòu)

2、100面的心理投射，(3)金剛石結(jié)構(gòu)的結(jié)晶學原細胞球，Si: a=5.65754本代理： a=5.43089本代理，2，閃鋅礦結(jié)構(gòu)和混合結(jié)合材料： -族和-族二元化合物化學鍵：共價鍵離子鍵。 (1)閃鋅礦結(jié)構(gòu)的結(jié)晶學原細胞球、3、纖鋅礦結(jié)構(gòu)ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe。 1.1能源樂隊論方法綜述、學習要點：1、理解能源樂隊論的思想方法2、掌握能源樂隊論的重要結(jié)論、1.2愛沙尼亞克朗尼克鵬奈模型和能源樂隊、學習要點：1、通過該模型理解能源樂隊論的思想方法2、導帶、價格帶和禁帶(2) 布里淵區(qū)的特征是： (3)全樂隊中的電子不導電，因為E(k)=E(-k) v(k)=

3、-v(-k )且I=q 11V(k )，所以帶中的電子不導電。 另一方面，在部分填充的樂隊中產(chǎn)生宏命令電流。 (1)孤立原子的能級、2、原子的能級和結(jié)晶的能級樂隊、(2)結(jié)晶的能樂隊、電子共有化運動、能級的分裂、(1)導體、絕緣體和半導體的能樂隊模型、(2)本征激發(fā)、定義：3、導體、半導體、絕緣體的能樂隊、(3) 提出了有效質(zhì)量引入問題在真空中的自由電子，其運動規(guī)律滿足經(jīng)典力學公式，晶體中電子的加速度原因在于周期性勢場的存在. 為了與經(jīng)典力學一致，引入了集成周期性勢場作用的殘奧儀，反映晶體中電子抵抗外場力的慣性，引入了1.3半導體中電子運動的有效質(zhì)量，這樣引入有效質(zhì)量后，顯然可以以牛頓力學形式

4、處理晶體中的電子運動問題。 是否可能，重要的是它是否取決于外在因素。 (2)從電子運動以及公式理論的推導可知，該殘奧儀表是由材料的自特性決定的。 因此，有效質(zhì)量的引入是合理的。 (3)使用給出的E(k )式(4)關(guān)于有效質(zhì)量的討論，(1)空穴的電子導入狀態(tài)是虛無的，正因為有電子才具有實用性。 空穴是為了處理價帶中的電子導電問題而引入的虛粒子。 每當價電子帶出現(xiàn)空的狀態(tài)(缺少一個電子)時，對應地導入空穴，賦予與該狀態(tài)的電子正好相反的有效質(zhì)量和電荷量，即，這樣導入的虛粒子空穴形成與價電子帶的電子電流正好相等的虛擬電流。 因此，在校正半導體電流時，僅校正空穴電流，但實際上校正價電子波段中的電子電流。

5、 1.4本征半導體的導電機制空穴，(2)擺脫傳統(tǒng)空穴觀念的半導體導電由兩種載流子運動形成，其實質(zhì)仍為電子導電、空穴電子、1.5回旋共振及常見半導體的能量能帶結(jié)構(gòu)，如1、回旋共振現(xiàn)象，則上式為橢球等為了圖像直觀地表示e(k)k的三維關(guān)系，用k空間中的等能量面反映e(k)k關(guān)系。 2、三次元情況下的E(k)-k關(guān)系和等能面、1.5回旋加速器共振和常見半導體的能量能帶結(jié)構(gòu)、3、回旋加速器共振頻率的理論推導、4、n型硅回旋加速器共振實驗結(jié)果分析、5、Si、Ge和GaAs能量能帶結(jié)構(gòu)的基本特征間接樂隊間隙結(jié)構(gòu)。 特征是Si、Ge、dEg/dT=-2.810-4eV/K、dEg/dT=-3.910-4eV/K和(2)Ga