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文檔簡(jiǎn)介

1、,部 分 習(xí) 題 解 答,部分物理常數(shù)：,第 2 章,1 、在 N 區(qū)耗盡區(qū)中，高斯定理為：,取一個(gè)圓柱形體積，底面在 PN 結(jié)的冶金結(jié)面（即原點(diǎn)）處，面積為一個(gè)單位面積，頂面位于 x 處。則由高斯定理可得：,當(dāng) x = xn 時(shí)，E(x) = 0，因此 ，于是得：,（2-5a）,3 、,4 、,6 、,ND2,ND1,8、(1),(2),20、,24、 PN 結(jié)的正向擴(kuò)散電流為,式中的 I0 因含 ni2 而與溫度關(guān)系密切，因此正向擴(kuò)散電流可表為,于是 PN 結(jié)正向擴(kuò)散電流的溫度系數(shù)與相對(duì)溫度系數(shù)分別為,31、 當(dāng) N- 區(qū)足夠長(zhǎng)時(shí)，開(kāi)始發(fā)生雪崩擊穿的耗盡區(qū)寬度為：,當(dāng) N- 區(qū)縮短到 W

2、= 3m 時(shí)，雪崩擊穿電壓成為：,34、,39、,第 3 章,1、NPN 緩變基區(qū)晶體管在平衡時(shí)的能帶圖,NPN 緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的能帶圖,2、NPN 緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的少子分布圖,3、,6、,7、,8、以 NPN 管為例，當(dāng)基區(qū)與發(fā)射區(qū)都是非均勻摻雜時(shí)，由式（3-33a）和式（3-33b），,再根據(jù)注入效率的定義，可得：,9 、,10、,(1),(2),(3),(4),14、,15、,20、當(dāng)忽略基區(qū)中的少子復(fù)合及 ICEO 時(shí)，,27、 實(shí)質(zhì)上是 ICS 。,22、,使 NB NC ，這樣集電結(jié)耗盡區(qū)主要向集電區(qū)延伸，可使基區(qū)不易穿通。,39、 為提高穿通電壓 Vpt ，應(yīng)當(dāng)增大 WB 和 NB ，但這恰好與提高 相矛盾。解決方法：,48、,當(dāng) IE 很大時(shí)， 這時(shí) 0 ；,當(dāng) IE 很小時(shí)， 這時(shí) 0 ；,在 IE 很小或很大時(shí)， 都會(huì)有所下降。,在正常的 IE 范圍內(nèi)， 幾乎不隨 IE 變化， 這時(shí),0 與 也有類似的關(guān)系 。,58、,59、,65、,(1),(3

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