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文檔簡(jiǎn)介

1、PECVD介紹,PECVD工作原理 PECVD結(jié)構(gòu)介紹 PECVD控制系統(tǒng)簡(jiǎn)介 PECVD報(bào)警系統(tǒng)介紹 PECVD操作系統(tǒng)介紹 PECVD工藝氣體特點(diǎn)簡(jiǎn)介 PECVD工作程序介紹 PECVD工藝分析與操作注意事項(xiàng),工作原理:Centrotherm PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓的情況下,等離子發(fā)生器直接在,裝在鍍膜板中間的介質(zhì)的中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3??梢愿鶕?jù)改變硅烷對(duì)氨的比率,來(lái)得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中,伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生,使得晶片的氫鈍化性十分良好。,PECVD的原理及作用,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),

2、晶片裝載區(qū) 爐體 特氣柜 真空系統(tǒng) 控制系統(tǒng),PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖, 上下載部分:有電腦系統(tǒng),凈化風(fēng)機(jī),機(jī)械手等部分; 主要作用:電腦是整個(gè)系統(tǒng)的控制中樞,凈化風(fēng)機(jī)起局部環(huán)境凈化作用同時(shí)也是上料和下料部分. 廢氣室:有爐門(mén)排風(fēng)系統(tǒng)組成; 主要作用:為了保持?jǐn)U散爐管內(nèi)良好的密封性能,并將未能從尾氣管排出的殘留廢氣及時(shí)抽走,防止廢氣泄露. 爐體部分:由加熱電阻絲組成; 主要作用:通過(guò)大電流發(fā)熱滿(mǎn)足工藝要求的擴(kuò)散溫度. 氣柜部分:由所需的各種氣路,流量計(jì)及. 主要作用:為工藝提供所需的氣體流量.,簡(jiǎn)要部分介紹,上下裝載區(qū):槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。 槳: 由碳化硅材料制成,具有耐高溫、

3、防變形等 性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。 LIFT:機(jī)械臂系統(tǒng),使舟在機(jī)械臂作用下在小 車(chē)、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)。 抽風(fēng)系統(tǒng):位于晶片裝載區(qū)上方,初步的冷卻石 墨舟和一定程度的過(guò)濾殘余氣體 SLS系統(tǒng):軟著陸系統(tǒng),控制槳的上下,移動(dòng)范圍在 23厘米,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),載片區(qū)部分介紹,機(jī)械手,槳,小推車(chē),操作平臺(tái),指示燈,爐門(mén),石墨舟,電極口,爐體:石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng) 石英管:爐體內(nèi)有四根石英管,是鍍膜 的作業(yè)區(qū)域,耐高溫、防反應(yīng)。 加熱系統(tǒng):位于石英管外,又五個(gè)溫區(qū)。,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),加熱反應(yīng)室,熱電偶1,爐管內(nèi)部,電極,熱電偶,窗口,窗口,電極,熱電偶 2,排氣口,爐

4、管后段,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),冷卻系統(tǒng): 是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng),位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼,四進(jìn)四出并 有一個(gè)主管道,可適量調(diào)節(jié)流量大小。,冷卻水系統(tǒng),進(jìn)水口,出水口,特氣柜:MFC 氣動(dòng)閥 MFC:氣體流量計(jì)(NH3 SiH4 N2等) 氣動(dòng)閥:之所以不用電磁閥是因?yàn)殡姶砰y在工作時(shí)容 易產(chǎn)生火花,而氣動(dòng)閥可以最大程度的避免火花。,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),真空系統(tǒng) 真空泵:每一根石英管配置一組泵,包括主泵和輔助泵。 蝶閥:可以根據(jù)要求控制閥門(mén)的開(kāi)關(guān)的大小,來(lái)調(diào)節(jié) 管內(nèi)氣壓的,PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu),PECVD控制系統(tǒng)主要從事的是下面的四種控制系統(tǒng) 1 PECVD真空的控制 2 PECVD的機(jī)械手的控制 3

5、 PECVD的特氣控制 4 PECVD的電器控制,PECVD控制系統(tǒng),控制系統(tǒng) CMI:是 Centrotherm 研發(fā)的一個(gè)控制系統(tǒng),其中界 面包括 Jobs 、System、Datalog、Setup、 Alarms、Help. Jobs: 機(jī)器的工作狀態(tài)。 System: 四根管子的工作狀態(tài),舟的狀態(tài)以及手 動(dòng)操作機(jī)器臂的內(nèi)容。 Datalog: 機(jī)器運(yùn)行的每一步。,PECVD控制系統(tǒng),CMI-access gate to CESARS,Menu for manual operations,溫度控制系統(tǒng),PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Process recipe h

6、as terminated with error state-Alarm ACK-(1)to store(2)to store enable unload(3)Restart recipe . 說(shuō)明:進(jìn)行中的工藝以錯(cuò)誤的狀態(tài)結(jié)束-警報(bào)確認(rèn)-(1)儲(chǔ)存(2)儲(chǔ)存并卸下(3)重新開(kāi)始工藝。 (1)用錯(cuò)工藝號(hào),手動(dòng)結(jié)束工藝,重新開(kāi)始新的其它工藝時(shí)進(jìn)行選擇。 (2)多數(shù)情況下選擇此項(xiàng)。; (3)工藝中斷需要重新進(jìn)行時(shí)選擇,選擇前應(yīng)查看鍍膜情況。,1,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Boat already in tube-select: process=0 unload=1. 說(shuō)明:石墨舟已經(jīng)在管內(nèi)-選擇

7、運(yùn)行工藝=0 取出卸下=1。 當(dāng)管內(nèi)有石墨舟時(shí),異常排除后手動(dòng)運(yùn)行工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)這樣的提示,查看鍍膜情況后在做選擇。,2,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Lost homing, check position. 說(shuō)明:失去引導(dǎo),檢查位置。 此報(bào)警會(huì)自動(dòng)解除,只需要檢查一下槳是否在原點(diǎn)的位置即可。,3,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,HFGen out of 1st(2nd) tolerance. 說(shuō)明:高頻發(fā)生器超過(guò)第一(二)個(gè)位置,如果在鍍膜中退出,如已經(jīng)沉積到氮化硅,檢查鍍膜時(shí)間后,選擇手動(dòng)工藝輸入剩余時(shí)間。 通常出現(xiàn)這樣的報(bào)警有三種情況: (1)石墨舟的電極孔放反。 (2)石墨電極內(nèi)有硅片倒落或者

8、小碎片卡在兩片電極的中間。 (3)爐內(nèi)的碎片太多,石墨電極底部接觸到碎片形成兩片電極之間的短路。,4,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Recipe abort2-process abort! TO continue: enter AB. 說(shuō)明:工藝推出-運(yùn)行終止。繼續(xù)輸入AB。 對(duì)工藝異常確認(rèn)輸入AB后,會(huì)出現(xiàn)第(一)個(gè)報(bào)警,5,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Vacuum tube out of 1st(2nd) tolerance. 說(shuō)明:石英管內(nèi)的真空度超過(guò)第一(二)個(gè)限值。 系統(tǒng)會(huì)對(duì)石英管內(nèi)的真空度三秒鐘檢查一次,由于某種原因?qū)е鲁檎婵毡谎訒r(shí),在特定的時(shí)間內(nèi)無(wú)法達(dá)到真空設(shè)定值的要求,系統(tǒng)會(huì)出現(xiàn)

9、這樣的報(bào)警,檢查一下?tīng)顟B(tài)欄中的壓力值和真空泵的工作是否正常,如正常過(guò)幾分鐘后報(bào)警會(huì)自動(dòng)解除;如果此報(bào)警連同第(八)個(gè)報(bào)警一起出現(xiàn)的話(huà),聯(lián)系工序長(zhǎng)和領(lǐng)班。,6,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Boat sensor of grab has changed without permission. 說(shuō)明:機(jī)械手上的傳感器被非允許移動(dòng)。 機(jī)械手喜愛(ài)上下移動(dòng)時(shí)不會(huì)前后移動(dòng),若這時(shí)前后的位置發(fā)生變化,機(jī)械臂將會(huì)被鎖定,出現(xiàn)報(bào)警。此警報(bào)需要通知工序長(zhǎng)或領(lǐng)班。,7,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Collective alert pump st.1 說(shuō)明:真空泵報(bào)警。 一般情況下是由于真空泵的負(fù)壓太大,導(dǎo)致報(bào)警。如復(fù)

10、位無(wú)效的話(huà)通知工序長(zhǎng)或領(lǐng)班。,8,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Gas N2(SiH4、NH3)out of 1st(2nd) tolerance. 說(shuō)明:特氣氮?dú)猓ü柰?、氨氣)超過(guò)第一(二)個(gè)限值。 出現(xiàn)這種報(bào)警的原因是多面的:高頻放電失敗、管內(nèi)的壓力不正?;蛘哂捎谀撤N原因系統(tǒng)被鎖定(冷卻水報(bào)警),都會(huì)出現(xiàn)這樣的報(bào)警,出現(xiàn)超過(guò)第一個(gè)限值報(bào)警,只是警告;超過(guò)第二個(gè)限值報(bào)警出現(xiàn)后工藝會(huì)自動(dòng)停止,此時(shí)報(bào)警消失,出現(xiàn)第五個(gè)報(bào)警信息,9,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Warming: check SiH4 distribution. 說(shuō)明:警告,檢查硅烷的流量。 檢查硅烷的流量是否于設(shè)定值吻合,如果不是退

11、出并重新運(yùn)行工藝,10,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Recipe couldnt de started. please check protocol for reason.。 說(shuō)明:工藝不能被運(yùn)行,請(qǐng)檢查原因。 原因:此管已有一個(gè)工藝在運(yùn)行;此管沒(méi)有你要選的工藝文件;狀態(tài)不正確,11,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,There is already an active recipe form local listing. 說(shuō)明:已經(jīng)有工藝在此管的工藝列表中。 十一、十二倆個(gè)報(bào)警有時(shí)會(huì)一起出現(xiàn),終止任何一個(gè)報(bào)警都會(huì)解除。,12,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Tube ready in undefine

12、d please ensure that the CESAR loading machine is at“0” position and softlander is “UP”. 說(shuō)明:管子的狀態(tài)無(wú)法被確認(rèn),請(qǐng)確保CESAR接收到槳在“0”和“UP”的位置。 檢查槳是否在上位和原點(diǎn)的位置,如果是的,在空槳的情況下運(yùn)行homing工藝;如果不是,手動(dòng)移動(dòng)槳到上位和原點(diǎn)。,13,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Boat collision. 說(shuō)明:舟被撞擊。 Handling對(duì)話(huà)框中將舟移動(dòng)到安全的位置;若是在上下舟,檢查一下小車(chē)和儲(chǔ)存架的位置是否于舟的位置匹配。,14,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Th

13、e boat sensor has detected no boat in the grab although a boat should be in the grab. please check boat in grab sensor and try again. 說(shuō)明:雖然有一個(gè)舟在機(jī)械臂上,但傳感器測(cè)不到,請(qǐng)檢查一下舟是否接觸到傳感器后再試一次。 機(jī)械臂上的傳感器沒(méi)有感應(yīng)到舟,將舟放到正確的位置即可。,15,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Grab sensor undefined. No movement possible! Check boat position. 說(shuō)明:傳感器不明確,無(wú)

14、法移動(dòng),檢查舟的位置。 機(jī)械臂不在正確的位置,無(wú)法移動(dòng),若機(jī)械臂沒(méi)有被鎖定在Handling的界面中將機(jī)械臂移至正確的位置。,16,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Boat position (speed) out of 1st(2nd) tolerance. 說(shuō)明:舟的位置(速度)超過(guò)第一(二)限值。通常會(huì)發(fā)生在退舟失敗后,手動(dòng)使槳復(fù)位。,17,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Boat failure . 說(shuō)明:退舟失敗。 檢查舟在槳上的位置,如果正確手動(dòng)將槳復(fù)位;如果不正確,戴上高溫手套把舟拉到正確的位置后手動(dòng)復(fù)位。,18,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,Water flow gas side st.

15、1. 說(shuō)明:TGA(gas side )冷卻水報(bào)警。將石英管后的冷卻水流量調(diào)整一下即可,19,管式PECVD日常報(bào)警說(shuō)明,VN: No process boat in source position. 說(shuō)明:在設(shè)定的位置沒(méi)有舟的存在。 通常是因?yàn)闄C(jī)械臂將石墨舟放到儲(chǔ)存架上,儲(chǔ)存架上的傳感器沒(méi)有感應(yīng)到。調(diào)節(jié)傳感器或者調(diào)節(jié)舟的位置即可。,20,PECVD操作與工藝過(guò)程,1 開(kāi)機(jī)過(guò)程簡(jiǎn)介 2關(guān)機(jī)過(guò)程簡(jiǎn)介 3操作過(guò)程簡(jiǎn)介 4工藝氣體介紹 5工藝過(guò)程介紹,PECVD開(kāi)機(jī),打開(kāi)N2閥。確認(rèn)面板上綠色N2閥已打開(kāi)。壓力值為1kg /cm2左右,N2閥,PECVD操作簡(jiǎn)介,PECVD操作簡(jiǎn)介,按壓START真

16、空泵啟動(dòng)按鈕,啟動(dòng)真空泵。,CBI按鈕,START按鈕,PECVD操作簡(jiǎn)介,PECVD開(kāi)機(jī),打開(kāi)設(shè)備冷卻水。先打開(kāi)出水閥,再開(kāi)進(jìn)水閥。壓力在3kg /cm2-6kg /cm2 范圍內(nèi),進(jìn)水閥,出水閥,PECVD操作簡(jiǎn)介,PECVD開(kāi)機(jī),打開(kāi)并檢查氣源。打開(kāi)壓縮空氣閥,氮?dú)忾y,NH3閥,SiH4閥。 機(jī)器上壓縮空氣壓力應(yīng)在6kg /cm27kg /cm2。其他氣體為4kg /cm210kg /cm2范圍,PECVD操作簡(jiǎn)介,PECVD開(kāi)機(jī),開(kāi)總電源。用手扳住電柜外部的紅色按鈕,順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)90度。機(jī)器上指示燈 VAT控制器燈亮,可確定總電源已開(kāi)啟。,該狀態(tài)為已 經(jīng)扳過(guò)90度,PECVD操作簡(jiǎn)介

17、,PECVD開(kāi)機(jī),PECVD的操作流程,戴好無(wú)紡 布口罩,戴好潔 凈手套,取來(lái)待鍍 膜的硅片,在刻蝕處檢查硅片數(shù)量,把石墨舟推到潔凈工作臺(tái)下,取出承片盒放入潔凈工作臺(tái),取出石英吸筆,并擦拭干凈,把硅片一片片插入石墨舟內(nèi) 注意硅片的擴(kuò)散方向,一舟插完后,用小車(chē)推到設(shè)備的上料口,對(duì)計(jì)算機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的操作后,讓其自動(dòng)運(yùn)行,工藝結(jié)束(鍍膜結(jié)束),開(kāi)門(mén)退舟(設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行),待報(bào)警后,按退車(chē)按鈕退車(chē),把裝有石墨舟的小車(chē)推到冷卻房?jī)?nèi)進(jìn)行冷卻,冷卻結(jié)束后,把小 車(chē)推到插片房?jī)?nèi),卸片結(jié)束后,放入指定的承載盒內(nèi),把放滿(mǎn)的承載盒拿到絲網(wǎng)上料,準(zhǔn)備進(jìn)行印刷,開(kāi)始卸片。注意工藝點(diǎn)的一致性,啟動(dòng)CMI程序。開(kāi)總電源后計(jì)算機(jī)

18、自動(dòng)啟動(dòng)。輸入密碼后自動(dòng)進(jìn)入Windows桌面。用鼠標(biāo)左鍵雙擊“CMI”圖標(biāo),啟動(dòng) CMI。,進(jìn)入CMI 畫(huà)面,檢查設(shè)備狀態(tài):,SLS=UP ,DOOR=CLOSED ,PLC=OK ,LIFT=READY ,TUBE=READY ,TGA FREE=YES SET/ACT POSITION=0 ,PROCFLAG=OK,選擇工藝程序,生產(chǎn)。,2 PECVD操作簡(jiǎn)介,用手推車(chē)槳舟移動(dòng)到固定位置,查看爐管的工作,并等待爐管的工作,編寫(xiě)LOT NUMBER 號(hào),并用機(jī)械手放到要去的 槳上,并將機(jī)械手回位,將舟進(jìn)入到爐管內(nèi),撤舟,撤舟的后關(guān)門(mén),運(yùn)行已經(jīng)調(diào)處的程序siNx鍍膜,程序運(yùn)行完進(jìn)行吹掃,沖氮

19、氣,撤舟,等待爐管溫度均勻,此時(shí)沖氮?dú)?抽真空,分預(yù)抽與主抽 氨氣進(jìn)入,先輝光放電 通氨氣與硅烷 停止通氨氣與硅烷,通入氮?dú)?抽真空 通氮?dú)獾酱髿鈮?PECVD關(guān)機(jī),檢查確認(rèn)生產(chǎn)已完畢。機(jī)器中舟已卸出。 PECVD每個(gè)真空管壓力設(shè)定為10000mToor,等每管實(shí)際壓力達(dá)到10000mToor。 關(guān)閉CMI程序。再關(guān)計(jì)算機(jī)。 關(guān)主電源。用手扳住電柜外部的紅色按鈕,逆時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)90度。 關(guān)閉氣源。注意:除N2外關(guān)閉所有氣體。 關(guān)閉冷卻水。等待二十分鐘后關(guān)閉冷卻水。先關(guān)進(jìn)水,再關(guān)出水。 關(guān)閉真空泵。按壓真空泵面板“OFF”按鈕停泵。等待20分鐘后關(guān)閉冷卻水和N2閥,工藝氣體特點(diǎn)介紹,從上面的工藝氣

20、體的反應(yīng)來(lái)看,對(duì)于硅烷和氨氣的鍵能來(lái)看,氨氣的鍵能大于硅烷的 鍵能,所以在輝光放電時(shí),要先通氨氣,在通硅烷,這樣才能使之共同進(jìn)行輝光放電.,硅烷SiH4,危險(xiǎn)性概述 爆炸危險(xiǎn):易燃, 暴露在空氣中能自燃。 健康危害:吸入硅烷蒸氣后,引起頭痛、頭暈、發(fā)熱、惡心、多汗,嚴(yán)重者面色蒼白,脈搏微弱, 陷入半昏迷狀態(tài)。脫離現(xiàn)場(chǎng)至空氣新鮮處,保持呼吸道通暢,必要時(shí)進(jìn)行人工呼吸,就醫(yī)。,消防措施 危險(xiǎn)特性:易燃,遇明火、高熱極易燃燒,暴露在空氣中能自燃,與氟、氯等發(fā)生劇烈的化學(xué)反應(yīng)。 滅火方法:切斷氣源,若不能立即切斷氣源,則不允許熄滅正在燃燒的氣體,噴水冷卻容器,可能的話(huà)將容器從火場(chǎng)移至空曠處。 滅火劑:

21、二氧化碳。,硅烷SiH4,泄漏應(yīng)急處理 迅速撤離泄漏污染區(qū),人員至上風(fēng)處,并隔離至氣體散去,切斷火源。建議應(yīng)急處理人員戴自給正壓式呼吸器,穿一般消防護(hù)服,切斷氣源,噴灑霧狀水稀釋、抽排(室內(nèi))或強(qiáng)力通風(fēng)(室外)。如有可能,將殘余氣或漏出氣用排風(fēng)機(jī)送至水洗塔或與塔相連的通風(fēng)櫥內(nèi),漏氣容器不能再用,且要經(jīng)過(guò)技術(shù)處理,以除去可能剩下的氣體。,硅烷SiH4,爆炸危險(xiǎn):易燃,能與空氣混合形成爆炸性氣體,遇明火及高熱會(huì)燃燒、爆炸。 健康危害:低濃度氨對(duì)粘膜有刺激作用,高濃度可造成組織溶解壞死。 急性中毒:輕度者出現(xiàn)眼淚、咽痛、聲音嘶啞、咳嗽、咯痰等,眼結(jié)膜、鼻粘膜、咽部充血、水腫、胸部X線(xiàn)癥象符合支氣管炎

22、或支氣管周?chē)?。中度中毒:上述癥狀加重,出現(xiàn)呼吸困難、紫紺、胸部X線(xiàn)癥象符合肺炎或間質(zhì)性肺炎,嚴(yán)重者可發(fā)生中毒性肺水腫,或有呼吸道窘迫綜合癥,患者劇烈咳嗽,咯大量粉紅色泡沫痰,呼吸窘迫,譫意、昏迷、休克,可發(fā)生喉頭水腫或支氣管粘膜壞死脫落窒息,高濃度NH3可引起反射性呼吸停止。濃氨或高濃度氨可致眼灼傷,濃氨可致皮膚灼傷。,氨氣NH3,環(huán)境危害:對(duì)環(huán)境有嚴(yán)重危害,應(yīng)特別注意對(duì)地表水、土壤、大氣和飲用水的污染。 皮膚接觸:立即脫去被污染的衣著,應(yīng)用2%硼酸液或大量清水沖洗,就醫(yī)。 眼睛接觸: 立即提起眼瞼,用大量流動(dòng)清水或生理鹽水徹底清洗,至少15分鐘,就醫(yī)。 吸入: 迅速脫離現(xiàn)場(chǎng)至空氣新鮮處,保

23、持呼吸道通暢,如呼吸困難,給輸氧;如呼吸停止,立即進(jìn)行人工呼吸,就醫(yī)。 危險(xiǎn)特性:易燃,與空氣混合能形成爆炸性混合物,遇明火、高熱能引起燃燒、爆炸,與氟、氯等接觸會(huì)發(fā)生劇烈的化學(xué)反應(yīng),若遇高熱,容器內(nèi)壓增大,有開(kāi)裂和爆炸的危險(xiǎn)。,氨氣NH3,滅火方法: 消防人員必須穿戴全身防火防毒服,切斷氣源,若不能立即切斷氣源,則不允許熄滅正在燃燒的氣體,噴水冷卻容器,可能的話(huà)將容器從火場(chǎng)移至空曠處。 滅火劑: 霧狀水、抗溶性泡沫、二氧化碳、砂土.,氨氣NH3,泄漏應(yīng)急處理 迅速撤離泄漏污染區(qū),人員至上風(fēng)向,并立即隔離150米,嚴(yán)格限制出入,切斷火源,建議應(yīng)急處理人員戴自給正壓式呼吸器,穿防毒服,盡可能切斷

24、泄漏源,合理通風(fēng),加速擴(kuò)散,高濃度泄漏區(qū),噴含HCl的噴霧水中和、稀釋、溶解,構(gòu)筑圍堤或挖坑收容產(chǎn)生的大量廢水。如可能將殘余氣或漏出氣體用排風(fēng)機(jī)送至水洗塔或與塔相連的通風(fēng)櫥內(nèi)。儲(chǔ)罐區(qū)最好設(shè)稀酸噴灑設(shè)施。漏氣容器要妥善處理,修復(fù),檢驗(yàn)后再用。,氨氣NH3,Si3N4的認(rèn)識(shí):Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化,其理想的厚度是7377nm之間,表面呈現(xiàn)的顏色是深藍(lán)色,Si3N4膜的折射率在1.92.1之間為最佳,與酒精的折射率相乎,通常用酒精來(lái)測(cè)其折射率。,Si/N比對(duì)SiNx薄膜性質(zhì)的影響: 電阻率隨x增加而降低 折射率n隨x增加而增加 腐蝕速率隨密度增加而降低,鍍膜的作用與膜的要求,Si

25、Nx的優(yōu)點(diǎn): 優(yōu)良的表面鈍化效果; 高效的光學(xué)減反射性能(厚度折射率匹配) 低溫工藝(有效降低成本); 反應(yīng)生成的H離子對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化.,Si3N4膜的作用: 減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進(jìn)太陽(yáng)光的吸收。 防氧化:結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。,PECVD機(jī)械手操作界面,PECVD整個(gè)程序的運(yùn)行過(guò)程中的控制,影響PECVD膜的因素,沉積溫度 沉積壓強(qiáng) 氣體流量、比例 微波功率:最大功率,ton,toff 傳輸速度,微波功率:較高的P-mean稍微提高沉積速率。 P-peak調(diào)整等離子體分布長(zhǎng)度 。,壓強(qiáng):較高壓強(qiáng)較低的沉積速率。,溫度:較高溫度稍微降低沉積速率。,氣流量:較高氣流量較

26、高的沉積速率。,氣體比例:更多SiH4提高折射率。,各個(gè)條件影響分析,1 影響PECVD膜厚的有 程序運(yùn)行時(shí)間太長(zhǎng) 爐內(nèi)的壓力太大 輝光放電時(shí)的電壓太大 真空度有泄露 去PSG清洗不干凈 2 影響鍍膜的薄的原因有 程序運(yùn)行時(shí)間短 爐內(nèi)的壓力小 輝光放電時(shí)的電壓小 氣體流量少 3 影響膜的折射率低的原因有 氣體流量不穩(wěn)定,影響膜不均勻的主要因素,4影響電池片在片內(nèi)不均勻的有 輝光放電時(shí)電壓控制不準(zhǔn)確、 氣體流量不準(zhǔn)確 爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)不準(zhǔn)確 真空有泄露 舟已經(jīng)超過(guò)最大位置 槳上的舟已經(jīng)丟失 5電池片上沒(méi)有膜的出現(xiàn) 輝光放電的電極關(guān)閉 沒(méi)有氣體流過(guò),更改資料,打開(kāi)SETUP菜單,點(diǎn)擊BOAT更改或刪除

27、舟的資料。 選擇你要更改或刪除的舟的資料。 輸入密碼后顯示設(shè)定Set boat act active for handling. 刪除Delete load information of this boat 選擇Delete load information of this boat.刪除石墨舟的信息,更改資料,選擇Set boat act active for handling點(diǎn)擊NEXT在BOAT ID 中更改舟號(hào),在PROCESS TUBE中選擇運(yùn)行工藝的管號(hào)。 點(diǎn)擊NEXT在Actual boat location中選擇舟的實(shí)際的位置,在BOAT STATENOT ACTIVE中選擇舟

28、的狀況。 點(diǎn)擊NEXT在Recipe中選擇工藝文件,在Lots in boat中輸入操作者。 點(diǎn)Finish 完成設(shè)定。,厚度的均勻性(nominal 約75 nm) 同一硅片 +/- 5% 同一片盒內(nèi)的硅片 +/- 5% 不同片盒內(nèi)的硅片 +/- 5% 折射率 (nominal 約2.05) 同一硅片 +/- 0.5% 同一片盒內(nèi)的硅片 +/- 0.5% 不同片盒內(nèi)的硅片 +/- 0.5%,PECVD對(duì)膜的要求,PECVD安全注意事項(xiàng),人身安全 舟和槳從爐管中出來(lái)后帶有高溫,移動(dòng)小車(chē)時(shí)要注意不要被燙傷。 機(jī)器在自動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)下嚴(yán)禁進(jìn)入機(jī)器內(nèi)部。 進(jìn)入機(jī)器前,需把選擇開(kāi)關(guān)打到手動(dòng)“HAND”,待

29、機(jī)械手執(zhí)行完命令停下后,方可進(jìn)入機(jī)器。 清理管內(nèi)碎片時(shí)需戴上高溫手套和防護(hù)眼鏡。 接觸到碎片時(shí),務(wù)必戴好乳膠手套,以防刺到手。 做吸筆時(shí),要防止吸筆切斷的部分對(duì)自己或他人造成傷害。 上班要精神飽滿(mǎn),動(dòng)作嚴(yán)禁“自主創(chuàng)新”,必須按章操作,設(shè)備 設(shè)施 工夾具的安全 機(jī)器在生產(chǎn)的過(guò)程中需有人看護(hù)。 未經(jīng)培訓(xùn)合格不得操作設(shè)備,未經(jīng)授權(quán)嚴(yán)禁使用工序長(zhǎng)得權(quán)限操作機(jī)器。 推小車(chē)進(jìn)機(jī)器時(shí),要首先確定電極孔的位置對(duì)內(nèi)向爐體,否則有可能撞壞高頻的兩根電極。 在SLS處于UP位置時(shí),管內(nèi)有舟不可手動(dòng)進(jìn)槳。 在SLS處于DOWN位置時(shí),槳上有舟不得手動(dòng)進(jìn)舟。 槳上有舟時(shí),舟不在正確位置,不準(zhǔn)切換到自動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)。,PECVD安全注意事項(xiàng),舟位于儲(chǔ)存架時(shí),一定要確認(rèn)儲(chǔ)存架上的感應(yīng)器有沒(méi)有感應(yīng)到。 遇到兩舟向撞時(shí),立即按壓“HANDLING STOP”。 機(jī)械臂把舟抓到槳上后,工藝無(wú)法正常運(yùn)行,先確定舟在槳上的位置,以及Tube=ready、SLS=u

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