1、光電子材料與器件,范會博 187 5270 6397 物理學院樓418室,課程相關內容介紹： 總學時：40學時 平時作業(yè)（每堂課都有）、點名，占40% 期末考試，占60%,第1章 半導體發(fā)光材料及器件 第2章 固體激光材料及典型固體激光器 第3章 光纖材料及光纖器件 第4章 非線性光學材料 第5章 光調制器 第6章 光探測材料及器件 第7章 光顯示材料及器件 第8章 微納光電材料及器件,緒論,第1章 半導體發(fā)光材料及器件,1.0 概述 1.1 半導體及半導體發(fā)光基礎 1.2 半導體發(fā)光材料 1.3 發(fā)光二極管 1.4 半導體激光器,1.0 概述 應用領域： 信息顯示 光纖通信 固態(tài)照明 國防,

2、能帶理論,孤立原子 能級簡并：原子相距足夠遠孤立原子每個原子具有相同的電子能級結構，電子能級簡并,根據波爾模型，電子在特定的圓周軌道上運動，軌道半徑與電子能級是不連續(xù)的，顯示出分立的量子化特征,能帶理論,組成分子 能級分裂：原子相互靠攏形成分子時，原子間距減小(10-10 m) 相互作用增強最外層電子云發(fā)生交疊能級分裂，解除簡并相同的原子能級分裂成具有不同能量值的若干能級,1.1 能帶理論,能帶 N個原子(1022 )組成晶體孤立原子的每個能級分裂成N個不同的能級N 越大，每個孤立原子的電子能級分裂成的不同能級差別越小形成一組能量上準連續(xù)的能級集合能帶,E取決于兩個最相鄰的原子，能級便分裂成N

3、個彼此靠得很近的能級，簡并消失。這N個能級組成一個能帶，稱為允許帶,1.2 半導體物理基礎,半導體的能帶結構,相鄰能帶之間可能存在帶隙，電子不能穩(wěn)定占據，即禁帶，寬度Eg,1.2 半導體物理基礎,半導體的能帶結構 在絕對零度下，電子由低向高填充能帶，形成價帶。在價帶中電子仍被各個原子束縛。 由于熱運動等，電子擺脫原子束縛躍遷到價帶之上的能帶，并在整個半導體材料中自由移動，這個能帶稱為導帶。,價帶,導帶,禁帶,導體、半導體以及絕緣體的能帶結構,1.2 半導體物理基礎,其能帶結構的特征是價帶已被填滿，而其上的導帶則全空著，價帶與導帶之間的禁帶寬度較大。在常溫下，價帶中的電子幾乎無法逾越禁帶而躍入導

4、帶，在一般電壓的電場下，價電子不可能獲得足夠能量躍入導帶而被加速,1.2 半導體物理基礎,導體、半導體以及絕緣體的能帶結構,禁帶寬度較小，在絕對零度時，半導體的價帶全被電子占滿，而導帶是全空的；在一般的溫度下，共有化的電子有可能因熱激發(fā)而獲得能量，脫離共有化的束縛而成為準自由電子被激發(fā)到導帶中，同時，在價帶中留下了一些沒有電子的空量子狀態(tài)，即空穴。,1.2 半導體物理基礎,導體、半導體以及絕緣體的能帶結構,具有未被填滿的價帶結構(c)或者導帶和滿帶交疊在一起形成一個統(tǒng)一的不滿的寬能帶(d) ，因此在外電場作用下，這些電子就可以被加速而形成電流,1.2 半導體物理基礎,半導體的能帶結構,導帶電子

5、,空穴,電子和空穴不僅和半導體的導電性有關，同時其產生、復合以及在能帶中的分布還直接與半導體的光學性質有關,1.2 半導體物理基礎,本征和非本征半導體 本征半導體：純凈半導體 由于熱運動，價帶中的電子被激發(fā)到導帶，同時在價帶留下空穴，形成電子-空穴對。 電子濃度n與空穴濃度p相等。 載流子少，導電性差，溫度穩(wěn)定性差 非本征半導體：本征半導體中引入一定數量的雜質 電子濃度n空穴濃度p 可以有效的改變半導體的導電性,1.2 半導體物理基礎,本征和非本征半導體 在熱平衡條件下，能量為E的能級被電子占據的概率為 費米能級不是實在能級，而是描述電子在各能級中分布的參量的虛擬能級，費米能級一般位于禁帶中，

6、距離導帶底能級Ec和價帶頂能級Ev都很遠,1.2 半導體物理基礎,本征和非本征半導體 導帶底與價帶頂附近電子占據的概率分別為 導帶與價帶中的電子濃度為,1.2 半導體物理基礎,本征和非本征半導體 在熱平衡條件下，本征和非本征半導體均滿足濃度作用定律 兩類載流子濃度的乘積為常數 一種載流子濃度的增加會使得另一種載流子濃度的減少,1.2 半導體物理基礎,非本征半導體的分類 濃度高的稱為多數載流子 多數載流子是電子n型半導體 多數載流子是空穴p型半導體,1.2 半導體物理基礎,N型半導體 在4價的硅或鍺中摻入少量的5價雜質元素，如磷、銻、砷等，則原來晶格中的某些硅原子將被雜質原子代替。 雜質原子與周

7、圍四個硅原子組成共價鍵時多余一個電子。這個電子只受自身原子核吸引，在室溫下可成為自由電子。,自由電子,失去自由電子的雜質原子固定在晶格上不能移動，并帶有正電荷，稱為正離子。,1.2 半導體物理基礎,N型半導體 在這種雜質半導體中，電子的濃度大大高于空穴的濃度。 因主要依靠電子導電，也稱為電子型半導體。 5價的雜質原子可以提供電子，所以稱為施主原子。,1.2 半導體物理基礎,P型半導體 在硅或鍺晶體中摻入少量的3價雜質元素，如硼、鎵、銦等，當它與周圍的硅原子組成共價鍵時，將缺少一個價電子，產生了一個空位?？瘴粸殡娭行浴?空位,1.2 半導體物理基礎,P型半導體 硅原子外層電子由于熱運動填補此空位

8、時，雜質原子成為負離子，硅原子的共價鍵中產生一個空穴。 在室溫下仍有電子-空穴對的產生和復合。,空穴,多數 載流子,少數 載流子,1.2 半導體物理基礎,P型半導體 在這種雜質半導體中，空穴的濃度遠高于自由電子的濃度。所以也稱為空穴型半導體。 3價的雜質原子產生多余的空穴，起著接受電子的作用，所以稱為受主原子。,空穴,多數 載流子,少數 載流子,1.2 半導體物理基礎,在非本征半導體中： 雜質濃度不應破壞半導體的晶體結構， 多數載流子的濃度主要取決于摻入雜質的濃度；而少數載流子的濃度主要取決于溫度。 非本征半導體的優(yōu)點： 摻入不同性質、不同濃度的雜質，并使P型半導體和N型半導體以不同方式組合，

9、可以制造出形形色色、品種繁多、用途各異的半導體器件，是制造很多半導體電子及光電子器件的基本材料： 二極管、三極管、場效應管等電子元件； 發(fā)光二極管、半導體激光器、光電二極管、太陽能電池等半導體光電子器件。,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 半導體單晶材料不同區(qū)域的導電類型分別為n型及p型，兩者的交界位置便形成pn結 由于p區(qū)和n區(qū)多數載流子（空穴&電子）的濃度差異，使得兩邊的多數載流子各自向對方區(qū)域擴散，并相互復合,P型,N型,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 復合后，n區(qū)一側的電子濃度降低，只留下不能移動的施主離子，呈現局域的正電荷區(qū)域；而p區(qū)一側的空穴濃度降低，留下

10、不能移動的受主離子，呈現局域的負電荷區(qū)域,P型,N型,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 由于局域正負電荷的存在，pn結附近形成了一個有n區(qū)指向p區(qū)的內建電場，阻礙多數載流子的擴散，使得少數載流子相互漂移,P型,N型,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 隨著擴散的減弱、漂移的增強，最終實現載流子的動態(tài)平衡。Pn結附近載流子被耗盡的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，或耗盡區(qū)，呈現整體的電中性。,空間電荷區(qū),硅約為（0.60.8）V鍺約為（0.20.3）V,P型,N型,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 正向偏壓 在P-N結的p型區(qū)接電源正極，叫正向偏壓。阻擋層勢壘被削弱、變窄，有

11、利于空穴向N區(qū)運動，電子向P區(qū)運動，形成正向電流（mA級）。 外加正向電壓越大，正向電流也越大，而且是呈非線性的伏安特性,1.2 半導體物理基礎,PN結及其單向導電性 反向偏壓 在P-N結的p型區(qū)接電源負極,叫反向偏壓。阻擋層勢壘增大、變寬，不利于空穴向區(qū)運動，也不利于電子向P區(qū)運動,沒有正向電流。但是，由于少數載流子的存在，會形成很弱的反向電流，稱為漏電流(A級)。 當外電場很強,反向電壓超過某一數值后，反向電流會急劇增大-反向擊穿。,1.2 半導體物理基礎,直接帶隙和間接帶隙半導體 導帶底和價帶頂的位置相同，k相同，為直接帶隙 導帶底和價帶頂的位置不同，k不同，為間接帶隙,1.2 半導體物

12、理基礎,直接帶隙和間接帶隙半導體 直接帶隙和間接帶隙半導體在電學和光學性質上均表現出較大的差異 直接帶隙半導體一般用來制作發(fā)光器件 間接帶隙半導體則主要用于光電探測器。,1.3 半導體發(fā)光原理,發(fā)光學基本概念 物質內部以某種方式吸收能量，將其轉化成光輻射(非平衡輻射)的過程稱為發(fā)光。 受外界激發(fā)而發(fā)光的固體稱為發(fā)光材料。 發(fā)光特點： 發(fā)光是物體熱輻射之外的另一種輻射，它與熱物體的光輻射過程不同，不需要加熱-冷光 具有一定的持續(xù)時間,1.3 半導體發(fā)光原理,發(fā)光學基本概念 根據激勵方式的不同，可分為：光致發(fā)光和電致發(fā)光。 光致發(fā)光：材料吸收高能光子后電子躍遷至高能態(tài)而后再發(fā)光的的過程 電致發(fā)光：

13、材料通過電流激發(fā)引起的光發(fā)射過程。,1.3 半導體發(fā)光原理,發(fā)光學基本概念 光致發(fā)光（Photoluminescence）是物質受到外界光激發(fā)而產生發(fā)光的現象。它大致經過吸收、能量傳遞和光發(fā)射三個階段。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 半導體材料中電子由高能態(tài)（導帶）向低能帶躍遷的同時，會以光子的形式釋放多余的能量，稱為輻射躍遷。 輻射躍遷的過程也就是半導體材料的發(fā)光過程。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 電子的躍遷要求在導帶和價帶中存在對應的電子-空穴對 R過程：通過電子和空穴的復合半導體可以發(fā)射光子，稱為輻射復合（輻射躍遷） NR過程：電子和空穴復合過程中不發(fā)射光子，其能量

14、通過晶格振動消耗掉，稱為非輻射復合（無輻射躍遷） 復合過程：動量守恒、能量守恒,輻射壽命,非輻射壽命,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 輻射復合分為受激輻射和自發(fā)輻射 受激輻射需要激勵光子的作用，對應于半導體激光器 自發(fā)輻射是電子隨機性的輻射過程，對應于半導體發(fā)光二極管,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 輻射復合分為受激輻射和自發(fā)輻射 受激輻射需要激勵光子的作用，對應于半導體激光器 自發(fā)輻射是電子隨機性的輻射過程，對應于半導體發(fā)光二極管 輻射光子波長由復核過程中釋放的能量決定：,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 考慮到輻射和非輻射躍遷過程，高能態(tài)的電子數N單位時間的變化量可以

15、表示為： 輻射、非輻射躍遷壽命有愛因斯坦系數度決定，表征了電子由高能態(tài)通過輻射和非輻射躍遷到低能態(tài)的幾率。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 發(fā)光效率 輻射壽命長的材料更適合于制作高效率的發(fā)光器件,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 發(fā)光效率 半導體的發(fā)光過程與半導體中能量的弛豫機制有關，發(fā)射譜形狀同時受到帶內電子及空穴的熱分布影響,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 發(fā)光效率 半導體的發(fā)光過程與半導體中能量的弛豫機制有關，發(fā)射譜形狀同時受到帶內電子及空穴的熱分布影響,半導體材料所能發(fā)射的不同波長的光，以及各波長光的強度、帶寬。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 直接帶隙和

16、間接帶隙的發(fā)光原理 滿足守恒定律,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 直接帶隙的發(fā)光原理,導帶底和價帶頂波矢k相同，p相同，電子直接躍遷，發(fā)射一個光子。 特點：無聲子參與，發(fā)光效率高，常用于制作高效率的發(fā)光器件。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 直接帶隙和間接帶隙的發(fā)光原理,導帶底和價帶頂波矢k不同，p不同，需要聲子參與。,1.3 半導體發(fā)光原理,半導體發(fā)光基礎 直接帶隙和間接帶隙的發(fā)光原理,導帶底和價帶頂波矢k不同，p不同，需要聲子參與。 特點：有聲子參與，發(fā)光效率低。,聲子能量,1.4 發(fā)光材料,III-V族元素化合的化合物半導體材料 GaAs（砷化鎵） GaP (磷化鎵) G

17、aAs1-xPx（磷砷化鎵） GaInN（銦鎵氮） Si硅基發(fā)光材料 稀土發(fā)光材料,1.4 發(fā)光材料,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaAs （砷化鎵） 典型的直接躍遷型材料；Eg=1.42eV，=873nm（紅光） 最為重要且研究最多的III-V族化合物半導體 摻雜Si，Si占據Ga和As位，分別成為施主和受主 主要在p區(qū)發(fā)光 注入電子的遷移率遠高于空穴的遷移率 許多材料外延生長的襯底 主要應用于微波器件，半導體激光器，上轉換可見光器件的紅外激發(fā)源，發(fā)光耦合器的紅外發(fā)光源等,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaP (磷化鎵) GaP是橙紅色透明晶體，是典型的間接躍遷型材料。通過摻入不同的等電子陷阱

18、中心，可以直接發(fā)射紅、綠等顏色的光。 摻入雜質N后，發(fā)光效率大大提高。 磷化鎵的液相外延材料可制造紅色、黃綠色、綠色的發(fā)光二極管，氣相外延加擴散生長的材料，可制造黃色、黃綠色的發(fā)光二極管。,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaN (氮化鎵) GaN是纖鋅礦型的直接躍遷半導體材料。具有帶隙寬、熱導率高、化學性能穩(wěn)定的特點。 GaN與III族氮化物半導體InN及AlN的性質接近，均為直接躍遷型半導體材料，它們構成的三元固溶體的帶隙可以從1.9eV連續(xù)變化到6.2eV。 室溫下帶隙寬度3.39eV，是性能優(yōu)良的的短波長半導體發(fā)光材料，可用于藍光及紫光發(fā)光器件。,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaInN（銦

19、鎵氮） GaInN是直接躍遷結構，帶隙寬度的整個范圍為1.95(636.6nm)-3.4(365nm)eV，覆蓋了整個可見光譜。 AlGaInN的帶隙寬度更寬，在1.95-6.2eV之間，因此，GaN及有關化合物半導體(AlGaN、InGaN等)是認為在短波長LED方面最有前途的材料。 AlGaInN材料體系的二元、三元和四元化合物在整個摩爾比范圍內都有直接帶隙，非常適合做成高效的發(fā)光二極管。 AlGaInN中典型的n型雜質是Si，最適合的p型雜質為Mg。,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaAs1-xPx（磷砷化鎵） GaAs1-xPx是目前應用較為廣泛的顯示用發(fā)光材料。閃鋅礦結構，它是由直接躍

20、遷型的GaAs與間接躍遷型的GaP組成的固溶體。 在室溫下，x0.45時為直接躍遷型，x=0.4時，發(fā)紅光，峰值波長650-660nm，發(fā)光效率較高，人眼對該波長光的敏感度較高。當x0.45時，變?yōu)殚g接躍遷，效率大幅度下降。但摻入雜質N后，如同GaP，發(fā)光效率大大提高。 發(fā)光波長隨著組分參數的變化而變化：,1.4.1 半導體發(fā)光材料,GaAs1-xPx（磷砷化鎵） 以GaP作為襯底，在外延層摻入氮，由于氮的電子陷阱作用，大大提高了材料的發(fā)光效率。 GaAs0.35P0.65:N/GaP、 GaAs0.25P0.75:N/GaP、 GaAs0.15P0.85:N/GaP是發(fā)光效率相當高的橙紅、橙

21、色和黃色發(fā)光材料。 x=1，材料發(fā)出較強的綠光。,1.4.1 半導體發(fā)光材料,Ga1-xAlAsx（磷鋁化鎵） Ga1-xAlAsx 是GaAs和AlAs的固溶體。 隨著x的改變，禁帶寬度可在1.42eV（GaAs）到2.16（AlAs）之間變化。 x0.35，材料為間接帶隙。 GaAlAs是制備高輻射度紅外發(fā)光二極管和半導體激光器的優(yōu)質材料。,1.4.1 半導體發(fā)光材料,In1-xGaxP（銦鎵磷） In1-xGaxP是InP和GaP的固溶體。是直接躍遷半導體，禁帶寬度寬至2.2eV。 與（AlxGa1-x）0.5In0.5一起可以生長量子阱，用于紅光半導體激光器或諧振腔發(fā)光二極管。 In1

22、-xGaxAs1-yPy In1-xGaxAs1-yPy是四源固溶體，通過組分x，y的調節(jié)，覆蓋波長范圍從870nm（GaAs）到3.5um（InAs）。 光釬通信所采用的1.3um和1.55um半導體光源主要采用InGaAsP.,1.4.2 硅基發(fā)光材料,Si基發(fā)光材料 硅（Si）是目前最主要的半導體，在微電子器件材料領域占有主流地位，硅基光電子集成是目前科學研究的熱點。 硅基發(fā)光材料又稱硅基光子集成。光發(fā)射器件是硅基光電集成中的關鍵器件，要實現硅基光電子集成，就必須解決硅基材料的發(fā)光問題！,1.4.2 硅基發(fā)光材料,Si基發(fā)光材料 硅基發(fā)光材料具有巨大的應用前景。 由于硅材料高透明度、低缺

23、陷、易塑形等優(yōu)點，以硅基材料為載體，能夠集成光電子器件，而形成多功能光電子器件，以達到多功能、復合光電子器件的目的。 以此為基礎，就可以充分發(fā)揮光傳輸在速度、帶寬、及損耗方面的優(yōu)勢。,多種不同頻率的窄帶光同時傳輸，互不煩擾，實現波峰復用,1.4.2 硅基發(fā)光材料,Si基發(fā)光材料 1984年Dimaria等人報道了，半透明Au 膜/SiO2(50nm)/富硅SiO2(20nm)/n-Si結構在1000退火后，正向偏壓大于15V下有電致發(fā)光出現。 1990年Canham報道了室溫下多孔硅的強光致發(fā)光。 近年來許多研究機構正在通過半導體雜質工程或能帶工程的方法來改善硅的發(fā)光效率，并取得一定的進展。,

24、1.4.2 硅基發(fā)光材料,Si基發(fā)光材料 稀土摻雜硅發(fā)光材料 多孔硅發(fā)光材料 納米硅發(fā)光材料 硅基超晶格和量子阱結構發(fā)光材料 硅基多孔SiC發(fā)光材料,1.5 發(fā)光二極管（核心部分就是pn結）,PN結發(fā)光原理 當PN結處于熱平衡狀態(tài)時，在無偏置電壓的情況下，由于PN結內部的電場勢壘，載流子不發(fā)生擴散和漂移現象，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴不能發(fā)生自然復合，無法發(fā)射光子。,無偏置電壓時PN結的能帶圖,PN結發(fā)光原理 PN結外加反向偏置電壓時，外加電壓主要降落在耗盡區(qū)，因此耗盡區(qū)的寬度向P區(qū)及N區(qū)分別擴展而加寬，從而提高了勢壘高度，阻止多數載流子穿過結區(qū)，載流子無法復合故不能發(fā)光。,反向偏置電壓時PN結的

25、能帶圖,PN結發(fā)光原理 在LED的PN結外加正向偏置電壓時，耗盡區(qū)的寬度和高度都要下降P區(qū)和N區(qū)費米能級分離，勢壘下降eV。 正向偏置破壞了原來的熱平衡狀態(tài)有更多的電子和空穴分別從N區(qū)和P區(qū)經過擴散運動穿過PN結而進入對方區(qū)域，大大增加了少數載流子的濃度。通過正向偏置注入的額外少數載流子，將與帶有相反電荷的多數載流子復合而產生光子。,正向偏置電壓時PN結的能帶圖,PN結發(fā)光原理 PN結在正向偏置下由電子注入產生光自發(fā)輻射的現象即稱為電致發(fā)光。 光發(fā)射主要位于PN結附近的勢壘區(qū)內載流子發(fā)生復合的地方。 但由于少數載流子的擴散長度常常遠大于勢壘寬度，在勢壘區(qū)外也會發(fā)生復合發(fā)光。,正向偏置電壓時PN

26、結的能帶圖,同質結發(fā)光二極管,P型層相對較薄，利于輻射復合產生光子的逃逸。 N型層重摻雜，以使輻射復合主要發(fā)生在p型層內。 然而，此種結構只有部分光能從界面逃逸出去。,半導體材料相對于空氣為光密介質，小于全反射臨界角的光材料形成有效輻射。,易全反射，出光效率低,通過有效封裝，增加光輸出。C相對A增加三倍。,直插式LED,平面式LED（多個芯片組合而成）,食人魚式LED,雙異質結發(fā)光二極管,由不同帶隙寬度的半導體材料構成的pn結。 一般帶隙寬，則折射率小。 為了提高發(fā)射光強，常采用雙異質結結構。,AlGa As帶隙寬于GaAs，因此GaAs中的光子不被AlGaAs吸收。產生的光子很容易到達器件表

27、面。,雙異質結發(fā)光二極管的發(fā)光效率遠高于普通同質結發(fā)光二極管。,發(fā)光二極管的主要光學特性,1、效率：內部量子效率、取出效率、外部量子效率、發(fā)光效率。 內部量子效率：單位時間內有源區(qū)產生光子數與電子-空穴復合數之比。,取出效率：單位時間內，發(fā)射到自由空間中的光子數與有源區(qū)內發(fā)射光子數之比。,外部量子效率：單位時間內，發(fā)射到自由空間中的光子數與注入到發(fā)光二極管的電子數之比。,發(fā)光效率：出射到自由空間的光功率與加載到發(fā)光二極管的電功率之比。,2、光譜分布： 產生的光子能量并不簡單等于禁帶寬度。 最大發(fā)光強度對應的波長為： 發(fā)射光光譜的半高全寬（FWHM）為：,光譜特性：,0.2,0.4,0.6,0.

28、8,1.0,0,600,700,800,900,1000,GaAsP,p=670nm,p=655nm,GaAsP,p=565nm,GaP,p=950nm,GaAs,/nm,相對靈敏度,3、光強分布： 發(fā)射光強非均勻，且按一定規(guī)律分布。 （折射率差及表面形狀的影響）,平面：朗伯分布 半球面：各向同性,發(fā)光二極管的優(yōu)點 效率高：8090%，而白熾燈用于照明只有1020%，大部分為紅外輻射 光色純：光譜較白熾燈窄，色彩鮮明 能耗?。?.051W/h 壽命長：光通量衰減到70%的標稱壽命為100000h 可靠耐用：使用環(huán)境廣泛，非正常報廢可能性小，維護費用低 應用靈活：體積小，易開發(fā)成輕、薄、小、點、線、面陣各種形式的應用產品 綠色環(huán)保：可回收、無污染,白光LED:適于照明，最受重視 白光是混合光，需要兩種或兩種以上的單色光合成 目前獲得白光LED有兩種基本方法： 通過熒光粉轉換得到白光LED，被稱為PC LED（Phosphor Converted LED）； 把不同顏色的LED芯片封裝在一起，多芯片混合發(fā)射出白光，簡稱MC LED（Multi-Chip LED）。 PC LED（芯片+熒