DC621.352K83中華人民共和國國家標準GB12632-90單晶硅太陽電池總規(guī)范Generalspecificationofsinglesiliconsolarcells1990-12-28發(fā)布1991-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471991年7月第一版2004年12月電子版制作書號：1550661-8160版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90Generalspccificationotsinglesiliconsolarcells主題內(nèi)容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了未封裝的硅太陽電池的一般要求。本規(guī)范適用于地面、航天應(yīng)用的單品硅太陽電池。2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB1551硅單品電阻率直流二探針測量方法GB1552硅單品電阻率直流四探針測量方法GB1553硅單晶壽命直流光電導衰退測量方法GB1554硅單品(111)晶面位錯蝕坑腐蝕顯示測量方法GB1555硅單晶晶向光圖測量方法GB1556硅單品晶向光衍射測量方法B2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829周期檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查）GB.6494航天用太陽電池電性能測試方法GB6495地面用太陽電池電性能測試方法技術(shù)要求3.1設(shè)計和結(jié)構(gòu)3.1.1基體設(shè)計按產(chǎn)品詳細規(guī)范要求,選用單品硅片為基體材料和制備有光電效應(yīng)的P-N結(jié)。3.1.2電極根據(jù)電池使用條件的要求，設(shè)制有一定形狀尺寸的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的上、下電極，其熱膨脹系數(shù)應(yīng)與硅基體材料相匹配，接觸電阻小，有良好的導電性和可焊性，有效光照面積不小于90%。3.1.3減反射膜為減少光反射，提高輸出功率，電池光照面應(yīng)設(shè)制減反射膜。減反射膜材料的光學性質(zhì)應(yīng)與電池相匹配，要求層數(shù)應(yīng)在產(chǎn)品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.4電極焊接區(qū)電池的上電極應(yīng)設(shè)制有電極焊接區(qū)，電極焊接區(qū)的厚度、光潔度、導電性、熱物理性能、形狀尺寸、選材、力學疲勞強度應(yīng)在產(chǎn)品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.5尺寸和重