ICS7104040 G 04 . . 中 華 人 民 共 和 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB/T332362016 多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法 PolycrystallinesiliconDeterminationoftraceelements Glowdischargemassspectrometrymethod2016-12-13發(fā)布 2017-11-01實(shí)施 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 發(fā) 布 中 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) 化 管 理 委 員 會(huì) GB/T332362016 前 言 本標(biāo)準(zhǔn)按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) 提出并歸口 (SAC/TC38) 。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 : 。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人 卓尚軍 錢榮 董疆麗 申如香 盛成 高捷 鄭文平 : 、 、 、 、 、 、 。 GB/T332362016 多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法1 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜 法測(cè)量多晶硅中雜質(zhì)元素的測(cè)試方法 (GD-MS) 。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 測(cè)量范圍是本 , 方法的檢出限至 質(zhì)量分?jǐn)?shù) 檢出限根據(jù)所用儀器及測(cè)量條件確定 通過合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品校正 0.1%( ), 。 , 也可以測(cè)量質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于 的雜質(zhì)元素含量 單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量 0.1% 。 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 分析實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格和試驗(yàn)方法 GB/T6682 表 面 化 學(xué) 分 析 輝 光 放 電 質(zhì) 譜 使 用 介 紹 ISO/TS15338:2009 (SurfacechemicalanalysisGlowdischargemassspectrometry(GD-MS)Introductiontouse)3 術(shù)語(yǔ)和定義 下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件 。31 . 離子強(qiáng)度 ionintensity 儀器記錄到的指定元素的離子流總量 。32 . 針狀試樣 pinsample 橫截面為圓形或方形的針狀 棒狀或線狀試樣 通常長(zhǎng)度為 截面的直徑 圓形 或?qū)蔷€ 、 , 20 mm、 ( ) 方形 不超過 ( ) 10mm。33 . 片狀試樣 flatsample 薄片狀或塊狀試樣 通常為圓形或方形 并至少有一面是光滑的 光滑面能形成直徑大于 的 , , , 10mm 圓形測(cè)量面 。34 . 針狀放電池