開關(guān)電源設(shè)計(jì)三種基礎(chǔ)拓?fù)洌˙UCKBOOSTBUCKBOOST）的電路基礎(chǔ)1，電感的電壓公式，推出IVT/LDTILVT2，SW閉合時(shí)，電感通電電壓VON，閉合時(shí)間TONSW關(guān)斷時(shí)，電感電壓VOFF，關(guān)斷時(shí)間TOFF3，功率變換器穩(wěn)定工作的條件IONIOFF即，電感在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，其電流變化相等。那么由1，2的公式可知，VONLION/TON，VOFFLIOFF/TOFF，則穩(wěn)定條件為伏秒定律VONTONVOFFTOFF4，周期T，頻率F，T1/F，占空比DTON/TTON/（TONTOFF）TOND/FTDTOFF（1D）/F電流紋波率RP5152RI/IL2IAC/IDC對應(yīng)最大負(fù)載電流值和最惡劣輸入電壓值IET/LHETVT（時(shí)間為微秒）為伏微秒數(shù)，LH為微亨電感，單位便于計(jì)算RET/（ILLH）ILLHET/RLHET/（RIL）都是由電感的電壓公式推導(dǎo)出來R選值一般04比較合適，具體見P53電流紋波率RI/IL2IAC/IDC在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)R2見P51RI/ILVOND/LFILVO（1D）/LFILLVOND/RFIL電感量公式LVO（1D）/RFILVOND/RFIL設(shè)置R應(yīng)注意幾個(gè)方面A,IPK（1R/2）IL開關(guān)管的最小電流，此時(shí)R的值小于04，造成電感體積很大。B,保證負(fù)載電流下降時(shí)，工作在連續(xù)導(dǎo)通方式P2426，最大負(fù)載電流時(shí)RI/ILMAX,當(dāng)R2時(shí)進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式，此時(shí)RI/IX2負(fù)載電流IX（R/2）ILMAX時(shí)，進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式,例如最大負(fù)載電流3A，R04，則負(fù)載電流為（04/2）306A時(shí)，進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式避免進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式的方法有1，減小負(fù)載電流2，減小電感（會(huì)減小I，則減小R）3，增加輸入電壓P63電感的能量處理能力1/2LI2電感的能量處理能力用峰值電流計(jì)算1/2LI2PK，避免磁飽和。確定幾個(gè)值R要考慮最小負(fù)載時(shí)的R值負(fù)載電流ILIPK輸入電壓范圍VIN輸出電壓VO最終確認(rèn)L的值基本磁學(xué)原理P71以后花時(shí)間慢慢看電磁場與電磁波用于EMC和變壓器H場也稱磁場強(qiáng)度，場強(qiáng)，磁化力，疊加場等。單位A/MB場磁通密度或磁感應(yīng)。單位是特斯拉（T）或韋伯每平方米WB/M2恒定電流I的導(dǎo)線，每一線元DL在點(diǎn)P所產(chǎn)生的磁通密度為DBKIDLAR/R2DB為磁通密度，DL為電流方向的導(dǎo)線線元，AR為由DL指向點(diǎn)P的單位矢量，距離矢量為R，R為從電流元DL到點(diǎn)P的距離，K為比例常數(shù)。在SI單位制中K0/4，04107H/M為真空的磁導(dǎo)率。則代入K后，DB0IDLR/4R3對其積分可得B340RCIDL磁通量通過一個(gè)表面上B的總量，如果B是常數(shù)，則BA，A是表SDS面積HB/BH，是材料的磁導(dǎo)率?？諝獯艑?dǎo)率04107H/M法拉第定律（楞次定律）電感電壓V與線圈匝數(shù)N成正比與磁通量變化率VND/DTNADB/DT線圈的電感量通過線圈的磁通量相對于通過它的電流的比值LHN/I磁通量與匝數(shù)N成正比，所以電感量L與匝數(shù)N的平方成正比。這個(gè)比例常數(shù)叫電感常數(shù)，用AL表示，它的單位是NH/匝數(shù)2（有時(shí)也用NH/1000匝數(shù)2）LALN2109H所以增加線圈匝數(shù)會(huì)急劇增加電感量若H是一閉合回路，可得該閉合回路包圍的電流總量HDLIA，安培環(huán)路定律結(jié)合楞次定律和電感等式可得到DTILVVND/DTNADB/DTLDI/DT可得功率變換器2個(gè)關(guān)鍵方程BLI/NA非獨(dú)立電壓方程BLI/NABVT/NA獨(dú)立電壓方程BACB/2VOND/2NAF見P7273N表示線圈匝數(shù)，A表示磁心實(shí)際幾何面積（通常指中心柱或磁心資料給出的有效面積AE）BPKLIPK/NA不能超過磁心的飽和磁通密度由公式知道，大的電感量，需要大的體積，否則只增加匝數(shù)不增加體積會(huì)讓磁心飽和磁場紋波率對應(yīng)電流紋波率RR2IAC/IDC2BAC/BDCBPK（1R/2）BDCBDC2BPK/（R2）BPK（12/R）BACBACRBPK/（R2）B2BAC2RBPK/（R2）磁心損耗，決定于磁通密度擺幅B，開關(guān)頻率和溫度磁心損耗單位體積損耗體積，具體見P7576BUCK電路5，電容的輸入輸出平均電流為0，在整個(gè)周期內(nèi)電感平均電流負(fù)載平均電流，所以有ILIO6，二極管只在SW關(guān)斷時(shí)流過電流，所以IDIL（1D）7，則平均開關(guān)電流ISWILD8，由基爾霍夫電壓定律知SW導(dǎo)通時(shí)VINVONVOVSWVONVINVOVSWVINVO假設(shè)VSW相比足夠小VOVINVONVSWVINVONSW關(guān)斷時(shí)VOFFVOVDVOVOFFVDVOFF假設(shè)VD相比足夠小9，由3、4可得DTON/（TONTOFF）VOFF/（VOFFVON）由8可得DVO/（VINVO）VODVO/VIN10，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCILIO見511，紋波電流IACI/2VIN（1D）D/2LFVO（1D）/2LF由1，3、4、9得，IVONTON/L（VINVO）D/LF（VINDVIN）D/LFVIN（1D）D/LFI/TONVON/L（VINVO）/LIVOFFTOFF/LVOT（1D）/LVO（1D）/LFI/TOFFVOFF/LVO/L12，電流紋波率RI/IL2IAC/IDC在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)R2見P51RI/ILVOND/LFILVINVOD/LFILVO（1D）/LFILVO（1D）/LFIL13，峰峰電流IPPI2IACRIDCRIL14，峰值電流IPKIDCIAC（1R/2）IDC（1R/2）IL（1R/2）IO最惡劣輸入電壓的確定VO、IO不變，VIN對IPK的影響DVO/VINVIN增加DI,IDCIO,不變，所以IPK要在VIN最大輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)BUCK電路P4951例題變壓器的電壓輸入范圍是1520V，輸出電壓為5V，最大輸出電流是5A。如果開關(guān)頻率是200KHZ，那么電感的推薦值是多大解也可以用伏微秒數(shù)快速求解，見P69（1）BUCK電路在VINMAX20V時(shí)設(shè)計(jì)電感（2）由9得到DVO/VIN5/20025（3）LVO（1D）/RFIL51025/0420010359375H（4）IPK（1R/2）IO（104/2）56A（5）需要9375H6A附近的電感例題BUCK變換器，電壓輸入范圍是1824V，輸出電壓為12V，最大負(fù)載電流是1A。期望電流紋波率為03（最大負(fù)載電流處），假設(shè)VSW15V，VD05V，并且F150KHZ。那么選擇一個(gè)產(chǎn)品電感并驗(yàn)證這些應(yīng)用。解BUCK電路在最大輸入電壓VIN24V時(shí)設(shè)計(jì)15，二極管只在SW關(guān)斷時(shí)流過電流負(fù)載電流，所以IDIL（1D）IO16，則平均開關(guān)電流ISWILD17，由基爾霍夫電壓定律知SW導(dǎo)通時(shí)VINVONVSWVONVINVSWVONVIN假設(shè)VSW相比足夠小SW關(guān)斷時(shí)VOFFVINVOVDVOVOFFVINVDVOVOFFVIN假設(shè)VD相比足夠小VOFFVOVDVINVOFFVOVIN18，由3、4可得DTON/（TONTOFF）VOFF/（VOFFVON）由17可得D（VOVIN）/（VOVIN）VIN（VOVIN）/VOVINVO（1D）19，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCIO/（1D）20，紋波電流IACI/2VIND/2LFVO（1D）D/2LF由1，3、4、17，18得，IVONTON/LVINTD/LVIND/LFI/TONVON/LVIN/LIVOFFTOFF/L（VOVIN）T（1D）/LVO（1D）D/LFI/TOFFVOFF/L（VOVIN）/L21，電流紋波率RI/IL2IAC/IDC在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)R2見P51RI/ILVOND/LFILVO（1D）/LFILLVOND/RFILRVOND/LFILVIND/LFILVO（1D）/LFILVOVIN（1D）/LFIL電感量公式LVO（1D）/RFILVOND/RFILR的最佳值為04，見P5222，峰峰電流IPPI2IACRIDCRIL23，峰值電流IPKIDCIAC（1R/2）IDC（1R/2）IL（1R/2）IO/（1D）最惡劣輸入電壓的確定要在VIN最小輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)BOOST電路P4951例題輸入電壓范圍1215V，輸出電壓24V，最大負(fù)載電流2A，開關(guān)管頻率分別為100KHZ、200KHZ、1MHZ，那么每種情況下最合適的電感量分別是多少峰值電流分別是多大能量處理要求是什么解只考慮最低輸入電壓時(shí)，即VIN12V時(shí)，D（VOVIN）/VO（2412）/2405ILIO/（1D）2/（105）4A若R04，則IPK（1R/2）IL（105/2）448A電感量LVOND/RILF1205/0441001000375H375106HF200KHZL1875H，F(xiàn)1MHZL375H24，二極管只在SW關(guān)斷時(shí)流過電流負(fù)載電流，所以IDIL（1D）IO25，則平均開關(guān)電流ISWILD26，由基爾霍夫電壓定律知SW導(dǎo)通時(shí)VINVONVSWVONVINVSWVIN假設(shè)VSW相比足夠小SW關(guān)斷時(shí)VOFFVOVDVOVOFFVDVOFF假設(shè)VD相比足夠小VOFFVO27，由3、4可得DTON/（TONTOFF）VOFF/（VOFFVON）由26可得DVO/（VOVIN）VINVO（1D）/D28，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCILIO/（1D）29，紋波電流IACI/2VIND/2LFVO（1D）/2LF由1，3、4、26，27得，IVONTON/LVINTD/LVIND/LFI/TONVON/LVIN/LIVOFFTOFF/LVOT（1D）/LVO（1D）/LFI/TOFFVOFF/LVO/L30，電流紋波率RI/IL2IAC/IDC在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)R2見P51RI/ILVOND/LFILVO（1D）/LFILLVOND/RFILRVOND/LFILVIND/LFILRVO（1D）/LFILVO（1D）/LFIL31，峰峰電流IPPI2IACRIDCRIL32，峰值電流IPKIDCIAC（1R/2）IDC（1R/2）IL（1R/2）IO/（1D）最惡劣輸入電壓的確定要在VIN最小輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)BUCKBOOST電路P4951第3章離線式變換器設(shè)計(jì)與磁學(xué)技術(shù)在正激和反激變換器中，變壓器的作用1、電網(wǎng)隔離2、變壓器“匝比”決定恒比降壓轉(zhuǎn)換功能。繞組同名端，當(dāng)一個(gè)繞組的標(biāo)點(diǎn)端電壓升至某一較高值時(shí)，另一個(gè)繞組標(biāo)點(diǎn)端電壓也會(huì)升至較高值。同樣，所有標(biāo)點(diǎn)端電壓也可以同一時(shí)間變低。因?yàn)樗鼈兝@組不相連，但在同一個(gè)磁心上，磁通量的變化相同。P89漏感可看作與變壓器一次電感串聯(lián)的寄生電感。開關(guān)關(guān)斷的時(shí)刻，流過這兩個(gè)電感的電流為IPKP，也即為一次電流峰值。然而，當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，一次電感所存儲(chǔ)的能量可沿續(xù)流通路（通過輸出二極管）傳遞，但是漏感能量卻無傳遞通路，所以就以高壓尖峰形式表現(xiàn)出來。一般把尖峰簡單的消耗掉反激變換器P93一次等效模型二次等效模型VINVINVINRVIN/NI_INIINIINRIINNCINCINN2CINLLPLSLP/N2VSWVSWVSW/NVOVORVONVOI_OUTIORIO/NIO中心值IOR/1DIO/N1DIO/1DCOCO/N2COVDVDNVD占空比DD紋波率RR反激在輕負(fù)載時(shí)進(jìn)入DCM，在重載時(shí)進(jìn)入CCM模式例子P9674W的常用輸入90VAC270VAC反激變換器，欲設(shè)計(jì)輸出為5A/10A和12V/2A。設(shè)計(jì)合適的反激變壓器，假定開關(guān)頻率為150KHZ，同時(shí)，盡量使用較經(jīng)濟(jì)的額定值為600V的MOSFET。解反激可簡化為BUCKBOOST拓?fù)?，確定VOR和VZ最大輸入電壓時(shí)，加在變化器上的整流直流電壓是VINMAXVACMAX270382V22MOSFET的額定電壓600V，裕量取30V，漏極的尖峰電壓為VINVZ382VZ570VZ188V，需選取標(biāo)準(zhǔn)的180V穩(wěn)壓管VZ/VOR14時(shí)，穩(wěn)壓管消耗明顯下降，則VORVZ/14128V匝比假設(shè)5V輸出二極管正向壓降為06V，則匝比為NVOR/（VOVD）128/（506）2286最大占空比（理論值）VINMINVACMAX90127V22DVOR/VORVINMIN128/12812705這時(shí)為100效率一次與二次有效負(fù)載電流若輸出功率集中在5V，其負(fù)載電流為IO74/515A一次輸入負(fù)載電流為IORIO/N15/22860656A占空比輸入功率PINPO/效率74/071057W平均輸入電流IINPIN/VIN1057/1270832AIIN/DILR因?yàn)檩斎腚娏髦辉陂_關(guān)導(dǎo)通時(shí)才有IOR/（1D）ILR因?yàn)檩敵鲭娏髦辉陂_關(guān)斷開時(shí)才有IIN/DIOR/（1D）DIIN/（IINIOR）0832/（08320656）0559一次和二次電流斜坡實(shí)際中心值二次電流斜坡中心值為（集中功率時(shí)）ILIO/（1D）15/（10559）3401A一次電流斜坡中心值ILRIL/N3401/22861488A峰值開關(guān)電流取R05則IPK（1R/2）ILR1251488186A伏秒數(shù)輸入電壓為VINMIN時(shí)，VONVIN127V導(dǎo)通時(shí)間TOND/F0559/1501033727S所以伏秒數(shù)為ETVONTON1273727473VS一次電感LHET/（RILR）473/（051488）636H離線式變壓器，需降低高頻銅耗、減小變壓器體積等各種原因，R通常取05磁心選擇P99，為經(jīng)驗(yàn)公式，待實(shí)踐磁心面積AE111CM2匝數(shù)如前面的電壓相關(guān)方程BLI/NA，則NLI/BA，此時(shí)的B應(yīng)該為BLI伏秒數(shù)ET，B2BAC2RBPK/（R2）鐵氧體磁心BPK03T則有一次繞組匝數(shù)（和書上的計(jì)算公式不一樣，需要公式變換）NPLI/（BAE）ET/2RBPK/（R2）A12/RET/2BPKAE47310612/05/203111104355匝則5V輸出的匝數(shù)是NSNP/N355/2286155匝2匝取整數(shù)反過來計(jì)算NPNSN22286457246匝12V繞組的匝數(shù)是（121）/（506）24645匝，二極管壓降分別取1V和06V實(shí)際的磁通密度變化范圍BLI/NAET/NA00926TBPKB（R2）/2R02315T磁隙磁芯間距導(dǎo)線規(guī)格和銅皮厚度選擇是個(gè)問題，后續(xù)看反激電源設(shè)計(jì)實(shí)例34006820的待機(jī)部分，變壓器1100387720W待機(jī)電源5V/4A，超薄電源用，要求變壓器體積小，待機(jī)電流小于30MA，開關(guān)頻率67KHZ，電壓輸入范圍85264VAC，650V的芯片內(nèi)置MOSFET1，假設(shè)效率075PO20WPINPO/20/07526667W2，DC電壓輸入范圍最小輸入電壓VDCMIN8512019V，如下圖，電容充電的問題，電壓有10152的變化，所以VDCMIN12019091082VVDCMAX2643733V23，確定最大占空比DMAX在CCM下，一般D小于05，避免諧波振蕩。取典型值DMAX043反射電壓VRODMAX/（1DMAX）VDCMIN043/（1043）120199067V公式原理是初級(jí)次級(jí)繞在同一個(gè)磁心上，其磁通總量相等P90變壓器的磁心面積一樣，不同的就是匝數(shù)初級(jí)的PBPAEBSAES次級(jí)的磁通總量BPVT/NAVINTON/NPAEVDCMINDMAX/FNPAE在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間BSVOTOFF/NSAE（VOVF）（1DMAX）/FNSAE在開關(guān)斷開時(shí)間推出VDCMINDMAX/NP（VOVF）（1DMAX）/NS匝比NNP/NSVDCMINDMAX/（VOVF）（1DMAX）154實(shí)際為14VRON（VOVF）VDCMINDMAX/（1DMAX）1082043/05781625V4，變壓器的初級(jí)電感LP反激有CCM和DCM兩種工作模式，隨負(fù)載和輸入電壓的變化而變化，超薄電源為將變壓器最小化，將初級(jí)電感取小，在最小輸入電壓時(shí)，將電路工作在臨界導(dǎo)通模式，則正常工作時(shí)都是在DCM模式。此時(shí)電流的紋波率R2LVONTON/IVIND/FRILVIND/FRPIN/DVINVINMINDMAX2/FRPIN（1082043）2/（26667267103）6058H實(shí)際600H5，確定磁芯和初級(jí)線圈的最小匝數(shù)選擇磁心有有幾種不同的公式，有算磁心體積的，有算磁心截面積和開窗面積乘積的?？傊?，要適應(yīng)本電源的實(shí)際應(yīng)用，就要選擇扁平的磁心。精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)提供的公式磁心體積VE07（2R）2/RPIN/FF單位為KHZP99VE2229MM3實(shí)際選擇變壓器，要求是扁平的形狀，壓低高度，利于超薄電源設(shè)計(jì)。NP（12/R）VOND/（2BPKAEF）（12/R）VINMINDMAX/（2BPKAEF）P100P72（12/2）12019043/（20314110667103）164如取B02，則NP246匝規(guī)格書沒有磁心的AE，實(shí)際測量的為AE141MM2，供應(yīng)商提供的實(shí)際變壓器為28匝6確定輸出匝數(shù)匝比NNP/NSVRO/（VOVF）9067/（5106）1591實(shí)際為14則5V輸出的匝數(shù)為NS246/1591155則為2匝，1匝漏感大，實(shí)際是2匝則NP21591318232匝，實(shí)際28匝VCC匝數(shù)為N（VCCVF）/（VOVF）（1606）/（5106）291NVCC22915826匝，實(shí)際為7匝磁心氣隙計(jì)算，也有不同的計(jì)算方式第5章導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比VGS電壓增大，到超過MOSFET提供的最大負(fù)載電流值后，則是“過驅(qū)動(dòng)”，有助于減小導(dǎo)通電阻。MOSFET導(dǎo)通關(guān)斷的損耗過程P1451、導(dǎo)通過程中，開關(guān)兩端電壓，直到電流轉(zhuǎn)換完成才開始變化。即VI有交迭2、關(guān)斷過程中，直到開關(guān)兩端電壓轉(zhuǎn)換完成，其電流轉(zhuǎn)換才開始導(dǎo)通損耗，MOSFET的導(dǎo)通損耗與占空比有關(guān)，與頻率無關(guān)寄生電容有效輸入電容CISS，輸出電容COSS，反向傳輸電容CRSS，他們與極間電容的關(guān)系如下CISSCGSCGDCOSSCDSCGDCRSSCGD則有下式（CISS，COSS，CRSS在產(chǎn)品資料中有）CGDCRSSCGSCISSCRSSCDSCOSSCRSS門極開啟電壓VT，MOSFET的柵極有開啟電壓，只有柵極電壓超過開啟電壓，才能使MOSFET完全導(dǎo)通，即把流過MOSFET的電流超過1MA時(shí)的狀態(tài)定義為導(dǎo)通狀態(tài)。所以傳導(dǎo)方程要改GID/VGSGID/（VGSVT）如上圖簡化模型，MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷各有4個(gè)階段P150導(dǎo)通是ID電流先增加T2，VD電壓后減小T3。電流增加時(shí)間是對CG充電從VT到VTIO/G的時(shí)間。電壓減小的時(shí)間是利用CGD流出電流驅(qū)動(dòng)電阻電流關(guān)斷是VD電壓先增加T2，ID電流后減少T3。電壓增加時(shí)間是利用CGD流出電流驅(qū)動(dòng)電阻電流；電流減少是CG放電從VTIO/G到VT的時(shí)間T1階段導(dǎo)通過程T1，VGS從0上升到開啟電壓VT，對CGCGSCGD充電關(guān)斷過程T1，VGS下降到最大電流時(shí)電壓VTIO/G，CGCGSCGD放電T2階段，有交越損耗導(dǎo)通過程T2，ID從0上升到IOG（VGSVT），VGS繼續(xù)上升到VTIO/G，對CGCGSCGD充電VD因漏感出現(xiàn)小尖峰，其余VDVIN不變。T2是對CG充電從VT到VTIO/G的時(shí)間。關(guān)斷過程T2，VGS被鉗位于VTIO/G不變，因?yàn)镮O不變，VGSVTIOG也不變。所以CGS沒有電流VD從0變至VIN，所以有電流流過CGD注入柵極，同時(shí)有同樣電流通過RDRIVE流出。T2時(shí)間，由ICDV/DT/T由上行知道（VTIO/GVSAT）/RDRIVEVSAT為驅(qū)動(dòng)電路的晶體管導(dǎo)通電壓，一般為02V則T2階段時(shí)間為CGSVINRDRIVE/（VTIO/GVSAT）T3階段，有交越損耗導(dǎo)通過程T3VGS被鉗位于VTIO/G不變，因?yàn)镮DIO不變，VGSVTIOG也不變。所以CGS沒有電流VD從VIN變至0，所以有電流流過CGD流出柵極，同時(shí)有同樣電流通過RDRIVE流入。用這個(gè)來計(jì)算該階段的時(shí)間。關(guān)斷過程T3VGS由VTIO/G繼續(xù)下降到VT，CGCGSCGD放電，ID從IOG（VGSVT）下降到0VD因漏感出現(xiàn)小尖峰，其余VDVIN不變T4階段該階段，導(dǎo)通VGS繼續(xù)CG充電，關(guān)斷CG繼續(xù)放電。其它不變柵荷系數(shù)，用來描述寄生緩沖電容的影響。目前都基于極間電容為定值來分析通斷P155IDRIVE是驅(qū)動(dòng)電路，通過RDRIVE的電流根據(jù)CQ/V，QGSCISS（VTIO/G）QGS210TDTIRIVE將ICDV/DT代入T3（VIN變化為0），QGDCGDVINQGD321TTDTIRIVE單獨(dú)分析T3，將CQ/V代入該點(diǎn)，QGCISS（09VDRIVE）QGDQG43210TTDTIRIVE實(shí)際例子假設(shè)開關(guān)管的工作條件是電流22A、電壓15V、頻率500KHZ。其最低驅(qū)動(dòng)電阻（一個(gè)幅值45V的脈沖通過它作用于柵極）是2。關(guān)斷時(shí)，開關(guān)管的關(guān)斷電阻是1。據(jù)此計(jì)算出其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。CISSQGS/（VTIO/G）8/（10522/100）6299PF在指定的曲線上CISS4200PF則縮放比例為SCALING6299/420015CISS4200156300PFCOSS800151200PFCRSS50015750PF則CGDCRSS750PFCGSCISSCRSS63007505550PFCDSCOSSCRSS1200750450PFCGCGSCGD6300PF導(dǎo)通時(shí)時(shí)間常數(shù)是TGRDRIVECG26300PF126NS電流傳輸時(shí)間為T2TGIN1IO/G（VDRIVEVT）126IN122/100（45105）083NS電壓傳輸時(shí)間為T3VIN（RDRIVECGD）/VDRIVEVTIO/G15（2075）/4510522/1006966NS所以，導(dǎo)通過程的交叉時(shí)間是TCROSS_TURNONT2T308369667796NS因此，導(dǎo)通的交叉損耗是PCROSS_TURNON1/2VINIOTCROSS_TURNONFSW1/21522781095105064W關(guān)斷時(shí)時(shí)間常數(shù)是TGRDRIVECG16300PF63NS電壓傳輸時(shí)間為T2（VINCGDRDRIVE）/（VTI