基于國產THGEM的低能電子二維位置探測器研究PPT學習教案_第1頁
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1、會計學1基于國產基于國產THGEM的低能電子二維位置探的低能電子二維位置探測器研究測器研究第1頁/共14頁60020070um第2頁/共14頁第3頁/共14頁如上圖所示的實驗裝置，用5.9keV 55Fe X射線源對雙層THGEM進行測試。漂移電場Edrift = 1kV/cm，傳輸電場Etran = 1kV/cm，感應電場Eind = 4kV/cm，輸出的信號經過前放、主放，再經過多道，最后連到電腦上第4頁/共14頁上圖是在Ar+iC4H10=97:3和Ar+CO2=90:10兩種工作氣體中測得的單層和雙層高位置分辨THGEM的增益曲線?？梢钥闯?，這種THGEM的增益單層最高達到1104，雙

2、層最大增益好于6104。第5頁/共14頁在Ar+iC4H10=97:3工作氣體中，測得了雙層THGEM的能量分辨約24%，全能峰和逃逸峰，兩峰位相差幾乎為一倍。第6頁/共14頁用Ar+CO2=90:10工作氣體，對雙層THGEM進行連續(xù)100小時的增益穩(wěn)定性測試。如果以25小時之后的變化來看，則增益的變化在2000/15000=13.4%的水平。第7頁/共14頁上圖是透射窗的厚度對電子的透射率和橫向擴散半徑的影響。綜合透過率、橫向擴散，以及機械性能的考慮，將優(yōu)先采用50um的薄膜窗厚度。第8頁/共14頁上圖是空氣層厚度對電子的透射率和橫向擴散半徑的影響。氣體厚度影響橫向擴散的同時還影響探測效率。顯然35mm的氣體厚度是比較合理的選擇，考慮到低氣壓工作，因此5mm的氣體厚度相對更好。第9頁/共14頁上圖是的入射電子，經過50um厚的窗和5mm厚的空氣層達到漂移極下表面入射電子橫向散射半徑分布。陰影部分的面積表示入射電子橫向擴散半徑小于等于Rmean的電子個數占總電子數的比例，約為75.35%。因此，此處用Rmean而不是Rmax來表征四分之三以上電子橫向擴散的影響。第10頁/共14頁如圖上圖所示，雪崩后電離電子將擴散到半徑約12mm的范圍，則對應約3個間距的讀出條寬度，或者9個同尺寸方形Pad的區(qū)域，

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