1、  上聯(lián)：駿馬奮蹄千里路下聯(lián)：大鵬舒翼九重天 上聯(lián)：駿馬奔騰千里路下聯(lián)：新春更上一層樓 上聯(lián)：駿馬奔騰春色麗下聯(lián)：艷陽照耀歲華新下聯(lián)：乘駿馬馬到成功  上聯(lián)：九天日暖張鵬翼下聯(lián)：四野春新逐馬蹄上聯(lián)：慶佳節(jié)九州同樂下聯(lián)：賀新春萬馬奔騰 上聯(lián)：青春壯麗輝天地下聯(lián)：騏驥奔騰向未來 上聯(lián)：千樹春花爭早放下聯(lián)：萬騎駿馬著先鞭7、 砂 四、設(shè)計(jì)題：1、 某程序規(guī)定：來 進(jìn) 行這 部分組成，它們的名稱和內(nèi)容分別是： 上聯(lián)：齊策戰(zhàn)馬迎新歲 過 程。 拋 光 步上聯(lián)：化雨攜來龍露貴下聯(lián)：踏花歸去馬蹄香上聯(lián)：花木向陽春不老驟 上聯(lián)：無須添足蛇歸

2、洞下聯(lián)：不待揚(yáng)鞭馬奮蹄 上聯(lián)：無邊春色百花艷下聯(lián)：有慶年頭萬馬馳稱 為 主 平 邊（primary flat上聯(lián)：馬蹄得意奔新路 來 以 一 個(gè) 確 切 晶 向 為 上聯(lián)：紅旗招展九州畫下聯(lián)：駿馬奔騰萬里春 上聯(lián)：紅旗輝映神州地  上聯(lián)：捷報(bào)隨雪飛梅上下聯(lián)：蹄花染香到春頭下聯(lián)：龍馬精神世紀(jì)興  目 的。 自 動 理 片 設(shè) 備 利 用1）畫出相應(yīng)的控制流圖。（2）計(jì)算環(huán)形復(fù)雜度。（上聯(lián)：風(fēng)光秀麗隨春展下聯(lián)：道路逶迤任馬馳 上聯(lián)：風(fēng)塵一路馬蹄碎已知場景：用戶進(jìn)入一個(gè)網(wǎng)上商城進(jìn)行購物，選擇商品后，進(jìn)行在線購買，這時(shí)需要使用帳號登錄，登錄成功后，進(jìn)行

3、付錢交易，交易成功后，生成訂購單，完成整個(gè)購物過程。 正 確 的 上聯(lián)：古柳蔭中來走馬下聯(lián)：好花深處有鳴禽 上聯(lián)：庚晨日暖春來早下聯(lián)：午院花香蝶舞忙 上聯(lián)：高天雪舞銀蛇去下聯(lián)：大地春歸駿馬來件 用 這 平四海歡騰 四季長安 四季平安 四季興隆 四時(shí)為柄 四柱擎天 萬事如意 萬象更新 萬象皆春 聞雞起舞 五福臨門 數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)五星高照 五夜春來 喜氣盈門 喜笑顏開 喜迎新春 心想事成 新春大吉 新春伊始 晶 向、 厚 度、斜 度 和 一堂春色 四季平安 物華天寶 人杰地靈 而 <111> 硅 片 一 般 “ 偏 晶 向 ” 切 割（ 3 °

4、;± 0.5 ° ） 用 于 外 延 處 理 應(yīng) 用（參 見 第 5 章）。盡 管 一 些 材 料 也 被 后 續(xù) 操 作 去 除（如 對 一 片 最 終 厚 度675m 的100mm 硅 片， 需 要 總 量 為1200m 的 晶 錠 硅：675m 最 終 硅片 厚 度；鋸 片 中 400m 截 鋸 損 失；50m 刻 蝕 損 失；25m 磨 光 損 失。于 是 每 單 位 厘 米 長 度 的 晶 錠 能 制 造 大 約 8150mm 硅 片）， 硅 片的 厚 度 基 本 上 還 由 鋸 片 操 作 處 理 來 設(shè) 定。 大 的 硅 片 必 須 更厚（表3） 以 便 能

5、承 受 在 VLSI 生 產(chǎn) 中 的 熱 處 理（外 延、氧 化 和 擴(kuò)散） 和 傳 輸， 于 是 比 起 小 硅 片 每 單 位 長 度 的 晶 錠 只 能 得 到更 少 的 硅 片。 晶 體 切 割 下 的 第 一 塊 切 片 用 于 使 用 晶 體 測 向器 的 晶 向 校 準(zhǔn)。最 常 用 的 切 片 的 方 式 是 內(nèi) 直 徑 切 片（inner diameterslicing）（圖19）， 其 使 用 在 邊 緣 焊 有 金 剛 石 粒 的 不 銹 鋼 刀 刃。需 要 持 續(xù) 調(diào) 節(jié) 刀 刃 反 射 探 測 器 來 保 證 被 充 分 鋸 割 的 切 片沒 有 彎span 曲、 傾

6、斜、 工 作 損 傷 和 鋸 痕。 切 割 速（純凈水檢驗(yàn)）0.05cm/sec 左右。 因 e） 我 們 可 以 使 用 一 種 技 術(shù)， 其 用 激 光（laser ，防止檢驗(yàn)過程出現(xiàn)差錯，確保檢驗(yàn)結(jié)果的可靠程度?？?近 主平 邊 的 硅 片前 部 形 成 一 個(gè) 4.1 記 號 識 別 碼。 根據(jù) SEMI Std M1.8 激 號 區(qū) 來 2.000000上聯(lián)：騎馬挎槍迎曙色下聯(lián)：攜春帶福送人間 作業(yè)指導(dǎo)書審 核： 子 每 次 只 能 切 割 一 個(gè) 切 片， 所 以 這 是 一 個(gè) 相 當(dāng)慢 的作業(yè)指導(dǎo)書處 理 過 程。母 數(shù) 字 4、職責(zé)：主  

7、60; 題: CPU制造全過程CPU(Centralprocessingunit是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的核心部件，又稱為“微處理器(Microprocessor”。對于PC而言，CPU的規(guī)格與頻率常常被用來作為衡量一臺電腦性能強(qiáng)弱重要指標(biāo)。Intelx86架構(gòu)已經(jīng)經(jīng)歷了二十多個(gè)年頭，而x86架構(gòu)的CPU對我們大多數(shù)人的工作、生活影響頗為深遠(yuǎn)。許多對電腦知識略知一二的朋友大多會知道CPU里面最重要的東西就是晶體管了，提高CPU的速度，最重要的一點(diǎn)說白了就是如何在相同的 CPU面積里面放進(jìn)去更加多的晶體管，由于CPU實(shí)在太小，太精密，里面組成了數(shù)目相當(dāng)多的晶體管，所以人手是絕對不可能完成的，只能夠

8、通過光刻工藝來進(jìn)行加工的。這就是為什么一塊CPU里面為什么可以數(shù)量如此之多的晶體管。晶體管其實(shí)就是一個(gè)雙位的開關(guān)：即開和關(guān)。如果您回憶起基本計(jì)算的時(shí)代，那就是一臺計(jì)算機(jī)需要進(jìn)行工作的全部。兩種選擇，開和關(guān)，對于機(jī)器來說即0和1。講述中央處理器從一堆沙子到一個(gè)功能強(qiáng)大的集成電路芯片的全過程。 制造CPU的基本原料如果問及CPU的原料是什么，大家都會輕而易舉的給出答案是硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實(shí)就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價(jià)格昂貴，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能強(qiáng)大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當(dāng)然這中間必然要經(jīng)歷一個(gè)復(fù)雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的

9、，一定要精挑細(xì)選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價(jià)而又儲量充足的原料做成CPU，那么成品的質(zhì)量會怎樣，你還能用上像現(xiàn)在這樣高性能的處理器嗎？ 除去硅之外，制造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經(jīng)成為制作處理器內(nèi)部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好于銅。所謂電遷移問題，就是指當(dāng)大量電子流過一段導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體物質(zhì)原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導(dǎo)致導(dǎo)體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響芯片的邏輯功能，進(jìn)而導(dǎo)致芯片無法使用。這就是許多N

10、orthwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合癥）的原因，當(dāng)發(fā)燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急于求成，大幅提高芯片電壓時(shí)，嚴(yán)重的電遷移問題導(dǎo)致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術(shù)的經(jīng)歷，它顯然需要一些改進(jìn)。不過另一方面講，應(yīng)用銅互連技術(shù)可以減小芯片面積，同時(shí)由于銅導(dǎo)體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。 在芯片的設(shè)計(jì)過程中還需要一些種類的化學(xué)原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。 CPU制造的準(zhǔn)備階段 在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進(jìn)行一些預(yù)處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要

11、進(jìn)行化學(xué)提純，這一步驟使其達(dá)到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器而完成的。 而后，將原料進(jìn)行高溫溶化。中學(xué)化學(xué)課上我們學(xué)到過，許多固體內(nèi)部原子是晶體結(jié)構(gòu)，硅也是如此。為了達(dá)到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現(xiàn)在intel和其它一些公司已經(jīng)開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是

12、具有相當(dāng)?shù)碾y度的，不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究，還是可以實(shí)現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠而建立的工廠耗費(fèi)了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強(qiáng)大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費(fèi)了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的制造過程。在制成硅錠并確保其是一個(gè)絕對的圓柱體之后，下一個(gè)步驟就是將這個(gè)圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產(chǎn)的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質(zhì)量檢驗(yàn)尤為重要，它直接決定了成品CPU的質(zhì)量。 新的切片中要摻入一些物質(zhì)而使之成為真正的

13、半導(dǎo)體材料，而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質(zhì)原子進(jìn)入硅原子之間的空隙，彼此之間發(fā)生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導(dǎo)體的特性。今天的半導(dǎo)體制造多選擇CMOS工藝（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）。其中互補(bǔ)一詞表示半導(dǎo)體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負(fù)極和正極。多數(shù)情況下，切片被摻入化學(xué)物質(zhì)而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設(shè)計(jì)，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。同時(shí)在多數(shù)情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現(xiàn)，因?yàn)樵谥圃爝^程的后期，需要將N型材料植入P型襯底當(dāng)中，而這一過程會導(dǎo)致pMOS管的形成

14、。 在摻入化學(xué)物質(zhì)的工作完成之后，標(biāo)準(zhǔn)的切片就完成了。然后將每一個(gè)切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時(shí)間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監(jiān)測溫度，空氣成分和加溫時(shí)間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米制造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5 個(gè)原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴(yán)格控制，而不論輸入輸出端口電壓的大小。 準(zhǔn)備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個(gè)感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它控制應(yīng)用。這層物質(zhì)在干燥時(shí)具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結(jié)束之后，能夠通過化

15、學(xué)方法將其溶解并除去。 光刻蝕 這是目前的CPU制造過程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變該處材料的化學(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對于所用光的波長要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長的紫外線和大曲率的透鏡?？涛g過程還會受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程。設(shè)計(jì)每一步過程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進(jìn)行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只

16、有100個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。 當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。 摻雜 在殘留的感光層物質(zhì)被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個(gè)二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個(gè)帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由于此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導(dǎo)體），多晶硅允許在晶體管隊(duì)列端口電壓起作用之前建立門電路。感光層同時(shí)還要被短

17、波長光線透過掩模刻蝕。再經(jīng)過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經(jīng)基本成型了。然后，要對暴露在外的硅層通過化學(xué)方式進(jìn)行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個(gè)摻雜過程創(chuàng)建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個(gè)晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作端口。 重復(fù)這一過程 從這一步起，你將持續(xù)添加層級，加入一個(gè)二氧化硅層，然后光刻一次。重復(fù)這些步驟，然后就出現(xiàn)了一個(gè)多層立體架構(gòu)，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態(tài)了。在每層之間采用金屬涂膜的技術(shù)進(jìn)行層間的導(dǎo)電連接。今天的P4處理器采用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數(shù)取決于最初的版圖設(shè)計(jì)，并不直接代表著最終產(chǎn)品的性能差異。

18、測試 封裝測試過程 接下來的幾個(gè)星期就需要對晶圓進(jìn)行一關(guān)接一關(guān)的測試，包括檢測晶圓的電學(xué)特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現(xiàn)的等等。而后，晶圓上每一個(gè)出現(xiàn)問題的芯片單元將被單獨(dú)測試來確定該芯片有否特殊加工需要。 而后，整片的晶圓被切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的處理器芯片單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的芯片單元將被采用某種方式進(jìn)行封裝，這樣它就可以順利的插入某種接口規(guī)格的主板了。大多數(shù)intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個(gè)散熱層。在處理器成品完成之后，還要進(jìn)行全方位的芯片功能檢測。這一部會產(chǎn)生不同等級的產(chǎn)品，一些芯片的運(yùn)行頻率相對較高，于是打上高頻率產(chǎn)品的名稱和

19、編號，而那些運(yùn)行頻率相對較低的芯片則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在芯片功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導(dǎo)致絕大多數(shù)的CPU癱瘓），那么它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當(dāng)然也就降低了產(chǎn)品的售價(jià)，這就是Celeron和Sempron的由來。 在CPU的包裝過程完成之后，許多產(chǎn)品還要再進(jìn)行一次測試來確保先前的制作過程無一疏漏，且產(chǎn)品完全遵照規(guī)格所述，沒有偏差。 集成電路的制造過程：設(shè)計(jì) 、工藝加工、測試、封裝定義電路的輸入輸出（電路指標(biāo)、性能）、原理電路設(shè)計(jì)（確定相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù)）、電路模擬(SPICE

20、、布局(Layout、考慮寄生因素后的再模擬、原型電路制備、測試、評測、產(chǎn)品。定義我們所要設(shè)計(jì)電路的的各項(xiàng)電路指標(biāo)，確定相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù)，畫出原理電路圖，一旦我們從最初的版圖中得到了完全的電路描述，就可以應(yīng)用電路級的仿真軟件SPICE對電路的直流和瞬態(tài)特性進(jìn)行分析，進(jìn)而將結(jié)果與給定的設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行比較，如果最初的設(shè)計(jì)不能滿足指標(biāo)中的任何一條要求，這也是設(shè)計(jì)中常見的，那么我們就要設(shè)計(jì)一個(gè)改進(jìn)的電路來達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。改進(jìn)的設(shè)計(jì)將得到一個(gè)新的版圖，并將重復(fù)設(shè)計(jì)和分析循環(huán)，直到滿足所有的設(shè)計(jì)指標(biāo)。再通過計(jì)算機(jī)軟件得到最簡單的初始版圖。然后從最初的設(shè)計(jì)中確定寄生電容和寄生，然后用SPICE來估計(jì)此電

21、路的動態(tài)性能。寄生參數(shù)提取工具通過讀取物理版圖文件，分析各個(gè)掩模版來辨別晶體管互聯(lián)和引出端，計(jì)算這些結(jié)構(gòu)的寄生電容和寄生電阻，最后生成一個(gè)能準(zhǔn)確描述電路的SPICE輸入文件。實(shí)質(zhì)上，集成電路設(shè)計(jì)的最終輸出為掩模，這些數(shù)據(jù)是實(shí)際電路制造的依據(jù)。因此，版圖設(shè)計(jì)是很重要的?？梢赃@樣說，正是掩模使制造出來的集成電路能夠更好的滿足測試要求。為了實(shí)現(xiàn)這樣的目標(biāo)，設(shè)計(jì)者需要利用從版圖數(shù)據(jù)中提取出的計(jì)算機(jī)模型進(jìn)行多次仿真和反復(fù)設(shè)計(jì)，直到仿真結(jié)果很好的滿足要求。硅片制備    制備符合硅器件和集成電路制作要求的單晶硅片的工藝，包括滾磨、切割、研磨、倒角、化學(xué)腐蝕、拋光，以及幾何尺寸和表面質(zhì)量

22、檢測等工序。    滾磨  切片前先將硅單晶棒研磨成具有精確直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨面，稱為減徑腐蝕。正 如 許 多VLSI 生 產(chǎn) 步 序， 硅 不 同 結(jié) 構(gòu) 的 特 性 取 決 于 晶 體的 取 向。 例 如，<1 1 1> 晶 向 的 硅 的 應(yīng) 力 強(qiáng) 度 最 高， 而 1 1 1 晶面 的 原 子 密 度 最 高。 因 此 1 1 1 晶 面 比 1 0 0 晶 面 氧 化 速 度快 得 多， 因 為 在 單 位 表 面 積 上 能 參 與 氧 化 反 應(yīng) 的 原

23、 子 更多。MOS 器 件 都 用1 0 0 硅 片 制 造， 因 為 在 這 個(gè) 方 向 上 有 最 小的 表 面 態(tài) 密 度。   切割  也稱切片，把硅單晶棒切成所需形狀的硅片（如圓片）的工藝。切割分外圓切割、超聲切割、電子束切割和普遍采用的內(nèi)圓切割等。    研磨  也稱磨片，在研磨機(jī)上，用白剛玉或金剛砂等配制的研磨液將硅片研磨成具有一定厚度和光潔度的工藝。有單面研磨和雙面研磨兩種方式。    倒角  為解決硅片邊緣碎裂所引起的表面質(zhì)量下降，以及光刻涂膠和外延的邊緣凸

24、起等問題的邊緣弧形工藝。倒角方法有磨削、噴砂、化學(xué)腐蝕和恰當(dāng)?shù)膾伖獾?，較普遍采用的是用倒角機(jī)以成型的砂輪磨削硅片邊緣，直到硅片邊緣形狀與輪的形狀一致為止（見圖硅片弧形邊緣形狀示意圖）?；瘜W(xué)腐蝕 也稱減薄腐蝕，目的是除去切磨后硅片表面的損傷層和沾污層，改善表面質(zhì)量和提高表面平整度。化學(xué)腐蝕法有籃式、桶式、旋轉(zhuǎn)桿式和盒式，采用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液從硅片兩側(cè)腐蝕掉一定的厚度。 拋光 為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面，必須進(jìn)行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、電子束拋光、離子束拋光，較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐

25、蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉、氫氧化鈉（或有機(jī)堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中，氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)生成硅酸鈉，通過與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進(jìn)入拋光液，兩個(gè)過程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的。根據(jù)不同要求，可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光或三次拋光（粗拋光、中間拋光和精拋光）。為滿足超大規(guī)模集成電路對表面質(zhì)量和平整度的要求，已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝。 硅拋光片檢測 包括目檢、幾何尺寸檢測和熱氧化層錯檢測等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些

26、缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點(diǎn)、退刀痕和雜質(zhì)條紋等。幾何尺寸的檢測包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對應(yīng)點(diǎn)之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度最大值與最小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的最大值與最小值之差；平整度指硅片表面上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯檢測是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過程中均會產(chǎn)生熱氧化層錯，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測熱氧化層錯的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。Czochralski 晶

27、 體 生 長 步 序圖8a 中 一 組 連 續(xù) 的 照 片 顯 示 了 CZ 硅 晶 體 生 長 的 步 驟，圖14a 給 出 了 這 個(gè) 方 法 使 用 的 CZ 晶 體 生 長 器 的 原 理 圖。 首 先裝 載 盛 有 無 摻 雜 EGS 爐 料 和 精 確 數(shù) 量 的 低 硅 合 金 的 熔 融 石英 坩 堝。 然 后 從 生 長 室 中 抽 出 空 氣， 再 充 以 惰 性 氣 體（為 限制在 生 長 時(shí) 空 氣 中 的 氣 體 混 入 溶 液）， 然 后 熔 化 爐 料（硅 的 熔點(diǎn) 是1412°C）。 下 一 步 將 有 精 確 取 向 裕 度 的 細(xì) 籽 晶（大 約

28、直 徑5mm、 長100300mm 放 入 熔 融 的 硅。 然 后 以 控 制 的 速 度 抽 回 籽晶。 在 拉 取 過 程 中，籽 晶 和 坩 堝 都 在 旋 轉(zhuǎn)， 但 方 向 相 反。當(dāng) 初 始 拉 的 速 率 相 當(dāng) 快，可 以 形 成 一 個(gè) 細(xì) 頸。Dach 發(fā) 現(xiàn) 如果 形 成 這 個(gè) 細(xì) 頸， 生 長 的 晶 錠 就 可 以 達(dá) 到 宏 觀 無 位 錯 的 晶態(tài)。 此 時(shí)， 熔 融 溫 度 下 降 并 且 穩(wěn) 定， 所 需 晶 錠 的 直 徑 可 以 形成 （放 肩 步 驟）， 通 過 精 確 調(diào) 控 拉 取 速 率， 可 以 使 直 徑 大 小持 續(xù) 保 持。 拉 取 一

29、直 持 續(xù) 到 爐 料 接 近 耗 盡，此 時(shí)，晶 錠 被 回 拉成 扁 尾 形（tang）（收 尾）。 工 序 的 最 后 一 步 是 停 爐 過 程。冷 的 籽 晶 剛 剛 浸 入 溶 液 時(shí)， 在 晶 體 被 加 熱 的 外 部 和還 冷 的 內(nèi) 部 之 間 會 有 很 大 的 應(yīng) 力。 這 些 應(yīng) 力 大 得 足 以 引起 塑 性 變 形， 從 而 導(dǎo) 致 晶 體 中 的 宏 觀 位 錯。 當(dāng) 從 溶 液 中 快速 拉 取 細(xì) 頸 區(qū) 時(shí)， 這 些 位 錯 被 驅(qū) 趕 到 細(xì) 頸 的 圓 柱 體 表 面。此 時(shí)，位 錯 就 不 向 隨 后 結(jié) 晶 的 晶 體 區(qū) 擴(kuò) 展 了（圖2.6）

30、。 如 此 生長 的 晶 體 就 沒 有 宏 觀 位 錯， 而 且 將 持 續(xù) 這 樣 生 長， 除 非 有明 顯 的 擾 動 影 響 了 結(jié) 晶 過 程（ 如 溶 液 中 顆 粒 與 生 長 晶 體 接觸， 或 生 長 時(shí) 晶 體 被 振 動）、 無 位 錯 晶 體 能 持 續(xù) 地 生 長 而 沒有 位 錯 的 趨 勢 歸 因 于 必 須 給 完 整 晶 體 很 大 的 應(yīng) 力 以 產(chǎn) 生位 錯。 在 完 好 控 制 生 長 的 情 況 下 是 產(chǎn) 生 不 了 如 此 大 的 應(yīng)力 的。 在 參 考 書 目8 和10 中 能 找 到 生 長 無 缺 陷 晶 體 的 Dach 方法 的 進(jìn) 一

31、 步 討 論。浮 區(qū)（float zone）（FZ）法 是 第 二 主 要 的 用 來 生 長 單 晶 硅 的方 法。 在 FZ 法 中， 熔 融 的 硅 流 過 與 最 終 晶 錠 尺 寸 幾 乎 一 樣的 多 晶 硅 棒。 硅 不 與 任 何 物 質(zhì) 接 觸， 除 了 生 長 室 中 的 環(huán) 境氣 體。 于 是 FZ 晶 體 比 CZ 晶 錠（摻 雜 了 明 顯 數(shù) 量 的 氧、碳、硼 和其 它 從 坩 堝 壁 分 解 的 金 屬 雜 質(zhì)） 有 更 高 的 固 有 純 度。 因 為應(yīng) 用 中 需 要 高 純 的 起 始 硅（如 高 能 三 極 管 和 整 流 管 和 紅 外輻 射 探 測

32、器），F(xiàn)Z 材 料 成 為 所 選 擇 的 材 料。 盡 管 達(dá) 到 30000cm 的 材 料 已 經(jīng) 生 產(chǎn) 出 來，但 供 應(yīng) 最 多 的 FZ 硅 的 電 阻 率 范圍 還 是10200cm。 然 而 一 些 經(jīng) 濟(jì) 和 技 術(shù) 上 的 缺 點(diǎn)，使 FZ 硅在 VLSI 應(yīng) 用 中 比 CZ 硅 適 用 性 小。從 經(jīng) 濟(jì) 的 遠(yuǎn) 景 看，F(xiàn)Z 生 長 比 CZ 生 長 更 昂 貴。 此 外 可 以得 到 的 CZ 硅 片 的 直 徑 比 FZ 硅 片 大（圖7）， 而 且 因 為 在 重 力 狀況 下 熔 區(qū) 的 穩(wěn) 定 問 題，F(xiàn)Z 最 大 尺 寸 是100mm。 從 技 術(shù) 的

33、觀 點(diǎn)看， 如 此 生 長 的 FZ 晶 體 一 般 表 現(xiàn) 出 比 CZ 晶 體 更 嚴(yán) 格 的 微 觀電 阻 率 變 化， 而 CZ 硅 的 氧 雜 質(zhì) 含 量 提 供 加 大 的 強(qiáng) 度 和 本 征吸 雜 潛 能。FZ 硅 的 微 觀 電 阻 率 變 化 能 用 中 子 嬗 變 摻 雜 來 基本 上 清 除。 但 這 種 技 術(shù) 對 低 阻 材 料 并 不 適 用。 向 FZ 硅 中 摻入 氧 的 技 術(shù) 已 被 證 實(shí) 是 難 以 完 成 的。一 般 FZ 硅 的 氧 的 值 是0.10.3ppma， 碳 是 0.11.0ppma 的 含 量。 于 是 在 可 見 的 未 來，CZ 和

34、FZ 法 極 可 能 繼 續(xù) 在 各 自 的 應(yīng) 用 領(lǐng) 域 使 用。圖16 展 示 了 FZ 法 的 原 理 圖。 多 晶 棒 在 真 空 或 充 有 惰 性氣 體（如 氬） 的 生 長 室 里 豎 直 地 生 長 變 長。 針 眼 狀 的 線 圈 向多 晶 棒 提 供 射 頻 電 源， 使 其 熔 化 并 建 立2 厘 米 長 的 熔 區(qū)。 射頻 區(qū) 域 保 持 一 個(gè) 穩(wěn) 定 的 液 體 區(qū)。 事 實(shí) 上， 因 為 其 懸 浮 的 影響， 射 頻 區(qū) 域 可 以 保 持 一 個(gè) 比 只 由 表 面 引 力 可 能 允 許 的 大得 多 的 熔 區(qū)。 熔 區(qū) 沿 著 多 晶 棒 移 動，

35、影 響 提 純 并 建 立 晶 體。時(shí) 新 的 區(qū) 熔 提 純 器 使 用 固 定 線 圈 并 提 供 籽 晶 棒 和 晶 體 的垂 直 向 運(yùn) 動。在 倒 籽 晶 FZ 法 中， 籽 晶 從 下 向 上 拉 動， 與 在 多 晶 籽 晶棒 更 下 端 形 成 的 熔 液 滴 接 觸。 與 CZ 法 一 樣， 然 后 形 成 頸 部來 建 立 一 個(gè) 無 位 錯 晶 區(qū)。 此 時(shí) 一 個(gè) 尖 錐 被 用 來 使 晶 體 形 成所 需 的 直 徑。按 常 規(guī) 摻 雜 FZ 晶 體 的 一 種 廣 泛 應(yīng) 用 的 技 術(shù) 是 向 生 長室 中 的 惰 性 氣 體 加 入 摻 雜 劑， 摻 雜 劑

36、是 濃 度 稀 釋 的 磷 烷（PH3） 和 乙 硼 烷（B2HO） 的 形 式。 這 使 雜 質(zhì) 能 在 固 定 的 環(huán) 境 濃度 下 持 續(xù) 地 向 熔 區(qū) 摻 雜，從 而 產(chǎn) 生 相 當(dāng) 含 量 的 軸 向 摻 雜 分布。 另 一 方 面， 提 純 的 通 道 是 在 真 空 中 制 造 的， 額 外 提 純 則由 EGS 中 揮 發(fā) 性 雜 質(zhì) 的 汽 化 完 成。 然 而，正 如 先 前 提 到 的，F(xiàn)Z法 也 引 起 微 觀 徑 向 電 阻 率 條 紋（striations）， 它 們 的 幅 度 甚至 比 在 CZ 晶 錠 中 發(fā) 現(xiàn) 的 還 大。 這 些 都 是 由 回 熔 現(xiàn)

37、 象 產(chǎn) 生 的和 因 為 FZ 系 統(tǒng) 方 法 的 熱 環(huán) 境 本 來 就 比 那 些 CZ 拉 單 晶 機(jī) 更不 對 稱。CZ 法 中 的 熔 液 也 提 供 大 量 熱 量 用 來 穩(wěn) 定 一 些 溫 度的 起 伏。 在 許 多 應(yīng) 用 中 生 成 態(tài) FZ 硅 的 微 觀 電 阻 率 的 變 化 是不 能 允 許 的。為 了 克 服 電 阻 率 條 紋 的 限 制， 已 發(fā) 展 了 一 種 稱 為 中子 嬗 變 摻 雜（neutron transmutation doping）（NTD） 的 技 術(shù)。 在 這 方法 中， 有 很 低 雜 質(zhì) 濃 度 的 FZ 晶 體 被 放 在 一 個(gè)

38、 中 子 反 應(yīng) 器中， 并 暴 露 在 熱 中 子 流 中。 中 子 與 穩(wěn) 定 的 硅 同 位 素 30Si 反 應(yīng)，生 成 一 種 不 穩(wěn) 定 的 同 位 素 31Si， 然 后 蛻 變 為 一 種 穩(wěn) 定 的 磷同 位 素 31P， 其 半 衰 期 為 2.6 小 時(shí)。30Si ( , 31Si (2.6h 31P + -1 (831Si 的 生 成 在 整 個(gè) 晶 錠 中 均 勻 發(fā) 生， 而 且 通 過 控 制 中子 流 量， 可 以 得 到 在 所 需 濃 度 的 濃 度 非 常 均 勻 的 磷 分 布。一 般 起 始 EGS 晶 棒 的 平 均 電 阻 率 的 一 類 數(shù) 值

39、比 所 需 的 NTDFZ 材 料 高。 盡 管 引 起 了 晶 體 中 輻 射 損 傷，但 可 以 用 退 火 來 恢復(fù) 晶 格 的 規(guī) 則 性 和 電 阻 率。NTD FZ 晶 錠 中 微 觀 電 阻 率 變 化 能減 少 到 ±5， 相 比 之 下 常 規(guī) 摻 雜 的 FZ 晶 錠 是 ±30%（圖17）。隨 著 所 需 求 的 電 阻 率 增 加， 輻 射 成 本 和 晶 體 損 傷 也 增加， 硅 持 續(xù) 放 射 性 地“熱”過 長 的 時(shí) 間。 因 此，NTD 對 高 阻 材 料 是最 有 吸 引 力 的。 此 外， 這 種 技 術(shù) 只 能 制 造 出 n 型

40、硅。 可 以 大量 供 應(yīng) 的 NTD 硅 的 電 阻 率 指 標(biāo) 是 5500cm 之 間。FZ 和 CZ 晶 體 一 樣 都 有 漩 渦。 通 過 工 作 表 明 這 些 在 非NTD 硅 中 的 漩 渦 可 以 用 保 持 生 長 速 率 在 5mm/min（參 考 書 目11）以 上 來 抑 制。 在 NTD 硅 中， 在 退 火 步 驟 中 很 少 量 的 氧（0.150.5ppma） 會 在 輻 射 損 傷 點(diǎn) 處 沉 淀。 我 們 建 議 通 過 進(jìn) 一步 減 少 氧 來 消 除 NTD 硅 中 的 漩 渦。因 為 FZ 晶 體 中 的 氧 難 以 達(dá) 到 需 要 改 進(jìn) 翹 曲

41、 電 阻 的 足夠 的 濃 度， 所 以 有 報(bào) 道 說 有 人 研 究 通 過 加 入 中 子 來 達(dá) 到 同樣 的 改 進(jìn)。 中 子 加 入 FZ 氬 環(huán) 境， 然 后 以 比 熔 融 點(diǎn) 溶 解 限 度小 的 量 摻 入 生 長 中 的 晶 體（不 與 硅 反 應(yīng)）。 據(jù) 報(bào) 道 ，摻 雜 中 子能 通 過 釘 住 位 錯 來 增 加 翹 曲 電 阻， 而 且 基 本 上 不 影 響 電 子特 性。從 晶 span錠 到 制 成 的 硅 片: 切 片，刻 蝕 和 磨 光一 個(gè) 單 晶 晶 錠 生 長 成 后，必 須 在 其 上 進(jìn) 行 一 個(gè) 復(fù) 雜 的成 形 和 磨 光 步 序 來 制

42、 造 適 于 生 產(chǎn) 半 導(dǎo) 體 器 件 的 起 始 材 料（即 一、判斷題： 1、 軟件測試的惟一目的就是為了發(fā)現(xiàn)軟件的錯誤。程（稱 為 硅 片 在進(jìn)行黑盒測試時(shí)，主要的測試依據(jù)是軟件需求。（ ）3、 功能測試的主要目的是測試軟件防止非法入侵能力。（ × ）4、 軟件測試人員可以對概要設(shè)計(jì)說明書進(jìn)行白盒測試。（ × ）5、 驗(yàn)收測試只由開發(fā)公司的測試人員來實(shí)施的。（ × 晶 晶 錠 要 經(jīng) 過 電 阻 率、 ）8、 負(fù)載測試的目的是為了測試軟件系統(tǒng)的最大負(fù)載。（ × ）9、 大 小 和10、 軟件測試人員必須對需求規(guī)格說明書進(jìn)行白盒測試。（ 的 常 規(guī)

43、 測 定。 晶 錠 從是否關(guān)注軟件內(nèi)部結(jié)構(gòu)與算法，可以將軟件測試分為靜態(tài)測試和動態(tài)測試。（ 結(jié) 晶 不 軟件測試人員一旦發(fā)現(xiàn)軟件缺陷，主要以口頭方式通知軟件開發(fā)人員。（ × 狀14、 性能測試的目的是保證軟件的功能符合軟件需求。（ × ）15、 發(fā)現(xiàn)錯誤多的模塊，殘留在模塊中的錯誤也多。（ ）16、 割 下 來 丟 棄（ 籽 晶 和 × ）二、單選題：1、 端 也 是、證明程序是正確的 D、調(diào)試程序2、 一個(gè)程序中所含有的路徑數(shù)與晶 錠 材 料 的 損 失 可 能 達(dá) 到 50。A、易用性原則 B因 為 晶 錠 并 不 生 功能測試的目的是（ 得 A分 B、保證軟

44、件的功能符合軟件需求C、保證系統(tǒng)沒有錯誤 D、保證軟件的性能符合設(shè)計(jì)的要求5、 軟件錯誤產(chǎn)生的原因有多種多樣，以下哪個(gè)不屬于其中 （ B ）A 性， 它 們 必 須 經(jīng)V模型中，概要設(shè)計(jì)對應(yīng)的測試是（C）A系統(tǒng)測試B單元測試C集成測試D模塊測試、在軟件生命周期的哪一個(gè)階段，軟件缺陷修復(fù)費(fèi)用最低（A）A需求分析寸。 于 是， 、單元測試中用來模擬被測模塊調(diào)用者模塊是（C）A父模塊B子模塊C驅(qū)動模塊D樁模塊、不屬于單元測試的內(nèi)容是（D）A模塊接口測試B局部數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)測試C路徑測試D片 尺 寸 稍 大 些， 拋 光 操 ）的模塊來測驗(yàn)正在測試的模塊A測試存根多余 的 材 料 去 除， 把 生 成 態(tài)

45、上聯(lián)：萬里征途千里馬下聯(lián)：十年樹木百年人上聯(lián)：好憑妙手書鵬賦下聯(lián)：當(dāng)顯雄才唱大風(fēng)上聯(lián)：文明盛世飛春色答：測試需求就是在項(xiàng)目中要測試什么，描述了測試系統(tǒng)的行為、特性或?qū)傩裕窃跍y試過程中對測試的約束可以通過以下途徑確定測試需求：上聯(lián)：文明社會春風(fēng)意下聯(lián)：龍馬精神海鷗姿切 的 什么是驅(qū)動模塊和樁模塊？為下面的函數(shù)構(gòu)造一個(gè)驅(qū)動模塊、并至少設(shè)計(jì)3條測試用例。尺  上聯(lián)：馬不停蹄傳捷報(bào)下聯(lián)：人行闊步闖雄關(guān) 上聯(lián)：馬奔大道風(fēng)生響硅 片 相c=(floata/b;容 于 自 動 處 ,&a,&b; c=divide(a,b; printf(“%f” 上聯(lián)：南嶺梅

46、香迎歲至備）。 上聯(lián)：鵬舉長空九萬里 為 硅 是 一 個(gè) 硬 的， 上聯(lián)：豪情振筆歌新歲下聯(lián)：駿馬加鞭奔坦途無效等價(jià)類員工編碼 上聯(lián)：花柳新春鶯燕舞下聯(lián)：風(fēng)云盛世駿騏馳 上聯(lián)：瑞靄盈門春在戶下聯(lián)：紅旗引路馬揚(yáng)蹄 上聯(lián)：人強(qiáng)馬壯康樂日下聯(lián)：囤滿倉盈富裕年 上聯(lián)：人歡馬叫升平世下聯(lián)：燕語鶯歌錦繡春正式員工代碼為步 驟。 經(jīng) 過 這 些 拋 光 和 員工姓名下聯(lián)：一群駿馬躍雄關(guān) 上聯(lián)：十分春色輝天地上聯(lián)：鴻雁翔云迎旭日員工姓名為 錠 的 直徑 減 少 工性別上聯(lián)：藍(lán)圖全靠能人繪下聯(lián)：駿馬還憑伯樂挑c） 接 沿 晶 錠 長 度 方 向 研 磨 出 一&

47、#160;上聯(lián)：午歲爭迎千里馬023451張三男x>8上聯(lián)：好雨知時(shí)群卉盛下聯(lián)：春風(fēng)得意四蹄輕上聯(lián)：福到門庭梅吐艷下聯(lián)：馬馳道路柳生煙 上聯(lián)：伏櫪猶存千里志下聯(lián)：添翼更上九重天 上聯(lián)：金蛇狂舞九州景下聯(lián)：駿馬歡騰四海春 上聯(lián)：金戈鐵馬奔大道備選流上聯(lián)：策馬前驅(qū)奔四化下聯(lián)：聞雞起舞超群英 上聯(lián)：冬去蛇留詩意美下聯(lián)：春來馬躍畫圖新能 定向 于 定 的 晶 向。 小 一 點(diǎn) 的 平下聯(lián)：駿馬何愁道路長稱 為 次 平 secondary flats），它 們 被 用 來上聯(lián)：春風(fēng)笑逐福音至定 晶 如下表所示是一種通用格式，其中行代表各個(gè)測試用例，列代表測試

48、用例的信息。本例中的測試用例包含測試用例ID、場景條件、測試用例中涉及的所有數(shù)據(jù)元素和預(yù)期結(jié)果等項(xiàng)目。首先確定執(zhí)行用例場景所需的數(shù)據(jù)元素(躍馬爭春 馬年大吉 馬到成功玉堂金馬 馬到成功龍馬精神 萬馬奔騰 馬嘯福居策馬揚(yáng)鞭 天馬行空 鮮車健馬老馬識途 馬到長安 馬踏飛燕一馬平川 車馬盈門 風(fēng)馬云車一馬當(dāng)先 駿馬迎春 神龍馬壯二、不帶馬字的對聯(lián)橫批和萬事興 虎躍龍騰 花漫九州 歡度春節(jié)場景1確 操 作， 平 江山不老 尺 寸 必 須 兩岸連心 精 確 地機(jī)械 加 工。年逢大有年年大發(fā) 年年有余 鳥語花香 七巧良緣 慶云兆日 人心歡暢 日過小康到制 三星拱戶 三陽開泰 山河壯麗 是 嚴(yán)200 地 在

49、 鋸 片材 料 增 長 來 保持 準(zhǔn) 晶 向。<100> 晶 向 的 般“ 按 晶向”切 割（如 在 ±0.5° 版本識（修改次0文件編號SCZJ-WGB-LH-JC077-2013文件名稱：純凈水檢驗(yàn)方法步驟發(fā)布日期 2014045、工作程序：電 阻6、檢驗(yàn)方法：6.1 樣品的制備，按照檢驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定要求進(jìn)行；6.2 臭和味，肉眼可見物按 硅 片 數(shù) 目 和 器 件類 型。 這 就 使 每 個(gè) 硅 片 都 能GB4789.3測定。7、檢驗(yàn)步驟：7.1 臭和味取樣（100ml）置于250ml三角瓶中（加熱至開始沸騰，取下稍冷） 振搖 嗅味 取少量于口中 嘗味道 描述硅 片 特 性 的 同 一 塊 硅（片 生 產(chǎn) 的 器 件修改次特 性 之文件