1、電池線測(cè)試題庫(kù)題型：填空題100道，判斷題50道，問答題30道，案例分析10道一、 填空題1、 清洗制絨的目的是為了在硅片上獲得表面絨面結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對(duì)提高晶體硅對(duì)光的吸收率有著重要作用。2、 對(duì)于單晶硅，采用堿溶液的各向異性腐蝕，其化學(xué)方程式為：2KOH+Si+H2OK2SiO3+2H2；3、 多晶硅采用酸溶液的各向同異性腐蝕，其化學(xué)反應(yīng)方程式：Si+4HNO3SiO2+4NO2+2H2O，SiO2+4HFSiF4+2H2O和SiF4+2HFH2SiF6。4、 擴(kuò)散工藝是在硅片的一面通過擴(kuò)散磷來形成P-N結(jié)，采用POCL3作為擴(kuò)散源，提供磷原子。5、 為了將擴(kuò)散所得的硅片制成P-N結(jié)，需把四

2、周的N型層去掉。背面的N型層可以用補(bǔ)償法消除。用絲網(wǎng)印刷鋁漿，然后燒結(jié)可以使N型層返回到P型層。6、 去硅片周邊用激光刻蝕的方法和等離子體刻蝕法，我車間采用激光刻蝕的方法去除周邊。7、 激光切割去周邊時(shí)，必須把激光束照在背電極上，必須控制好激光的強(qiáng)度和運(yùn)行速度，才能做到對(duì)電池片的P-N結(jié)無影響。8、 PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。9、 PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，他們可以提供化學(xué)

3、氣相沉積過程所需的激活能。10、由于在氨氣圧條件下，提高了活性基團(tuán)的擴(kuò)散能力，從而提高薄膜的生長(zhǎng)速度一般可達(dá)30300nm/min以上。 11、PECVD該設(shè)備成膜種類為氮化硅，這種PECVD成膜均勻性好、穩(wěn)定性高。200400 50300Pa12、寫出PECVD設(shè)備中主要的化學(xué)反應(yīng)方程式：3SiN4+4NH3 Si3N4+12H213、進(jìn)入車間須穿戴好潔凈服、帽子，戴好口罩、手套，頭發(fā)長(zhǎng)的要將其放入帽子或衣服中。14、絲網(wǎng)印刷的工藝流程：制減反射膜印刷正電極低溫烘干印刷背電極低溫烘干印刷背電場(chǎng)高溫?zé)Y(jié)15、正電極印刷時(shí)，應(yīng)經(jīng)常性的用無塵布輕擦網(wǎng)板底部，避免柵線過粗。16、電極的質(zhì)量與鏈?zhǔn)綗Y(jié)

4、爐中的溫度分布、傳送硅片的網(wǎng)帶的前進(jìn)速度、硅片的清潔度、燒結(jié)爐的清潔度等因素有著重要關(guān)系。17、方塊電阻（Sheet Resistance）可以理解為在硅片上正方形薄膜兩端之間的電阻。測(cè)量方塊電阻時(shí)，相同厚度等距離的兩點(diǎn)間會(huì)得到相同的電阻。18、絲網(wǎng)印刷線從前到后依次印刷正銀、背銀鋁和背鋁，Rs越小、Rsh越大，電池片效率越高。19、對(duì)于快速燒結(jié)爐，冷卻水進(jìn)水口溫度1825，冷卻水壓力為68bar，CDA壓力為48bar，溫度上限為zone14 650，zone56 1000。20、異丙醇（IPA）在制絨中的作用，一是能夠減緩反應(yīng)速度，二是能夠趕走硅片表面殘留的氣泡使得硅片表面腐蝕的均勻。21

5、、在太陽(yáng)能行業(yè)的擴(kuò)散工藝中，主要原料氣體包括POCL3、O2和N2。22、燒結(jié)的目的：干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸。23、少子是在半導(dǎo)體中不起支配作用的移動(dòng)電荷，在P型中是電子，在N型中是空穴。24、少子壽命是少數(shù)載流子受激發(fā)從產(chǎn)生到復(fù)合的時(shí)間，單位為微秒。25、光伏技術(shù)是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。26、由半導(dǎo)體材料組成的光伏單元吸收陽(yáng)光后將電子從原子中釋放出來。電子在半導(dǎo)體材料中移動(dòng)產(chǎn)生了電流。27、將最大輸出功率Pm與Uoc和Isc的乘積之比定義為填充因子FF。FF越大則輸出功率越高。28、太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率定義為太陽(yáng)能電池的最大輸出功率

6、與照射到太陽(yáng)能電池的總輻射能之比。29、去磷硅玻璃是用化學(xué)方法除去擴(kuò)散層的SiO2，SiO2與HF反應(yīng)生成具有揮發(fā)性的SiF4，從而使Si表面的磷硅玻璃去除掉。30、高溫快速燒結(jié)爐采用網(wǎng)帶傳送工作，紅外加熱升溫快、熱透性好，熱場(chǎng)均勻，集低溫烘干和高溫?zé)Y(jié)于一體。31、多晶硅晶體與單晶硅顯著地不同點(diǎn)是多晶硅的導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如單晶硅。32、氮化硅的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：結(jié)構(gòu)致密，硬度大；能抵御堿金屬離子的侵蝕；介電強(qiáng)度高；耐濕性好；耐一般的酸堿，除HF和熱H3PO4.33、選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)有兩個(gè)特征：1）在電極柵線下及其附近形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)；2）在其他區(qū)域(活性區(qū))形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)，這樣便獲得了一個(gè)

7、橫向高低結(jié)。34、三氯氧磷極易水解，在潮濕的空氣中，因水解產(chǎn)生酸霧，水解產(chǎn)生的HCl 熔于源中會(huì)使源變成淡黃色，必須換源。35、擴(kuò)散系統(tǒng)不干燥時(shí)，POCl3+2H2OHPO3+HCl， HPO3是一種白色粘滯性液體，對(duì)硅片有腐蝕作用，并使石英舟粘在管道上不易拉出。36、絲網(wǎng)印刷由五大要素構(gòu)成，即絲網(wǎng)、刮刀、漿料、工作臺(tái)以及基片。37、氫氟酸是無色透明的液體，具有較弱的酸性、易揮發(fā)性和很強(qiáng)的腐蝕性。38、氫氟酸有一個(gè)很重要的特性是它能夠溶解二氧化硅，因此不能裝在玻璃瓶中。39、在配制氫氟酸溶液時(shí)，要穿好防護(hù)服，戴好防護(hù)手套和防毒面具。40、當(dāng)硅片從氫氟酸中提起時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則

8、表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈。41、POCl3液態(tài)源擴(kuò)散方法具有生產(chǎn)效率較高，得到PN結(jié)均勻、平整和擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)，這對(duì)于制作具有大面積結(jié)的太陽(yáng)電池是非常重要的。42、在太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散工藝中，擴(kuò)散層方塊電阻是反映擴(kuò)散層質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)要求的重要工藝指標(biāo)之一。43、目前生產(chǎn)中，測(cè)量擴(kuò)散層薄層電阻廣泛采用四探針法。44、三氯氧磷源瓶更換的標(biāo)準(zhǔn)操作過程：依次關(guān)閉進(jìn)氣閥門、出氣閥門，拔出連接管道，更換源瓶，連接管道，打開出氣閥門、進(jìn)氣閥門。45、常用雜質(zhì)(硼,磷,砷等)在氧化層中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，因此氧化層具有阻擋雜質(zhì)向半導(dǎo)體中擴(kuò)散的能力。

9、46、正面電極的形成和厚度，總是兩方面的因素平衡的結(jié)果：一方面要有高的透過率；另一方面要保證柵網(wǎng)電極有一個(gè)盡可能低的接觸電阻。47、清洗制絨的冷卻裝置中冷卻水進(jìn)出壓力差3bar。48、太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的純度要求遠(yuǎn)不及電子級(jí)多晶硅，一般認(rèn)為56個(gè)9就可以滿足要求。49、TTV總厚度偏差，Warp翹曲度，BOW彎曲度，TIR平整度50、填充因子FF取決于入射光強(qiáng)、材料禁帶寬度、串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻等。51、硅片經(jīng)過去磷硅玻璃后，顏色由棕色變?yōu)榛疑?2、在PSG中，HF的原始濃度為49%，清洗需要的濃度一般為5%。53、硅片在線測(cè)量的主要參數(shù)有硅片表面不平整度、厚度、電阻率和TTV。54、在太陽(yáng)電池中

10、，其能量的損失有兩種：光學(xué)損失和電學(xué)損失。55、在去PSG的正常運(yùn)行時(shí)，CDA的工作壓力位6bar，純水的工作壓力位3bar，氮?dú)獾墓ぷ鲏毫?bar。56、光學(xué)性質(zhì)的損失中，硅表面的反射損失最多。57、同樣尺寸的基片，絨面電池的P-N結(jié)面積較大，可以提高短路電流，轉(zhuǎn)化效率也有相應(yīng)的提高。58、擴(kuò)散是一種由微粒的熱運(yùn)動(dòng)所引起的物質(zhì)輸運(yùn)過程，可以由一種或多種物質(zhì)在氣、液或固體的同一相內(nèi)或不同相間進(jìn)行。59、擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力實(shí)質(zhì)是化學(xué)勢(shì)梯度。60、磷擴(kuò)散的擴(kuò)散機(jī)制是空位機(jī)制。61、擴(kuò)散制結(jié)過程中在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。62、必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電

11、池邊緣的P-N結(jié)。63、燒結(jié)爐分為烘干、預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻四個(gè)階段。64、在電池片生產(chǎn)過程中，還需要供電、動(dòng)力、給水、排水、暖通、真空、特氣等外圍設(shè)施。65、當(dāng)石墨舟運(yùn)行到一定的次數(shù)后，表面沉積了很厚的氮化硅，影響舟壁與硅片的接觸，從而影響鍍膜的質(zhì)量，因此要進(jìn)行石墨舟的清洗。66、除了Si和N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，其氫原子可以起到鈍化作用，復(fù)合硅片體內(nèi)的缺陷。67、擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間對(duì)擴(kuò)散結(jié)深影響較大。68、當(dāng)擴(kuò)散爐的溫度升高時(shí)，其方塊電阻將會(huì)降低；相反，溫度降低時(shí)，其方塊電阻將會(huì)升高。69、初次擴(kuò)散前或停產(chǎn)一段時(shí)間以后恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)，需使石英管在810通源飽和1小時(shí)

12、以上。70、磷有極毒，換源時(shí)應(yīng)在通風(fēng)系統(tǒng)好的條件下進(jìn)行，且不要在尚未倒掉舊源時(shí)就用水沖，這樣易引起源瓶炸裂。71、在燒結(jié)核心區(qū)的加熱燈管采用進(jìn)口紅外短波輻射加熱管。72、對(duì)于燒結(jié)爐，要定期對(duì)傳動(dòng)部分進(jìn)行維護(hù)，各軸承應(yīng)及時(shí)加入潤(rùn)滑油，調(diào)整網(wǎng)帶。73、PECVD的維護(hù)及保養(yǎng)：保持真空度、保護(hù)氣路、保護(hù)羅茨泵機(jī)、定期進(jìn)行酸洗等。74、絲網(wǎng)印刷是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的重要工序，其印刷質(zhì)量（厚度，寬度，膜厚一致性）影響電池片的技術(shù)指標(biāo)。75、在電池片的正極用銀漿料印刷兩條或三條電極導(dǎo)線（寬約34mm）作為電池片的電極。76、絲網(wǎng)印刷的刮板條的硬度越低，印刷圖形的厚度越大，刮刀材料必須耐磨，刃口有很好的直線性，

13、保持與絲網(wǎng)的全接觸；刮刀一般選用菱形刮刀，它具有4個(gè)刃口，可逐個(gè)使用，利用率高。77、刮刀角度的設(shè)定與漿料有關(guān)；漿料黏度值越高，流動(dòng)性越差，需要刮刀對(duì)漿料的向下的壓力越大，刮刀角度?。还蔚督嵌日{(diào)節(jié)范圍為45°75°。78、常用的絲網(wǎng)材料有不銹鋼和尼龍2種，在太陽(yáng)能電池片的印刷中采用不銹鋼絲網(wǎng)。79、漿料是由功能組份、粘結(jié)組份和有機(jī)載體組成的一種流體，80、背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高開路電壓和短路電流，改善對(duì)紅外線的響應(yīng)。81、常用的含量單位： ppm=10-6 ppb=10-9 ppt=10-1282、

14、強(qiáng)酸主要包括高錳酸、鹽酸、硫酸、硝酸、高氯酸、硒酸、氫溴酸、氫碘酸、氯酸。83、強(qiáng)酸都有強(qiáng)烈的刺激和腐蝕作用。在未佩戴防護(hù)用品的情況下，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起酸中毒。84、操作酸時(shí)要戴防護(hù)手套，如酸為強(qiáng)腐蝕性且易揮發(fā)，需戴化學(xué)安全防護(hù)眼鏡，如酸液有毒，應(yīng)戴防毒口罩。 85、如果酸液滴在皮膚上，需立即用大量水沖洗，并用5%的碳酸氫鈉沖洗，嚴(yán)重時(shí)需要就醫(yī)。86、如果滴在皮膚上的酸是氫氟酸，必須立即沖洗干凈，并立即用六氟靈解毒，立即就醫(yī)。87、酸液滴在皮膚上時(shí)，絕對(duì)不能用堿去中和，避免放熱燒傷。88、在未佩戴防護(hù)用品操作堿溶液的情況下，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起堿腐蝕和中毒。89、盛放堿的試劑瓶絕對(duì)不能用玻璃塞，否則會(huì)

15、打不開。90、如果酸液滴在眼睛里，必須立即提起眼瞼，用大量水沖洗，并不時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)眼球，就醫(yī)。91、鹽酸滅火方法：用堿性物質(zhì)如碳酸氫鈉、碳酸鈉、消石灰等中和。也可用大量水撲救。92、有機(jī)溶劑的防護(hù)：生產(chǎn)和使用有機(jī)溶劑時(shí)，要加強(qiáng)密閉和通風(fēng)，減少有機(jī)溶劑的逸散和蒸發(fā)。93、氫氟酸是氟化氫氣體的水溶液，為澄清無色至淡黃色發(fā)煙液體，極易揮發(fā)，有刺激性氣味，相對(duì)密度 1.151.18。沸點(diǎn) 112.2(按重量百分比計(jì)為38.2%)，是弱酸。94、氫氧化鉀是強(qiáng)堿，具有強(qiáng)吸水性，溶于水時(shí)放出大量的熱。具有強(qiáng)腐蝕性。腐蝕皮膚、衣服、玻璃陶瓷，其性質(zhì)與燒堿相似。95、硝酸是強(qiáng)氧化劑，有強(qiáng)腐蝕性，在生產(chǎn)，使用和運(yùn)輸中要

16、注意安全。96、鹽酸是一種強(qiáng)酸，濃鹽酸具有極強(qiáng)的揮發(fā)性，因此盛有濃鹽酸的容器打開后能在上方看見酸霧。97、IPA無色透明液體，能與水、醇、醚相混溶，有似乙醇和丙酮混合物的氣味。98、氨氣爆炸上限（V/V）16%25%，易燃?xì)怏w，相對(duì)比重（空氣=1）0.5970。99、硅烷爆炸上限（V/V）1%96%，相對(duì)比重（空氣=1）1.109。100、中華人民共和國(guó)安全生產(chǎn)法指出：安全生產(chǎn)管理，堅(jiān)持預(yù)防為主、綜合治理的方針。二、判斷題1、 太陽(yáng)能是一種清潔的不可再生能源。（×）2、 擴(kuò)散過程中，硅片周邊表面形成擴(kuò)散層不會(huì)對(duì)電池片造成任何影響。（×）3、 刻蝕是采用物理或化學(xué)的方法無選擇

17、性的從半導(dǎo)體材料表面去除不需要材料的過程。（×）4、 絲網(wǎng)印刷中是用銀鋁漿料印刷背電場(chǎng)。（×）5、 在經(jīng)過多晶制絨后，就決定了硅片的正反面。（）6、 在寒冷的天氣下，電池片的轉(zhuǎn)化效率會(huì)受到一定影響。（×）7、 每次更換網(wǎng)版、網(wǎng)版的位置、印刷壓力以及刮板平行度要重新調(diào)整。（）8、 印刷放片于平臺(tái)時(shí)，盡量一次放置到位，不要將硅片在平臺(tái)上摩擦。（）9、 一旦正電極有漏印現(xiàn)象發(fā)生，應(yīng)立即停止印刷，并查找原因（漿料太少、網(wǎng)孔堵塞）。（）10、正電極主柵線可以與背電極方向不一致。（×）11、測(cè)量PECVD鍍的膜厚用的四探針，測(cè)量方塊電阻用的是橢偏儀。（×）

18、12、影響擴(kuò)散方塊電阻的因素有溫度、時(shí)間和流量。（）13、絲網(wǎng)印刷是把帶有圖像或圖案的模版被附著在絲網(wǎng)上進(jìn)行印刷的。（）14、目數(shù)的定義：?jiǎn)挝幻娣e（英寸或cm）上絲網(wǎng)孔的數(shù)量。（）15、制造一個(gè)PN結(jié)是把兩塊不同類型（P型和N型）的半導(dǎo)體接觸在一起就能形成的。（×）16、N型區(qū)域磷濃度和擴(kuò)散結(jié)深共同決定著方塊電阻的大小。（）17、磷擴(kuò)散過程中只需要少量的氧氣。（×）18、POCl3不容易發(fā)生水解，但POCl3極易揮發(fā)。（×）19、方塊電阻是標(biāo)志進(jìn)入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)總量的一個(gè)重要參數(shù)。（）20、在減少光損失方面，電池的織構(gòu)化技術(shù)和減反射技術(shù)起著重要作用。（）21、電池

19、片正面的梳子狀電極結(jié)構(gòu)中，一般有2條或3條主電極粗線。（）22、擴(kuò)散工藝中，不做背靠背，采用單片擴(kuò)散也是可以的。（）23、太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的純度要求遠(yuǎn)不及電子級(jí)多晶硅，一般認(rèn)為56個(gè)9就可以滿足要求。（）24、少數(shù)載流子壽命直接影響到電池的轉(zhuǎn)化效率。（）25、由太陽(yáng)光吸收面產(chǎn)生的光生載流子不能完全轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，這是因?yàn)樵诠璨牧系捏w內(nèi)和表面存在很多晶體缺陷和雜質(zhì)原子。（）26、氧原子存在于硅中，完全是有害的。（×）27、在去磷硅玻璃的過程中，用的是HNO3來清洗硅片。（×）28、在去PSG過程中，MF表示中等濃度氫氟酸的意思。（×）29、柵線負(fù)責(zé)把電池體內(nèi)的光生電流引到

20、電池外部。（）30、電阻率表示對(duì)電流的阻礙能力，電阻率越低的材料有越好的導(dǎo)電性。（）31、在硅片檢測(cè)設(shè)備操作中，至少每天要將機(jī)器初始?xì)w為一次。（）32、在硅片檢測(cè)設(shè)備中，只要關(guān)掉電腦就可以馬上關(guān)掉電源。（×）33、在硅片檢測(cè)設(shè)備中，在緊急情況結(jié)束后，即將啟動(dòng)設(shè)備時(shí)，一定要將機(jī)器初始?xì)w位。（）34、硅片檢測(cè)的原因：硅片質(zhì)量的好壞直接決定了電池片的轉(zhuǎn)化效率。（）35、異丙醇的爆炸極限很高，所以不容易發(fā)生著火事故。（×）36、在往設(shè)備中裝Carrier時(shí)，是沒有方向性的。（×）37、P-N結(jié)兩邊摻雜度越大，開路電壓也越大。（）38、在設(shè)備的槽中沒有水時(shí)，泵仍可以正常工作

21、。（×）39、PWW-C表示高濃度HF廢液排出管道，PWW-D表示低濃度HF廢液排出管道。（）40、在去PSG中是通過PLC實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程自動(dòng)化的。（）41、燃燒三要素包括1 可燃物；2 助燃物（通常為氧氣）； 3 達(dá)到可燃物著火點(diǎn)的溫度。（）42、滅火就是破壞燃燒條件使燃燒反應(yīng)終止的過程。（）43、燃燒基本原理歸納為以下四個(gè)方面：冷卻、窒息、隔離和化學(xué)抑制。（）44、我國(guó)消防工作的方針是：預(yù)防為主,防消結(jié)合。（）45、滅火器是撲救初起火災(zāi)的重要消防器材。（）46、危險(xiǎn)化學(xué)品，包括爆炸品、壓縮氣體和液化氣體、易燃液體、易燃固體、自燃物品和遇濕易燃物品、氧化劑和有機(jī)過氧化物、有毒品和腐蝕

22、品等。（）47、氫氟酸不燃，具強(qiáng)腐蝕性、強(qiáng)刺激性，可致人體灼傷。（）48、氫氧化鉀滅火方法：用水、砂土撲救，但須防止物品遇水產(chǎn)生飛濺，造成灼傷。（）49、IPA易燃，其蒸氣與空氣可形成爆炸性混合物，遇明火、高熱能引起燃燒爆炸。與氧化劑接觸猛烈反應(yīng)。（）50、IPA爆炸極限%（V/V）為2.0%12.7%。（）三、問答題1請(qǐng)簡(jiǎn)要寫出我車間的生產(chǎn)工藝流程。答：硅片檢測(cè)（檢測(cè)來料的質(zhì)量）單/多晶清洗制絨氧化爐（鍍氧化膜）激光刻槽（刻出柵線的形狀）LDE（刻槽后的清洗）擴(kuò)散爐去磷硅玻璃PECVD絲網(wǎng)印刷快速燒結(jié)激光刻蝕檢測(cè)分類2、為什么要進(jìn)行激光刻蝕，利用激光去除硅片的周邊？答： 由于在擴(kuò)散過程中，即

23、使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面（包括邊緣）都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。3、采用什么方法可以增加電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收？分別體現(xiàn)在哪些工藝段？答：1）降低表面反射。清洗制絨2）改變光在電池體內(nèi)的路徑。制減反射膜3）采用背面反射。印刷鋁背場(chǎng)4、PECVD的具體含義是什么？PECVD設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)在哪里？答：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。 優(yōu)勢(shì)：放電能力強(qiáng)；真空度高；成膜溫度低；生產(chǎn)能力強(qiáng)；沉積速度快；設(shè)備密封性好5、磷擴(kuò)散的目的是什么？如采用POCL3液態(tài)源擴(kuò)散法，其中用到了POCL3、O2、N2

24、，這些擴(kuò)散源分別起到什么作用，并寫出化學(xué)反應(yīng)方程式。答：1）為了使硅片形成P-N結(jié) 2）各擴(kuò)散源的作用：POCl3為擴(kuò)散源提供磷原子、 O2為工作氣體參與化學(xué)反應(yīng)、 N2用于攜帶擴(kuò)散源POCl33）反應(yīng)過程4 POCl3+3O2（過量） 2P2O5+6Cl2硅片表面沉積磷硅玻璃P2O5，Si代替P2P2O5+5Si 5SiO2+4P隨后P擴(kuò)散進(jìn)入硅中，同時(shí)氯氣被排出6、燒結(jié)后的質(zhì)量要求有哪些？答：1）燒結(jié)后的氮化硅表面顏色應(yīng)該均勻，無明顯的色差. 2）電極無斷線3）背場(chǎng)無鋁珠3）電池最大彎曲度不超過1mm7、刻蝕后發(fā)現(xiàn)硅片表面較暗，說明刻蝕過度，原因有哪些？答：1）刻蝕溫度過高; 2)刻蝕速度

25、過慢；3）HF濃度較大。8、對(duì)于光伏行業(yè)的發(fā)展前景，你有何看法？請(qǐng)寫出個(gè)人的觀點(diǎn)及對(duì)個(gè)人今后的工作有何打算。9、異丙醇（IPA）在制絨過程中起得作用是什么？答：1）能夠減緩反應(yīng)速度。 2）能夠趕走硅片表面殘留的氣泡使得硅片表面腐蝕的更均勻。10、簡(jiǎn)述多晶制絨。答：多晶制絨是酸混合液對(duì)多晶硅片進(jìn)行的清洗制絨過程，其主要是去除硅片表面的刻蝕損傷層以及在硅片表面形成絨面結(jié)構(gòu)，以增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，減少反射效率。其主要步驟為1、HF+HNO3刻蝕，2、去離子水噴淋清洗3、KOH噴淋清洗4、去離子水二次噴淋清洗5、HF+HCl清洗6、去離子水三次噴淋清洗7、干燥硅片。11、簡(jiǎn)述單晶制絨。答：?jiǎn)尉е平q

26、是堿液對(duì)單晶硅片進(jìn)行的清洗制絨過程，其主要是去除硅片表面的刻蝕損傷層以及在硅片表面形成倒金字塔的絨面結(jié)構(gòu)，以增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，減少反射效率。其主要步驟為1、KOH+IPA刻蝕，2、去離子水清洗3、HF+HCl清洗4、去離子水清洗5、熱水及熱氣干燥硅片。12、簡(jiǎn)述單、多晶制絨中所需外圍供應(yīng)。答：?jiǎn)尉е平q的外圍供應(yīng)包括： 380V電源、去離子水、壓縮空氣、氮?dú)?、IPA、KOH、 HF、HCl。多晶制絨的外圍供應(yīng)包括：380V電源、去離子水、工藝?yán)鋮s水、自來水、乙二醇、HF、HNO3、HCl、KOH。13、簡(jiǎn)述擴(kuò)散制結(jié)。答：擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器

27、內(nèi)，在850-900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，就是PN結(jié)。反應(yīng)過程：4 POCl3+3O2（過量） 2P2O5+6Cl2硅片表面沉積磷硅玻璃P2O5，Si代替P2P2O5+5Si 5SiO2+4P隨后P擴(kuò)散進(jìn)入硅中，同時(shí)氯氣被排出。14、簡(jiǎn)述去PSG。答：去PSG全稱是去磷硅玻璃。由于在氧化和擴(kuò)散工藝中，會(huì)在硅片的表面形成了含有磷的二氧化硅，為了不影響硅片的吸光率，必須將它出去，所以利用HF將其除去。經(jīng)過擴(kuò)散工藝

28、后，硅片是棕色，經(jīng)過去PSG后，硅片變?yōu)榛疑?5、簡(jiǎn)述PECVD。答：全稱是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，目的是在硅片表面鍍一層致密的氮化硅薄膜，以減少入射光的反射。鍍膜后，硅片的光照面顯示為藍(lán)色。16、簡(jiǎn)述絲網(wǎng)印刷。答：絲網(wǎng)印刷由五大要素組成，即絲網(wǎng)、刮刀、漿料、工作臺(tái)以及基片。工作時(shí)，他們由上而下的順序是刮刀、漿料、絲網(wǎng)、基片和工作臺(tái)。其原理是: 利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透漿料，非圖文部分網(wǎng)孔不透漿料進(jìn)行印刷正面銀電極、背面鋁電極和鋁背場(chǎng)。17、簡(jiǎn)述快速燒結(jié)。答-快速燒結(jié)是絲網(wǎng)印刷后續(xù)處理工藝，作用是將經(jīng)過銀漿、鋁漿及銀鋁漿印刷過的硅片，通過烘干有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，脫層收縮成為固狀物緊密粘附在硅

29、片上，可視為金屬電極材料層和硅片接觸在一起。，形成良好的歐姆接觸。18、什么是LDE。答：LDE的英文全稱為L(zhǎng)aser Damage etch（去除激光刻蝕損傷）。為制作選擇性發(fā)射極的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)。LDE的作用：硅片經(jīng)過激光刻蝕后，去除硅片表面的刻蝕損傷及遺留的硅粉，19、遇上嚴(yán)重火災(zāi)怎么辦？ 答：1）保持鎮(zhèn)靜。 2）呼喚附近的同事援助。 3）報(bào)警；通知消防中心119，報(bào)警時(shí)要講清詳細(xì)地址、起火部位、著火物質(zhì)、火勢(shì)大小、報(bào)警人姓名及電話號(hào)碼，并派人到路口迎候消防車。 4)關(guān)閉火場(chǎng)附近的電器總閘。 5)正確使用滅火器滅火。 6)要指示出方向，迅速組織人員疏散和自己逃生，千萬(wàn)不可乘坐電梯。20、簡(jiǎn)

30、述單晶制絨與多晶制絨的區(qū)別。答：區(qū)別主要有兩個(gè)1、由于單晶是各向異性，多晶各向同性，它們不同的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致我們需要采用不同的刻蝕液分別對(duì)它們進(jìn)行清洗刻蝕：?jiǎn)尉е平q采用KOH+IPA，多晶制絨采用HF+HNO3；2、單晶和多晶獲得的絨面結(jié)構(gòu)不同：?jiǎn)尉Ыq面結(jié)構(gòu)為倒金字塔；多晶制絨后絨面是由米粒狀組成的結(jié)構(gòu)。21、簡(jiǎn)述硅片正面鍍銀的原因。答：銀材質(zhì)導(dǎo)電性好，電導(dǎo)率高，印刷正面銀電極作用通過柵線和銀電極收集內(nèi)建電場(chǎng)中電子，降低電池片接觸電阻，形成電池片負(fù)極。22、簡(jiǎn)述硅片背面銀鋁的原因。答：背面銀鋁電極電導(dǎo)率高，印刷背鋁柵線作用是收集電池線背面帶正電空穴，形成電池片正極。23、請(qǐng)寫出電池線所有設(shè)備的名稱。

31、答：檢測(cè)質(zhì)量檢測(cè)、多晶制絨、單晶制絨、氧化爐、激光刻槽、LDE、擴(kuò)散爐、去磷硅玻璃、PECVD、絲網(wǎng)印刷、石墨舟清洗機(jī)、通風(fēng)柜、離線檢測(cè)（四探針、載流子壽命測(cè)試儀、橢偏儀、顯微鏡和立體顯微鏡）。24、請(qǐng)寫出電池線所用到的各種化學(xué)品。答：鹽酸、硝酸、氫氟酸、氫氧化鉀、異丙醇、乙二醇、三氯氧磷、氧氣、氮?dú)?、硅烷、氨氣和DCE等。25、請(qǐng)寫出單晶制絨過程中的化學(xué)方程式。答：Si+2H2O+2OH¯SiO2(OH)22¯+2H226、請(qǐng)寫出多晶制絨過程中的化學(xué)方程式。 答： Si+4HNO3SiO2+4NO2+2H2O SiO2+4HFSiF4+2H2O SiF4+2HFH2SiF

32、6200400 50300Pa27、請(qǐng)寫出PECVD中發(fā)生的化學(xué)方程式。答： 3SiN4+4NH3 Si3N4+12H228、請(qǐng)寫出你所熟悉的各種安全用具。答：一次性橡膠手套、防割耐高溫手套、防酸堿手套、防酸堿鞋、硅膠全面罩、氣體過濾器、Chemmax防護(hù)服、防護(hù)眼鏡、防化圍裙、防毒半面罩、噴淋器、急救箱等。29、請(qǐng)寫出更換POCL3的操作要點(diǎn)和注意事項(xiàng)。答：源瓶更換的標(biāo)準(zhǔn)操作過程 依次關(guān)閉進(jìn)氣閥門、出氣閥門，拔出連接管道，更換源瓶，連接管道，打開出氣閥門、進(jìn)氣閥門。30、請(qǐng)寫出單、多晶制絨添加的化學(xué)品名稱。答：?jiǎn)尉е平q的化學(xué)品包括：IPA、KOH、HF、HCl。多晶制絨的化學(xué)品包括：乙二醇、

33、HF、HNO3、HCl、KOH。四、案例分析1、在絲網(wǎng)印刷過程中，在印刷背電極的時(shí)候，背電極的印刷圖案有兩種，請(qǐng)比較這兩種背電極優(yōu)缺點(diǎn)。 圖1： 圖2： 答：圖一、缺點(diǎn)：焊條為長(zhǎng)條狀，浪費(fèi)了Ag/Al漿優(yōu)點(diǎn)：一旦出現(xiàn)碎片后，可以順利的劃成碎片圖二、優(yōu)點(diǎn)：可以大大節(jié)省Ag/Al漿，降低成本缺點(diǎn)：一旦出現(xiàn)碎片后，斷成小片，利用率大大降低2、使用三氯氧磷時(shí)，需先開啟進(jìn)氣閥門，泄壓后再開啟出氣閥門。這句話是否正確，如果有錯(cuò)誤，請(qǐng)給出正解。答：錯(cuò)。 由于三氯氧磷自身存在一定的蒸氣壓，如直接開啟進(jìn)氣閥門，三氯氧磷會(huì)順著擰松的部位溢出，因此操作人員必須注意的是，一定要先開啟出氣閥門泄壓后再開啟進(jìn)氣閥門。3、

34、處理三氯氧磷泄漏的方法： 三氯氧磷泄漏時(shí)，需要先用濕布擦拭殘液，然后用清水沖洗現(xiàn)場(chǎng)。請(qǐng)找出這句話的錯(cuò)誤之處，并給出正解。答：三氯氧磷遇水會(huì)發(fā)生反應(yīng)，因此，當(dāng)三氯氧磷泄漏時(shí)，需用干燥棉布擦干殘液后再用清水清理設(shè)備，防止設(shè)備受到腐蝕。4、在室外將泄漏后的三氯氧磷進(jìn)行廢棄處理時(shí)，操作人員將干燥沙土挖好坑，在下風(fēng)處緩慢將三氯氧磷傾倒至砂土坑內(nèi)，然后用沙土蓋好，使用自來水緩慢沖淋至無異味即可。請(qǐng)找出這句話的錯(cuò)誤之處，并給出正解。答： 操作人員需在上風(fēng)口進(jìn)行操作，濕的沙土晾干后可繼續(xù)使用。5、操作過程中源瓶一旦破裂，三氯氧磷泄漏出來，操作人員應(yīng)該立即處理現(xiàn)場(chǎng)。請(qǐng)找出這句話的錯(cuò)誤之處，并給出正解。答：操作過

35、程中源瓶一旦破裂，三氯氧磷泄漏出來，操作人員應(yīng)該迅速撤離，加強(qiáng)泄漏區(qū)域通風(fēng)。處理人員需配備空氣呼吸器，拿出干燥棉布吸收三氯氧磷，擦干殘液，然后將吸收了三氯氧磷的棉布和源瓶碎片放入袋中，用橡皮筋將袋口扎好，移出室外。6、如果發(fā)現(xiàn)放置酸的Tank至酸槽的管路漏液，該如何處理？答：1、首先立即將設(shè)備停止運(yùn)行，之后戴好防酸手套及面具，確認(rèn)漏液位置。2、將漏液管路相連的Tank及槽體內(nèi)酸液排盡。3、用去離子水將Tank和槽體清洗兩遍。4、用潔凈紙擦去確認(rèn)管路內(nèi)所有液體排盡后，檢查漏液的真正原因并解決。如果為管路連接處較松，擰緊即可。如果為管破裂泄露，應(yīng)立即更換。5、在解決泄露問題后，先通入去離子水，查看

36、確認(rèn)不再漏液。6、最后將泄露的液體用潔凈紙擦去并清洗干凈。7、將Tank及槽體內(nèi)通入酸液再次確認(rèn)無漏液后方可開機(jī)運(yùn)行。7、1982年1月19日12時(shí)40分，浙江省某化肥廠冷凍崗位，因女工玩耍踩斷氨管致3人氨中毒死亡。  1月19日12時(shí)，該廠臨時(shí)停車期間，合成車間4名女工在清掃完衛(wèi)生后到冷凍崗位室外曬太陽(yáng)時(shí)，其中1名分析工雙腳踩氨油分離器進(jìn)液管上上下跳動(dòng)玩耍，不慎將進(jìn)液閥門連接管絲扣踩斷，致使大量氨從斷管處外泄，4人中除1人逃離外，其余3人均中毒昏倒，經(jīng)搶救無效而死亡。答：1）事故原因分析1管接頭選材不符合設(shè)計(jì)要求，以鑄鐵件代替鋼件。2原設(shè)計(jì)該管道離地19米，因分離效果不好，經(jīng)兩次修

37、改后，該管距地 260毫米，使用磚塊作支撐。1981年12月26日在拆除液氨貯槽危棚時(shí)，有人將磚頭撤去，致使該管懸空。3踩斷管線的女分析工違反有關(guān)規(guī)定，在工作時(shí)間內(nèi)踩在生產(chǎn)管道上跳著 玩。    4因當(dāng)時(shí)更換合成大槽，冷凍系統(tǒng)存氨備開車用，冷凍系統(tǒng)的4個(gè)閥門(平衡閥、冷卻排管進(jìn)出口閥、液氨貯槽進(jìn)口閥)全部呈開啟狀態(tài)，致在氨油分離器平衡管根部斷裂后，大量液氨從氨油分離器、液氨貯槽和冷卻排管內(nèi)排出，而擴(kuò)大了事故。5有關(guān)人員違反國(guó)務(wù)院頒發(fā)的有關(guān)規(guī)定，將位于冷凍崗位室外西側(cè)的安全通道堆放大量電氣雜物，把通道堵死，致使2名分析工受阻而中毒死亡。2）防止同類事故的措

38、施： 1對(duì)氨系統(tǒng)進(jìn)行全面檢查，更換材質(zhì)不符合要求的管閥件。 2對(duì)各種管道支架進(jìn)行檢查，沒有的均補(bǔ)裝鐵件或水泥件支架。 3疏通廠內(nèi)應(yīng)設(shè)有安全通道。   4停車檢修期間對(duì)貯存有毒、易燃、易爆介質(zhì)的容器場(chǎng)所周圍設(shè)置防護(hù)攔，并懸掛醒目的安全標(biāo)志。8、2000年夏，安徽省某鐵路貨運(yùn)場(chǎng)，3名裝卸工卸危險(xiǎn)化學(xué)品硫酸。按正常程序，他們先將槽車的上出料管與輸送管法蘭連接好，對(duì)槽內(nèi)加壓。當(dāng)壓力達(dá)到要求后硫酸仍沒流出，隨后采取放氣減壓打開槽口大蓋，進(jìn)行檢查，發(fā)現(xiàn)槽內(nèi)出料管堵塞。于是3人將法蘭拆開，用鋼管插入出料管進(jìn)行疏通。當(dāng)出料管被搗通時(shí)管內(nèi)噴出白色泡沫狀液體，高達(dá)3米多，濺到站在槽上的3人身上和面部。由于3人均沒戴防護(hù)面罩，當(dāng)時(shí)3人眼前一片漆黑，眼睛疼痛難忍，經(jīng)用水清洗后送往醫(yī)院，檢查為堿傷害。經(jīng)半年多的治療，3人視力均低于02不等，且淚腺受損。答：事故原因分析     經(jīng)調(diào)查了解，該硫酸槽之前用于盛裝