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襯底晶格常數(shù)(A)晶格失配度GaN/襯底%熱膨脹系數(shù)X10-6/K熱膨脹系數(shù)失配度GaN/襯底%GaNGaN3.1893.189-5.595.59-藍(lán)寶石藍(lán)寶石(0001)(0001)4.7584.7581616緩沖層解決緩沖層解決7.57.5-34-346H-SiC(0001)6H-SiC(0001)3.083.0835354.24.22525Si(111)Si(111)5.435.43-16.9-16.93.593.593636以上晶格常數(shù)在300K下測量,熱膨脹系數(shù)在1073K下測量GaN的異質(zhì)外延中,TMGa/TEGa為Ga源,NH3為N源。緩沖層技術(shù)的采用大大改善了體材料的晶體質(zhì)量其生長過程為準(zhǔn)二維生長模式,即經(jīng)歷孤立成島、島長大、高溫退火(重結(jié)晶)、準(zhǔn)二維體材料生長等步驟。其生長過程和質(zhì)量可由工藝參數(shù)(/比、生長溫度和壓力等)去控制和調(diào)節(jié)

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