1、(1-1)半導(dǎo)體的基本知識1. 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金屬一般都是，金屬一般都是導(dǎo)體。導(dǎo)體。絕緣體：絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體絕緣體，如橡皮、陶瓷、，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。塑料和石英。半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。化物等。(1-2) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所

2、以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。例如：于其它物質(zhì)的特點。例如： 當(dāng)受外界當(dāng)受外界熱和光熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。變化。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。顯改變。(1-3)本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子

3、之間形成的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵共價鍵，共用一，共用一對價電子。對價電子。硅和鍺的晶硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：體結(jié)構(gòu)：影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性特性的影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性特性的3個因素：個因素：溫度溫度-熱敏電阻熱敏電阻光照光照-光敏電阻光敏電阻摻雜摻雜-P、N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體摻入五價雜質(zhì)元素為摻入五價雜質(zhì)元素為N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的應(yīng)用溫度檢測與控制（發(fā)動機(jī)溫度、進(jìn)氣溫度）；溫度檢測與控制（發(fā)動機(jī)溫度、進(jìn)氣溫度）；光信號檢測（傳感器和光電隔離）；光信號檢測（傳感器和光電隔離）；磁場信號檢測（霍爾效應(yīng)）。磁場信號檢測（霍爾效應(yīng)）。1.2 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 二極管二

4、極管 = PN結(jié)結(jié) + 管殼管殼 + 引線引線NP結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)符號符號陽極陽極+陰極陰極-三三. 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流最大整流電流IF二極管長期連續(xù)工二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二作時，允許通過二極管的最大整流極管的最大整流電流的平均值。電流的平均值。(2) 反向擊穿電壓反向擊穿電壓UBR 二極管反向電流二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓值稱為反向擊穿電壓電壓UBR。 (3) 反向電流反向電流I IR R 在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安值。硅二

5、極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺級；鍺二極管在微安二極管在微安( A)級。級。 1.3 半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，因此，還被稱為參與運行，因此，還被稱為雙極型晶體雙極型晶體管管（Bipolar Junction Transistor,簡稱簡稱BJT）。）。 BJT是由兩個是由兩個PN結(jié)組成的。結(jié)組成的。一一. .BJT的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)NPN型PNP型符號符號:-bce-ebc 三極管的結(jié)構(gòu)特點三極管的結(jié)構(gòu)特點:（1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度集電區(qū)摻雜濃度。）發(fā)射區(qū)的摻雜濃

6、度集電區(qū)摻雜濃度。（2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。-NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極-PPN發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極 1.5 場效應(yīng)管 BJT是一種是一種電流控制元件電流控制元件(iB iC)，工作時，多數(shù)載流子和，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型器件。少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型器件。增強型增強型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道FET分類：分類： 絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（Field

7、Effect Transistor簡稱簡稱FET）是一種電壓控是一種電壓控制器件制器件(uGS iD) ，工作時，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它，工作時，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。是單極型器件。一、共射極放大電路一、共射極放大電路1、畫直流通路（計算靜態(tài)、畫直流通路（計算靜態(tài)工作點）；工作點）；2、畫交流通路（計算放大、畫交流通路（計算放大倍數(shù)）；倍數(shù)）；特點：既有電流放大，又電特點：既有電流放大，又電壓放大作用，常用于小信號壓放大作用，常用于小信號放大。放大。二、共集電極放大電路特點：輸入阻抗高，只有電特點：輸入阻抗高，只有電流放大，無電壓放大作用，流放大，無電壓放大作用，常用于電子控制電路后級的常用于電子控制電路后級的功率驅(qū)動。功率驅(qū)動。三、共基放大電路特點：輸入阻抗非常低，只特點：輸入阻抗非常低，只有電壓放大，無電流放大作有電壓放大，無電流放大作用，常用高頻放大電路。用，常用高頻放大電路。 NPN 型型cT1bT2e PNP 型型T2T1bec復(fù)合管復(fù)合管復(fù)合管：同復(fù)合管：同CC、異、異EC. 等效第一管等效第一管.放大倍數(shù)：放大倍數(shù)：3.1 多級放大電路的耦合方式多級放大電路的耦合方式將多個單級基本放大電路合理聯(lián)接，構(gòu)成多級放大電路將多個單級基本放大電路合理聯(lián)接，構(gòu)成多級放大電路組成多級放大電路的每一個基本