1、上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5 反饋和負(fù)反饋放大電路反饋和負(fù)反饋放大電路5.1 反饋的基本概念及類型反饋的基本概念及類型工廠工廠用戶用戶銷售員銷售員信息員信息員實(shí)際問(wèn)題舉例實(shí)際問(wèn)題舉例上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1. 什么是反饋什么是反饋5.1.1 反饋的基本概念反饋的基本概念直流電流負(fù)反饋電路直流電流負(fù)反饋電路反饋過(guò)程反饋過(guò)程輸出電流輸出電流ICQ發(fā)生變化發(fā)生變化在在RE上產(chǎn)生壓降上產(chǎn)生壓降UEQ ICQ RE的變化的變化TVCC+RB1I+_UB_RB2RCREICIEIB+UE輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)上頁(yè)上

2、頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)使放大元件的使放大元件的輸輸入入U(xiǎn)BE產(chǎn)生變化產(chǎn)生變化抑制輸出電流抑制輸出電流ICQ的變化的變化直流電流負(fù)反饋可直流電流負(fù)反饋可以穩(wěn)定輸出電流以穩(wěn)定輸出電流ICQTVCC+RB1I+_UB_RB2RCREICIEIB+UE輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)以影響放大電路性能。以影響放大電路性能。反饋的定義：反饋的定義：把放大電路的輸出量（電壓或電流）的一部分或全部，把放大電路的輸出量（電壓或電流）的一部分或全部，經(jīng)過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)，經(jīng)過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)，返送到輸入回路一個(gè)反饋量（電壓或電流

3、），返送到輸入回路一個(gè)反饋量（電壓或電流），反饋量與原來(lái)的外加輸入量進(jìn)行比較，反饋量與原來(lái)的外加輸入量進(jìn)行比較，得到一個(gè)得到一個(gè)凈輸入量?jī)糨斎肓考拥侥骋环糯笃骷募拥侥骋环糯笃骷恼嬲妮斎攵?，真正的輸入端，上?yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型晶體管雙極型晶體管B、E單極型晶體管單極型晶體管G、S雙極型晶體管組成的差分放大電路雙極型晶體管組成的差分放大電路B1、B2運(yùn)放電路運(yùn)放電路同相、反相輸入端同相、反相輸入端放大元件的輸入端：放大元件的輸入端：上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)基本放大電路基本放大電路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)A.F.XO.+XidXi

4、Xf.反饋信號(hào)反饋信號(hào)輸入信號(hào)輸入信號(hào)輸出信號(hào)輸出信號(hào)凈輸入信號(hào)凈輸入信號(hào)比較環(huán)節(jié)比較環(huán)節(jié)X電壓或電流信號(hào)電壓或電流信號(hào)圖中圖中A=Xo/XidF=Xf/XoXid=XiXf反饋電路方框圖反饋電路方框圖上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)開(kāi)環(huán)放大電路開(kāi)環(huán)放大電路閉環(huán)放大電路閉環(huán)放大電路閉合環(huán)路閉合環(huán)路基本放大電路基本放大電路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)A.F.XO.+XidXiXf.上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2交流反饋與直流反饋交流反饋與直流反饋(1) 直流反饋直流反饋反饋?zhàn)饔脙H在直流通路中存在反饋?zhàn)饔脙H在直流通路中存在直流通路直流通路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)+_

5、T+_+B1RB2R1CIuCR2CECEROuCCV T+ VCCRB1I+_UBQ_RB2RCREICQIEQIBQ+UEQ上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 交流反饋交流反饋 在交流通路中存在的反饋在交流通路中存在的反饋交流通路交流通路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)IuCRT BR+_OuER+_T+_+B1RB2R1CIuCR2CEROuCCV 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 正反饋正反饋反饋信號(hào)加強(qiáng)輸入信號(hào)的作用，使反饋信號(hào)加強(qiáng)輸入信號(hào)的作用，使凈輸入信號(hào)大于原輸入信號(hào)的反饋。凈輸入信號(hào)大于原輸入信號(hào)的反饋

6、。3. 正反饋與負(fù)反饋正反饋與負(fù)反饋正反饋往往把放大器轉(zhuǎn)變?yōu)檎袷幤髡答佂逊糯笃鬓D(zhuǎn)變?yōu)檎袷幤鞣答伨W(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)基本放大電路基本放大電路A.F.XO.+XidXiXf.上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 負(fù)反饋負(fù)反饋反饋信號(hào)削弱輸入信號(hào)的作用，使反饋信號(hào)削弱輸入信號(hào)的作用，使凈輸入信號(hào)小于原輸入信號(hào)。凈輸入信號(hào)小于原輸入信號(hào)。負(fù)反饋改善放大電路的性能負(fù)反饋改善放大電路的性能負(fù)反饋廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)、自控等領(lǐng)域之中。負(fù)反饋廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)、自控等領(lǐng)域之中?；痉糯箅娐坊痉糯箅娐稟.F.XO.+XidXiXf.上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

7、a. 在輸入端加入對(duì)地瞬時(shí)極性為正的電壓在輸入端加入對(duì)地瞬時(shí)極性為正的電壓uI。判斷方法：判斷方法：4. 瞬時(shí)極性法判斷正負(fù)反饋瞬時(shí)極性法判斷正負(fù)反饋 b. 根據(jù)放大電路的工作原理，標(biāo)出根據(jù)放大電路的工作原理，標(biāo)出uO 、uF的瞬時(shí)極性。的瞬時(shí)極性。c. 判斷反饋信號(hào)是增強(qiáng)還是削弱輸入信號(hào)。判斷反饋信號(hào)是增強(qiáng)還是削弱輸入信號(hào)。A.F.+uIuIduOuF反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)基本放大電路基本放大電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)d. 反饋信號(hào)削弱了輸入信號(hào)反饋信號(hào)削弱了輸入信號(hào)(uId uI)則為正反饋。則為正反饋。 A.F.+uIuIduOuF反饋網(wǎng)絡(luò)反饋網(wǎng)絡(luò)基本放大電路

8、基本放大電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)凈輸入信號(hào)小于輸入信號(hào)，所以為負(fù)反饋。凈輸入信號(hào)小于輸入信號(hào)，所以為負(fù)反饋。IFIIduuuu uIuO+_R1R2+_+uFuIdFA例例1 判斷圖示電路反饋的判斷圖示電路反饋的極性。極性。解：解：假設(shè)假設(shè)uI的瞬時(shí)極性為正。即的瞬時(shí)極性為正。即uI0那么那么uO0uF0 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)凈輸入信號(hào)大于輸入信號(hào)，所以為正反饋。凈輸入信號(hào)大于輸入信號(hào)，所以為正反饋。IFIIduuuu uO_+R1R2uI+_+uFuIdFA例例2 判斷圖示電路反饋的判斷圖示電路反饋的極性。極性。解：解：

9、假設(shè)假設(shè) uI0那么那么uO0uF0時(shí)時(shí)uO0uF0uId=uI-uF0時(shí)時(shí)uO0時(shí)時(shí)uO0uF0uId=uI-uF0時(shí)時(shí)uO0削弱了輸入信號(hào)削弱了輸入信號(hào)負(fù)反饋負(fù)反饋反饋信號(hào)極性為負(fù)反饋信號(hào)極性為負(fù)RLSu+A+uOuI+R1R2IiIdiFiR3_iO上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)c. 負(fù)反饋的組態(tài)判斷負(fù)反饋的組態(tài)判斷(a) 令令uO=0， iF 0，屬電流反饋。，屬電流反饋。(b) iF 與與iI并聯(lián)作用于運(yùn)放的輸入回路，屬并聯(lián)反饋。并聯(lián)作用于運(yùn)放的輸入回路，屬并聯(lián)反饋。電流并聯(lián)負(fù)反饋電流并聯(lián)負(fù)反饋+A+uOuI+R1R2IiIdiFiR3_iO上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)

10、后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)穩(wěn)定輸出電流的機(jī)理穩(wěn)定輸出電流的機(jī)理d. 電流并聯(lián)負(fù)反饋的作用電流并聯(lián)負(fù)反饋的作用IO If Iid 穩(wěn)定輸出電流穩(wěn)定輸出電流IO +A+uOuI+R1R2IiIdiFiR3_iO上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)圖中圖中開(kāi)環(huán)增益開(kāi)環(huán)增益A=Xo/Xid閉環(huán)增益閉環(huán)增益Af=Xo/Xi反饋系數(shù)反饋系數(shù)F=Xf/Xo凈輸入信號(hào)凈輸入信號(hào)Xid=Xi- Xf5.1.4 負(fù)反饋放大電路的一般表達(dá)式負(fù)反饋放大電路的一般表達(dá)式+A.F.XO.+XidXiXf._方框圖方框圖上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由以上各式得由

11、以上各式得將將 Xf=FXo 代入上式得代入上式得Xo=A(Xi-Xf) Xo=AXi1+AF 閉環(huán)增益閉環(huán)增益Af=XoXiA1+AF =Xo=A(Xi-FXo)AF環(huán)路增益環(huán)路增益 +A.F.XO.+XidXiXf._上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)在圖示電路中在圖示電路中環(huán)路增益環(huán)路增益AF 的意義的意義XO=A Xid +A.F.XO.+XidXiXf._Xf=AF Xid 即反饋信號(hào)是凈輸入信號(hào)的即反饋信號(hào)是凈輸入信號(hào)的AF倍倍 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)即即 閉環(huán)放大倍數(shù)下降到閉環(huán)放大倍數(shù)下降到開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)的開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)的1/(

12、1+AF)D=1+AF 稱為反饋深度稱為反饋深度Af=A1+AF 負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)的一般表達(dá)式負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)的一般表達(dá)式 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 放大倍數(shù)下降的原因放大倍數(shù)下降的原因Xf=FXo= FAXid Xid=Xi1+AF 即引入負(fù)反饋之后，電路的凈輸入信號(hào)降為原輸即引入負(fù)反饋之后，電路的凈輸入信號(hào)降為原輸入信號(hào)的入信號(hào)的1/(1+AF) 。由于由于Xid=Xi- Xf故故上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 對(duì)負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)的一般表達(dá)式討論對(duì)負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)的一般表達(dá)式討論 Af 1 時(shí)時(shí)1

13、+AF 電路引入負(fù)反饋電路引入負(fù)反饋上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Af Ab. 當(dāng)當(dāng)1 時(shí)時(shí)，稱為深反饋。，稱為深反饋。1+AF F1Af=A1+AF 此時(shí)此時(shí)閉環(huán)放大倍數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)Af只取決于反饋系數(shù)只取決于反饋系數(shù)Fa. 便于設(shè)計(jì)、分析和計(jì)算放大電路便于設(shè)計(jì)、分析和計(jì)算放大電路b. 提高了閉環(huán)放大倍數(shù)的穩(wěn)定性提高了閉環(huán)放大倍數(shù)的穩(wěn)定性主要特點(diǎn)主要特點(diǎn)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)即電路沒(méi)有輸入，但仍有一定的輸出。即電路沒(méi)有輸入，但仍有一定的輸出。XoXi=A1+AF Af=e. 當(dāng)當(dāng)=0 時(shí)時(shí)1+AF 上式成立的條件上式成立的條件Xi=

14、0Xo 0電路產(chǎn)生了自激振蕩電路產(chǎn)生了自激振蕩上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)思思 考考 題題1、在何種情況下，式、在何種情況下，式 Af=A1+AF 與式與式Af=A1+AF等同？等同？2在深負(fù)反饋的條件下，由于閉環(huán)放大倍數(shù)在深負(fù)反饋的條件下，由于閉環(huán)放大倍數(shù) ， 與管子參數(shù)幾乎無(wú)關(guān)，因此可以任意選用晶體管來(lái)組與管子參數(shù)幾乎無(wú)關(guān)，因此可以任意選用晶體管來(lái)組成放大級(jí)，管子的參數(shù)也就沒(méi)有什么意義了。這種說(shuō)成放大級(jí)，管子的參數(shù)也就沒(méi)有什么意義了。這種說(shuō)法對(duì)嗎？法對(duì)嗎？FA/1f 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.2.1 降低了放大倍數(shù)降低了放大倍數(shù)

15、AAFAA 1f5.2.2 穩(wěn)定被取樣的輸出信號(hào)穩(wěn)定被取樣的輸出信號(hào)電壓反饋可以穩(wěn)定輸出電壓電壓反饋可以穩(wěn)定輸出電壓電流反饋可以穩(wěn)定輸出電流電流反饋可以穩(wěn)定輸出電流5.2 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)AFAA 1f由由dAAFdA2f)1(1 得得AdAAFAdA 11ff5.2.3 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性AAAFAA 11ff或或上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)已知高頻區(qū)電路開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)已知高頻區(qū)電路開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)Am為中頻區(qū)的開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)為中頻區(qū)的開(kāi)環(huán)放大倍數(shù) fH為上限

16、截止頻率為上限截止頻率HmHj1ffAA 5.2.4 擴(kuò)展通頻帶擴(kuò)展通頻帶式中式中上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)引入負(fù)反饋后高頻區(qū)閉環(huán)放大倍數(shù)為引入負(fù)反饋后高頻區(qū)閉環(huán)放大倍數(shù)為FAAAHHHf1 設(shè)反饋系數(shù)為實(shí)數(shù)設(shè)反饋系數(shù)為實(shí)數(shù)F（為方便）（為方便）HmHj1ffAA 將將代入上式得代入上式得上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FffAffAAhmhmHfj11j1 hmmj1ffFAA )1(j11mhmmFAffFAA hfmfj1ffA 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)HfmfHfj1ffAA FAAAmmmf1 )1

17、(mHHfFAff 式中式中fHf為引入負(fù)反饋后的電路上限截止頻率為引入負(fù)反饋后的電路上限截止頻率上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)同理可證，引入負(fù)反饋后的電路下限截止頻率同理可證，引入負(fù)反饋后的電路下限截止頻率FAffmLLf1 引入負(fù)反饋后電路的通頻帶引入負(fù)反饋后電路的通頻帶LfHfbwffff Hff Hm)1(fFA 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于開(kāi)環(huán)電路的通頻帶由于開(kāi)環(huán)電路的通頻帶hLhbwffff 故故bwm)1(fFA hmbwf)1(fFAf bwmfbwmffAfA常數(shù)常數(shù)可見(jiàn)，放大電路擴(kuò)展通頻帶是以犧牲放大倍數(shù)來(lái)?yè)Q取的?？?/p>

18、見(jiàn)，放大電路擴(kuò)展通頻帶是以犧牲放大倍數(shù)來(lái)?yè)Q取的。 但增益帶寬積但增益帶寬積（注：只適合一階慣性環(huán)節(jié)的放大電路）（注：只適合一階慣性環(huán)節(jié)的放大電路）上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)AxIxO5.2.5 減小非線性失真減小非線性失真輸入信號(hào)輸入信號(hào)輸出信號(hào)輸出信號(hào)開(kāi)環(huán)放大電路開(kāi)環(huán)放大電路減小非線性失真原理減小非線性失真原理iQBi0BEuiB的波形圖的波形圖非線性失真非線性失真上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)xI閉環(huán)放大電路閉環(huán)放大電路xOxId=xI信號(hào)傳信號(hào)傳輸方向輸方向反饋信號(hào)反饋信號(hào)xOxIdxIxF+AF_xId=xI- xF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下

19、頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.2.6 抑制反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲抑制反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲tuo0無(wú)反饋時(shí)信號(hào)與無(wú)反饋時(shí)信號(hào)與噪聲的輸出波形噪聲的輸出波形t0uo提高輸入信號(hào)幅提高輸入信號(hào)幅度后的輸出波形度后的輸出波形t0uo有反饋有反饋 時(shí)信號(hào)與時(shí)信號(hào)與噪聲的輸出波形噪聲的輸出波形上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1對(duì)輸入電阻的影響對(duì)輸入電阻的影響（1） 串聯(lián)負(fù)反饋串聯(lián)負(fù)反饋基本放大電路的輸入電阻基本放大電路的輸入電阻iidiIUR 負(fù)反饋放大電路的輸入電阻負(fù)反饋放大電路的輸入電阻ifidiiifIUUIUR 5.2.7 對(duì)輸入電阻和輸出電阻的影響對(duì)輸入電阻

20、和輸出電阻的影響方框圖方框圖Ii+Uid+- -Ri+- -RifAUiXoOfFXU F上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于由于idoAUX ofFXU idAFU iiifIUR 故故 輸入電阻輸入電阻ifidIUU Ii+Uid+- -Ri+- -RifAUiXoOfFXU F上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)i)1(RAF iididIAFUU iid)1(IAFU ifidifIUUR 串聯(lián)負(fù)反饋增大輸入電阻串聯(lián)負(fù)反饋增大輸入電阻Ii+Uid+- -Ri+- -RifAUiXoOfFXU F上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子

21、技術(shù)基礎(chǔ)（2）并聯(lián)負(fù)反饋）并聯(lián)負(fù)反饋基本放大電路的輸入電基本放大電路的輸入電阻阻idiiIUR 負(fù)反饋放大電路輸入電阻負(fù)反饋放大電路輸入電阻iiifIUR 方框圖方框圖+- -UsR1RifRifUi+- -RiAXOOfFXI IiIidIfF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)OfFXI fidiIII 由于由于idoAIX idofFAIFXI 故故+- -UsR1RifRifUi+- -RiAXOOfFXI IiIidIfF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)fidiifIIUR ididiFAIIU )1(idiFAIU FAR 1i并聯(lián)負(fù)反饋

22、使輸入電阻減小并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小+- -UsR1RifRifUi+- -RiAXOOfFXI IiIidIfF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2對(duì)輸出電阻的影響對(duì)輸出電阻的影響（1）電壓負(fù)反饋）電壓負(fù)反饋根據(jù)輸出電阻的定義根據(jù)輸出電阻的定義畫出求輸出電阻的等效電路方框圖畫出求輸出電阻的等效電路方框圖0oiL XRIUR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)圖中圖中 LidooRXUA+- -IAoXid+- -UARofF=0Ro+- -XidXiXfI1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)idooXAIRU ffiidXXX

23、X FUFXX of忽略電流忽略電流i1由圖可知由圖可知+- -IAoXid+- -UARofF=0Ro+- -XidXiXfI1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由以上各式得由以上各式得FUAIRUoo FARIURooof1 故輸出電阻故輸出電阻電壓負(fù)反饋使電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小輸出電阻減小+- -IAoXid+- -UARofF=0Ro+- -XidXiXfI1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）電流負(fù)反饋）電流負(fù)反饋求輸出電阻的等效電路求輸出電阻的等效電路圖中圖中0idooL RXIA+- -Rof=0RO+- -XidXiXfIAoX

24、idUAF+- -U1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)忽略電壓忽略電壓u1ffiidXXXX FIFXX ofidooXARUI 那么那么+- -Rof=0RO+- -XidXiXfIAoXidUAF+- -U1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由此可得由此可得idooXARUI )(fooXARU )(ooIFARU +- -Rof=0RO+- -XidXiXfIAoXidUAF+- -U1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))1(ooofFARIUR 故故電流負(fù)反饋使電流負(fù)反饋使輸出電阻增大輸出電阻增大+- -Rof=0RO

25、+- -XidXiXfIAoXidUAF+- -U1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.2.6 正確引入反饋正確引入反饋(a) 減小信號(hào)源的負(fù)載減小信號(hào)源的負(fù)載(b) 提高輸出端的負(fù)載能力提高輸出端的負(fù)載能力正確引入負(fù)反饋應(yīng)考慮的兩個(gè)主要主要問(wèn)題：正確引入負(fù)反饋應(yīng)考慮的兩個(gè)主要主要問(wèn)題：a. 選擇合適的負(fù)反饋放大電路的類型選擇合適的負(fù)反饋放大電路的類型選擇類型應(yīng)該考慮的兩個(gè)主要問(wèn)題：選擇類型應(yīng)該考慮的兩個(gè)主要問(wèn)題：上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)對(duì)于電壓對(duì)于電壓電流變換器：電流變換器：對(duì)于電流對(duì)于電流電壓變換器：電壓變換器：對(duì)于電壓放大器：對(duì)于電

26、壓放大器：對(duì)于電流放大器：對(duì)于電流放大器：選擇電壓串聯(lián)負(fù)反饋選擇電壓串聯(lián)負(fù)反饋選擇電流并聯(lián)負(fù)反饋選擇電流并聯(lián)負(fù)反饋選擇電流串聯(lián)負(fù)反饋選擇電流串聯(lián)負(fù)反饋選擇電壓并聯(lián)負(fù)反饋選擇電壓并聯(lián)負(fù)反饋上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)選擇元件參數(shù)的依據(jù)選擇元件參數(shù)的依據(jù):反饋深度反饋深度1+AF 目前，設(shè)計(jì)放大電路大多都選用集成運(yùn)算放目前，設(shè)計(jì)放大電路大多都選用集成運(yùn)算放大器，一旦運(yùn)放選定后，大器，一旦運(yùn)放選定后，Au、Ro、Ri即被確定，剩即被確定，剩下的工作就是估算反饋系數(shù)下的工作就是估算反饋系數(shù)F。b. 正確選用各元件參數(shù)正確選用各元件參數(shù)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

27、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 對(duì)于高內(nèi)阻、低內(nèi)阻的信號(hào)源，應(yīng)該選擇何種類對(duì)于高內(nèi)阻、低內(nèi)阻的信號(hào)源，應(yīng)該選擇何種類型的負(fù)反饋電路？型的負(fù)反饋電路？思思 考考 題題2. 由于負(fù)反饋可以展寬頻帶，所以只要反饋深度足由于負(fù)反饋可以展寬頻帶，所以只要反饋深度足夠深，就可以用低頻管代替高頻管組成放大電路來(lái)夠深，就可以用低頻管代替高頻管組成放大電路來(lái)放大高頻信號(hào)。這種說(shuō)法是否正確？放大高頻信號(hào)。這種說(shuō)法是否正確？上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算常用方法負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算常用方法a. 等效電路法：即微變等效電路法。等效電路法：即微變等效電路法。b. 分離法分離法

28、5.3 負(fù)反饋放大電路的分析及近似計(jì)算負(fù)反饋放大電路的分析及近似計(jì)算等效電路法等效電路法分離法分離法近似計(jì)算法近似計(jì)算法上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 分別求出基本放大電路的分別求出基本放大電路的A、Ri、Ro、fH 和和fL等指等指標(biāo)及反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)標(biāo)及反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)F。(c) 分別求出分別求出Af、Rid、Rof、fHf 和和fLf等。等。 (a) 分負(fù)反饋放大電路為基本放大電路和反饋網(wǎng)絡(luò)兩分負(fù)反饋放大電路為基本放大電路和反饋網(wǎng)絡(luò)兩部分。部分。分離法的基本思想分離法的基本思想:上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 采用近似計(jì)算

29、的依據(jù)采用近似計(jì)算的依據(jù)a. 多級(jí)放大電路的放大倍數(shù)一般比較大。多級(jí)放大電路的放大倍數(shù)一般比較大。b. 集成運(yùn)算放大器的廣泛應(yīng)用。集成運(yùn)算放大器的廣泛應(yīng)用。放大電路滿足深度負(fù)反饋的條件。放大電路滿足深度負(fù)反饋的條件。5.3.1 深度負(fù)反饋放大電路近似計(jì)算的一般方法深度負(fù)反饋放大電路近似計(jì)算的一般方法因?yàn)橐驗(yàn)?. 近似計(jì)算的原理近似計(jì)算的原理使放大電路很容易滿足深度負(fù)反饋的條件。使放大電路很容易滿足深度負(fù)反饋的條件。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)在深度負(fù)反饋（在深度負(fù)反饋（AF1）的條件下）的條件下XoXiXoXfF1Af=A1+AF F=XfXo代入上式得代入上式得將

30、將XoXiAf=上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Xid0XoXiXoXf由由得得（1） 當(dāng)電路引入串聯(lián)負(fù)反饋時(shí)當(dāng)電路引入串聯(lián)負(fù)反饋時(shí)UfUiUid0(稱為虛短稱為虛短)XfXi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 當(dāng)電路引入并聯(lián)負(fù)反饋時(shí)當(dāng)電路引入并聯(lián)負(fù)反饋時(shí)IfIiIid0(稱為虛斷）稱為虛斷）由于基本放大電路的電壓放大倍數(shù)也很大，條件由于基本放大電路的電壓放大倍數(shù)也很大，條件Uid0也同時(shí)成立。也同時(shí)成立。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1電壓串聯(lián)負(fù)反饋（同相輸入比例放大器）電壓串聯(lián)負(fù)反饋（同相輸入比例放大器）5.3.

31、2 電壓模運(yùn)放組成的反饋電路電壓模運(yùn)放組成的反饋電路+A+Uid+F+UfUiUoRLR2R1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)深度負(fù)反饋條件下的分析依據(jù)深度負(fù)反饋條件下的分析依據(jù)有有Uid0 (虛短虛短)U+ U+A+Uid+F+UfUiUoRLR2R1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)即即Ui Uf由于由于o211fURRRU 故故o211iURRRU +A+Uid+F+UfUiUoRLR2R1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電路的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)電路的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)ioufUUA 121RRR foUU +A+U

32、id+F+UfUiUoRLR2R1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Rif 閉環(huán)輸入電阻閉環(huán)輸入電阻 Rof 0閉環(huán)輸出電阻閉環(huán)輸出電阻RifRof+A+Uid+F+UfUiUoRLR2R1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2電壓并聯(lián)負(fù)反饋（反相輸入比例放大器）電壓并聯(lián)負(fù)反饋（反相輸入比例放大器） Ii If在深度負(fù)反饋條件下在深度負(fù)反饋條件下RL+A+UoUsF+R1R2IiIidIf_Iid0 (虛斷虛斷)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)根據(jù)根據(jù)Uid0 (虛短虛短)知知0 UURL+A+UoUsF+R1R2IiIid

33、If_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1s1siRURUUI 2o2ofRURUUI RL+A+UoUsF+R1R2IiIidIf_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)閉環(huán)互阻增益閉環(huán)互阻增益2iorfRIUA RL+A+UoUsF+R1R2IiIidIf_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)12soufRRUUA RL+A+UoUsF+R1R2IiIidIf_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸入電阻輸入電阻0if R11ififRRRR RifRifRL+A+UoUsF+R

34、1R2IiIidIf_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)0of R輸出電阻輸出電阻RofRL+A+UoUsF+R1R2IiIidIf_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3電流串聯(lián)負(fù)反饋電流串聯(lián)負(fù)反饋電壓電流變換器電壓電流變換器由于由于RIUof ifUU +A+Uid+UfUiUoRLRIoF_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)故電路的閉環(huán)互導(dǎo)增益故電路的閉環(huán)互導(dǎo)增益iogfUIA foUI RIIoo R1 +A+Uid+UfUiUoRLRIoF_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓

35、放大倍數(shù)RRL ioufUUA iLoURI LgfRA +A+Uid+UfUiUoRLRIoF_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) ifR ofR輸入、輸出電阻輸入、輸出電阻RifRof+A+Uid+UfUiUoRLRIoF_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4電流并聯(lián)負(fù)反饋電流并聯(lián)負(fù)反饋電流放大器電流放大器在深度負(fù)反饋的條件下在深度負(fù)反饋的條件下Ii IfUi 0+A+UOUI+FSU+R1R2iIidIfIR3OI_RL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸入電流輸入電流1siRUI 反饋電流反饋電流o323fIRRRI +

36、A+UOUI+FSU+R1R2iIidIfIR3OI_RL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)閉環(huán)電流放大倍數(shù)閉環(huán)電流放大倍數(shù)ioifIIA foII o323oIRRRI 332RRR +A+UOUI+FSU+R1R2iIidIfIR3OI_RL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)13L32)(RRRRR 1LifRRA soufUUA 1iLoRIRI +A+UOUI+FSU+R1R2iIidIfIR3OI_RL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)0if R11ififRRRR ofR輸入、輸出電阻

37、輸入、輸出電阻RifRof+A+UOUI+FSU+R1R2iIidIfIR3OI_RL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1電壓串聯(lián)負(fù)反饋電壓串聯(lián)負(fù)反饋5.3.3 分立元件組成的反饋電路分立元件組成的反饋電路F+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (1) 負(fù)反饋的判斷負(fù)反饋的判斷F+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu

38、+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)o211fURRRU 由于由于F+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)ioufUUA foUU 211RRR F+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) ifRB2B1Bifif/RRRR

39、R (3) 輸入電阻輸入電阻RifRifF+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)0of R(4) 輸出電阻輸出電阻RofF+1CIu+VCCT1B11RE1C+2CB12RT2+E2C+C1RE1R1R2R3CC2RE2RB21RB22R+Fu+IduLROu+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2電流并聯(lián)負(fù)反饋電流并聯(lián)負(fù)反饋Su+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiId

40、iFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (1) 負(fù)反饋的判斷負(fù)反饋的判斷Su+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)由于反饋電流由于反饋電流iF來(lái)自于輸出級(jí)晶體管來(lái)自于輸出級(jí)晶體管T2集電極電流集電極電流iC2故故 電路穩(wěn)定的是電路穩(wěn)定的是iC2，而不負(fù)載電流，而不負(fù)載電流iOiC2iE2iOSu+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基

41、礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) 閉環(huán)電流放大倍數(shù)閉環(huán)電流放大倍數(shù)ic2ifIIA 323RRR fc2II iC2iE2iOSu+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 閉環(huán)電閉環(huán)電壓放大倍數(shù)壓放大倍數(shù)s32L3)(RRRRR soufUUA siLc2RIRI sLifRRA iC2iE2iOSu+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)RifRif(4) 輸入電阻輸入電阻

42、0if R11ififRRRR iC2iE2iOSu+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(4) 輸出電阻輸出電阻從從T2集電極看進(jìn)去的閉環(huán)輸出電阻集電極看進(jìn)去的閉環(huán)輸出電阻 ofR從負(fù)載看進(jìn)去的輸出電阻從負(fù)載看進(jìn)去的輸出電阻c2ofc2of/RRRR RofRofiC2iE2iOSu+1C+VCCT1EC+T2+C1RE1R3R2R2CC2RFLROu+1R+IuIiIdiFi上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.3.4 電流模運(yùn)放的閉環(huán)特性電流模運(yùn)放的閉環(huán)

43、特性電流模運(yùn)放同相電流模運(yùn)放同相輸入放大電路輸入放大電路Ui+1RiIiRZCZ+1IiUoR1R2I2Uf+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)低頻閉環(huán)電壓放大倍數(shù)低頻閉環(huán)電壓放大倍數(shù)在深度負(fù)反饋的條件下在深度負(fù)反饋的條件下121uf0RRRA Ui+1RiIiRZCZ+1IiUoR1R2I2Uf+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)分析電路的高頻特性分析電路的高頻特性Ui+1RiIiRZCZ+1IiUoR1R2I2Uf+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由圖可知由圖可知zZioj1/CRIU zzzij1CRRI 12iiii)

44、(RIIRIU Ui+1RiIiRZCZ+1IiUoR1R2I2Uf+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2fo2RUUI iiifRIUU Ui+1RiIiRZCZ+1IiUoR1R2I2Uf+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由以上各式得電路的高頻閉環(huán)特性由以上各式得電路的高頻閉環(huán)特性)(j ()(1212iizz2z1i2zi121iofRRRRRCRRRRRRRRRRRUUAu 由于由于ziRR z2RR )(j (12iuf0zuf0iofRRACAUUAu 當(dāng)當(dāng)Auf0 RiR2時(shí)時(shí)2zf0fj1RCAAuu 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電

45、子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2zHf21RCf 2zuf0fj1RCAAu 由式由式得得電路的閉環(huán)上限截止頻率為電路的閉環(huán)上限截止頻率為（1） fHf僅與僅與Cz、R2有關(guān)，而與有關(guān)，而與R1無(wú)關(guān)。無(wú)關(guān)。結(jié)論：結(jié)論：（2）電流模運(yùn)放的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)增）電流模運(yùn)放的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)增大時(shí)，帶寬增益有所增加。大時(shí)，帶寬增益有所增加。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電流模運(yùn)放幅頻特性電流模運(yùn)放幅頻特性. .dB/|lg20fuAlg20R1R2R1 0fHfflg20R2R1 R1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電壓模運(yùn)放幅頻特性電壓模運(yùn)放幅頻特性電壓

46、模運(yùn)放帶寬電壓模運(yùn)放帶寬增益積等于常數(shù)增益積等于常數(shù). .dB/|lg20fuAlg20R1R2R1 0fHfflg20R2R1 R1f Hf上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 在深度負(fù)反饋的條件下，由于閉環(huán)放大倍數(shù)只于在深度負(fù)反饋的條件下，由于閉環(huán)放大倍數(shù)只于反饋系數(shù)有關(guān)，而與管子參數(shù)幾乎無(wú)關(guān)。因此，可反饋系數(shù)有關(guān)，而與管子參數(shù)幾乎無(wú)關(guān)。因此，可以任意選用晶體管來(lái)組成放大級(jí)，管子的參數(shù)也就以任意選用晶體管來(lái)組成放大級(jí)，管子的參數(shù)也就沒(méi)有什么意義了。這種說(shuō)法對(duì)嗎？沒(méi)有什么意義了。這種說(shuō)法對(duì)嗎？思思 考考 題題上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.

47、4.1 負(fù)反饋放大電路的自激振蕩條件負(fù)反饋放大電路的自激振蕩條件01 AF 即即1 AF 將上式寫成將上式寫成5.4 負(fù)反饋放大電路的自激振蕩及消除負(fù)反饋放大電路的自激振蕩及消除相位條件相位條件幅度條件幅度條件)12( nFA 1 AF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)A 基本放大電路在高頻或低頻區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的基本放大電路在高頻或低頻區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的 附加相移附加相移F 反饋網(wǎng)絡(luò)高頻或低頻區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的附加相移反饋網(wǎng)絡(luò)高頻或低頻區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的附加相移式中式中相位條件相位條件幅度條件幅度條件)12( nFA 1 AF上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)對(duì)于負(fù)反饋電路對(duì)于負(fù)

48、反饋電路 180FA 1. 在中頻區(qū)，反饋信號(hào)與輸入信號(hào)反相，即在中頻區(qū)，反饋信號(hào)與輸入信號(hào)反相，即2. 高頻或低頻區(qū)，放大電路與高頻或低頻區(qū)，放大電路與反饋網(wǎng)絡(luò)，因電路反饋網(wǎng)絡(luò)，因電路中的電容而產(chǎn)生附加相位移中的電容而產(chǎn)生附加相位移 A、 F反饋電壓信號(hào)和輸入電壓信號(hào)同相反饋電壓信號(hào)和輸入電壓信號(hào)同相 180FA 當(dāng)當(dāng)時(shí)時(shí)負(fù)反饋?zhàn)優(yōu)檎答佖?fù)反饋?zhàn)優(yōu)檎答伾享?yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（1）這時(shí)如果這時(shí)如果AF 1，產(chǎn)生自激振蕩。產(chǎn)生自激振蕩。a. 輸出信號(hào)越來(lái)越大。輸出信號(hào)越來(lái)越大。b. 出現(xiàn)等幅振蕩。出現(xiàn)等幅振蕩。實(shí)際情況是：實(shí)際情況是：即使無(wú)輸入信號(hào)，也有一定的

49、信號(hào)輸出。即使無(wú)輸入信號(hào)，也有一定的信號(hào)輸出。表現(xiàn)形式：表現(xiàn)形式：上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出信號(hào)在不斷的減小輸出信號(hào)在不斷的減小, ,不會(huì)產(chǎn)生自激振蕩。不會(huì)產(chǎn)生自激振蕩。（2）此時(shí)）此時(shí)如果如果AF 45要求要求要求要求/dBlg20AF 00 90 180 mGmf0fffC A A Ff0fC上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)在放大電路中加入在放大電路中加入RC相位補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，使其具有相位補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，使其具有足夠的幅度裕度足夠的幅度裕度Gm和相位裕度和相位裕度m。 相位補(bǔ)償?shù)乃枷耄合辔谎a(bǔ)償?shù)乃枷耄合辔谎a(bǔ)償方法相位補(bǔ)償方法5.4.3 消除自

50、激振蕩的方法消除自激振蕩的方法相位補(bǔ)償相位補(bǔ)償滯后補(bǔ)償滯后補(bǔ)償超前補(bǔ)償超前補(bǔ)償上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1滯后補(bǔ)償滯后補(bǔ)償在多級(jí)放大電路中的上限截止頻率最低的一級(jí)放大在多級(jí)放大電路中的上限截止頻率最低的一級(jí)放大電路中加入電路中加入RC網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)。R+CC1C+RCREC1VCC（1）補(bǔ)償方法）補(bǔ)償方法補(bǔ)償電容補(bǔ)償電容C補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)等效電路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)等效電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))(2111HCCRf 補(bǔ)償后補(bǔ)償后1H121RCf 補(bǔ)償前補(bǔ)償前（2）補(bǔ)償前后，該級(jí)）補(bǔ)償前后，該級(jí)電路的上限截止頻率電路的上限截止頻率C+RCREC1VCCR

51、+CC1上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于電容的并入使滯后的附加相移更加滯后，所以由于電容的并入使滯后的附加相移更加滯后，所以稱為滯后補(bǔ)償。稱為滯后補(bǔ)償。（3）補(bǔ)償效果）補(bǔ)償效果幅幅頻頻特特性性補(bǔ)償前補(bǔ)償前補(bǔ)償后補(bǔ)償后不穩(wěn)定不穩(wěn)定穩(wěn)定穩(wěn)定2040600fH3f0ff 0fH2fH1f H1/dBlg20A上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 超前補(bǔ)償超前補(bǔ)償在反饋網(wǎng)絡(luò)中加入補(bǔ)償電容在反饋網(wǎng)絡(luò)中加入補(bǔ)償電容C，使，使 F0，以補(bǔ)償，以補(bǔ)償滯后附加相移滯后附加相移 A ( A0) 。使。使 1800ffFA （1）補(bǔ)償方法）補(bǔ)償方法上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)

52、后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）補(bǔ)償電路）補(bǔ)償電路（3）反饋系數(shù)）反饋系數(shù)120j1j1ffffF )/(j1j1212211RRCCRRRR 2211j1CRRRR 0fUUF 補(bǔ)補(bǔ)償償電電路路+-A+uI+uF+uOR1R2CRL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2221CRf )/(21211RRCf 12ff 由于由于2110RRRF 式中式中120j1j1ffffFF 反饋放大電路具有超前附加相移反饋放大電路具有超前附加相移+-A+uI+uF+uOR1R2CRL上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)練習(xí)題練習(xí)題例例1 1 某一負(fù)反

53、饋放大電路的開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)某一負(fù)反饋放大電路的開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)|A|=300，反饋系數(shù)反饋系數(shù)|F|=0.01。試問(wèn)。試問(wèn)（1）閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)|Af|為多少？為多少？（2）如果如果|A|發(fā)生發(fā)生20%的變化，則的變化，則|Af| 的相對(duì)變化為多的相對(duì)變化為多少？少？f3007511300 0.01AAAF解解 （1）閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）當(dāng)已知當(dāng)已知A的相對(duì)變化率來(lái)計(jì)算的相對(duì)變化率來(lái)計(jì)算Af的相對(duì)變化率的相對(duì)變化率時(shí)，應(yīng)根據(jù)時(shí)，應(yīng)根據(jù)A的相對(duì)變化率的大小采用不同的方法。的相對(duì)變化率的大小采用不同的方法。本例中本例中A已有已有20%的變化，應(yīng)采用后一種方法。的變化，應(yīng)采用后一種方法。 b.b.當(dāng)當(dāng)A的相對(duì)變化率較大時(shí)，應(yīng)通過(guò)的相對(duì)變化率較大時(shí)，應(yīng)通過(guò) | |A|/|/|A| |計(jì)計(jì)算出算出 | |Af | |后再計(jì)算后再計(jì)算 | |Af |/|/|Af | |。a . 當(dāng)當(dāng) A 的 相 對(duì) 變 化 率 較 小 時(shí) ， 可 對(duì)的 相 對(duì) 變 化 率 較 小 時(shí) ， 可 對(duì)| |Af|=|=|A|/(1+|/(1+|AF|)|) 求導(dǎo)求導(dǎo), ,推出推出d d| |Af|/|/|Af| |與與d| |A|/|/|A| |的關(guān)系式后再計(jì)算。的關(guān)系式后再計(jì)算。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后