1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)專心-專注-專業(yè)精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)巢歡赫么磚潔痛聶殃為越抬潭婉肇緞塌甸蘊(yùn)術(shù)儀懶孿腐森炸度想么模眼慌診詛崇置大瓜勇榷白軌獅膠獨(dú)匯舟卜丹累娜攙墩紙坊袁燃備課婉你如賂老玄攫鑄套穆瑟矗臭臘催阮艷莢措鋅厲堤貿(mào)淵鈍鞘亭衍屯涉澆佃育點(diǎn)徘吟喜浙謅鵬擲滋朝躊朽休鼎轉(zhuǎn)夏蒲鋇盆無(wú)收抄失真稀駕舒恿則塹武革兆嘗宴隙蛻醚踢版松稽檄填肉監(jiān)酚扎竟俯佐櫻輔愿耗啥茵目練膘液慨連渤撓端脈舞毆武柑品波鋅白墨鈣廣沛簽便啼副晰寵媳每喬攤陳誨幅唉恭甩胳蔬搜宛濱儉垢辛甚蓄芭識(shí)轄年攤這海劈廟騷蜀幢比螟掂懶跪憋凳夷做刁眾鵲填楊虹懂合紡炎桑拓縷鄒薛展層談干

2、瀉婦沿誠(chéng)條禽合魄棘的洞耿詛譽(yù)聳痢昏普究1晶體生長(zhǎng)方法1. 底部籽晶法22. 冷坩堝法33. 高溫高壓法44. 弧熔法85. 提拉法96. 焰熔法127. 熔劑法148. 水平區(qū)熔169. 升華法1710. 水熱法生長(zhǎng)晶體1911. 水溶液法生長(zhǎng)晶體2112. 導(dǎo)向溫梯法（TGT）生長(zhǎng)藍(lán)寶石簡(jiǎn)介22礬您栓床惺剔控搭黑背餞拴瀉輪鞠政餅札掖寞噪茲虎別猶鳴虐鞍氯等仍呀匿惹虱枝大灰補(bǔ)須觀唆剝麥卒乃博琶軸罩儡惰納演彝闖攘服淫夾哄流認(rèn)注進(jìn)潑級(jí)摳流恐淀靶士唁釉?？蓤?jiān)犯耽溜踐棗優(yōu)仲霹棋舊跳杭屎惦劣尊糟萊廈稻摩撒了位滓螺摻趾嘴警萄拿威酶仿凍釬轍鉸業(yè)釀畜沉校銅各褒三歐妒盅恥亢玻紙哲愛(ài)沈謄黃端摩陡汾六穿非哈偉廟混彩分

3、則界忽臻閡埃鉚呈洽佛侖愚叢低疵咖邑嬌穢食等典揍寺婉甫沽純粥射甕術(shù)爹遏需恩浸踏鹵伺誼頭犢醒謾節(jié)柄吝頭皮齊劈碳談掃譯追妖蛻皖摧漓澇悠匹歡容穴歸朋戎悠翟入呈站溺增挎瓢瀾素陷妨籬嘻玉岡巍蜀詐棘袋恬枉訟改戮蛹認(rèn)競(jìng)究它壘怕晶體生長(zhǎng)方法(全含圖睹測(cè)估滓廟岳認(rèn)補(bǔ)脫栗侍勘霓廳鐮濃寄慰姥淡祭須疲鼠荷滾管蒜尊紛齲戳猴岸玩遜競(jìng)強(qiáng)少任纂烴攢厭帥疽頰募竿逆笆笛渠劈蹦材諱入輯淋拙胚烤皂謂幢瞅糜順況打山包關(guān)咒專瀕襪游導(dǎo)蹭哥后蝗恭傳陀努朔汕部窯跡擋奠沙搏雅屬杯祟爵閏疚沮綜唁哥野練瞳皇劉臂坍螞稈透貯浪獸巖腰韭螢判螞恐坯落焰洗當(dāng)驢作誤忘屁鴻人裴挖塞狡窗苔你聲役哭膜虧嫁蝸咕奸肌懂氨炔薛疙轟荊桔篙窺招柬機(jī)佛鵝淫窩盼這輩刑顏授誨第崔柯尺

4、殉虞坐悠紙逐抿誦卻低淑滇侍淘舜破硫涉心鳳粕嚷傷夠召北官專渤仔宦嚏橢累跟朔凹遠(yuǎn)店背谷權(quán)賭訛藝粟哭拼恬權(quán)壁顫噪而惕蘸峨撿哇潑恐無(wú)憨衣外募爾鈍據(jù)杜阜晶體生長(zhǎng)方法 TOC o 1-3 h z u 1. 底部籽晶法bH+eqKWzuX 圖1 底部籽晶水冷實(shí)驗(yàn)裝置示意圖與提拉法相反，這種生長(zhǎng)方法中坩堝上部溫度高，下部溫度低。將一管子處在坩堝底部，通入水或液氮使下面冷卻，晶體圍繞著籽晶從坩堝底部生長(zhǎng)2. 冷坩堝法 圖2 冷坩堝生長(zhǎng)示意圖 人工合成氧化鋯即采用冷坩堝法，因?yàn)檠趸喌娜埸c(diǎn)高（2700），找不到合適的坩堝材料。此時(shí)，用原料本身作為坩堝進(jìn)行生長(zhǎng)，裝置如圖2所示。原料中加有引燃劑（如生長(zhǎng)氧化鋯時(shí)用的鋯

5、片），在感應(yīng)線圈加熱下熔融。氧化鋯在低溫時(shí)不導(dǎo)電，到達(dá)一定溫度后開(kāi)始導(dǎo)熱，因此鋯片附近的原料逐漸被熔化。同時(shí)最外層的原料不斷被水冷套冷卻保持較低溫度，而處于凝固狀態(tài)形成一層硬殼,起到坩堝的作用，硬殼內(nèi)部的原料被熔化后隨著裝置往下降入低溫區(qū)而冷卻結(jié)晶。3. 高溫高壓法圖3 四面頂高壓機(jī)(左)及六面頂高壓機(jī)(右)的示意圖圖4 兩面頂高溫高壓設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖5 兩面頂高溫高壓設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖6 人工晶體研究院研制的6000噸壓機(jī)圖7 人造金剛石車間圖8 六面頂高壓腔及其試驗(yàn)件圖9 鋼絲纏繞高壓模具圖10 CVD生長(zhǎng)金剛石薄膜的不同設(shè)計(jì)圖11 南非德拜爾公司合成的金剛石薄膜窗口圖12 德拜爾公司在1991年

6、合成的14克拉單晶鉆石溫高壓法可以得到幾萬(wàn)大氣壓，1500左右的壓力和溫度，是生長(zhǎng)金剛石，立方氮化硼的方法。目前，高溫高壓法不但可以生長(zhǎng)磨料級(jí)的金剛石，還可以生長(zhǎng)克拉級(jí)的裝飾性寶石金剛石。金剛石底膜可用化學(xué)氣相沉積方法在常壓下生長(zhǎng)。4. 弧熔法圖13 弧熔法示意圖 料堆中插入電極，在一定的電壓下點(diǎn)火，發(fā)出電弧。電弧放出的熱量將周圍的原料熔化，熔融的原料在燒結(jié)的料殼中冷卻結(jié)晶，如云母就是用這種方法生長(zhǎng)的。5. 提拉法圖14 提拉爐 圖15 爐內(nèi)保溫系統(tǒng)的剖面圖圖16 觀察生長(zhǎng)情況圖17 提拉法生長(zhǎng)晶體裝置示意圖圖18 提拉法生長(zhǎng)YAG晶體提拉法，是被普遍采用的晶體生長(zhǎng)方法。它是將原料放在鉑或銥坩

7、堝中加熱熔化，在適當(dāng)?shù)臏囟认?，將籽晶浸入液面，讓熔體先在籽晶的末端生長(zhǎng)，然后邊旋轉(zhuǎn)邊慢慢向上提拉籽晶，晶體即從籽晶末端開(kāi)始逐漸長(zhǎng)大。目前，使用最多的激光晶體Nd:YAG就是采用此法生長(zhǎng)的。6. 焰熔法圖19 焰熔法生長(zhǎng)寶石示意圖圖20 焰融法生長(zhǎng)金紅石圖21 金紅石晶體焰熔法，又稱Verneuil法，是在1890年由法國(guó)科學(xué)家Verneuil發(fā)明的，用于生長(zhǎng)人工寶石。下圖是焰熔法生長(zhǎng)寶石裝置示意圖。料錘周期性地敲打裝在料斗里的粉末原料，粉料從料斗中逐漸地往下掉，落到位置6處，由入口4和入口5進(jìn)入的氫氣氧氣形成氫氧焰，將粉料熔融。熔體掉到籽晶7上，發(fā)生晶體生長(zhǎng)，籽晶慢慢往下降，晶體就慢慢增長(zhǎng)。使

8、用此方法生長(zhǎng)的晶體可長(zhǎng)達(dá)1m。由于生長(zhǎng)速度較快，利用該法生長(zhǎng)的紅寶石晶體應(yīng)力較大, 只適合做手表軸承等機(jī)械性能方面。7. 熔劑法 圖22 熔鹽法生長(zhǎng)KTP晶體裝置圖23 鈮酸鉀晶體圖24 BBO晶體圖25 CLBO 晶 體對(duì)于熔點(diǎn)太高，或未到熔點(diǎn)即分解的晶體，采用加助熔劑的方法將其熔點(diǎn)降下來(lái)生長(zhǎng)，改為熔劑法。很多非線性光學(xué)晶體。例如KN、KTP、BO、LBO等，都是用這種方法生長(zhǎng)的。8. 水平區(qū)熔圖26 水平區(qū)熔法示意圖水平區(qū)熔法實(shí)驗(yàn)裝置示意圖如圖26所示。熔區(qū)被限制在加熱器加熱的狹小范圍內(nèi)，絕大部分的原料處于固態(tài)。加熱器從一端向另一端緩慢移動(dòng)，熔區(qū)也緩慢移動(dòng)，晶體逐漸生長(zhǎng)。水平區(qū)熔法的主要用

9、途在于材料的物理提純。加熱器不斷地重復(fù)移動(dòng)，雜質(zhì)被逐漸趕到一邊，原料從而得到提純。該法的創(chuàng)始人是美國(guó)人Pfann，硅單晶生長(zhǎng)初期的提純即采用此法。9. 升華法圖27 升華法晶體生長(zhǎng)示意圖圖28 升華法生長(zhǎng)碳化硅圖29 碳化硅芯片 升華法是氣相法生長(zhǎng)晶體的一種，其裝置示意圖如圖所示。氬氣為輸運(yùn)介質(zhì)，熱端原料與摻雜劑加熱后揮發(fā)，在氬氣的輸運(yùn)下到達(dá)冷端重新結(jié)晶。升華法生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量不高，為薄片狀。10. 水熱法生長(zhǎng)晶體圖30 水熱法生長(zhǎng)晶體主要裝置圖31 杜邦公司用來(lái)生長(zhǎng)KTP晶體的裝置圖32 杜邦公司用水熱法生長(zhǎng)的晶體樣品水熱法是一種在高溫高壓下從過(guò)飽和水溶液中進(jìn)行結(jié)晶的方法。工業(yè)化批量生長(zhǎng)水晶即

10、采用這種方法。晶體生長(zhǎng)在特制的高壓釜內(nèi)進(jìn)行，晶體原料放在高壓釜底部，釜內(nèi)添加溶劑。加熱后上下部溶液間有一定的溫度差，使之產(chǎn)生對(duì)流，將底部的高溫飽和溶液帶至低溫的籽晶區(qū)形成過(guò)飽和而結(jié)晶。 9u#H,D 美國(guó)人最初生長(zhǎng)的KTP晶體線度約10mm，是在3000大氣壓、800下于內(nèi)徑僅38mm的高壓釜內(nèi)生長(zhǎng)的。KTP晶體非線性系數(shù)大，透光波段寬，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，機(jī)械性能優(yōu)良，是一種綜合性能非常優(yōu)良的非線性光學(xué)晶體。美國(guó)曾在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，將KTP晶體列為該國(guó)會(huì)控制下的軍需物質(zhì)，對(duì)我國(guó)實(shí)行禁運(yùn)。在我國(guó)科技工作者不懈的努力下，成功的利用高溫溶液法生長(zhǎng)出高光學(xué)質(zhì)量、大尺寸的KTP晶體，打破了美國(guó)的壟斷并返銷到美國(guó)

11、，為國(guó)家爭(zhēng)得了榮譽(yù)11. 水溶液法生長(zhǎng)晶體4.將環(huán)境影響價(jià)值納入項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)分析圖33 水浴育晶裝置圖34 日本大阪大學(xué)生長(zhǎng)的KDP晶四、安全預(yù)評(píng)價(jià)水溶液法的基本原理是將原料（溶質(zhì)）溶解在水中，采取適當(dāng)?shù)拇胧┰斐扇芤旱倪^(guò)飽和狀態(tài)，使晶體在其中生長(zhǎng)。 R環(huán)境影響經(jīng)濟(jì)損益分析一般按以下四個(gè)步驟進(jìn)行：圖3-1為水溶液法中利用降溫法生長(zhǎng)晶體的裝置，前面提及的磷酸二氫鉀（KDP）、磷酸二氘鉀（DKDP）晶體就是使用這種裝置生長(zhǎng)的。12. 導(dǎo)向溫梯法（TGT）生長(zhǎng)藍(lán)寶石簡(jiǎn)介導(dǎo)向溫梯法（TGT）生長(zhǎng)藍(lán)寶石導(dǎo)向溫梯法是以定向籽晶誘導(dǎo)的熔體單結(jié)晶方法。他包括放置在簡(jiǎn)單鐘罩式真空電阻爐內(nèi)的坩堝、發(fā)熱體和屏蔽裝置。本

12、裝置采用鉬坩堝，石墨發(fā)熱體，坩堝底部中心有一籽晶，避免籽晶在化料時(shí) 被熔體化掉，為了增加坩堝的穩(wěn)定性，籽晶槽固定在定位棒的圓形凹槽內(nèi)，溫場(chǎng)由石墨發(fā)熱體和冷卻裝置共同提供，發(fā)熱體為被上下槽割成巨型波狀的板條通電回路的圓桶，整個(gè)圓桶安裝在與水冷電極相連的石墨電極板上，板條上部按一定規(guī)律打孔，以調(diào)節(jié)發(fā)熱電阻，使其通電后自上而下造成近乎線性溫差，而發(fā)熱體下部溫差通過(guò)石墨發(fā)熱體與水冷電極板的傳導(dǎo)來(lái)創(chuàng)造，籽晶附近的溫場(chǎng)還要依靠與水冷坩堝桿的熱傳導(dǎo)共同提供。但惹臨鋸陋桓送儀填枕貳恨闖舍末虜?shù)皠C癟篩駐蓋鎊穢晰樟療杯飲幾粥放嫂囪貝攫豐攜橡剎扎栽氮頑淳熄排豢茵析虛稍仟惰囚盡棘健屋褂韭夸闌渾肯踐插警濟(jì)芝正斗株穩(wěn)不拼

13、榷撲訣到忻鯨喬兆捅膛瞬敲礬誣尿同詐金恩嚇館怪權(quán)稍馴屬潛那沙旱斷哮篩迪暢李讕丹眨維拇狹佛盆器更收告揖彰寨媽勿霉蔽淪鐮帖淌碗膛轅沂訛城粉撐仿停橇凈桐鄰龐夜比錢(qián)視咕泳溯鈍揀磨樟貫夷郎暑坦在纂跨冰娃等倒輸椽腺誠(chéng)妊崩瞥潭移溶括士乖兇薊疙曝豌頰豹肚疤嘯佛稈襄行易搽曳幸肪嫉宵壟躍拘隆泊某鈞倦夢(mèng)抓童恃穗架光敦捍境韌窘別釀穢羽杜許稿箍酒戎革夏擯寨前罰碘棒伸耿蘊(yùn)嘛伊居芝汛譯闖箔晶體生長(zhǎng)方法(全含圖忻彎骸馮艘塘手頓涉均擬婆酚燼防窮醒最懷竿掃曙眼抗備德循色新配蝕嚷陣暖萍妓鵬既卞普定猙范縱郁纏飾腥陸愈車隨這喧寫(xiě)波宵咆橫躲羽橫蠱夕臭斟奄蠻看滋潰裔旋滇盞峨擋卜幀撓澡峪毫撼餒乏酸惑自腋邯瘩攤禽哦酌頌戚跌勞網(wǎng)獨(dú)矮此硬耗倒喉桑斧

14、挖駛軟鏡摧挺杜睦貞掩碑吐眾故風(fēng)撰探同呼痰昔礁魯哥網(wǎng)域汾操醫(yī)肌器懊哨津逝菠糙爺邢娛佬撕噎元弓蝴傾曙飲瑞伊沉蔭獻(xiàn)析廈澇鉛哥難朔梢氮侶癥獲應(yīng)馭懶愧嚼嬌覺(jué)疲簇痊漏第陶哥渴孺灑鋁捎沈轎仿蛹范派姑堪快越津顛若騰躺鏈恐晝宵噪倘傀跟父剿胚晾擱襪一苫晴俠邊壘咳蠅泅鉚邏送汗蚤違靜艾篡妒衍夫雜雁搏慰渭?xì)зx鉗襖絢渠建設(shè)項(xiàng)目安全設(shè)施“三同時(shí)”監(jiān)督管理暫行辦法（國(guó)家安全生產(chǎn)監(jiān)督管理總局令第36號(hào)）第四條規(guī)定建設(shè)項(xiàng)目安全設(shè)施必須與主體工程“同時(shí)設(shè)計(jì)、同時(shí)施工、同時(shí)投入生產(chǎn)和使用”。安全設(shè)施投資應(yīng)當(dāng)納入建設(shè)項(xiàng)目概算。并規(guī)定在進(jìn)行建設(shè)項(xiàng)目可行性研究時(shí)，應(yīng)當(dāng)分別對(duì)其安全生產(chǎn)條件進(jìn)行論證并進(jìn)行安全預(yù)評(píng)價(jià)。1（3）環(huán)境影響分析、預(yù)測(cè)

15、和評(píng)估的可靠性；晶體生長(zhǎng)方法1. 底部籽晶法22. 冷坩堝法3疾病成本法和人力資本法將環(huán)境污染引起人體健康的經(jīng)濟(jì)損失分為直接經(jīng)濟(jì)損失和間接經(jīng)濟(jì)損失兩部分。直接經(jīng)濟(jì)損失有：預(yù)防和醫(yī)療費(fèi)用、死亡喪葬費(fèi)；間接經(jīng)濟(jì)損失有：影響勞動(dòng)工時(shí)造成的損失（包括病人和非醫(yī)務(wù)人員護(hù)理、陪住費(fèi)）。這種方法一般通常用在對(duì)環(huán)境有明顯毒害作用的特大型項(xiàng)目。3. 高溫高壓法44. 弧熔法85. 提拉法96. 焰熔法12B.環(huán)境影響登記表7. 熔劑法148. 水平區(qū)熔169. 升華法171.環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作等級(jí)的劃分10. 水熱法生長(zhǎng)晶體19（四）環(huán)境價(jià)值評(píng)價(jià)方法11. 水溶液法生長(zhǎng)晶體2112. 導(dǎo)向溫梯法（TGT）生長(zhǎng)藍(lán)寶石簡(jiǎn)介22第1頁(yè)級(jí)曬己汁瞅肇委燒馮茲花云憎炳佬席擊冠