1、一、填空題(本題共8小題，每空1分，共20分)1、電子技術(shù)包括_信息電子技術(shù)_和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬 于前者。2、 為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在 開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，開關(guān)損耗會(huì)成為主要的損耗。3、 在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為 載波比，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為同步調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為 分段同步調(diào)制。4、面積等效原理指的是，_沖量相等而_形狀_不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。5、在GTR、GTO

2、、IGBT與MOSFET中，開關(guān)速度最快的是 MOSFET，單管輸出功 TOC o 1-5 h z 率最大的是_ GTO 應(yīng)用最為廣泛的是 IGBT 。6設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即 亠，其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為有源逆變，如果接到負(fù)載，則稱為 無源逆變。&如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。0t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為 _ VD1； (2) t1t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為 _ V1；(3) t2t3時(shí)間段內(nèi)，

3、電流的通路為 _ VD2； (4) t3t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為 _ V2; (5) t4t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為 VD1；、選擇題（本題共10小題，前4題每題2分，其余每題1分，共14 分）1、單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（B ）A、V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷B、V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷C、V1與V4關(guān)斷，V2與V3導(dǎo)通D、V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷2、對(duì)于單相交流調(diào)壓電路，下面說法錯(cuò)誤的是（D ）A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí)，必須加寬脈沖或脈

4、沖列觸發(fā)，電路才能 正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、 晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度3、在三相三線交流調(diào)壓電路中，輸出電壓的波形如下圖所示，在t1t2時(shí)間段內(nèi)，有（C ）晶閘管導(dǎo)通。A、1個(gè)B、2個(gè)C、3個(gè)D、4個(gè)4、對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在t1t2時(shí)間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與 N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（ CA、P組阻斷，N組整流P組阻斷，N組逆變5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（D ）A、30。150B、0。120 C、15。125 D、0150 6、桓流驅(qū)動(dòng)電

5、路中加速電容 C 的作用是（ A ）A、加快功率晶體管的開通B、延緩功率晶體管的關(guān)斷C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護(hù)器件7、直流斬波電路是一種（ C ）變換電路。A、 AC/ACB、 DC/ACC、 DC/DCD、 AC/DC8、 為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（B ）A、du/dt抑制電路 B、抗飽和電路 C、di/dt抑制電路D、吸收電路9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（A ）B、減小至擎住電流以下D、減小至5A以下B ）B 、 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 GTR、MOSFE驅(qū)動(dòng)的GTOA 、減小至維持電流以下C、減小至門極觸發(fā)電流以下1

6、0、IGBT 是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（A、 GTR 驅(qū)動(dòng)的 MOSFETC、MOSFET區(qū)動(dòng)的晶閘管D三、簡答題（共 3 小題，22分）1、簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。（ 7 分）1、（7分） 晶閘管導(dǎo)通的條件是： 陽極承受正向電壓， 處于阻斷狀態(tài)的晶閘管， 只有在門極加正向觸發(fā) 電壓， 才能使其導(dǎo)通。 門極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度， 應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所 需要的最小陽極電流，即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。（3分）使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是：使流過晶閘管的電流減小至某個(gè)小的數(shù)值一維持電流IH以下。其方法有二：（1）減小正向陽極電壓至某一最小值以下，或加反向陽極

7、電壓；（2分）（2）增加負(fù)載回路中的電阻。（2 分） TOC o 1-5 h z 2、電壓型逆變電路的主要特點(diǎn)是什么？（8分）2、（ 8 分）（1）直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng)；（2分）（2）輸出電壓為矩形波，輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同；（3分）（3）阻感負(fù)載時(shí)需提供無功。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián) 反饋二極管。（3分）3、簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因（7分）3、（ 7 分）（1）外部條件：要有一個(gè)能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致， 其電壓值要稍大于 Ud ；（ 2分）（2） 內(nèi)部條件：變流電路必須工作于 3 220 x（ 1+cos600） /2=148.5V （1 分）分）71Tua4j叫$rrIdur/ JJI圖1IdldVD=2 a /3600 X ld=2 X 600/3600 X 37.13=1(13分)肘十