半導(dǎo)體對(duì)光吸收_第1頁(yè)
半導(dǎo)體對(duì)光吸收_第2頁(yè)
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半導(dǎo)體對(duì)光吸收_第4頁(yè)
半導(dǎo)體對(duì)光吸收_第5頁(yè)
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關(guān)于半導(dǎo)體對(duì)光的吸收第一張，PPT共六頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月本征吸收半導(dǎo)體吸收光子的能量使價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，在價(jià)帶中留下空穴，產(chǎn)生等量的電子與空穴，這種吸收過(guò)程叫本征吸收。產(chǎn)生本征吸收的條件：入射光子的能量（h）至少要等于材料的禁帶寬度Eg。即 hEg半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要是本征吸收。對(duì)于硅材料，本征吸收的吸收系數(shù)比非本征吸收的吸收系數(shù)要大幾十倍到幾萬(wàn)倍，一般照明下只考慮本征吸收，可認(rèn)為硅對(duì)波長(zhǎng)大于1.15m的可見(jiàn)光透明。第二張，PPT共六頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月截止波長(zhǎng)g ：半導(dǎo)體禁帶寬度會(huì)隨著溫度的升高而減小，所以光吸收截止波長(zhǎng)也將隨著溫度的升高而增長(zhǎng) 。第三張，PPT共六頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月非本征吸收非本征吸收包括雜質(zhì)吸收、自由載流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。第四張，PPT共六頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月雜質(zhì)吸收：雜質(zhì)能級(jí)上的電子（或空穴）吸收光子能量從雜質(zhì)能級(jí)躍遷到導(dǎo)帶（空穴躍遷到價(jià)帶），這種吸收稱為雜質(zhì)吸收。雜質(zhì)吸收的波長(zhǎng)閾值多在紅外區(qū)或遠(yuǎn)紅外區(qū)。自由載流子吸收：導(dǎo)帶內(nèi)的電子或價(jià)帶內(nèi)的空穴也能吸收光子能量，使它在本能帶內(nèi)由低能級(jí)遷移到高能級(jí)，這種吸收稱為自由載流子吸收，表現(xiàn)為紅外吸收。第五張，PPT共六頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月

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