1、Confidential, unpublished property of L&K. Do not duplicate or distribute L&K Engineering Co., Ltd. 2006低溫多晶硅(LTPS) 工藝簡(jiǎn)介邱伏昌2015/04/28內(nèi)容TFT-LCD顯示器內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工藝流程LTPS工藝簡(jiǎn)介L(zhǎng)TPS與a-Si TFT-LCD的性能比較ELA設(shè)備與工程設(shè)計(jì)TFT-LCD顯示器內(nèi)部結(jié)構(gòu)TFT-LCD的結(jié)構(gòu)TFT-LCD顯示器 名詞解釋： TFT：Thin Film Transistor 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 LCD：Liquid Crystal Display 液晶顯示

2、器CELLCFARRAY 名詞解釋： ARRAY:TFT的陣列 CF:彩膜 CELL:成盒 MODULE:模組 MODULE（背光源）（下偏光板）（薄膜晶體管）（彩膜RGB）（上偏光板）液晶TFT-LCD顯示器內(nèi)部結(jié)構(gòu)TFT-LCD顯示器工藝流程（ARRAY-TFT陣列）（CELL-配向膜，液晶灌注）（Color Filter-彩膜）（Module-模組，偏光板，PCB板，廣視角的組裝）LTPS工藝簡(jiǎn)介ARRAR工藝中的LTPS環(huán)節(jié)GLASS基板投入后，經(jīng)成膜、清洗、上光阻、曝光、顯影、蝕刻、剝離光阻及檢測(cè)，通常需要711道光罩。LTPS工藝簡(jiǎn)介名詞解釋：a-Si：amorphous Sili

3、con，非晶硅LTPS：Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅LTPS低溫多晶硅就是在攝氏600 或更低的溫度下經(jīng)過(guò)準(zhǔn)分子鐳射回火(Excimer Laser Anneal)的制程步驟所生產(chǎn)的多晶硅。利用準(zhǔn)分子鐳射作為熱源，鐳射光經(jīng)過(guò)投射系統(tǒng)后，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的光束，投射于非晶硅結(jié)構(gòu)上，當(dāng)非晶硅吸收鐳射的能量后，薄膜熔融、結(jié)晶，轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)。準(zhǔn)分子鐳射晶化LTPS在TFT中的位置p-SiLTPS與a-Si TFT-LCD的性能比較LTPS 優(yōu)點(diǎn)：較高的電子遷移率高解析度高開(kāi)口率低功耗驅(qū)動(dòng)集成開(kāi)口率(Aperture Ratio)：開(kāi)口率即是每個(gè)畫素可透光的有效區(qū)域除以畫素的總面積，開(kāi)口率越高，整體畫面越亮。ELA設(shè)備與工程設(shè)計(jì)ELA設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖ELA設(shè)備的外部結(jié)構(gòu)鐳射光束經(jīng)過(guò)設(shè)備中一系列的透鏡后，產(chǎn)生能量均勻分布的光束，投射于非晶硅薄膜上.微振基座要求：VC-C,VC-D潔凈等級(jí)要求：class 1000.3um防止交叉污染措施：獨(dú)立回風(fēng)FFU濾網(wǎng)要求：PTFE或低硼濾網(wǎng)，U15AMC控制要求：化學(xué)濾網(wǎng)ELA設(shè)備簡(jiǎn)圖（L TYPE）ELA設(shè)備與工程設(shè)計(jì)一系列透鏡激光發(fā)生器帶非晶硅的基板，G4.5(730920mm)簡(jiǎn)報(bào)結(jié)束謝謝！Confidential, unpublished property of L&K.