1、液晶顯示器陣列工藝技術(shù)本章主要內(nèi)容8.1陣列工藝概述8.2 清洗工藝8.3 濺射工藝8.4 CVD工藝8.5 光刻工藝8.6 干刻工藝8.7 濕刻工藝8.8 陣列工藝中常見(jiàn)缺陷28.1 陣列工藝概述GlassfilmPRGlassGlassGlassfilm成膜涂膠曝光顯影刻蝕Glass去膠鍍下一層膜3PEP 源漏電極4PEP 鈍化及過(guò)孔玻璃1PEP 柵極2PEP 有源島5PEP 像素電極制屏清洗38.1 陣列工藝概述(2) 成膜(3) 涂光刻膠(1) 清洗(4) 曝光(6) 刻蝕(7) 去膠(5) 顯影光4清洗濺射CVD涂膠曝光顯影濕刻干刻去膠檢查終檢a-Si:H TFT的陣列工序5清洗：就

2、是用毛刷、氣蝕等的物理方法及用化學(xué)腐蝕的化學(xué)方法或二者相結(jié)合的方法，除去基板外表的灰塵、污染物及自然氧化物的工程。在陣列中洗劑采用的是NCW-601A0.3%的外表活性劑。表面活性劑毛刷基板8.2 清洗工藝6濺射：就是在真空室中，利用核能粒子轟擊靶材外表，靶材粒子在基板上沉積的工程。在陣列中惰性氣體有Kr、Ar氣，靶材有MoW靶、ITO靶、Mo靶、AL靶。直流磁控濺射的特點(diǎn)：放電空間的電場(chǎng)和磁場(chǎng)垂直。放電空間的電子盤(pán)旋運(yùn)動(dòng)，放電氣體的電離度大，射程長(zhǎng)，產(chǎn)生高密度的等離子。MoW濺射、ITO濺射、MoAlMo濺射濺射與真空渡膜的比較：濺射真空蒸渡原理原理從靶材上濺射熱蒸發(fā)形狀面點(diǎn)濺射與蒸發(fā)的原子

3、的能量約10eV約0.2eV沖擊基板的高能量粒子離子高能量的氣體分子沒(méi)有真空度約0.11Pa的Ar10-4Pa的殘留氣體8.3 濺射工藝78.3 濺射工藝靶材Ar+Ar基板排氣功率磁場(chǎng)ArAr+88.3 濺射工藝9CVD：化學(xué)氣相沉積。就是在高頻電場(chǎng)的作用下，使反響氣體電離形成等離子體，反響離子及活性基團(tuán)依靠從高頻電場(chǎng)獲得的能量從而能夠在較低的溫度襯底上成膜。在陣列中，有AP CVD常壓CVD和PCVD等離子體CVD兩種。AP CVD SiOPECVD 4層膜 、 n+a-Si、 鈍化SiNxAP CVD在低溫下形成致密薄膜；PCVD可防止熱產(chǎn)生的損傷及相互材料的擴(kuò)散；PCVD可生長(zhǎng)不能加熱生

4、長(zhǎng)及反響速度慢的膜；PCVD利用平行電極可實(shí)現(xiàn)大面積化。8.4 CVD工藝108.4 CVD工藝118.4 CVD工藝萬(wàn)級(jí)間百級(jí)間裝載/卸載P/C：反應(yīng)室傳送室機(jī)械手運(yùn)載室反應(yīng)室電極板12通入反應(yīng)氣體擴(kuò)散板基板基座升降機(jī)泵8.4 PECVD三個(gè)基本的過(guò)程：等離子相反應(yīng)輸運(yùn)粒子到襯底表面表面反應(yīng)等離子體包括：自由基原子分子離子電子中性粒子非中性粒子131. 涂膠 - 前清洗 - 烘干/冷卻 - 噴HMDS / 冷卻 - 涂膠 - 前烘 / 冷卻 2. 曝光 - 用一次、分布曝光機(jī)曝光 - 曝光后烘烤3. 顯影 - 顯影 - 后烘 - 顯影后檢查8.5 光刻工藝柵線(xiàn)薄膜玻璃基板光刻膠涂膠曝光顯影柵

5、極紫外光掩膜版14涂膠：就是在基板上涂上一層光刻膠樹(shù)脂、感光劑、添加劑、溶劑。涂膠的方式是旋轉(zhuǎn)基板，用滴管從中間滴下光刻膠，并同時(shí)吹入N2，滴下的光刻膠從中間向四周散布涂敷整個(gè)基板的過(guò)程。光刻膠有正性和負(fù)性之分。8.5.1 涂膠158.5.1 涂膠168.5.1 涂膠178.5.1 涂膠旋涂刮涂加旋涂 刮涂涂膠的方法主要有旋涂、刮涂加旋涂、和刮涂三種 。18曝光：就是用掩膜版掩膜，紫外線(xiàn)UV照射，經(jīng)紫外光照射的光刻膠被改性，掩膜版上有圖形的局部沒(méi)被紫外光照射即沒(méi)背改性，使得涂在基板上的光刻膠局部的改性的過(guò)程。陣列中，曝光分一次曝光、分步曝光、反面曝光。8.5.2 曝光19顯影：用顯影液除去被改

6、性的光刻膠的過(guò)程。8.5.3 顯影20各向同性和各向異性刻蝕8.6 干法刻蝕刻蝕前縱向刻蝕方向橫向刻蝕方向各向同性刻蝕刻蝕后各向異性刻蝕刻蝕后光刻膠刻蝕薄膜相鄰薄膜玻璃基板21例：Si 干法刻蝕+Mo濺射后各向同性：膜連通很好各向異性：SiNSi2500Mo 2000SiMoMo藥液滲入跨斷刻蝕方向性控制的必要性8.6 干法刻蝕22干法刻蝕機(jī)制8.6 干法刻蝕（a）+：正離子（b）：活性基團(tuán)RR（c）R：活性基團(tuán)+：正離子+R23PE是等離子體刻蝕,使用惰性氣體轟擊的物理作用與使用游離基等活性離子反響的化學(xué)作用相結(jié)合的刻蝕過(guò)程。既有各向同性也有各向異性的作用。PERIE接耦合器陽(yáng)極陰極輝光區(qū)靠

7、近基板靠近陽(yáng)極各向同性大小各向異性小大側(cè)向鉆蝕大小離子注射的能量小大基板的損傷小大刻蝕速率小大選擇比大小圖形精度大小對(duì)光刻膠的損傷小大工程比重大小PE8.6 干法刻蝕24輝 光 區(qū) 域離 子上電極下電極接地接地RF電容PE輝 光 區(qū) 域離 子接地接地RF電容上電極下電極RIEPE與RIE的區(qū)別8.6 干法刻蝕25CDE是化學(xué)干法刻蝕。在石英管進(jìn)行輝光放電的，產(chǎn)生的游離基等活性粒子通入到反響室進(jìn)行刻蝕的過(guò)程。只有各向異性的化學(xué)刻蝕。CDE8.6 干法刻蝕26中性氣體活性氣體反應(yīng)產(chǎn)物微波等離子體反應(yīng)氣體反應(yīng)室基板載臺(tái)排氣Al管系CDE8.6 干法刻蝕27濕刻：就是選用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)藥液與被刻蝕的膜發(fā)生

8、化學(xué)反響，改變被刻蝕物的結(jié)構(gòu)，使其脫離基板外表的過(guò)程。8.7 濕法刻蝕刻蝕：濕刻 干刻：CDE、PE、RIE；28使用設(shè)備：DNS濕蝕刻機(jī)目的：基板置于液態(tài)的化學(xué)藥液中，利用化學(xué)反響去除多余的膜層，形成圖形。8.7 濕法刻蝕Wet Etcher化學(xué)刻蝕，各向同性PR膜基板PR膜基板刻蝕液浸入造成邊緣刻蝕29M1：Mo/AlNdM2：Mo/Al/Mo ITOHNO3 1.72.1%)CH3COOH9.710.3%H3PO4 70.572.5%COOH (3.23.6%) COOH對(duì)于M1及M2兩道制程，為降低本錢(qián)均選擇同一濃度的三酸混合系統(tǒng)蝕刻液，通過(guò)設(shè)定的條件配方，到達(dá)不同PEP的要求。濕法刻

9、蝕藥液8.7 濕法刻蝕30分為三個(gè)階段：反響物質(zhì)擴(kuò)散到欲被刻蝕薄膜的外表；反響物與被刻蝕薄膜反響；反響產(chǎn)物從刻蝕薄膜外表擴(kuò)散到溶液中，隨溶液排出。在此三個(gè)階段中，反響最慢者就是刻蝕速率的控制關(guān)鍵，即反響速率。主溶液基板薄膜光刻膠光刻膠化學(xué)反應(yīng)反應(yīng)物反應(yīng)物反響機(jī)制8.7 濕法刻蝕31噴嘴來(lái)回?cái)[動(dòng)循環(huán)水洗直水洗基板入蝕刻藥液噴灑直水洗循環(huán)水洗直水洗滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)方向風(fēng)刀干燥基板出刻蝕流程8.7 濕法刻蝕32去膠：是使用去膠液等將刻蝕時(shí)起保護(hù)作用的光刻膠去掉的過(guò)程。常包括濕法去膠去膠液、IPA處理等和干法去膠等離子等。去膠8.7 濕法刻蝕33在刻蝕、顯影等之后檢查產(chǎn)品的缺陷，以便在過(guò)程中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，進(jìn)行修復(fù)

10、處理。8.7 濕法刻蝕檢查34O/S檢查：是柵線(xiàn)形成之后的短路和斷路檢查，以便第一次光刻后的基板經(jīng)淘汰和添補(bǔ)之后，形成一LOT完好無(wú)缺的基板。陣列終檢：是整個(gè)陣列的最后一道工序，對(duì)陣列的成品進(jìn)行檢查及修復(fù)的過(guò)程。8.7 濕法刻蝕檢查358.8 TFT陣列工藝中常見(jiàn)缺陷刻蝕中的倒角（b）倒角現(xiàn)象2（b）倒角現(xiàn)象1（a）坡度角接觸電極ITO鈍化層SiNx絕緣層SiNx柵線(xiàn)電極刻蝕中出現(xiàn)倒角現(xiàn)象，就會(huì)出現(xiàn)跨斷現(xiàn)象。如上面的接觸電極ITO不能與下面柵線(xiàn)電極接觸上。 368.8 TFT陣列工藝中常見(jiàn)缺陷TFT特性不良ITO-自信號(hào)線(xiàn)短路ITO-次信號(hào)線(xiàn)短路ITO-柵線(xiàn)短路ITO-CS短路過(guò)剩電荷IOFFLow Vg在TFT陣列最終檢查中，點(diǎn)缺陷有：IT