1、目錄 HYPERLINK l _TOC_250040 一、前言 5 HYPERLINK l _TOC_250039 二、占據(jù)產業(yè)鏈上游的日本電子制造業(yè) 7 HYPERLINK l _TOC_250038 （一）日本電子制造業(yè)占據(jù)產業(yè)鏈上游 7 HYPERLINK l _TOC_250037 1、日本半導體產業(yè)：把控上游設備與材料 7 HYPERLINK l _TOC_250036 2、日本元器件：村田、TDK 占據(jù)絕對領導地位 9 HYPERLINK l _TOC_250035 3、日本 PCB 產業(yè)：巔峰已過，加速向海外轉移 11 HYPERLINK l _TOC_250034 4、日本面板

2、行業(yè)：產能逐漸轉移，僅剩 JDI 獨自奮戰(zhàn) 14 HYPERLINK l _TOC_250033 （二）日本電子行業(yè)分布：主要集中于九州島 16 HYPERLINK l _TOC_250032 （三）日本電子制造業(yè)的轉移：終端組裝加速海外拓展，主要流向東南亞國家 18 HYPERLINK l _TOC_250031 三、貿易摩擦前日本電子制造業(yè)：騰飛的 30 年 19 HYPERLINK l _TOC_250030 （一）二戰(zhàn)后初期，快速復蘇 19 HYPERLINK l _TOC_250029 （二）1950-1985，日本電子產業(yè)騰飛的 30 年 21 HYPERLINK l _TOC_2

3、50028 （三）對日本電子制造業(yè)取得成功的一點思考 25 HYPERLINK l _TOC_250027 四、貿易摩擦后的日本電子制造業(yè)：開始分化 28 HYPERLINK l _TOC_250026 （一）美國對日貿易摩擦在電子制造業(yè)領域具體政策 28 HYPERLINK l _TOC_250025 1、起因：日本在全球半導體市場份額持續(xù)上升 28 HYPERLINK l _TOC_250024 2、美國對日半導體貿易摩擦措施：知識產權委員會+最低價格協(xié)定+超級 301 條款 28 HYPERLINK l _TOC_250023 （二）貿易摩擦后的日本電子制造業(yè)的兩層分化 30 HYPER

4、LINK l _TOC_250022 1、第一層分化：終端產品萎縮，零部件與設備占比提升 30 HYPERLINK l _TOC_250021 2、第二層分化：半導體領域 DRAM 開始衰敗，設備與材料興起 32 HYPERLINK l _TOC_250020 （三）貿易摩擦加速了日本電子制造業(yè)的第一層分化，但并不影響第二層分化 33 HYPERLINK l _TOC_250019 1、貿易摩擦的確加速了第一層分化 33 HYPERLINK l _TOC_250018 2、第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產業(yè)創(chuàng)新潮流 34 HYPERLINK l _TOC_250017 （四）鷸蚌相爭，

5、漁翁得利：日美半導體貿易摩擦最大的贏家是韓國 37 HYPERLINK l _TOC_250016 五、貿易摩擦后日本電子制造業(yè)的演進對中國的啟示 38 HYPERLINK l _TOC_250015 （一）加大核心零部件與設備的自制，降低對產品組裝的依賴 39 HYPERLINK l _TOC_250014 （二）注重水平分工，降低生產成本 40 HYPERLINK l _TOC_250013 六、貿易摩擦背景下中國電子制造業(yè)的突圍 43 HYPERLINK l _TOC_250012 （一）美國對中國限制措施持續(xù)升級 43 HYPERLINK l _TOC_250011 （二）遭受貿易摩擦

6、前中日兩國電子制造業(yè)實力對比 44 HYPERLINK l _TOC_250010 （三）與日美電子貿易摩擦相比，美國對中國打擊力度加大 46 HYPERLINK l _TOC_250009 （四）中美貿易摩擦對中國電子制造業(yè)的長期影響 48 HYPERLINK l _TOC_250008 七、日本電子制造業(yè)重點公司案例 52 HYPERLINK l _TOC_250007 （一）村田持續(xù)根據(jù)市場需求改變發(fā)展戰(zhàn)略 54 HYPERLINK l _TOC_250006 1、營收凈利穩(wěn)步上升，MLCC 與通信業(yè)務貢獻提升 54 HYPERLINK l _TOC_250005 2、全球布局、全球開拓

7、 57 HYPERLINK l _TOC_250004 3、順應市場潮流、高研發(fā)投入打造行業(yè)龍頭 58 HYPERLINK l _TOC_250003 （二）TDK重視資本投入和技術創(chuàng)新，年平均資本投入遠高于行業(yè)水平 61 HYPERLINK l _TOC_250002 1、被動元器件龍頭公司，營收穩(wěn)步提升 61 HYPERLINK l _TOC_250001 2、不斷研發(fā)新產品，順應時代潮流 64 HYPERLINK l _TOC_250000 3、政府扶持疊加政府扶持造就 TDK 的高成長 65（三）京瓷注重鉆研開發(fā)，注重多領域發(fā)展 671、多領域布局，營收凈利持續(xù)提升 682、高盈利能力

8、、多領域布局 703、專注陶瓷，持續(xù)開拓下游應用 724、京瓷集團壯大的核心原因 72（四）太陽誘電“精細”和“極致”鑄就優(yōu)良品質 751、被動元器件龍頭，多個產品享譽全球 752、緊跟科技創(chuàng)新步伐，產品推陳出新 793、“精細”和“極致”鑄就優(yōu)良品質 80八、投資建議 83九、風險提示 83插圖目錄 84表格目錄 86一、前言日本電子制造業(yè)部分細分行業(yè)的衰落受貿易摩擦影響有限，更多是因為日本企業(yè)錯失科技創(chuàng)新的浪潮以及不注重行業(yè)內水平分工。日美電子貿易摩擦從 1984 年持續(xù)到 1991 年，措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關稅再到“最低價格協(xié)定”以及“最低市場份額協(xié)定”。貿易摩擦后日本電子行

9、業(yè)出現(xiàn)兩層分化，首先是低端組裝業(yè)務開始海外遷移，只有集成電路和元器件在全球競爭力持續(xù)強勢，另一層分化是集成電路行業(yè)內只有設備與材料一騎絕塵，DRAM 等產品從全球霸主地位不斷衰落。當前日本電子行業(yè)牢牢把控著產業(yè)鏈的上游設備與材料環(huán)節(jié)，但是在中游制造以及下游組裝環(huán)節(jié)節(jié)節(jié)敗退，產業(yè)呈現(xiàn)空心化的格局。市場普遍認為其主要是受當年日美貿易摩擦的影響，我們認為日本本土電子制造業(yè)的中游制造以及下游組裝的衰落一方面是因為日企主動向海外轉移產能，另一方面日企注重垂直一體化的特點注定了其海外轉移的程定滿足不了全球經濟一體化背景下追逐最低生產成本的需求。此外，日本電子制造業(yè)的高端領域 DRAM 產品的失敗也不能完全

10、與貿易摩擦掛鉤，盡管美國在貿易摩擦期間針對日本 DRAM 產品多次發(fā)難，但是在 1991 年日美半導體貿易摩擦結束時日本 DRAM 仍然保有全球市場 60%左右的份額（最高時 80%），我們認為日本的失敗一方面受貿易摩擦的影響，但主要是因為日本 DRAM 企業(yè)專注于大型機用的 DRAM 產品，而從 1990 年開始個人PC 開始興起，個人 PC 需要的DRAM 與大型機的DRAM相差甚大，日企對個人 PC 的忽視，使得韓國 DRAM 廠商趁勢崛起，并且敢于逆勢大幅度擴產，韓國DRAM 廠商憑借低成本優(yōu)勢拿下了個人PC 用DRAM第一把交椅。樂觀看待中美兩國在電子制造業(yè)領域存在的差距。當前中美兩

11、國在電子制造業(yè)領域差距已經在不斷縮小，目前在半導體領域，我們所需的設備與材料基本都依賴進口，而當年日本 1976 年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似，但是經過多年的發(fā)展，1985 年貿易摩擦前的日本半導體企業(yè)已經基本實現(xiàn)了核心設備的自制，甚至在部分核心產品上領先于美國同行量產上市?？梢钥闯?，同樣在面對美國開打貿易摩擦時日美電子制造業(yè)的差距是小于中美之間的差距，值得欣慰的是，中國目前已經出現(xiàn)一批優(yōu)質半導體公司，如中微公司、瀾起科技、匯頂科技等。此外，日本半導體的舉國體制之路給我們發(fā)展半導體制造提供了可復制的案例，我們應該加大舉國體制的力度，力爭用最短的時間實現(xiàn)核心設備與材料的突破。舉國

12、體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)實現(xiàn)突圍的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制法革新”項目下的“VLSI 技術研究所”共耗資 720 億日元，其中政府出資 320 日元，企業(yè)界籌集 400 億日元，最后日本得以先于美國研發(fā) 64k 集成電路、256k 動態(tài)儲存器，完成對美國技術的趕超，奠定了日本在 DRAM 市場的霸主地位。包括韓國在內也采用舉國體制發(fā)展半導體，1983 年韓國公布“半導體工業(yè)振興計劃”，韓國政府共投入了 3.46 億美元的貸款，并激發(fā)了 20 億美元的私人投資，促進了韓國半導體產業(yè)的發(fā)展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃，且已經開啟了第二期的投資，日本和韓國的例子證明舉國體制

13、是發(fā)展高精尖制造業(yè)的有效方式，中國的半導體大基金計劃對半導體的發(fā)展有實實在在的推動作用。中國當前電子制造業(yè)主要是內需拉動，與日本高貿易依存度的需求結構相比有著更強的抵御貿易摩擦的能力。日本電子制造業(yè)對外貿易依存度遠高于中國，日本電子行業(yè)對外貿易依存度自 1950 年來一直呈上升態(tài)勢，而中國的情況恰恰相反。1985年貿易摩擦前日本電子制造業(yè)對外貿易依存度達到 56%，而當前中國電子制造業(yè)對外貿易依存度僅為 39.32%，08 年金融危機之后中國電子制造業(yè)的出口比重一路下滑，造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升，其中生產總額從 08 年來增幅接近 300%，而出口總額增幅只有 40%，說

14、明中國內需增長旺盛，內需消化的產值遠高于出口。1985 年之前日本之所以出現(xiàn)貿易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠高于總產值增幅，1985 年的出口金額和總產值分別是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985年之后日本出口基本維持零增長態(tài)勢，但是生產總值在 2000 年達到頂峰后一路下滑，導致貿易依存度被動性提高?？苿?chuàng)板開閘+大基金二期上馬，中國版新型舉國體制助力國產半導體，預計存儲產業(yè)有望率先突圍。科創(chuàng)板推動優(yōu)質半導體企業(yè)快速上市，大基金二期大手筆投資，大國重器加速突圍。優(yōu)質半導體企業(yè)如中微公司、瀾起科技、滬硅產業(yè)通過在科創(chuàng)板快速上市募集資金，加速對各環(huán)節(jié)國際龍頭企業(yè)的追趕。中芯國

15、際也擬于科創(chuàng)板上市及交易，中芯國際作為國內實力最強的晶圓制造廠，14nm 已開始量產，與臺積電、三星等國際巨頭差距正逐步縮小，科創(chuàng)板上市有利于公司募資資金加速先進制程的研發(fā)。半導體行業(yè)自主可控是國家意志的體現(xiàn)，受到國家政策的持續(xù)加碼支持。大基金二期大手筆加持，大基金二期注冊資本 2041.5 億元，按照撬動比例 1:3 計算，所撬動的社會資金規(guī)?？蛇_ 6000 億元以上。與大基金一期總投資 1387 億、撬動 5145億地方及社會資金相比，二期在資金規(guī)模上遠超一期。大陸存儲產業(yè)呈現(xiàn)“大市場”+“低自給率”特征，新型舉國體制下有望率先突圍。同時半導體設備及材料預計也將成為大基金二期投資的重點。存

16、儲領域國內 IDM 廠商長鑫引領 DRAM、長存引領 NAND 產業(yè)崛起。設備端包括刻蝕設備商中微公司、北方華創(chuàng)，測試設備商精測電子、長川科技，清洗設備商盛美半導體和至純科技、 CVD 供應商沈陽拓荊等。材料端如硅片供應商滬硅產業(yè)、中環(huán)股份，靶材龍頭江豐電子，光刻膠供應商容大感光、南大光電，特種氣體龍頭華特氣體、拋光墊供應商鼎龍股份等，均有望得到大基金二期以及后續(xù)國家政策的大力支持率先突圍。二、占據(jù)產業(yè)鏈上游的日本電子制造業(yè)當前日本廠商仍然持著電子制造業(yè)的上游關鍵環(huán)節(jié)，尤其是在核心元器件以及半導體設備與材料領域，日本廠商在全球依然有著最強競爭力，例如元器件領域有村田以及 TDK，半導體設備領域

17、有東京電子以及 DNS，材料領域有 SUMCO，這些日本公司在各自領域幾乎壟斷了全球市場。（一）日本電子制造業(yè)占據(jù)產業(yè)鏈上游核心元器件以及半導體設備與材料領域，日本廠商在全球依然有著最強競爭力。近年來盡管日本電子終端產品在全球市占率較低，但是日本廠商仍然把持著電子制造業(yè)的上游關鍵環(huán)節(jié)，尤其是在核心元器件以及半導體設備與材料領域，日本廠商在全球依然有著很強競爭力，例如元器件領域有村田以及 TDK，半導體設備領域有東京電子以及 DNS，材料領域有 SUMCO，這些日本公司在各自領域幾乎占據(jù)了全球絕大部分的份額。圖1: 占據(jù)上游的日本電子制造業(yè)前段零部件制造和測試中段模組組裝和測試后段整機組裝和測試

18、集成電路：材料（信越化學、SUMCO）、設備（東京電子、DNS）、設計（東芝、索尼）、制造（富士電路板通）元器件：被動元件（村田、TDK、太陽誘電）、分立SMT（FUJI、松下、日立、雅馬哈）PCB:FPC(旗勝、住友電工、藤倉)、載板（揖斐電）、整機：HDI（名幸）筆記本電腦（東芝）LCD/OLED 模組：JDI數(shù)碼相機（尼康、佳觸控顯觸摸板TP+LCM/OLED 模能、索尼、富士）示玻璃基板（旭硝子、電氣硝子）、防爆膜/偏光膜（日東、林德科）、拋光粉（青美、FUJIMI）、油墨（日組件（東京電子、松下電器、東麗工電視機（索尼、松下）本精工油墨）、保護膜（Nitto、積水）、亞克力基板程、芝

19、浦科技）（MSK、住友、三棱）玻璃（旭硝子）、金屬等外觀結構件其他零電池：（松下、索尼）部件攝像頭（索尼）等其他零部件連接器（夾崎、JAE）、耳機（索尼、鐵三角）、包裝等附件資料來源：JEITA，民生證券研究院1、日本半導體產業(yè)：把控上游設備與材料日本半導體產業(yè)整體呈衰退趨勢。2018 年，全球半導體銷售額達到 4779.4 億美元，年增長率為 15.9%，創(chuàng)歷史新高，而日本地區(qū)半導體銷售額為 335 億美元，在世界市場中的份額不足 8%，落后于韓國、中國等國家和地區(qū)。在 2018 年發(fā)布的半導體企業(yè)排名中，日本企業(yè)僅有東芝在前十大供應商中占據(jù)一個席位，而在 1990 年的前十大半導體廠商中，

20、有六家是日本企業(yè)，日本企業(yè)萎縮明顯。圖2: IC 銷售市場份額（按公司總部所在地劃分）100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%北美歐洲日本亞太1990199520002005201020172018資料來源：IC insights，民生證券研究院日本在半導體設備和材料領域表現(xiàn)強勁。日本在芯片產品領域已經衰落，但是在芯片產業(yè)鏈的上游設備領域仍處在不可忽視的地位。在設備領域，近年來日本銷售額占全球市場銷售額的比重能夠維持在 10%左右。其中，TEL、日立高新、DNS等企業(yè)占有舉足輕重的地位。圖3: 2013 年-2018 年日本半導體設備銷售額70060050040030

21、02001000億美元全球銷售額日本銷售額日本占比20%15%10%5%0%201320142015201620172018資料來源：SEMI，民生證券研究院除了在設備領域仍存在較大影響力之外，日本企業(yè)在半導體材料持續(xù)領先。日本半導體材料產業(yè)在貿易摩擦后繼續(xù)保持強勁增長勢頭，市場占有率在隨后的五年中繼續(xù)擴大。而日本半導體材料產業(yè)發(fā)展至今，在世界半導體材料領域保持著絕對優(yōu)勢，Si 晶圓、光罩等重要的半導體材料全球市場中占據(jù)了主要份額，Sumco、信越等企業(yè)占據(jù)絕對的霸主地位。圖4: 2018 年日本半導體材料銷售情況百萬美元14000120001000080006000400020000全球市場

22、日本份額日本份額占比Si晶圓 塑料板光罩焊線引線架 陶瓷板100%80%60%40%20%0%資料來源：SEMI，民生證券研究院2、日本元器件：村田、TDK 占據(jù)絕對領導地位日本電子元器件總產值在整個日本電子行業(yè)中占比上升。日本電子元器件在日本電子工業(yè)中占有重要地位，2019 年電子元器件產值達到 8.27 萬億日元，約占日本電子行業(yè)總產值的 43.78%，且這一比例在過去十年時間里呈不斷上升趨勢的。圖5: 日本電子元器件總產值在日本電子行業(yè)中占比不斷提高萬億日元302520151050日本電子產業(yè)總產值日本電子元器件總產值占比50%40%30%20%10%0%資料來源：wind，民生證券研究

23、院日本的電子元器件主要由集成電路、液晶裝置、被動元件、分立半導體和連接部件組成，其中 2019 年集成電路、液晶裝置、被動元件在日本電子元器件產值中占比分別為 36.25%、13.92%和 10.21%，分立半導體和連接部件也達到了 9.95%、13.24%。圖6: 日本主要電子元器件產值100%連接部件分立半導體集成電路液晶裝置被動元件其他80%60%40%20%0%資料來源：wind，民生證券研究院在被動元器件市場上，日本一家獨大。日本最大三家的被動元件制造商村田、TDK 和太陽誘電 2019 年被動元件的銷售收入分別為 67.4 億美元、45.93 億美元和18.04 億美元，分別在全球

24、被動元件市場中排第一、第二和第四，合計超過了 130 億美元，占據(jù)了一半以上的市場份額。圖7: 2019 年全球主要被動元件制造商銷售收入億美元80706050403020100資料來源：各公司官網(wǎng)，民生證券研究院連接器市場競爭格局相對穩(wěn)定，日本三家公司進入全球前十。在連接器上，根據(jù) Bishop and Associates 發(fā)布了一份新的全球 100 強電子連接器制造商榜單，日本共有三家公司進入了前 10 名，分別是矢崎、日本航空電子和日本壓著電子，分別排第七、第八和第九名。對比 2004 年的市場占有率，日本的這三家公司穩(wěn)定排在全球第六到第十名之間。表1: 2019 全球連接器制造商銷售

25、額排名排名公司總部1TE Connectivity（泰科）美國2Amphenol(安費諾）美國3Molex Incorporated（莫仕）美國4Aptiv(FKA 德爾福連接系統(tǒng)）美國5Foxconn（鴻海集團&富士康）臺灣6Luxshare（立訊精密）中國7Yazaki（矢崎）日本8JAE（日本航空電子）日本9JST（日本壓著端子）日本10Rosenberger（羅森伯格）德國資料來源：Bishop and Associates，民生證券研究院半導體分立器件市場占有率不高，但相對穩(wěn)定。日本是全球半導體分立器件廠商主力國，主要有東芝、瑞薩、羅姆、富士電機等半導體廠商，日本廠商在半導體分立器件

26、方面具有較強競爭力且廠家眾多，但很多廠商的核心業(yè)務并非半導體分立器件，使得日本半導體分立器件的市場占有率不高。日本半導體分立器件的代表性企業(yè)日本羅姆，2018 年分立器件銷售收入為 14.36 億美元，2010 年以來市場占有率徘徊在 6%左右，相對穩(wěn)定。圖8: 2018 全球主要半導體分立器件制造商營業(yè)收入億美元日本羅姆市場份額167%146%125%104%863%42%21%00%201020112012201320142015201620172018資料來源：日本羅姆年報，民生證券研究院3、日本 PCB 產業(yè)：巔峰已過，加速向海外轉移日本 PCB 產業(yè)景氣高點已過。1990 年后隨著日

27、本電子制造業(yè)的崛起，全球 PCB產業(yè)開始向日本聚集，到了 2000 年日本PCB 產值占全球比重達 28%。但是 2008 年全球金融危機的沖擊，同時日元的升值以及中國臺灣、韓國、中國大陸地區(qū)的廠商的崛起，日本PCB 行業(yè)加速海外轉移。圖9: 2000 年世界各地區(qū) PCB 占比圖10:2018 年世界各地區(qū) PCB 產值占比8.10% 5.20%4.94%28.68%10.85%16.12%26.11%10.20%9.80%6.80%4.20%2.50%10.80%55.70%日本美國歐洲中國臺灣中國大陸其他韓國日本美國歐洲中國臺灣中國大陸其他韓國資料來源：Prismark，民生證券研究院資

28、料來源：Prismark，民生證券研究院日本 PCB 產值中硬板占比最大， 各類 PCB 產品產值均在下滑。2019 年日本PCB 總產值為 4438 億日元，同比上年下降 7%，其中硬板產值為 2983.51 億日元，占PCB 總產值 67%，同比下降 6.50%。從 2002 年到 2019 年整體來看，日本PCB 產值不斷下滑，年復合增長率為-3.33%，其中硬板復合增長率為-3.25%，軟板為-6.78%，載板為-1.07%。圖11:2002-2019 日本各類 PCB 產值和總產值增長率億日元12000硬板軟板載板PCB總產值增長率20%1000010%80000%6000-10%4

29、000-20%2000-30%0020304050607080910111213141516171819-40%資料來源：wind，民生證券研究院日本 7 家企業(yè)進入 2018 年全球 PCB 廠商前 30 名。根據(jù) Prismark 2018 年全球PCB 廠商前 30 排名，日本的旗勝、藤倉、揖斐電、名幸、住友電工、中央銘板、新光電器排名全球第 2、11、13、14、17、21、30 名。在軟板（FPC）方面，日本處于行業(yè)領先地位，3 家企業(yè)進入全球前 10。根據(jù) PCB 信息網(wǎng)的統(tǒng)計，2018 年全球 FPC 前 10 廠商中，日本的旗勝、住友電工、藤倉分別排在第 2、第 4 和第 5

30、位。雖然軟板在日本 2018 年PCB 產生中占比僅 10.61%，占比不大，且整個日本軟板的產值也是逐年下降，但是日本的軟板仍然處于全球軟板的領先地位。表2: 2018 年全球 FPC 前 10 廠商（億美元）排名企業(yè)國家/地區(qū)2015 年2016 年2017 年2018 年1鵬鼎中國臺灣21.5020.3729.0031.582旗勝日本38.0034.0233.3028.563維信中國大陸6.375.229.7013.084藤倉日本9.028.6811.0011.555住友電工日本16.7311.4211.309.456臺郡中國臺灣5.625.928.608.847永豐韓國8.507.00

31、10.006.978比艾奇韓國3.143.216.006.939嘉聯(lián)益中國臺灣4.884.324.305.1010世一韓國3.544.536.104.73資料來源：PCB 信息網(wǎng)，民生證券研究院在硬板方面，日本名幸在 2018 年全球 HDI 前 10 大廠商中排第 6。作為日本最大的硬板廠商，名幸 2018 年PCB 銷售收入為 10.74 億美元，同比增長 13.40%，在日本前五大 PBC 廠商中是增速最快的。公司增長主要來源于汽車板市場需求的穩(wěn)定增長以及中國和韓國手機客戶需求的增長。圖12:2018 全球 HDI 前 10 廠商億美元10987654321-欣興奧斯特華通迅達展華名幸鵬

32、鼎健鼎 三星電機 永豐資料來源：PCB 信息網(wǎng)，民生證券研究院4、日本面板行業(yè)：產能逐漸轉移，僅剩 JDI 獨自奮戰(zhàn)面板產業(yè)開始向中國轉移，日本廠商逐漸衰落。1988 年，夏普推出了世界第一臺 14 英寸液晶顯示器，這讓日本幾乎壟斷了世界液晶面板產業(yè)，在 1990 年-1994 年，日本在全球液晶面板產業(yè)的份額占比高達 90%-94%以上。隨著韓國實行集中國家力量進行超強投入進行創(chuàng)新的策略，韓國液晶面板逐漸實現(xiàn)了對日本的趕超，韓國三星和 LG 在顯示面板領域全面超過日本。圖13:全球主要地區(qū)面板市場占有率變遷日本韓國中國臺灣中國大陸100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

33、0%1995 1999 2003 2007 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019資料來源：OFWEEK 顯示網(wǎng)，民生證券研究院JDI 成為日本面板行業(yè)唯一廠商。隨著日本面板行業(yè)的衰落，曾經的日本面板各大廠商三洋電機、愛普森、NEC、東芝、索尼、日立、三棱也開始逐漸退出了面板市場，曾經的行業(yè)巨頭夏普也被鴻海收購，日本目前能實現(xiàn)量產的面板廠商只剩下JDI。圖14:日本 9 大面板廠商逐漸退出市場資料來源：民生證券研究院JDI 專注于中小尺寸面板市場。2017 年全球顯示面板出貨面積約 2.01 億平米，其中大尺寸面板出貨面積合計約 1.

34、81 億平米，占比達到約 90%，中小尺寸面板出貨面積合計 0.2 億平米。在大尺寸面板市場中，主要還是由韓國、中國大陸和中國臺灣的企業(yè)所瓜分，在中小尺寸面板市場中，韓國三星電子和 LGD 占據(jù)行業(yè)第 1、第 3，日本JDI 排名第 2。圖15: 2018 年全球大尺寸面板市場格局圖16:2018 年全球中小尺寸面板市場格局17%21%10%21%15%16%LGD京東方 群創(chuàng)光電友達光電三星電子其他LGD10%6%31%7%13%33%京東方夏普 JDI三星電子其他資料來源：witsview，民生證券研究院資料來源：witsview，民生證券研究院OLED 時代，JDI 收入開始下滑。隨著三

35、星提前推出 OLED 面板，在各方面性能上領先于JDI 的液晶面板，全球高端手機開始選擇使用 OLED 屏幕，JDI 因此受到巨大沖擊。JDI 一半以上的收入來自蘋果手機，隨著中國 LCD 面板廠商的崛起，蘋果手機銷量的下跌，且 2017 年 iPhone X 也開始使用OLED 屏幕，JDI 的收入進一步下降。JDI 長期以來的虧損和只注重營業(yè)利潤的企業(yè)文化導致了財務造假。2020 年 4月對歷年財務報告進行修正。圖17:2013-2018 年 JDI 盈利情況億日元營業(yè)收入營業(yè)利潤營業(yè)利潤率20132014201520162017201812000100008000600040002000

36、0-2000資料來源：JDI 官網(wǎng)，民生證券研究院（二）日本電子行業(yè)分布：主要集中于九州島6%4%2%0%-2%-4%-6%-8%-10%九州島被稱之為日本的“硅島”， 是日本集成電路工業(yè)的重要基地。因為九州島富含硅片洗凈工程所需超純水（九州島阿蘇外輪山周邊有豐富的泉水）、電力充足、航空運輸便利（九州島現(xiàn)有 13 個機場）、稅收政策對企業(yè)有利、生產成本較低等有利條件吸引了大批半導體企業(yè)。從上個世紀 60 年代起，九州逐漸成為半導體企業(yè)群聚的地區(qū)。東京電子、索尼、瑞薩科技、SUMCO 等都在九州設有生產基地。九州島半導體企業(yè)眾多，且因為有知名大企業(yè)牽頭，所以是擁有世界級尖端半導體技術的地區(qū)。全球

37、約有 15%的半導體硅片在九州生產，九州島半導體年產值為日本全國年產值的三分之一左右。由于 IC 一般只使用飛機運輸，以集成電路為主的九州島的半導體企業(yè)及工廠一般都是圍繞主要城市和機場輻射分布。公路干線沿線、九州沿海也是半導體企業(yè)/工廠設址地點。同時，九州島半導體產業(yè)鏈完整，從 IC 設計到封裝測試以及材料與設備的供應，都有領域內重要企業(yè)設廠。圖18:九州島主要半導體公司/工廠地圖資料來源：九州經濟產業(yè)局，民生證券研究院圖19:日本電子制造業(yè)公司分布資料來源：九州經濟產業(yè)局，民生證券研究院（三）日本電子制造業(yè)的轉移：終端組裝加速海外拓展，主要流向東南亞國家日本電子制造業(yè)早期并不注重地理上的水平

38、分工，并且早期日本電子行業(yè)大量出口彩電、收音機等偏終端產品，這樣的后果一方面是容易遭受反傾銷和反補貼的調查，另一方面也沒有利用發(fā)展中國家的低成本勞動力優(yōu)勢。1960 年代為了躲避日美彩電戰(zhàn)，日本彩電企業(yè)曾開始在美國建廠，1980 年代半導體戰(zhàn)之后日本加速對發(fā)展中國家的投資，方向主要是中國以及東南亞國家。圖20:日本電子制造業(yè)的轉移資料來源：各公司官網(wǎng)，民生證券研究院三、貿易摩擦前日本電子制造業(yè)：騰飛的 30 年日美貿易摩擦整體延續(xù)近 30 年，其中電子行業(yè)戰(zhàn)爭始于 1985 年，終于 1991 年。廣義層面看日美貿易摩擦肇始于 1960 年代，激化于 1970 年代，高潮于 1980 年代，基

39、本上跟日本制造業(yè)的重生、崛起、鼎盛三個階段相契合，從 1960-1990 這三十多年間，日美之間爆發(fā)了無數(shù)次貿易糾紛。但是在行業(yè)層面看日美貿易摩擦在電子制造業(yè)領域開始于 1985 年之后，尤其是在半導體領域。早期，日本憑借低價芯片對美國產業(yè)造成重大沖擊，美國以反傾銷、反投資、反并購等手段進行貿易保護，最高時對相關產品加收 100%關稅。因此本報告所指貿易摩擦是指電子行業(yè)層面的貿易摩擦，相關時間節(jié)點以 1985 年為界。圖21:日美貿易摩擦時間軸資料來源：騰訊新聞，民生證券研究院（一）二戰(zhàn)后初期，快速復蘇二戰(zhàn)后，美國對日本的經濟政策可以大致劃為為三大階段：1945-1950 年戰(zhàn)爭剛剛結束階段、

40、1950-1985 年的冷戰(zhàn)時期以及 1985 年開始冷戰(zhàn)緩和時期。戰(zhàn)后初期（1945-1950）“1940 體制”+“道奇計劃”，日本電子制造業(yè)快速復蘇。戰(zhàn)后日本原材料奇缺、生產開工率低、物資供給匱乏并且通脹惡劣，為迅速度過經濟混亂和生產衰退的難關，日本政府在 1947 年到 1951 年推行著名的傾斜生產方式，集中力量增加煤炭、鋼鐵等基礎工業(yè)的生產，從而使得日本經濟能重新進入再生產的循環(huán)軌道，到 1948 年，工業(yè)生產指數(shù)已由戰(zhàn)敗初年的 30%左右上升到 60%以上，嚴重的經濟混亂、生產滑坡局面已經過去。我們把日本戰(zhàn)后所使用的傾斜生產以及特殊行業(yè)貸款政策等統(tǒng)稱為“1940 體制”。但“19

41、40 體制”后遺癥也非常明顯，其中最引人注意的就是通脹，在推行傾斜生產期間，盡管政府通過多種手段控制物價上漲，通貨膨脹率仍居高不下，兩年間消費物價上漲 7 倍。圖22:1949 年之前日本通脹率一度達到 80%9080706050403020100(10)1948 1954 1960 1966 1972 1978 1984 1990 1996 2002 2008 2014(20)資料來源：CEIC，民生證券研究院美國管制之下的駐日盟軍總司令部在二戰(zhàn)后占領了日本，美軍對日本的扶持態(tài)度比較曖昧。美方考慮扶持日本戰(zhàn)后復蘇，但又怕日本工業(yè)迅速發(fā)展實現(xiàn)軍事化。于是美方出臺了旨在援助日本的道奇計劃。道奇計

42、劃是當時占領日本軍隊的統(tǒng)治者為維持日本經濟的穩(wěn)定，平衡其財政預算，抑制通貨膨脹而制定。計劃最開始實行時日本經濟遭遇了嚴重的衰退，但日本貨幣和物價也因該計劃迅速趨于穩(wěn)定，通貨膨脹也得到了抑制，道奇計劃的實施為之后的信貸和其他產業(yè)政策的實行提供了穩(wěn)定的宏觀經濟環(huán)境，有助于日本產業(yè)結構實現(xiàn)合理化、現(xiàn)代化。表3: 1940 體制與道奇計劃1940 體制道奇計劃戰(zhàn)爭時期，日本的改革派官僚建立起“國家總動員體制”，二戰(zhàn)初期，為穩(wěn)定日本經濟、平衡財政預算、抑制通貨膨將全國所有資源都用來為戰(zhàn)爭服務，形成 1940 體制，并在戰(zhàn)脹，美國占領軍當局制訂了道奇計劃。爭后以增強經濟實力為目的延續(xù)下來。背景時間1940

43、 年前后1949 年 2 月-1950 年 6 月對產業(yè)實行國家統(tǒng)制，采用配給方式分配資源；實行金融財政制度大改革，建立了以銀行為中心的融資體系；推行農村 控制國內總需求，降低過剩購買力，擴大出口；制定單一改革，采用比較平均的農地體制；實行“日本式管理”，從 匯率，取消補貼，恢復市場機制，促進合理化；依靠政府公司內部選拔管理者，利用工會調節(jié)勞資關系；采用“傾斜 儲蓄和對日援助提供民間投資資金，擴大生產。生產方式”，重建煤炭、鋼鐵等基礎產業(yè)內容戰(zhàn)時形成的國家總動員體制帶來了戰(zhàn)后經濟復興，戰(zhàn)時成長影響起來的企業(yè)實現(xiàn)了戰(zhàn)后的高速增長；但使日本經濟落入路徑依賴的陷阱。不僅實現(xiàn)了經濟穩(wěn)定的即期目標，還改

44、變日本的經濟運行機制和體制，實現(xiàn)經濟機制及體制上的轉軌與接軌。資料來源：戰(zhàn)后日本經濟史，民生證券研究院盡管當時美國的援助計劃沒有特別針對電子制造業(yè)，但是占領軍當局要求日本政府確保通信和交通事業(yè)的發(fā)展，并大力推動了電報電話和廣播事業(yè)的復興。當時駐日同盟總部指定要求日本生產收音機，并且重建NHK 成為特殊法人，同時，日本民間廣播事業(yè)也開始發(fā)展起來。得益于占領軍的這一系列政策，日本電子產業(yè)開始快速復蘇。（二）1950-1985，日本電子產業(yè)騰飛的 30 年經過戰(zhàn)后初期的復蘇，日本電子制造業(yè)迎來了真正騰飛的30 年。30 多年的時間，其產值從 1955 年的 0.02 萬億日元增長到 1985 年的

45、17.7 萬億日元，同期出口產值從近乎為 0 增長到 9.9 萬億日元，貿易收支方面， 1955 年為貿易逆差發(fā)展到 1985 年順差 8.92 萬億日元，同期日本整體貿易順差 10.87 萬億，電子制造業(yè)貢獻了其中的82%，足以證明到 1985 年電子制造業(yè)已經成為日本的支柱產業(yè)。圖23: 日本電子產業(yè)產值以及進出口金額圖24:日本全行業(yè)以及電子行業(yè)貿易收支產值內需出口進口貿易收支萬億日元1955 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2013302520151050-515萬億日元1955196019651970197

46、519801985199019952000200520102013日本貿易收支日本電子行業(yè)貿易收支1050-5-10-15資料來源：日本經濟產業(yè)省，財務省，民生證券研究院資料來源：wind，日本經濟產業(yè)省，財務省，民生證券研究院日本電子制造業(yè)取得的成就是輝煌的，但輝煌的原因在不同時間段卻有很大的不同，以 1970 為界可以分為上半場和下半場。上半場：1950-1970冷戰(zhàn)背景下美國加大對日本援助。隨著冷戰(zhàn)的局面越來越緊張，特別是朝鮮戰(zhàn)爭（1950-1953）的爆發(fā)，美國對日本政策發(fā)生巨大的變化，開始轉變?yōu)橹г毡镜漠a業(yè)發(fā)展。另一方面，朝鮮戰(zhàn)爭期間，日本作為西方勢力最靠近戰(zhàn)場的大本營，順理成章成

47、為了后勤基地，美國想要把日本發(fā)展成為物美價廉的工業(yè)產品供應地，使之服務于自身的軍事目的。美國的態(tài)度轉變對日本經濟的復蘇作用巨大，朝鮮戰(zhàn)爭期間，美國因為戰(zhàn)爭需要在日本進行大量的訂貨，極大地促進了日本經濟的增長。一方面是軍用訂單的刺激，另一方面在民用電子領域日本趁勢壯大。因為在二戰(zhàn)期間美國主要生產軍用訂單，所以靠進口才能滿足民用電子訂單的需求。1950 年美國電子產業(yè)中民用電子產值為 15 億美元，軍用電子產值為 6.5 億美元，然而 1957年卻逆轉為 17 和 41 億美元，美國產業(yè)政策的此次改變給日本民用電子產品進入美國市場創(chuàng)造了條件。圖25: 美國軍用電子和民用電子產值圖26:日本收音機出

48、口數(shù)量（千臺）和金額（百萬元）億美元民用軍用5040302010019501957千臺800000700000600000500000400000300000200000100000195019651970197219741976197819801982198419861988199019921994199619982000200220040數(shù)量金額百萬元60,00050,00040,00030,00020,00010,0000資料來源：CEIC，民生證券研究院資料來源：日本關稅協(xié)會，民生證券研究院下半場：1970-198515 年的時間，出口增加 11 倍。日本電子產業(yè)出口收支從 1970

49、年開始飆升，一直到 1985 年達到頂峰， 1970-1985 的 15 年間，電子產業(yè)的產值增加了 5 倍，內需增加了 3 倍，出口則增加了額 11 倍之多，可以說日本電子制造業(yè)在 1970 年后完全靠出口實現(xiàn)了騰飛。1970 年-1985 年電子行業(yè)出口大幅增長的同時日元的匯率在不斷升值，日元兌美元的匯率從期初的 360 升值到期末的 234，說明日本電子行業(yè)的出口并不是因為日元匯率貶值所帶動，相反，日本電子制造業(yè)公司需要不斷降低成本以抵消日元升值帶來的下游國外客戶采購成本上升。圖27:日本電子產業(yè)貿易收支與日元匯率萬億日元109876543210日本電子行業(yè)貿易收支匯率:美元兌日元USD

50、/JPY400350300250200150100500資料來源：Wind、日本電子產業(yè)興衰錄、日本財務省，民生證券研究院產業(yè)結構轉變，大力扶持半導體。上世紀七十年代至 80 年代中期，日本產業(yè)結構巨變。原油進口量以及鋼鐵產量自 1973 年開始降低，而此時日本對硅的需求量逐漸加大。以鋼鐵代表的“重、大”型產業(yè)日漸衰落，半導體等“輕、薄、小”型產業(yè)飛速發(fā)展。上世紀 70 年代初微處理器的出現(xiàn)，引發(fā)了微型計算機的熱潮，而半導體內存是計算機的主要部件，于是半導體產業(yè)由此得以發(fā)展。1970 年到 1985 年之間日本內存行業(yè)得到了迅猛發(fā)展，在一段時期內全球市占率高達 80%?；卮鹑毡緝却嫘袠I(yè)為什么能

51、獲得如此成就一定程度上可以解釋日本電子制造業(yè)能夠騰飛的原因。表4: 全球芯片區(qū)域消耗量變遷（1980-1988）（$ millions）198019811982198319841985美國廠商6053652969709002130069420日本廠商338342954082572287748149西歐廠商368630413167337049074839其他9969631042144322161949合計141181482815261195372890324357資料來源：VLSI Research，民生證券研究院圖28: 日本硅、原油、粗鋼需求量圖29:DRAM 產品全球市占率10000100

52、0相對值100粗鋼的生產量原油的進口量100%80%60%40%20%0%美國日本韓國19751982198919962003201010-20%資料來源：日本電子產業(yè)興衰錄，民生證券研究院資料來源：日本電子產業(yè)興衰錄，民生證券研究院舉國體制加創(chuàng)新型模仿造就日本 DRAM 的輝煌。1970 年初，盡管日本可以生產 DRAM 芯片，但沒有掌握關鍵的制程和設備。因此，1976 年在大藏省等多個部門的協(xié)商下，日本開始實行“DRAM 制法革新”國家項目。由政府出資 320 億，富士通、 NEC 等公司出資 400 億，總共籌資 720 億日元，目標是在短期內提高 DRAM 的制作水準。國家性科研機構“

53、VLSI 技術研究所”因此設立，該所是由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所主導創(chuàng)辦的。VLSI 技術研究所匯集了 800 多名技術精英以研制日本產高性能 DRAM 制程設備，想要短期內實現(xiàn) 64K DRAM 和 256K DRAM可實用性，并在 10 到 20 年之間實現(xiàn) 1M DRAM 的可實用性。表5: MITI（日本通產?。┖?NTT（日本電話電信）的 VLSI 項目對比類別MITINTT時間段1976-791975-81時長4 years6 years預算（約）53NECFujitsuNEC參與企業(yè)HitachiMitsubishiFujitsu Hitachi融資40MITI/60

54、 company100 NTT對公司的補貼？有無MITII/NTT 的數(shù)量Fewer than 10 MITI200-500 NTT researches研究人員researchers(varies over time)主要研究實驗室Company group labsNTT labs資料來源：MITI，民生證券研究院在產業(yè)化方面，日本政府為半導體企業(yè)，提供了高達 16 億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造 DRAM 集成電路產業(yè)群。到 1978 年，日本富士通公司研制成功了 64K DRAM 大規(guī)模集成電路。創(chuàng)新型模仿，日本 DRAM 成功的又一關鍵。英特

55、爾當初憑借 4KB DRAM 搶占了超過 80%的市場份額，日本公司紛紛效仿，導致英特爾的市占率急轉直下。后來英特爾研發(fā)了 16KB DRAM（三電源供電）和 64KB DRAM（三電源供電），然而由于跟風者不斷追進，英特爾很難持續(xù)壟斷市場。于是英特爾在 1979 年推出殺手锏產品：單電源供電的 16KB DRAM，日本公司根本無從下手，所以該款DRAM 產品在發(fā)售時獲得 100%市占率，然而，競爭對手紛紛模仿英特爾開發(fā)單電源 DRAM 產品，最終英特爾的市占率跌到 10%左右，最后英特爾決定退出 DRAM 行業(yè)。英特爾的退出造就了日本 1985 年取得全球 80%的巔峰市占率。圖30:英特爾

56、 DRAM 產品市占率英特爾退出%4K16K（三電源）16K（單電源）64K256K 10090807060504030201001974 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 1987資料來源：Wind、日本電子產業(yè)興衰錄、日本財務省，民生證券研究院（三）對日本電子制造業(yè)取得成功的一點思考縱觀日本電子制造業(yè)在 1950-1985 年這 35 年間取得的成就，我們認為有幾點值得當前中國電子制造業(yè)思考與學習起步低不代表長不大。日本電子制造業(yè)從 1950 年開始發(fā)展，在此之前從沒有哪一項電子技術是從日本起步，朝鮮戰(zhàn)爭

57、爆發(fā)后日本的收音機出口開始迅猛增長，但是讓索尼引以為傲的晶體管收音機的核心晶體管技術也是索尼從美國購買，1959 年德州儀器制作了世界上第一塊集成電路，在美國企業(yè)一直認為晶體管已經成為過去，集成電路才是未來的背景下日本自主研發(fā)了第一臺晶體管計算機NEAC-2201 并參加巴黎萬國博覽會，但與美國同行差距仍然甚大。日本的電子制造業(yè)正是從收音機開始做起，最后在半導體技術方面躋身全球一流。我們一直對當前中國電子制造業(yè)所從事的低端生產存有偏見，認為中國電子制造業(yè)就是以富士康為代表的產品組裝，中國電子制造業(yè)的精密制造就是生產以線束連接器為代表的低端產品，但日本例子告訴我們起步低但依然可以通過后續(xù)追趕而在

58、全球市場擁有一席之地，中國智能機行業(yè)近年來的發(fā)展也證實這一可能。圖31: 全球第一塊集成電路相位轉換震蕩圖32:晶體管計算機資料來源：半導體行業(yè)協(xié)會，民生證券研究院資料來源：IBM，民生證券研究院模仿可以短期內獲得最大的進步。日本 DRAM 行業(yè)發(fā)展壯大的歷程告訴我們通過模仿龍頭產品，可以短期之內獲得與龍頭同臺競技的資格。此外，韓國 DRAM 也是靠模仿日本而壯大，相信中國電子制造業(yè)在創(chuàng)新型模仿的戰(zhàn)略下并結合自身實際，可以迅速趕上龍頭國家。舉國體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)的有效方式。1976 年日本的“DRAM”制法革新項目下的“VLSI 技術研究所”共耗資 720 億日元，其中政府出資 320 億

59、，企業(yè)界籌集 400 億日元，最后日本得以先于美國研發(fā) 64k 集成電路、256k 動態(tài)儲存器，完成對美國技術的趕超，奠定了日本在 DRAM 市場的霸主地位。包括韓國在內也采用舉國體制發(fā)展半導體，1983 年韓國公布“半導體工業(yè)振興計劃”，韓國政府共投入了億美元的貸款，并激發(fā)了 20 億美元的私人投資，促進了韓國半導體產業(yè)的發(fā)展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃，已經開啟了第二期的投資，日本和韓國的例子告訴我們對于落后者而言，舉國體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)的有效方式，中國的半導體大基金計劃對半導體的發(fā)展有實實在在的推動作用。圖33:日本半導體的舉國體制之路資料來源：騰訊新聞，民生證券研究院圖3

60、4:韓國半導體的舉國體制之路資料來源：騰訊新聞，民生證券研究院四、貿易摩擦后的日本電子制造業(yè)：開始分化美國對日貿易摩擦的時間跨度大約為 19851991 年，從 1975 年1991 年，美國共向日本發(fā)起了 15 次 301 調查。在電子制造業(yè)領域美國對日本的貿易摩擦一直持續(xù)不斷，前有收音機進口數(shù)量限制后有彩電反傾銷政策，但是美國對日本電子制造業(yè)最擔憂的也是貿易摩擦中最激烈的領域發(fā)生在半導體行業(yè)。（一）美國對日貿易摩擦在電子制造業(yè)領域具體政策1、起因：日本在全球半導體市場份額持續(xù)上升在全球半導體市場上，美國半導體收入在全球半導體總收入中所占的比重由 1978 年的 55%下降到 1984 年的