1、1Wlj460887PCB封裝命名規(guī)范魔電EDA建庫工作室2015.6.1目錄TOC o 1-5 h z范圍4引用4約束4焊盤的命名5表貼焊盤命名規(guī)范5 HYPERLINK l bookmark8 通孔焊盤命名規(guī)范7 HYPERLINK l bookmark16 花焊盤命名9 HYPERLINK l bookmark24 Shape命名10 HYPERLINK l bookmark0 PCB封裝命名11 HYPERLINK l bookmark26 封裝命名要求11 HYPERLINK l bookmark30 電阻類命名13 HYPERLINK l bookmark32 電位器命名15 HY

2、PERLINK l bookmark34 電容器命名16 HYPERLINK l bookmark36 電感器命名19 HYPERLINK l bookmark38 磁珠命名21 HYPERLINK l bookmark40 二極管命名21晶體諧振器命名23晶體振蕩器命名24 HYPERLINK l bookmark44 熔斷器命名24 HYPERLINK l bookmark46 發(fā)光二極管命名24 HYPERLINK l bookmark48 BGA封裝命名25 HYPERLINK l bookmark50 CGA封裝命名25 HYPERLINK l bookmark52 LGA封裝命名2

3、6 HYPERLINK l bookmark54 PGA封裝命名26CFP封裝命名27DIP封裝命名27 HYPERLINK l bookmark58 DFN封裝命名28 HYPERLINK l bookmark60 QFN封裝命名28 HYPERLINK l bookmark62 J型引腳LCC封裝命名29 HYPERLINK l bookmark64 5.21無引腳LCC封裝命名29 HYPERLINK l bookmark68 QFP類封裝命名30 HYPERLINK l bookmark70 SOP類封裝命名30 HYPERLINK l bookmark74 SOIC封裝命名31 HY

4、PERLINK l bookmark76 SOJ封裝命名31SON封裝命名31SOT封裝命名32TO封裝命名33 HYPERLINK l bookmark80 連接器封裝命名34 HYPERLINK l bookmark82 其它封裝命名341范圍本規(guī)范適用于主流EDA軟件在PCB設(shè)計前的封裝建庫命名。2引用IPC-7351B：GenericRequirementsforSurfaceMountDesignandLandPatternStandard.PCBlibrariesFootprintNamingConvention.約束本規(guī)范中所有的命名只能采用占一個字節(jié)（即半角輸入）的數(shù)字（0-9

5、）、字母（a-z無大小寫限制）、下劃線（_）、中橫線（-）四種字符,其它符號均屬于非法字符。命名中所使用的尺寸單位只能采用公制單位毫米（mm）或者英制單位毫英寸（mil）。命名中的所有尺寸（如長、寬、高等），如果采用公制，數(shù)字的后兩位表示小數(shù)位（如果實際小數(shù)位不止兩位則四舍五入到兩位數(shù)），整數(shù)位長度無限制。例如：rl60_50sl5mm中的長度160表示1.6mm，寬度50表示0.5mm。命名中的所有尺寸（如長、寬、高等），如果采用英制，那么數(shù)字全都是整數(shù)，沒有小數(shù)位，整個數(shù)字的長度無限制。例如：r210_90s6mil中的長度210表示210mil，寬度90表示90mil。規(guī)范中大括號以及它

6、包含的內(nèi)容表示參數(shù)。例如：capaeBodySizexHeightLevelmm（m假設(shè)對應(yīng)的封裝名為capae240 x310nmm/那么BodySize就是240，Height就是310，Level就是n，如果單位用的毫米，后綴就是mm，否則就是mil。參數(shù)解釋。Level：密度等級。見5.1節(jié)。Mfr.Name：器件廠家?？捎猛暾⑽幕蛘哂⑽目s寫或者漢語拼音。PartNumber：廠家完整型號。如果包含非法字符，須刪除或者用下劃線替代。Length：器件長度。取典型值，若無典型值則取平均值，若僅有一個值，則取該值。O1齧賈swzg備qsSms、sgumtlei寸專區(qū)呂-.、IsSI-s齬

7、Ih&iRn二shoe。檢屁gg一Rr二suumlou一遐日如包呱檢旨。呱檢1Rr二Bo啟巴。輕硼S岳LBJ辜爲(wèi)-K帑fl-M#:粘glRnaA衆(zhòng)。cxlss二suedsp竊已迪硼S岳LBJ辜爲(wèi)二、帑fl-M#:粘glRnaA衆(zhòng)O-B-二口usp竊已迪硼S岳、WLI1J戲S甕lRn蛍ELBJ鑒二usp竊已。輕硼S岳畫APO巴。聚二SSQU32qHAPo巴。4岳。啊址聚二呂常工Apo巴。輕硼S岳own二qEAUP。巴。輕硼S岳own二總u占Ap。巴迪-K岳。型mglRn#:粘聚昭二衛(wèi)善EGP竊已迪硼舊LBJ黛iRn杲ffi二1一迪硼S岳二呂Edsp竊已。-K醫(yī)。超聶二倉H一魯舊二1命名格式:c4

8、0s6mil正方形圓形：rl20_60sl5mm長方形/橢圓形：說明：焊盤形狀。r表示矩形（rectangle）；c表示圓形（circle）；s表示方形（square）；b表示橢圓形（oblong）W:焊盤的長度（長邊）。H:焊盤的寬度（短邊）s:固定字符，表示阻焊（soldermask）。阻焊增量。阻焊長度（寬度）減去焊盤長度（寬度）的尺寸。創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm（公制）和mil（英制）兩種。4.1.2D形表貼焊盤例：W=1.2mm，H=0.6mm命名格式：dl20_60sl5mm說明：d表示焊盤形狀為D形。W:焊盤的長度（長邊）。H:焊盤的寬度（短邊）s:固定字符，表示阻焊（sol

9、dermask）。阻焊增量。阻焊長度（寬度）減去焊盤長度（寬度）的尺寸。創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm（公制）和mil（英制）兩種。4.1.3非標(biāo)準(zhǔn)表貼焊盤非標(biāo)準(zhǔn)表貼焊盤是指不能直接制作，只能用shape組成的除標(biāo)準(zhǔn)焊盤和D形焊盤外的其它任意形狀焊盤。例如：命名格式：smd_Pack.Name_Number其中Pack.Name為這個焊盤適用的圭寸裝名Number為數(shù)字，如果此封裝只包含一個非標(biāo)準(zhǔn)焊盤，那么Number可忽略，如果封裝包含兩個非標(biāo)準(zhǔn)焊盤，那么Number就分別表示1和2，以此類推。例如：封裝sot230p700 x180-4nmm包含兩個非標(biāo)準(zhǔn)焊盤，那么這兩個焊盤名分別為smd

10、_sot230p700 x180-4nmm_1和smd_sot230p700 x180-4nmm_2。4.2通孔焊盤命名規(guī)范EDA軟件能創(chuàng)建的通孔焊盤，其通孔部分的形狀包含圓形、矩形和橢圓形，焊接部分的焊形狀有圓形、矩形、橢圓形、正方形、八邊形。4.2.1圓形/方形焊盤命名例：H=1.6mm，D=1mm命名格式：帶自定義flash的金屬孔：tcl60cl00pl70_140_25sl5mu:寸超:?tc：:D應(yīng)21U1：Q不帶自定義flash的金屬孔：tcl60cl00psl5nim；：）3任（bCiiHi心i2i非金屬孔：tc90c100nsOmni說明：t:固定字符，表示通孔焊盤（thro

11、ugh）。焊盤的形狀，c為圓形（circle）,s為方形（square）。焊盤的邊長。表示鉆孔形狀，c為圓形（circle），s為方形（square）。鉆孔直徑。鉆孔類型。p表示鉆孔內(nèi)壁上錫（plated），為金屬孔；n為非金屬孔（non-plated）。花焊盤（thermalrelief）的外徑?；ê副P（thermalrelief）的內(nèi)徑?；ê副P的輻寬。（10）s:固定字符，表示阻焊（soldermask）。（11）阻焊增量。阻焊長度（寬度）減去焊盤長度（寬度）的尺寸。（12）創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm（公制）和mil（英制）兩種。4.2.2橢圓形/矩形焊盤命名例：Wl=2.2mm,W2

12、=1.2mm,Hl=1.6mm,H2=0.6mm命名格式：帶自定義flash的金屬孔：tb2_lbl60_60p230_200_35sl5mm(5不帶自定義flash的金屬孔：tb220120bl60_60psi5mm非金屬孔：tbl50_50bl60_60nsOmni說明：t:固定字符，表示通孔焊盤(through)。焊盤的形狀，b為橢圓形(oblong),r為矩形(rectangle)。焊盤的長度。焊盤的寬度。表示鉆孔形狀，b為橢圓形(oblong)，r為矩形(rectangle)。鉆孔的長度。鉆孔的寬度。鉆孔類型。p表示鉆孔內(nèi)壁上錫(plated)，為金屬孔；n為非金屬孔(non-pla

13、ted)?；ê副P(thermalrelief)的外圈長度。(花焊盤(thermalrelief)的內(nèi)圈長度?；ê副P的輻寬。s:固定字符，表示阻焊(soldermask)。阻焊增量。阻焊長度(寬度)減去焊盤長度(寬度)的尺寸。創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制)和mil(英制)兩種。4.3化焊盤命名例：D=1.3mm,d=1mm,w=0.2mm,b=90,H1=1.6mm,H2=1mm,Wl=1.9mm,W2=1.3mm命名格式：矩形/橢圓形花焊盤：fl90_130 xl60_100b3C_90mm方形/圓形花焊盤：fl30_100c20_90mtn說明：f:固定字母，代表花焊盤（flash）

14、?；ê副P外圈長度。花焊盤外圈寬度。x:分隔符號?；ê副P內(nèi)圈長度?；ê副P內(nèi)圈寬度?；ê副P形狀。C表示圓形（circle），b表示橢圓形（oblong），s表示方形（square），r表示矩形（rectangle）。花焊盤的輻寬?；ê副P開口方向與水平線的夾角（銳角）。（命名的單位。4.4Shape命名要制作特殊形狀的焊盤需要事先在軟件中制作焊盤的形狀hape，下面是特殊形狀焊盤的例子，如鍵盤按鍵的焊盤、SON封裝的散熱焊盤等。（0）111011J-LTL1111SON111110PIN11ii11H-TL-r11命名格式:sh_Pack.Name_Number說明：sh:固定字符，表示特殊形狀焊盤

15、（shape）。Pack.Name表示此shape適用的圭寸裝名。Number是數(shù)字后綴。如果圭寸裝只包含一個shape，那么Number可忽略如果圭寸裝有兩個shape，Number分別是1和2，以此類推。例如：圭寸裝sot230p700 xl80-4nmm包含兩個非標(biāo)準(zhǔn)焊盤，每個非標(biāo)準(zhǔn)焊盤對應(yīng)的shape分別是sh_sot230p700 xl80-4nmm_l和sh_sot230p700 x180-4nmm_2。5PCB封裝命名5.1封裝命名要求由于PCB分為高密度板，中等密度板，低密度板，因此制作的封裝也分高中低三個等級。M（A）低密度（most）。后綴M（A）表示低密度封裝，封裝尺寸較

16、大。N（B）中等密度（nominal）。后綴N（B）表示中等密度封裝，封裝尺寸適中。L（C）高密度（least）。后綴L（C）表示高密度封裝，封裝尺寸較小。表貼封裝使用M，N，L；插件封裝使用A,B,C。例如：SOIC127P1041X419_8NMM，DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。某些器件，尺寸的典型值完全一樣，但偏差不一樣。例如Pin的SOIC封裝，對于引腳跨距，有些廠家是60.1，有些廠家是60.2。對于這種情況，需要在封裝名稱最后加上數(shù)字1,2,3,4來區(qū)分。例如：SOIC127P1041X419_8N_1NMM。有些器件尺寸完全一樣，但引腳排列順序相反

17、，如下圖：這種情況需要在封裝名稱后面加字童R區(qū)分。例如上圖右邊的引腳排序與常規(guī)的逆時針排序相反，那么它的命名就是：PLCC127P990X990X457_20RNMM。某些datasheet上的器件引腳最大編號大于引腳總數(shù)，如下圖：rmrm引腳最大編號14，但實際引腳數(shù)是4。對于這種情況，命名中需要先體現(xiàn)出實際引腳數(shù)，然后列出引腳最大編號。例如：DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。某些器件實際引腳數(shù)大于datasheet上的引腳編號，如下圖：O00000000O0000OO)0000OO500000O0000HGFEDCBA有編號的引腳數(shù)是48個，而實際引腳數(shù)是56

18、個。此時命名也需要體現(xiàn)出兩者的數(shù)值。例如：BGA48C75P6X8_800X1200X120_56_48NMM。不同廠家的晶體管和場效應(yīng)管，三個極的位置可能排列不一樣，如下圖：命名時，可在封裝名后面加Jpinnumber1,2,3所對應(yīng)的極。例如1,2,3對應(yīng)的極是B,C,E，那么封裝名稱就是SOT95P237X117_BCE_3NMM。RESCAFRESCAVRESCAXSRESCAXERESCANRESCAF5.2電阻類命名5.2.1表貼電阻表貼電阻常見類型：片狀電阻Resistorchip(RESC),模制電阻Resistormolded(RESM),柱狀電阻ResistorMelf(R

19、ESMELF)。命名格式：片狀電阻：resc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)模制電阻：resmBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)柱狀電阻：resmelfBodyLengthxBodyDiameterLevelmm(mil)例如：resc_e2010_500 x250 x65x60nmm表示片狀電阻通用尺寸是英制的2010，實際長寬高分別是5mm、2.5mm、0.65mm，弓I腳長度是0.6mm。resmelf260 x76nmm表示圓柱形電阻長度和直徑分別是2.6mm和0

20、.76mm。說明：eType中的e表示EIA(采用英制單位),Type表示片狀電阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等，下面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.2mm。res(resistor)后面的c表示片狀(chip),m表示模制(molded),melf(MetalElectricalFace)表

21、示圓柱。5.2.2表貼排阻貼片排阻有下列幾種類型：命名格式：弓I腳凹陷的排阻:；叭BodyLength.1rescavPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)弓I腳凸出并且引腳尺寸都一樣的排阻：rescaxePitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)引I腳凸出并且同一側(cè)引腳尺寸不一樣的排阻：rescaxsPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)弓I腳平滑的排阻：rescafPitchpBodyLengthx

22、BodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)例如：rescav50pl60 xl00 x55_8nmm表示引腳凹陷的排阻相鄰引腳間距是0.5mm，長寬高分別是1.6mm、1mm和0.55mm，引腳總數(shù)是8，以公制為單位制作的中等密度封裝。弓I腳在側(cè)面而非底部的排阻命名：rescav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaxe_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaxs_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaf_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mi

23、l)說明：res(resistor)后面的cav表示引腳凹陷的片狀陣列(ChipArray,Concave),caxe表示引腳凸出并且引腳尺寸都一樣的片狀陣列(ChipArray,Convex,EvenPinSize),caxs表示引腳凸出并且同一側(cè)引腳尺寸不一樣的片狀陣列(ChipArray,Convex,SidePinsDiff),caf表示引腳平滑的片狀陣列(Chip,Array,Flat)。5.2.3軸向電阻LeadWidthLeadBodyLength插裝軸向電阻(橫向安裝)：resadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameter

24、Levelmm(mil)；丄剖業(yè)IDeadSpacingHegbt插裝軸向電阻(縱向安裝)：resadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)；例如：RESADH0800W0052L0600D0150BMM表示軸向電阻水平安裝，引腳間距8mm，引腳直徑0.52mm,電阻長度6mm,電阻直徑1.5mm,封裝采用公制按照中等密度制作。說明:res(resistor)后面的adh表示軸向水平安裝(AxialDiameterHorizontalMounting)，adv表示軸向垂直安裝(AxialDiameterVert

25、icalMounting)。5.2.4非標(biāo)準(zhǔn)電阻非標(biāo)準(zhǔn)電阻是指上述電阻以外的電阻類型，例如封裝為橢圓形，矩形等。命名格式：res_Mfr.NamePartNumberLevelmm(mil)；例如：res_zenithsun_sqp5w100jnmmS示廠家zenithsun生產(chǎn)的型號為sqp5w100j的水泥電阻圭寸裝以公制為單位制作的中等密度封裝。5.3電位器命名命名格式:pot_Mfr.NamePartNumberLevelmm(mil)；例如：pot_bourns_pda241srt01504a2nmr表示電位器廠家是Bourns，型號是pda241srt01504a2，封裝以公制為單

26、位，中等密度封裝。說明：pot(potentiometer)指電位器、電位計、可變電阻器。5.4電容器命名5.4.1表貼電容命名格式：無極性片狀電容：capc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)有極性片狀電容：capcp_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)線繞矩形片狀電容capcwBodyLengtxDiameteLevemm(mil)模制有極性電容：capmpBodyLengtxBodyWidthxHeighLevemm(mil)模制無極性電

27、容capmBodyLengtxBodyWidthxHeighLevemm(mil)表貼鋁電解電容capaeBodySizexHeighLevemm(mil)說明：eType中的e表示EIA(采用英制單位),Type表示片狀電阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等，下面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.

28、2mm。cap(capacitor)后面的c表示片狀(chip)，p表示有極性(polarized)，cwr表示片狀矩形(WireRectangle)，m表示模制(molded)，mp表示模制有極性(Molded,Polarized),ae(AluminumElectrolytic)表示鋁電解。5.4.2表貼電容陣列命名格式:引腳凹陷的電容陣列：capcavPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)引腳平滑的電容陣列:capcafPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)

29、引腳凸出的電容陣列：capcaxPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)例如：capcav50pl60 xl00 x55_8nmm表示引腳凹陷的電容陣列相鄰引腳間距是5mm,長寬高分另0是1.6mm、1mm和0.55mm，引腳總數(shù)是8，以公制為單位制作的中等密度封裝。弓I腳在側(cè)面而非底部的電容陣列：capcav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)capcaf_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)capcax_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)說明:c

30、ap(capacitor)后面的cav表示引腳凹陷的片狀陣列ChipArray,Concave),caf表示引腳平滑的片狀陣列(Chip,Array,Flat)。cax表示引腳凸出的片狀陣列(ChipArray,Convex)。5.4.3插裝電容命名格式:無極性軸向圓柱形電容（橫向安裝）：BodyLengthLeadLeadDiameter-aBodyC）iametercapadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)無極性軸向圓柱形電容（縱向安裝）：BodvDiameterL血D方me館rLeadSpacing

31、貿(mào)心1ApogcapadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)有極性軸向圓柱形電容(橫向安裝)：cappadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)無極性軸向矩形電容(橫向安裝)：caparhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)無極性軸向矩形電容(縱向安裝)：caparvLeadSpacingwLeadDiameterlBo

32、dyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)有極性軸向矩形電容(橫向安裝)：capparhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)無極性徑向圓柱形電容：軒0|特DL&adDiameterYLeadSpacinfjcaprdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiameterhBodyHeightLevelmm(mil)；有極性徑向圓柱形電容：capprdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiamete

33、rhBodyHeightLevelmm(mil)；無極性徑向矩形電容：Bodythtknss-.LcacfDiameterBodyLengtficaprrLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)無極性徑向圓形電容：DiskButtonBodytntknessDiskwithoffsetleadscaprbLeadSpacingwLeadDiameterlBodyDiametertBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)；例如：capadh800w521600d

34、l50bmm表示橫向安裝的無極性軸向圓柱形電容引腳間距是8mm,引腳直徑是0.52mm，封裝體長度6mm，封裝體直徑是1.5mm，以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：cap(capacitor)后面的adh表示軸向水平安裝(AxialDiameterHorizontalMounting)，adv表示軸向垂直安裝(AxialDiameterVerticalMounting，padh表示有極性軸向水平安裝(PolarizedAxialDiameterVerticalMounting)，arh表示軸向矩形的水平安裝(AxialRectangularHorizontalMounting)，arv表示

35、軸向矩形的垂直安裝(AxialRectangularVerticalMounting)，parh表示有極性軸向矩形的水平安裝(PolarizedAxialRectangularHorizontalMounting),rd表示徑向圓柱形(RadialDiameter),prd表示有極性的徑向圓柱形(PolarizedRadialDiameter),rr表示徑向矩形(RadialRectangular),rb表示徑向圓形(RadialDiskButton)。5.4.4非標(biāo)準(zhǔn)電容命名格式：可變電容(Capacitors,Variable)：capv_Mfr.NamdPartNumbeiLevelmm

36、(mil)其它電容(Capacitors,Miscellaneous)：cap_Mfr.NamdPartNumbeiLevelmm(mil)例如：capv_best_jml06-30pfbmm表示best公司生產(chǎn)的型號為jml06-30pf的可調(diào)電容，以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：cap(capacitor)指電容，本規(guī)范沒有描述的電容類型都屬于“其它電容”。5.5電感器命名5.5.1表貼電感命名格式：片狀電感：Heightindc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)模制電感：EiadyLwnq出indmBod

37、yLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)繞線電感：EodyLigngthindpwBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)有極性電感：indpBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如：indc_e2010_500 x250 x65x60nmm表示片狀電感通用尺寸是英制的2010，實際長寬高分別是5mm2.5mm0.65mm,引腳長度是0.6mm,按中等密度圭寸裝制作。說明：eType中的e表示EIA(采用英制單位),Type表示片狀電阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等，

38、下面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.2mm。ind(inductor)后面的c表示片狀(chip),m表示模制(Molded),pw表示精密繞線(PrecisionWire)，p表示有極性(Polarized)。5.5.2插裝電感命名格式：軸向電感(橫向安裝)：indadhLeadSpacingwLeadDi

39、ametelBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)軸向電感(縱向安裝)：indadvLeadSpacingwLeadDiametelBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)徑向電感：indrdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiametehBodyHeighLevelmm(mil)例如：indadh800w521600d150bmm表示橫向安裝的軸向電感引腳間距是8mm，引腳直徑是0.52mm，封裝體長度6mm，封裝體直徑是1.5mm,以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：電感ind(inductor)后面

40、的adh表示軸向水平安裝(AxialDiameterHorizontalMounting)，adv表示軸向垂直安裝(AxialDiameterVerticalMounting)。5.5.3非標(biāo)準(zhǔn)電感命名格式：電感ind_Mfr.Nam_PartNumberLevemm(mil)說明：ind(inductor)指電感。本規(guī)范沒有描述的電感類型都屬于非標(biāo)準(zhǔn)電感。5.5.4片狀電感陣列命名格式：片狀電感陣列(平面)indcafpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQtyLevemm(mil)片狀電感陣列(凹面)indcavpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQt

41、yLevemm(mil)引腳在側(cè)面而非底部的非標(biāo)準(zhǔn)電感陣列：片狀電感陣列(平面)：indca匚Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)片狀電感陣列(凹面)：indcav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)說明：ind后面的cav表示引腳凹陷的片狀陣列(ChipArray,Concave),caf表示引腳平滑的片狀陣列(Chip,Array,Flat)。5.6磁珠命名5.6.1表貼磁珠命名格式：片狀磁珠：fbLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)說明：fb表示磁珠(Ferritebead)。5.6.2插裝磁珠命名格式：軸向

42、磁珠(橫向安裝)：fbadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)軸向磁珠(縱向安裝)：fbadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)徑向磁珠：fbrdLeadSpacingwLeadDiametedBodyDiameterhBodyHeighLevelmm(mil)說明：磁珠fb(Ferritebead)后面的adh表示軸向水平安裝(AxialDiameterHorizontalMounting)，adv表示軸向垂直安裝(Axi

43、alDiameterVerticalMounting)。5.6.3非標(biāo)準(zhǔn)磁珠命名格式：fb_PartNumberLevelmm(mil)說明：fb(Ferritebead)表示磁珠。5.7極管命名5.7.1表貼二極管Hc.ghtL世聞咁1命名格式:片狀二極管：diocBodyLengthxBodyWidtxHeightLevelmm(mil)模制二極管：diomBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)圓柱體二極管：diomelfBodyLengthxBodyDiameterLevelmm(mil)兩端凹面二極管：dioscBodyLengthxBodyWi

44、dthxHeightLevelmm(mil)8斶LengthLeadScanNominalSOD二極管：sodLeadSpanxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)扁平引腳SOD二極管：sodflLeadSpanxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如：diom430 x360 x265nmm表示模制二極管長寬高分別是4.3mm、3.6mm和2.65mm，以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：二極管dio（diode）后面的c表示片狀（chip）,m表示模制（molded）,melf（MetalElectricalFace）表示圓柱。命名格式：軸向二極

45、管（橫向安裝）：dioadhLeadSpacingwLeadWidthlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)劉怡口燈widlhU/VS孫丸厘峯土峯s剌習(xí)尋場土峯(pjsXiQpuiajxa)pjx:旳映笫障旨爲(wèi)翕出陽#畔囚由M畔啓冶uraig口坐UIUI99P、mmg(ni者碣B晝幽耳沏習(xí)丸峯嘲電乙土峯mmuonxetzxgoiispnx：皿砂(nui)mrnTaAaqjgquinN叫廠帥唄咖廠呼器郢鼬憎致?lián)膬兹?pui)uraieA町川備whx仰pgXpoaxqjuaqXpogpjx:器郢黙列習(xí)嘲電乙慕雪ippd(pui)uiuieA0q心。mj-jqSpH

46、xqjpjMXpoaxqjuaqXpogspjx:器郢黙列習(xí)嘲電纟丸峯(I凹)皿皿2a町川備whxqjpjMXpoaxqjuaqXpogspjx:器郢黒剌習(xí)嘲電乙丸峯UEdSPE3|H輕Iji&jiTpogE0牙wlglg牙膽器郢黒剌習(xí)89(nui)uiuijaAaqigquinld_auiBijpv_ojp:(snoguBngosTpsapoiQ)易謝二乞茸:禺珂刪二致劇SZ-9upunopvpopjaAigpuiBiapixy)孫崙阜垂回晦土峯Ape(SupunopvPJuozuohispuiBicipixy)孫崙圭*回晦土峯HP邛日厘曰(apojP)。甲易謝二:旳飲(nui)uiuipA

47、aqigpuiBTQXpoqpqjuaqXpoqHlpJMp9TMupBdspBaqApBOip:(慕崙回)易謝二回晦5.9命名格式:晶體振蕩器命名兩邊凹陷型晶體振蕩器OscscpitchpLengthxWidthxHeigh卜PinQtyLevemm(mil)四角凹陷型晶體振蕩器：oscccLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)兩邊平面型晶體振蕩器：oscsfpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQtyLevemm(mil)四角平面型晶體振蕩器：osccfLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)J型引腳晶體振蕩器：oscjpit

48、chpLengthxWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)L型引腳晶體振蕩器：osclpitchpLengthxWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)插裝晶體振蕩器：oscLeadSpacingwLeadDiameterpPitchlBodyLengthhBodyHeigh-PinQtyLevelmm(mil)其它非標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器Osc_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)例如：osccc320 x250 xl30nmm表示四角凹陷型晶振的長寬高分別是3.2mm、2.5mm和1.3mm，以公制為單位制作的中等密度封裝。說

49、明:osc(Oscillator)表示晶體振蕩器sc(sideconcave)表示兩側(cè)面凹陷，c(cornerconcave)表示四角凹陷，sf(sideflat)表示側(cè)面水平，cf(cornerflat)表示四角無凹陷。5.10熔斷器命名命名格式:表貼模制熔斷器：fusmBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)插裝熔斷器:fuse_PartNumberLevelmm(mil)說明：fuse表示熔斷器、保險絲，fusm前面的fus表示fuse，m表示模制(molded)。5.11發(fā)光二極管命名命名格式:表貼模制發(fā)光二極管：ledmBodyLengthxBo

50、dyWidthxHeightLevelmm(mil)表貼2弓I腳側(cè)面凹陷型發(fā)光二極管:ledscBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)表貼4弓I腳側(cè)面凹陷型發(fā)光二極管：ledscPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)插裝發(fā)光二極管led_PartNumberLevelmm(mil)其它非標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光二極管:led_PartNumberLevelmm(mil)說明：led指發(fā)光二極管，后面的m表示模制(molded)，sc(sideconcave)表示側(cè)面凹陷。5.12BGA封裝命

51、名HeightBodyLengthPitch命名格式:般BGA封裝：bgaPinQtyc/nPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)行列引腳間距不同的BGA封裝：bgaPinQtyc/nColPitchxRowPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)錯開排列引腳的BGA封裝：bgasPinQtyc/nPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如：bgall3c50 x5

52、0pl2xl2_700 x700 xl00nmm表示一般的BGA封裝引腳數(shù)是113，行列的引腳間距都是0.5mm，有12行12列，長寬高分別是7mm，7mm，lmm，采用公制單位制作的中等密度封裝。說明：BGA(BallGridArray表示球形柵格陣列BGAS中的s表示錯列Staggered；/n表示collapsing/non-collapsing,c對應(yīng)的焊盤比引腳球要小焊接時引腳球塌陷包圍住焊盤要求阻焊比焊盤尺寸大，而n對應(yīng)的焊盤比引腳球要大，焊接時引腳球不塌陷，要求阻焊尺寸跟焊盤一致。5.13CGA封裝命名HeightEJodyLenqthPitchBody命名格式：CGA封裝(圓形

53、引腳)：cgaPinQtycPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)CGA封裝(方形引腳)：cgaPinQtysPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如：cga717cl27p27x27_3300 x3300 x560nmm表示CGA封裝引腳總數(shù)是717，引腳間距是1.27mm,行列數(shù)都是27，長寬高分別是33mm，33mm，5.6mm，采用公制單位制作的中等密度封裝。說明：CGA(ColumnGridArray)表示表貼的圓柱柵格陣列，與

54、BGA類似，只是引腳不是焊接球而是焊接柱。5.14LGA封裝命名HeiahtBodyLengthPitch命名格式：LGA封裝(圓形引腳)：cgaPinQtycPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)LGA封裝(方形引腳)：cgaPinQtysPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)LGA封裝(矩形引腳)：cgaPinQtyrPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)說明

55、：LGA(LandGridArray)為岸面柵格陣列，引腳是觸點而不是插針。c表示Circular，s表示Square,r表示Rectangle。5.15PGA封裝命名BodyLengthHeiqht$e$&$9$WidthPitch命名格式:PGA策-pga(PinQty)p(piHh二Columns)x(Rows)wodyLength)x(BodyWidth)x(Heigh二(Level)mm(mil)gs-PGA(PinGridArray)訓(xùn)|商尊2質(zhì)s5=。ILLL1:rirr11nLJuedcp塾町CFPisjffi-cfp(piHh)p(LeadspansHeights丄Pi侖宮-

56、Cfpl27p54oxlo22onmm訓(xùn)WCFP曲jffis戰(zhàn)ssg畫屆砌1.27mm二trm砌5.4mm、馴汁測a砌lo2mm、巴s-a磐砌20、gs-CFP(CeramicFlat:packages)ffiBap-fiis。PilchDIP儲熬BodyLengthB0CI.I*Wd宇-L&adslaniNbminIK-部前質(zhì)n-訓(xùn)=JnTDIPis-dip(pirch)p(LeadspansHeigh二丄PinQty二Level)mm(mil)dip(Leadspacing)w(LeadWidth)p(piHh三BodyLength?(Heights丄PinQty二Level)mm(mil

57、)B酚DIP曲牌-cdip(Leadspacing)w(LeadWidth)p(pirch三BodyLength)h(Heigh二丄PinQty二Leve二mm(mil)書養(yǎng)DIP1-dipc(Leadspacing)w(LeadWidth)p(pirch三BodyLength)h(Heigh二丄PinQty二Leve二mm(mil)jrinPitch.叫.0O00BodyWdlhDIP插座：dipsLeadSpacingwLeadWidthpPitchlBodyLengthhHeight-PinQtyLevelmm(mil)說明：dip（DualIn-linePackage）表示雙列直插圭寸

58、裝，cdip中的c表示陶瓷（Ceramic）,dipc中的c表示腔體（Cavity）,dips中的s表示插座（Sockets）。5.18DFN封裝命名命名格式：DFN封裝：dfnBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)說明：DFN（DualFlatNo-lead）指雙列扁平無引腳伸出的封裝。5.19QFN封裝命名PitchBodyL皂門命名格式:QFN封裝：qfnPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)引腳縮回型QFN封裝:pqfnPitchpBodyLengthxBodyWid

59、thxHeight-PinQtyLevelmm(mil)說明：QFN(QuadFlatNo-lead)表示四周扁平無引腳伸出圭寸裝,pqfn中的p表示引腳縮回(Pull-back),引腳離封裝體邊沿有一定距離。5.20J型引腳LCC封裝命名命名格式：PLCC封裝：呂LoadSpNHLIplccPitchpLeadSpanLlxLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)PLCC貼片式插座：plccsPitchpLeadSpanL1xLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)CLCC封裝：clccPitchpLeadSpanL1xLead

60、SpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)JLCC封裝：jlccPitchpLeadSpanL1xLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)說明:PLCC(PlasticLeadedChipCarriers)為帶引線的塑料芯片載體,plccs中的s表示插座(Sockets)CLCC(ceramicleadedchipcarrier)為帶J形引腳的陶瓷芯片載體。JLCC(J-leadedchipcarrier)是指帶窗口的CLCC。5.21無引腳LCC封裝命名BodyLenqthrn二imuuuT&3命名格式：LCC封裝：lccPitchpBo