1、Revision: 0Page: 40/103TCD 7048V 電源故障檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含義 說 明 解決措施1) 確認(rèn)DC48V 保險(xiǎn)絲 LED(LED3.LED4) in DOP-100 PCB 的燈亮.2) 如果以上燈全滅,檢查保險(xiǎn)絲(FS3, FS4). 如果損壞,更換額定保險(xiǎn)絲(250V/3A).3) 如果以上沒有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤, 確認(rèn) DOP-100P PCB 板PB連接器的第1,9和12腳的電壓為AC 37V 10%.4) 確認(rèn) DOC-100 PCB 的AB-10 腳 和 F.G間的電壓為 DC48V 10% . V48_Down_10sec_C

2、ount = 0 x0ATCD 700 x48106如果 IALM(紅色) LED 和 P.F(紅) LED 在DOC-1XX中閃動(dòng) , 此操作不能進(jìn)行. 電壓正常時(shí)波動(dòng)圖像 Voltage : DC48V10% Voltage : DC32V10% 電壓異常時(shí)波動(dòng)圖像 注意) 以上電壓是用數(shù)字電壓表測(cè)量的DC值.下面左圖表示DC 48V正常功率, 右圖表示缺相后的波動(dòng).當(dāng)檢測(cè)出電源波動(dòng)為35V或更低時(shí), 缺相檢測(cè)電路DOC-1XX燈亮. 如果檢測(cè)出波動(dòng)30msec, 會(huì)出現(xiàn)TCD70.此方法可以檢測(cè)出電梯三相輸入電源中的任何缺相的可能.此結(jié)果可以通過檢查控制回路輸出三相AC37V電壓(DC

3、48V)來實(shí)現(xiàn).Revision: 0Page: 41/103檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含 義 說 明 解決措施TCD 71電壓降低檢測(cè) 如果電壓下降持續(xù)為額定85%以下 90 msec, 將出現(xiàn)此故障.通過使用三相控制回路電源AC37V來確認(rèn)檢測(cè).當(dāng)輸入電源(3 相) 下降到其 85% 或更低,時(shí)產(chǎn)生故障.1. 有特殊的解決方法. 檢查來自建筑物處的電源.2. 參考 TCD70的解決措施.TCD 71CoilSW_SS_48V_UNDER_85P0 x923Funder_85p_count+1under_85p_count 2Revision: 0Page: 42/

4、103檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含 義 說 明 解決措施TCD 74運(yùn)行規(guī)格數(shù)據(jù)故障當(dāng)EEPROM 規(guī)格數(shù)據(jù)在可控制范圍內(nèi)時(shí),在運(yùn)行CPU中發(fā)現(xiàn)規(guī)格數(shù)據(jù)錯(cuò)誤.當(dāng)EEPROM規(guī)格數(shù)據(jù)設(shè)定有誤時(shí)出現(xiàn)此故障. 1. 當(dāng)設(shè)定數(shù)據(jù)不是渦輪渦桿型齒輪與斜齒輪的數(shù)據(jù).2. 關(guān)于齒輪類型, 曳引機(jī)的設(shè)定數(shù)據(jù)不在要求范圍之內(nèi).3. 當(dāng)編碼器設(shè)置的值不是 72, 512, 1024.4. 當(dāng)額定速度的值超過范圍.5. 當(dāng)IGBT的容量超出范圍.6. 當(dāng) H.CT 圈數(shù)值超出范圍.7. 當(dāng)電動(dòng)機(jī)容量值超出范圍.8. 當(dāng)服務(wù)層站數(shù)與規(guī)格不同.9. 當(dāng)遮磁板的數(shù)與規(guī)格不同.檢查并更正規(guī)格ROM

5、內(nèi)數(shù)據(jù)(EEPROM- 28C64).在規(guī)格列表中查找地址, 通過顯示器(ANN)輸入A31E來檢查規(guī)格地址.更正EEPROM規(guī)格地址的值并重新啟動(dòng).1. 減速機(jī)類型 (地址: 0106 H)2. TR M/C 類型 (地址: 0108H)3. 旋轉(zhuǎn)編碼器型號(hào) (地址: 010EH)4. 速度 (地址: 0104H)5. IGBT 容量 (地址: 010AH)6. H.CT 圈數(shù) (地址: 010CH)7. 電動(dòng)機(jī)容量 (地址: 0102H) 8. 服務(wù)層站 (地址: 038CH04CAH)9. 遮磁板數(shù) (地址: 0300H)參 照 數(shù)據(jù)故障可以通過A42E(故障掃描模式)進(jìn)行檢查.如果數(shù)據(jù)

6、的二進(jìn)制為1, 設(shè)定二進(jìn)制的規(guī)格數(shù)據(jù)為1的即為導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生原因.Revision: 0Page: 43/103檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含 義 說 明 解決措施TCD 76EEPROM寫故障此錯(cuò)誤說明在EEPROM內(nèi)寫規(guī)格數(shù)據(jù)時(shí)沒有書寫正確.當(dāng)從EEPROM相同地址書寫數(shù)據(jù)與讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)不同的值時(shí)且超過100次以上時(shí)發(fā)生.1. 確認(rèn)DOC-1XX的 開關(guān)SW2 是否置于 “WE” 一側(cè).2. 確認(rèn)是否將EEPROM 恰當(dāng)?shù)夭迦氲?DOC-1XX內(nèi).3. 檢查 EEPROM. ( 28C64-xxPC: xx 應(yīng)低于 15 )4. 更換 SPEC ROM.Revisio

7、n: 0Page: 44/103檢 測(cè) 運(yùn)行CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含義 說 明 解決措施TCD 77EEPROM 讀取錯(cuò)誤當(dāng)自EEPROM相同地址讀取數(shù)據(jù)連續(xù)4次不同時(shí)發(fā)生.當(dāng)自EEPROM讀取數(shù)據(jù)時(shí),自相同地址得到4次不同值時(shí)表明出現(xiàn)此錯(cuò)誤.1檢查 EEPROM. ( 28C64-xxPC: xx 應(yīng)低于 15)2. 確認(rèn) EEPROM 正確插入到 DOC-1XX板.3. 更換 SPEC ROM.Revision: 0Page: 45/103 檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含 義 說 明 解決措施 TCD 78樓層高度測(cè)量尺寸表 總和值錯(cuò)誤EEPROM

8、樓層高度尺寸表錯(cuò)誤自EEPROM 1A00H地址開始,每層樓高度值自測(cè)量后被記錄.在EEPROM的1B10H ,每個(gè)樓的樓層總高被記錄. 即使只有以下三種情況中的一種發(fā)生,也將發(fā)生此故障.把每層的高度加在一起得到的總和值存儲(chǔ)在EEPROM(1A00H)地址內(nèi),與EEPROM中存儲(chǔ)的樓層高度總和數(shù)據(jù)值不相配. 2. 當(dāng)EEPROM中層高合計(jì)值為0時(shí).3. 當(dāng)EEPROM層高表中最低層的層高不是最低層高值(150000).1. EEPROM 地址 (輸入 ANN A31E后) 層高開始的地址: 1A00H 層高總和值 : 察看 1B10H.2. 重新測(cè)量層高3. 測(cè)量后確認(rèn)LCE輸入值與規(guī)格是否一

9、致 . 如果數(shù)值相反, 對(duì)遮磁板進(jìn)行調(diào)整并核對(duì)安裝安裝數(shù)量.4. 層高測(cè)量程序出錯(cuò), 在ANN輸入 A31E , 在下方輸入地址并對(duì)其值進(jìn)行確認(rèn). 地址 ; -總層數(shù) : 0300H (電梯1) 0302H (電梯2) -頂層 : 041CH -底層 : 0420H -服務(wù)層 : 038CH 03CAH(Elevator 1) 03CEH 040CH(Elevator 2)5. 更換 * 怎樣測(cè)量層高1) 在ANN輸入 A12E , 并按 3.2) 如果層高測(cè)量準(zhǔn)確, 按FFFF.3) 如果測(cè)量失敗, 重新進(jìn)行測(cè)量.4) 如果重復(fù)測(cè)量失敗, 確認(rèn)總層數(shù)及EEPROM(28C64)最高層現(xiàn)場(chǎng)值的

10、一致性.1. 伴隨著蜂鳴聲同時(shí)顯示ACD=09,低速低速運(yùn)行返回至最低層.2. 如果存在不停層,在最近層進(jìn)行操作.3. 停止并保持 ACD = 09.故障表現(xiàn)Revision: 0Page: 46/103檢 測(cè) 運(yùn)行 CPU 速度 CPU應(yīng) 用 Si210含義 說 明 解決措施TCD 79NVRAM 內(nèi)層高測(cè)量表總合值錯(cuò)誤測(cè)量層高后, 每層的高度值與合計(jì)值會(huì)被存儲(chǔ)在EEPROM和NVRAM(備份 Ram)內(nèi).在NVRAM0022H的開始的地址;每層的層高都會(huì)被存儲(chǔ), 在EEPROM的1B10H, 每層層高的合計(jì)將被存儲(chǔ).如果以下情況之一發(fā)生,將發(fā)生錯(cuò)誤.1. 當(dāng)存儲(chǔ)在NVRAM(備份 RAM)中各層高表的合計(jì)值與RAM(備份 RAM)中的合計(jì)數(shù)不相配.2. 當(dāng)NVRAM層高合計(jì)值為0.3. 當(dāng)NVRAM中層高表的最低層的層