1、半導(dǎo)體材料行業(yè)深度報(bào)告：受益擴(kuò)產(chǎn)后周期_國(guó)產(chǎn)化仍為行業(yè)主旋律1. 半導(dǎo)體材料：細(xì)分市場(chǎng)分散，進(jìn)口替代空間巨大1.1. 簡(jiǎn)介：半導(dǎo)體支撐性產(chǎn)業(yè)，覆蓋芯片制造全流程半導(dǎo)體材料分為晶圓制造材料和封裝材料。晶圓制造材料可以進(jìn)一步細(xì) 分為硅片及硅基材料、光掩模板、電子氣體、光刻膠、光刻膠輔助材料、 CMP 拋光材料、工藝化學(xué)品、靶材及其他材料。而封裝材料可以進(jìn)一步 細(xì)分為封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié) 材料和其他封裝材料。從制造到封裝，半導(dǎo)體材料覆蓋芯片制造全流程。具體來說，在芯片制 造過程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純?cè)?劑；沉積環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)

2、節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩 模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純?cè)噭?，刻蝕環(huán)節(jié)還會(huì)用到高 純特氣；薄膜生長(zhǎng)環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光 液和拋光墊。在芯片封裝過程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架； 引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán) 節(jié)會(huì)用到錫球。1.2. 市場(chǎng)規(guī)模：細(xì)分市場(chǎng)分散，硅片市場(chǎng)獨(dú)占 35%全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模不斷提升，2008-2012 年增速顯著波動(dòng)后成穩(wěn) 步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，其中晶圓制造材料增速快于封裝材料，占比不斷提升。 根據(jù) SEMI 的最新報(bào)告，2020 年全球半導(dǎo)體材料銷售額為 553 億美元， 相較于 2019 年增

3、長(zhǎng) 4.9%，2012-2021 年 CAGR 達(dá) 3.05%。其中 2020 年 全球晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模約為 349 億美元，較 2019 年增長(zhǎng)約 6.5%， 約占半導(dǎo)體材料整體規(guī)模的 63%，2012-2021 年 CAGR 達(dá) 5.12%，快于 封裝材料市場(chǎng)的發(fā)展。中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升，2018-2019 年增速存在波動(dòng)，其余 均成增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中晶圓制造材料占比維持在 50%左右，與封裝材料發(fā) 展速度持平。根據(jù)上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2020 年中國(guó)半導(dǎo) 體材料銷售額相較于 2019 年增長(zhǎng)12.3%，2018-2021年CAGR達(dá)9.79%。 其中 2020 年國(guó)

4、內(nèi)晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模約為 406 億元，較 2019 年增長(zhǎng) 約 10%，約占半導(dǎo)體材料整體規(guī)模的 52%，2018-2021 年 CAGR 達(dá) 11.14%。中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模增速明顯，在全球市場(chǎng)中占比逐年提升，位居 排名前列，其中中國(guó)臺(tái)灣和大陸合占 40%。半導(dǎo)體材料中國(guó)大陸市場(chǎng)在 全球市場(chǎng)中占比由 2018 年的 16.2%增長(zhǎng)至 2021 年的 19%。根據(jù) SEMI 的最新報(bào)告，2020 年中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 8.2%，達(dá) 到 123.8 億美元，占比 22%，繼續(xù)位居全球第一；中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料 市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 12%，超過韓國(guó)達(dá)到 97.6 億美元，占比

5、18%，躍居 全球第二，兩者合計(jì)占比達(dá) 40%新高。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模不超過 13%。2015 年半導(dǎo) 體材料市場(chǎng)規(guī)模在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模中占比處于高位，在 2016-2017 年遭遇滑坡后，2017 年和 2018 年處于低谷，之后逐年保持穩(wěn)定， 2015-2021 年占比均不超過 13%。半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)分散，規(guī)模偏小，唯獨(dú)硅片占近 35%市場(chǎng)份額，位 居材料之首。硅片占據(jù)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)絕對(duì)主流，占比 35%，其次為電 子氣體占比 13%，光掩模占比 12%，其余光刻膠配套化學(xué)品、拋光材料、 光刻膠、濕法化學(xué)品、濺射靶材等材料占比均小于 10%，規(guī)模偏小。1.3. 市

6、場(chǎng)格局：市場(chǎng)集中度高，各材料國(guó)產(chǎn)化率差距大半導(dǎo)體材料各細(xì)分市場(chǎng)集中度較高。例如硅片市場(chǎng)全球前五大公司的市 場(chǎng)份額達(dá) 87%，光刻膠全球市場(chǎng)前五大公司的市場(chǎng)份額達(dá) 87%，高純?cè)?劑全球市場(chǎng)前六大公司的市場(chǎng)份額達(dá) 80%以上，CMP 材料全球市場(chǎng)前七 大公司市場(chǎng)份額達(dá) 90%。以硅片為例：在硅片市場(chǎng)中，日本信越化學(xué)占比 28%，SUMCO 占比 22%， 德國(guó) Siltronic 占比 11%，中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓占比 15%，韓國(guó) SK 廠商 占比 11%。前五大廠商共占據(jù) 87%的市場(chǎng)份額，細(xì)分市場(chǎng)集中度較高。各半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率差距大。硅片市場(chǎng)規(guī)模最大，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比排名 第二；SOI 國(guó)內(nèi)市

7、場(chǎng)占比排名第四，達(dá) 20.69%；光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比也 達(dá)到 18.99%，但三者國(guó)產(chǎn)化率占比最低，僅約 5%左右?；瘜W(xué)試劑國(guó)內(nèi) 市場(chǎng)占比僅為 19.94%，但國(guó)產(chǎn)化率最高；電子特種氣體國(guó)產(chǎn)份額較大， 占比達(dá) 21.66%，兩者國(guó)產(chǎn)化率均大于 30%。2. 高強(qiáng)度資本開支+深度國(guó)產(chǎn)化為本土材料企業(yè)帶來歷史發(fā)展機(jī)遇2.1. 半導(dǎo)體行業(yè)擴(kuò)容在即，全產(chǎn)業(yè)鏈高度受益全球半導(dǎo)體行業(yè)目前正處于產(chǎn)能緊張價(jià)格上漲的供需矛盾突出時(shí)期。在 疫情影響、中美科技摩擦、全球產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移、5G 需求升級(jí)、新能源汽 車起量、物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起布局等供需兩端多重因素影響下，目前全球半導(dǎo)體 行業(yè)產(chǎn)能緊缺，供需缺口持續(xù)拉大，行業(yè)景氣度有望

8、攀升。在景氣度持 續(xù)性方面，全球晶圓制造最先進(jìn)制程廠商臺(tái)積電法說會(huì)指引產(chǎn)能緊缺狀 態(tài)有望延續(xù)至 2022 年。全球與中國(guó)半導(dǎo)體銷售額逐月創(chuàng)新高，行業(yè)景氣度向上趨勢(shì)延續(xù)。據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2021 年 12 月全球半導(dǎo)體銷售額 508.5 億美元，同比增長(zhǎng) 30%， 連續(xù) 24 個(gè)月同比正增長(zhǎng)，12 月銷售額再次突破前月新高值。12 月中國(guó) 半導(dǎo)體銷售額 171.6 億美元，同比增長(zhǎng) 29%，連續(xù) 25 個(gè)月同比正增長(zhǎng)， 全球占比維持在 34%左右。全球與中國(guó)半導(dǎo)體銷售額同創(chuàng)新高，近幾年 同比增速持續(xù)爬升，增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。展望 2021 年 5G、線上應(yīng)用、汽車 電子、AIoT 仍為行業(yè)主流發(fā)展趨

9、勢(shì)，創(chuàng)新升級(jí)前景可期，行業(yè)景氣度向 上趨勢(shì)有望延續(xù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)漲價(jià)潮來臨，多家海內(nèi)外廠商交貨周期拉長(zhǎng)并調(diào)漲產(chǎn)品價(jià)格。 自 21 年年初至今，半導(dǎo)體從代工廠環(huán)節(jié)開始發(fā)生行業(yè)價(jià)格普漲，代工 廠臺(tái)積電、中芯國(guó)際、力晶，材料端硅片、封裝基板、覆銅板，封測(cè)端 日月光、長(zhǎng)電等廠商或環(huán)節(jié)均有發(fā)生漲價(jià)，累積傳遞至 IC 設(shè)計(jì)端，IC 設(shè)計(jì)廠商芯片交貨周期拉長(zhǎng)、價(jià)格上漲蔓延至產(chǎn)業(yè)鏈下游各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)， 行業(yè)產(chǎn)能持續(xù)緊張，行業(yè)供給壓力預(yù)計(jì)持續(xù)至 2022 年。為緩解全球芯片短缺問題，并應(yīng)對(duì)自動(dòng)駕駛、AI、高效能計(jì)算以及 5G 通訊等中長(zhǎng)期的強(qiáng)勁需求，龍頭代工廠開啟新一輪高強(qiáng)度資本開支。一 方面由于行業(yè)產(chǎn)能供需矛盾突

10、出，另一方面汽車電子、AIoT 等新興賽道 強(qiáng)勢(shì)崛起，全球代工龍頭臺(tái)積電開啟十年周期級(jí)別的新一輪高強(qiáng)度資本 開支。在 2008 年金融危機(jī)前后，臺(tái)積電每年資本開支在 25 億美金左右。 在 2010 年2018 年，臺(tái)積電每年資本開支提升至 60110 億美金水平， 平均約 88.7 億美金，其搶先布局智能手機(jī)賽道，與大客戶攜手突破先進(jìn) 制程迭代，成功打造全球領(lǐng)先的先進(jìn)制程代工廠。在 2019 年2020 年， 臺(tái)積電每年資本開支在約 170 億美金，應(yīng)對(duì) 4G 到 5G 的換代周期。在 2021 年2023 年，臺(tái)積電指引三年 1000 億美金高強(qiáng)度資本開支，其中 2021 年資本開支 30

11、3 億美元，預(yù)計(jì) 2022 年資本開支 400-440 億美元， 半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來下一個(gè)黃金賽道。本土代工龍頭中芯國(guó)際自 2020 年 7 月回歸科創(chuàng)板上市后，迅速提升資 本開支強(qiáng)度支撐本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在中美科技摩擦背景下，中芯國(guó) 際多次公告其對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商采購(gòu)需進(jìn)行審批管制，對(duì)其先進(jìn) 制程研發(fā)以及成熟制程擴(kuò)產(chǎn)帶來一定阻力和不確定性。2.2. 制造環(huán)節(jié)高強(qiáng)度資本開支，材料緊接設(shè)備打開高成長(zhǎng)空 間受益于半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高企，下游晶圓廠、封測(cè)廠資本開支不斷擴(kuò)大， 加速產(chǎn)能擴(kuò)張。2021 年，晶圓廠開始加大資本開支進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。臺(tái)積 電 2021 年資本開支計(jì)劃比 2020 年增加 6

12、6%，達(dá)到 300 億美元的高位。 內(nèi)資產(chǎn)線長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、中芯國(guó)際、無錫華虹均規(guī)劃大幅進(jìn)行產(chǎn) 能擴(kuò)張。下游產(chǎn)能需求擴(kuò)張加速，晶圓廠加大資本開支，代工市場(chǎng)規(guī)模加速增長(zhǎng)。 根據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，2021 年在建工程將增至 160 億美元，同比增長(zhǎng) 31%， 2022年將繼續(xù)以45%的增速擴(kuò)張至238億美元，達(dá)到歷史最高水平。2021 年預(yù)計(jì)全球新增量產(chǎn)工廠建設(shè)項(xiàng)目 19 個(gè)（不包括研發(fā)試點(diǎn)項(xiàng)目），2022 年有近 10 個(gè)。其中，生產(chǎn) 12 英寸晶圓片的工廠將占到新工廠的大部分， 2021 年和 2022 年將分別有 15 家和 7 家工廠開工建設(shè)。剩余的 7 座晶圓 廠計(jì)劃在兩年內(nèi)建成，涵

13、蓋 100mm、150mm 和 200mm。29 個(gè)晶圓廠預(yù) 計(jì)每月可生產(chǎn)多達(dá) 260 萬片晶圓（200mm 當(dāng)量）。2021 年多數(shù)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)完畢，第一輪設(shè)備導(dǎo)入工作基本完成，材料將緊 隨設(shè)備成為下一階段重點(diǎn)需求，打開高成長(zhǎng)空間。2021 年，全球主要半 導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)地區(qū)設(shè)備出貨額屢創(chuàng)新高，同比增速達(dá) 50%。但 7 月份以 來，半導(dǎo)體設(shè)備出貨額有所下降，之后基本保持穩(wěn)定，第一輪晶圓廠設(shè) 備導(dǎo)入工作基本進(jìn)入尾聲，半導(dǎo)體材料將緊隨其后成為下一階段的重點(diǎn) 市場(chǎng)需求。2022 年將拉開半導(dǎo)體材料產(chǎn)能擴(kuò)張導(dǎo)入的序幕，市場(chǎng)規(guī)模將 進(jìn)入爆發(fā)式增長(zhǎng)。以硅片為例，12 寸硅片全球出貨額預(yù)計(jì)自 20 年開始

14、加速增長(zhǎng)，將不斷沖擊新高，其 2025 年全球出貨額將達(dá)到 2748 K/M， 20-25 年 CAGR 為 11.52%。2.3. 中美科技摩擦反復(fù)，加速材料全面深度國(guó)產(chǎn)化2020 年中美科技摩擦升級(jí)，美對(duì)華為芯片斷供生效。2020 年 5 月 15 日， 美商務(wù)部稱全面限制華為購(gòu)買采用美國(guó)軟件和技術(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體，禁令 升級(jí)至半導(dǎo)體設(shè)備，設(shè)定 4 個(gè)月過渡期。2020 年 9 月 15 日，美國(guó)對(duì)華 為芯片斷供禁令生效。2020 年 10 月 5 日，中芯國(guó)際公告稱美國(guó)商務(wù)部 工業(yè)與安全局對(duì)向中芯國(guó)際出口的美國(guó)設(shè)備等進(jìn)行限制。2020 年 12 月 21 日，中芯國(guó)際公告稱被美國(guó)商務(wù)部列入“

15、實(shí)體清單”，10nm 及以下的 產(chǎn)品或技術(shù)“推定拒絕”。根據(jù)中芯國(guó)際前后兩次的公告，美國(guó)商務(wù)部以保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全和外交 利益為由，將中芯國(guó)際及其部分子公司及參股公司列入“實(shí)體清單”。公 司被列入“實(shí)體清單”后，根據(jù)美國(guó)相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，針對(duì)適用于美 國(guó)出口管制條例的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國(guó)商務(wù)部的出口許 可才能向公司供應(yīng)；對(duì)用于 10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)（包括極紫外光技術(shù)） 的產(chǎn)品或技術(shù)，美國(guó)商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”（Presumption of Denial） 的審批政策進(jìn)行審核；同時(shí)公司為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受 到一定限制。美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際限令將“10nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)”作為分界

16、點(diǎn)，對(duì)“先進(jìn)制程” 與“成熟制程”進(jìn)行了再定義，將業(yè)界傳統(tǒng)認(rèn)為的分界點(diǎn)“28nm”或“14nm” 直接提升至“10nm”，美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的制裁在“先進(jìn)制程”定義上存 在一定程度的妥協(xié)與邊際改善。據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2019 年邏輯晶圓制造產(chǎn)能 占比約 41%，其中10nm 晶圓制造產(chǎn)能占比約 2%，45nm 晶圓制造產(chǎn) 能占比最高約 22%。目前，10nm 制程的晶圓產(chǎn)能占比高達(dá) 98%，美 國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的制裁將工藝制程分界點(diǎn)劃分為 10nm 為本土晶圓代工龍 頭的發(fā)展帶來了相對(duì)確定的發(fā)展空間和技術(shù)積累時(shí)間。中美科技摩擦過程中，華為和中芯國(guó)際兩大支柱性企業(yè)均受不同程度影 響，半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化有望

17、向深度化和全面化發(fā)展。中國(guó)半導(dǎo)體材料目 前仍主要依賴于進(jìn)口材料，國(guó)內(nèi)公司市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)較小，自給能力亟待 提升。在中美科技摩擦背景下，國(guó)內(nèi)政策傾斜、Fab 廠國(guó)產(chǎn)化意愿加強(qiáng)、 資本市場(chǎng)活躍注入、材料廠抓住歷史機(jī)遇等多方面因素促使半導(dǎo)體材料 國(guó)產(chǎn)化逐漸走向深度化和全面化。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2019 年中國(guó)半導(dǎo) 體材料銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到 12.8 億美元，國(guó)產(chǎn)化率預(yù)計(jì)將超過 15%。3. 細(xì)分材料：從 0-1 實(shí)現(xiàn)突破，高端材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快3.1. 硅片：三大驅(qū)動(dòng)助力成長(zhǎng)，千億市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化加快3.1.1. 硅片種類繁多，應(yīng)用場(chǎng)景多變硅片制備可大致分為多晶硅-單晶硅、單晶硅-硅片兩大步驟，前者是技

18、 術(shù)難點(diǎn)所在。硅片制造商購(gòu)入電子級(jí)多晶硅作為原材料，通過拉晶環(huán)節(jié) 得到單晶硅錠，然后依次進(jìn)行硅錠切端、直徑滾磨、切割倒角、研磨腐 蝕、拋光清洗得到拋光片。根據(jù)客戶要求，可在拋光片基礎(chǔ)上進(jìn)一步加 工以制備退火片、外延片、SOI 等細(xì)分產(chǎn)品。按尺寸分，6 英寸、8 英寸、12 英寸占據(jù)市場(chǎng)主要份額，半導(dǎo)體器件的 制程水平與硅片尺寸需求相對(duì)應(yīng)。90nm 及以下制程主要使用 12 英寸半 導(dǎo)體硅片，涵蓋從成熟到先進(jìn)制程的半導(dǎo)體器件，大多應(yīng)用于智能手機(jī) 和 PC 的邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片和 CIS 圖像傳感器等；90nm-0.5m 的制程 主要使用 8 英寸及以下半導(dǎo)體硅片制造，主要應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車 MC

19、U、 射頻芯片、基站通訊等；0.35m 以上制程多采用 6 英寸及以下半導(dǎo)體硅 片，主要應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件如 MOSFET、IGBT、晶閘管等。按制備工藝差異，主要分為拋光片、退火片、外延片和以 SOI 為代表的 高端硅基材料。1）單晶硅經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。2） 退火片：拋光片利用高純度氫氣退火得到退火片，可消除表層區(qū)域缺陷， 并使其具有很強(qiáng)的重金屬污染捕獲能力，適用于 CMOS 和 DRAM。3） 外延片：拋光片經(jīng)過外延生長(zhǎng)形成外延片，主要由重?fù)街苽?，外延片?高了柵氧化層完整性，改善了漏電現(xiàn)象，在功率器件、工業(yè)電子、汽車 電子等領(lǐng)域廣泛使用。4）SOI 硅片：拋光片經(jīng)過

20、注氧隔離技術(shù)、鍵合、 注氧鍵合技術(shù)和智能剝離技術(shù)等工藝處理后形成 SOI 硅片，其核心特征 是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。3.1.2. 千億市場(chǎng)空間，12 寸為行業(yè)大趨勢(shì)全球硅片市場(chǎng)規(guī)模接近千億級(jí)，中國(guó)份額增幅領(lǐng)先。2015 年至 2020 年， 全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)從 495 億元擴(kuò)張至 785 億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 9.67%，市場(chǎng)已近千億級(jí)水平。中國(guó)市場(chǎng)從 2015 年起開始騰飛，截至 2020 年規(guī)模增加近兩倍，從僅僅 30.5 億元增長(zhǎng)至 93.7 億元，年均復(fù)合增長(zhǎng) 率 25.18%，遠(yuǎn)超同期全球市場(chǎng)增速。此外，全球半導(dǎo)體硅片價(jià)格及出貨 面積近兩年來均維持在高位

21、水平：2018 年-2020 年全球硅片銷售單價(jià)依 次為 0.91 美元/英寸、0.96 美元/英寸、0.91 美元/英寸，總體維持穩(wěn)定； 全球半導(dǎo)體硅片出貨面積從 2011 年起逐年增長(zhǎng)，近兩年來增速有所放緩， 但仍然維持在較高水平。為提高半導(dǎo)體的生產(chǎn)效率和降低成本，硅片向大尺寸演進(jìn)是大勢(shì)所趨。 12 英寸半導(dǎo)體級(jí)硅片出貨面積不斷擴(kuò)張，與 8 英寸硅片合計(jì)占據(jù)市場(chǎng)超 90%，是未來晶圓生產(chǎn)的主流規(guī)格。12 英寸硅片自 2003 年起出貨面積 開始爆發(fā)式增長(zhǎng)，從約 3.5 億平方英寸增加至 85 億英寸左右，市場(chǎng)份額 由 2003 年的 7%增長(zhǎng)至 2015 年近 65%，隨后幾年在高位保持相

22、對(duì)穩(wěn)定。 據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，到 2020 年全球 12 英寸半導(dǎo)體硅片出貨面積將超過 90億平方英寸，市場(chǎng)份額有望突破 70%。3.1.3. 三大驅(qū)動(dòng)助力成長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)廠商打破壟斷并購(gòu)式外延擴(kuò)張加速行業(yè)集中度的提升，2020 年全球前五大硅片供應(yīng)企 業(yè)市占率達(dá)近 90%。20 世紀(jì) 90 年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過 20 家。1999 年日本信越化學(xué)收購(gòu)日立的硅片業(yè)務(wù)，同年，住友金屬、 聯(lián)合硅制造公司、三菱硅材料公司合并形成 SUMCO，至此，兩家龍頭 公司初露鋒芒。隨后，環(huán)球晶圓 2012 年收購(gòu)東芝陶瓷旗下 Covalent Materials 的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)，2016 年先后收購(gòu)

23、了正在虧損的 SunEdison Semiconductor Limited、丹麥 Topsil Semiconductor MaterialsA/S 半導(dǎo)體事 業(yè)部，進(jìn)一步提升其市場(chǎng)占有率。2016 年，信越化學(xué)、SUMCO、Sltronic、 環(huán)球晶圓、SK Siltrc 共占據(jù)近 85%的市場(chǎng)份額。此后幾年，通過系列并 購(gòu)活動(dòng)，2018 年前五大廠商合計(jì)銷售額 740 億元，占比高達(dá) 93%。2020 年 12 月 10 日，環(huán)球晶圓宣布同意以 37.5 億歐元收購(gòu)德國(guó)硅片制造商 Siltronic AG，此次收購(gòu)合并完成后，環(huán)球晶圓將從全球第三大硅片生產(chǎn) 商一躍成為全球第二大硅片制造商

24、。國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)加速發(fā)展，使全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局發(fā)生著微妙變化，CR5 從 2018 年的 93%逐步下降至 2020 年的 87%。以滬硅為例，滬硅產(chǎn)業(yè)在全 球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)的市占率從2016年的0.54%增長(zhǎng)為2020年的2.18%， 是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體硅片最大的廠商。國(guó)內(nèi)硅片廠商不斷成長(zhǎng)，打破壟斷的主要驅(qū)動(dòng)力有三：1）外延式并購(gòu)加快企業(yè)版圖擴(kuò)展。以滬硅為例，2015 年上海硅產(chǎn)業(yè)投 資有限公司成立，注冊(cè)資本 2 億元；2016 年，公司收購(gòu)上海新昇，同年 通過要約收購(gòu)的方式完成對(duì) Okmetic 的控股；2019 年，公司繼續(xù)通過收 購(gòu)股份取得新傲科技控制權(quán)。隨著公司 12 英寸硅片的規(guī)模量產(chǎn)，

25、滬硅 產(chǎn)業(yè)市占率增長(zhǎng)至 2.18%，有望在世界舞臺(tái)上占據(jù)一席之地。2）下游需求驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)廠商積極擴(kuò)張產(chǎn)能，順應(yīng)行業(yè)趨勢(shì)，新增硅 片產(chǎn)能聚焦 12 英寸。大多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商已具備 8 英寸硅片量產(chǎn)能力，但 12 英寸硅片仍主要依賴進(jìn)口。以滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微為首的國(guó)內(nèi)廠商積極 擴(kuò)增 12 英寸產(chǎn)能，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi) 12 英寸新增產(chǎn)能將達(dá)到 652 萬片/月。滬硅 產(chǎn)業(yè) 12 英寸硅片技術(shù)領(lǐng)先國(guó)內(nèi)，其子公司上海新昇預(yù)計(jì) 2021 年末完成 30 萬片/月的 12 寸安裝產(chǎn)能的建設(shè)，其募投項(xiàng)目將進(jìn)一步新增 30 萬片/ 月的 12 寸產(chǎn)能，最終達(dá)到月產(chǎn) 60 萬片 12 英寸硅片的產(chǎn)能。3）重?fù)酵庋悠劢构β屎?/p>

26、模擬市場(chǎng)，附加值高，與國(guó)外技術(shù)差距小， 利于國(guó)內(nèi)廠商追趕國(guó)際龍頭。重?fù)街饕獮橥庋悠?，面?DAO 產(chǎn)品，市 場(chǎng)占比約 26%。輕摻則主要面向存儲(chǔ)和邏輯，市場(chǎng)占比約 74%。重?fù)酵?延片雖然市場(chǎng)規(guī)模偏小，但由于增加了外延環(huán)節(jié)，利潤(rùn)附加值更高。3.2. 光刻膠 ：從 0-1 實(shí)現(xiàn)突破，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入爆發(fā)拐點(diǎn)3.2.1. 光刻工藝核心耗材，下游市場(chǎng)分散光刻是半導(dǎo)體晶圓制造中的最重要的工藝環(huán)節(jié)。光刻環(huán)節(jié)決定著芯片的 最小特征尺寸，占芯片制造時(shí)間的 40-50%，占制造成本的 30%。 光刻膠作為光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，決定工藝圖形的精密程度和良率，重 要程度不言而喻。光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成

27、分構(gòu) 成的對(duì)光敏感的混合液體，通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在的襯底上。集成電路隨著摩爾定律的不斷推進(jìn)，制程工藝進(jìn)入 5nm 時(shí)代， 光刻工藝技術(shù)難度大幅提升，光刻膠成為影響集成電路性能、成品率和 可靠性的關(guān)鍵因素。光刻膠的性能與光刻分辨率緊密相關(guān)，隨著光刻特征尺寸的不斷縮小， 工藝環(huán)節(jié)對(duì)于光刻膠的要求愈發(fā)嚴(yán)格。光刻分辨率直接關(guān)系芯片特征尺 寸大小，其與曝光波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑及工藝系數(shù)相關(guān)。 曝光波長(zhǎng)方面：從紫外（Ultraviolet，寬譜436 nm-365 nm）到深紫 外（Deep UV，248 nm193 nm=193i nm）再到極紫外（Extreme UV， 13.5 nm），

28、分辨率要求不斷提升，圖案精細(xì)程度不斷增加，光刻膠 性能也隨之不斷提升。 數(shù)值孔徑方面：由 0.35 發(fā)展到目前大于 1，相關(guān)技術(shù)發(fā)展對(duì)于光刻 膠及其配套產(chǎn)品的性能要求提出更高要求。 工藝系數(shù)方面，從 0.8 變到 0.4，其數(shù)值與光刻膠品質(zhì)相關(guān)。現(xiàn)有光 刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10nm 工藝的光刻，為了實(shí)現(xiàn) 7nm、5nm 的制程， 國(guó)內(nèi)外廠商開始積極布局 EUV 光刻技術(shù)。光刻膠根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，主要分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和 PCB 光 刻膠。半導(dǎo)體光刻膠，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體，根據(jù)曝光波長(zhǎng)不同，分為 g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF 光刻膠、ArF 光刻膠以及 EUV 光刻膠等； 面板光刻膠主要應(yīng)

29、用于面板顯示，分為彩膠、黑膠等；PCB 光刻膠則主 要應(yīng)用于 PCB 行業(yè)，主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和光成像阻焊油墨等。半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約 18 億美元，占比最小，但國(guó)產(chǎn)化率最低。根 據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2019 年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約 82 億美元，其中半導(dǎo) 體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約為 18 億美元，僅占 21.95%，在三大類別中占比最 小。但是就技術(shù)壁壘而言，半導(dǎo)體光刻膠的壁壘最高，其 KrF 光刻膠國(guó) 產(chǎn)化率僅為 1%左右，ArF 光刻膠除少數(shù)國(guó)內(nèi)公司可以少量銷售外，基本 仍處于研發(fā)階段。3.2.2. 光刻膠壁壘高筑，市場(chǎng)格局壟斷明顯光刻膠壁壘高筑，其主要壁壘在于原材料、設(shè)備和技

30、術(shù)三方面。光刻膠 是半導(dǎo)體材料中國(guó)產(chǎn)化率最低的材料之一，除 PCB 光刻膠外，半導(dǎo)體光 刻膠和面板光刻膠均嚴(yán)重依賴進(jìn)口。其壁壘包括原材料壁壘、設(shè)備壁壘、 技術(shù)壁壘、驗(yàn)證周期長(zhǎng)等方面，前三者為主要技術(shù)壁壘。原材料壁壘：光刻膠對(duì)上游原材料依賴嚴(yán)重，上游原材料的布局對(duì)于光 刻膠的自主可控必不可少。根據(jù) Reportlinker 數(shù)據(jù)顯示，生產(chǎn)光刻膠的 原料包括光刻膠樹脂、單體、光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑） 及其他助劑等。其中，樹脂占光刻膠總成本的 50%，在光刻膠原料中占 比最大，其次是占 35%的單體和占 15%的光引發(fā)劑及其他助劑。設(shè)備壁壘：光刻膠與光刻機(jī)聯(lián)動(dòng)發(fā)展，相關(guān)研發(fā)設(shè)備成本高昂且

31、依賴進(jìn) 口。光刻膠生產(chǎn)需要光刻機(jī)進(jìn)行配套測(cè)試，因此光刻機(jī)是光刻膠研發(fā)中 必不可少的一環(huán)。根據(jù)晶瑞電材的數(shù)據(jù)，在高端光刻膠研發(fā)項(xiàng)目中，設(shè) 備及安裝費(fèi)占總投資額的 69%，其中光刻機(jī)占設(shè)備及安裝費(fèi)的 44%，達(dá) 到 1.5 億元，成本最高。技術(shù)壁壘：光刻膠的技術(shù)壁壘既來自于專利突破的障礙，也有晶圓廠高 度定制化的配套要求。以半導(dǎo)體光刻膠為例，G 線-I 線-KrF-ArF-EUV， 每一代光刻膠產(chǎn)品的升級(jí)均需要克服較大的技術(shù)障礙，核心材料已形成 專利保護(hù)。另外考慮到下游應(yīng)用分散所導(dǎo)致光刻膠的性能上的高度差異， 光刻膠在研發(fā)認(rèn)證過程中，需要高度定制化，滿足晶圓廠的實(shí)際配套要 求。高壁壘鑄就壟斷格局，

32、市場(chǎng)主要被日美廠商所占據(jù)。全球光刻膠市場(chǎng)主 要被東京應(yīng)化、杜邦、JSR、住友化學(xué)等制造商所壟斷，尤其是在半導(dǎo) 體光刻膠的高端的 KrF 和 ArF 領(lǐng)域，市場(chǎng)集中度更高。在較為低端的 g/i 線光刻膠領(lǐng)域，CR4 為 74%，但在 KrF 光刻膠領(lǐng)域的 CR4 為 85%， ArF 光刻膠領(lǐng)域的 CR4 為 83%，兩者均超過 83%以上。中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域仍處于起步階段，與國(guó)外公司技術(shù)差距巨大。全 球市場(chǎng)的 JSR、東京應(yīng)化等公司光刻膠產(chǎn)品覆蓋 g/i、KrF、干性 ArF、 浸沒 ArF，甚至 EUV 光刻膠。而中國(guó)公司除少數(shù)公司覆蓋 g/i 光刻膠外， 在更高的光刻膠領(lǐng)域基本都處于客戶

33、驗(yàn)證甚至只是研發(fā)階段，任重而道 遠(yuǎn)。3.2.3. 光刻膠從 0-1 突破，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入爆發(fā)拐點(diǎn)國(guó)產(chǎn)光刻膠從 0-1 實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，逐步導(dǎo)入供應(yīng)鏈，國(guó)內(nèi)大廠有望抓住 國(guó)產(chǎn)替代窗口進(jìn)入爆發(fā)上升的拐點(diǎn)。信越化學(xué)等國(guó)外大廠壟斷造成國(guó)內(nèi) 光刻膠供需短缺持續(xù)緊張，伴隨著半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全問題日益嚴(yán)重，光 刻膠的國(guó)產(chǎn)替代的窗口逐步打開。與此同時(shí)，各大國(guó)產(chǎn)廠商在高端光刻 膠領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和規(guī)模出貨，并借助優(yōu)異的產(chǎn)品配套開發(fā)能力成功 導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈，有望實(shí)現(xiàn)光刻膠國(guó)產(chǎn)替代的大爆發(fā)。光刻膠加速國(guó)產(chǎn)替代的主要邏輯為：1） 行業(yè)窗口打開：供需緊張和供應(yīng)鏈安全問題日益嚴(yán)重，光刻膠的國(guó) 產(chǎn)替代窗口進(jìn)一步打開。2） 新產(chǎn)能的

34、配套發(fā)展：光刻膠屬于高度定制化產(chǎn)品，并需要和光刻機(jī) 聯(lián)動(dòng)發(fā)展。隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠新產(chǎn)能的迅速釋放，國(guó)內(nèi)廠商為滿足產(chǎn) 品配套化發(fā)展，會(huì)優(yōu)先選擇具有本土化優(yōu)勢(shì)的國(guó)內(nèi)廠商。3） 供應(yīng)鏈一體化：以華懋科技、彤程新材等為代表的國(guó)內(nèi)公司將單體、 樹脂等上游材料和光刻膠一體化發(fā)展，實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈的全方位安全， 成為國(guó)內(nèi)晶圓廠商長(zhǎng)期發(fā)展的首選供應(yīng)商。4） KrF、ArF 等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)：KrF 線光刻膠用 于 0.25m-0.11m，ArF 線光刻膠用于 90nm-7nm，兩者覆蓋成熟 制程內(nèi)幾乎所有產(chǎn)品，以彤程新材等為代表的國(guó)內(nèi)廠商突破 KrF 和 ArF線光刻膠實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，打開了光刻膠領(lǐng)域的

35、最大應(yīng)用市場(chǎng)， 有助于國(guó)內(nèi)廠商的快速發(fā)展。3.3. CMP：進(jìn)入國(guó)內(nèi)外供應(yīng)鏈，駛?cè)雵?guó)產(chǎn)化快車道3.3.1. 拋光液和拋光墊是 CMP 材料的核心耗材化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是通過拋光材料化學(xué)腐蝕及機(jī)械腐蝕協(xié)同實(shí)現(xiàn)晶 圓全局平坦化的過程。晶圓制造主要包括擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、 薄膜生長(zhǎng)、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、金屬化七大流程。作為目前唯一能兼 顧表面的全局和局部平坦化的技術(shù)，CMP 通過納米級(jí)粒子的物理研磨 作用與拋光液的化學(xué)腐蝕作用的有機(jī)結(jié)合，對(duì)集成電路器件表面進(jìn)行平 滑處理，能夠去除表面缺陷、改善金屬臺(tái)階覆蓋及其相關(guān)可靠性，在高 精度晶圓制造中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。CMP 核心耗材聚焦拋光

36、液和拋光墊。根據(jù)功能的不同，拋光材料可劃 分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器、以及清潔劑等，其中拋光液占據(jù) 49%的 市場(chǎng)份額，拋光墊占據(jù)了 33%的市場(chǎng)份額。二者均為易耗品，其性能在 很大程度上決定了拋光的質(zhì)量。1） 拋光墊：決定晶圓平整度的重要輔料。拋光墊主要通過化學(xué)物理作 用打磨晶圓，在使用時(shí)對(duì)硅片提供一定壓力并對(duì)其表面進(jìn)行機(jī)械摩 擦，主要起存儲(chǔ)、傳輸拋光液的作用。主要類別分為聚氨酯類、無 紡布類和絨毛結(jié)構(gòu)，其中軟性墊在拋光墊中占據(jù)主流。2） 拋光液：CMP 技術(shù)核心要素。拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添 加劑的水溶性拋光劑，其性能直接影響被加工工件表面的質(zhì)量以及 拋光加工的效率。不同的拋光步驟

37、會(huì)需要不同的拋光液種類，7nm 以下邏輯芯片中 CMP 拋光步驟達(dá)到三十步，使用拋光液種類近三十 種。主要類別分為氧化鋁類、氧化硅類和氧化鈰類，其中氧化鈰在 拋光液中占據(jù)主流。3.3.2. 國(guó)內(nèi)需求加速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化駛?cè)肟燔嚨繡MP 拋光材料全球市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增速高于全球市場(chǎng)。 隨著芯片制程復(fù)雜度的提升對(duì) CMP 材料的需求提升以及晶圓產(chǎn)能的擴(kuò) 產(chǎn)，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2020 年全球 CMP 拋光材料市場(chǎng)規(guī)模為 24.8 億美元，14-20 年 CAGR 為 8%；2020 年中國(guó) CMP 拋光材料市場(chǎng)規(guī)模為 32 億元，15-20 年 CAGR 約為

38、10%。受益國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)速度加快，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)將開始提速，增速遠(yuǎn)超全球市 場(chǎng)。以拋光液為例，根據(jù) Techcet 和 QY Research 的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全球拋光 液市場(chǎng)規(guī)模 24 年將達(dá)到 24.8 億美元，19-24 年 CAGR 為 8.45%；而國(guó)內(nèi) 拋光液市場(chǎng)規(guī)模 25 年將超過 10 億美元，19-25 年 CAGR 約為 31.66%， 遠(yuǎn)大于 8.45%。由于 CMP 材料較高的工藝壁壘及認(rèn)證難度，行業(yè)格局較為集中，主要 被美國(guó)及日本廠商壟斷。1） 拋光液：國(guó)外廠商壟斷，國(guó)內(nèi)龍頭追趕迅猛。長(zhǎng)期以來，全球拋光 液市場(chǎng)被美日企業(yè)所壟斷，Cabot、Hitachi、Fujimi、Ver

39、sum 占比分 別為 33%、13%、10%、9%，CR4 約為 65%。 值得一提的是，中國(guó) 企業(yè)安集科技追趕勢(shì)頭迅猛，其全球市場(chǎng)份額已經(jīng)增加到 4.5%。2） 拋光墊：美國(guó) Dow公司一家獨(dú)大，呈現(xiàn)單寡頭格局。美國(guó)陶氏化學(xué) 企業(yè)占全球拋光墊市場(chǎng) 79%的市場(chǎng)份額，更在細(xì)分集成電路芯片和 藍(lán)寶石兩個(gè)高端領(lǐng)域占據(jù) 90%的市場(chǎng)份額。3M、卡博特、日本東麗、 中國(guó)臺(tái)灣三方化學(xué)等也可生產(chǎn)部分芯片用拋光墊。拋光墊打破壟斷穩(wěn)步放量，拋光液加速突破穩(wěn)固市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商在 CMP 材料領(lǐng)域追趕勢(shì)頭迅猛，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程駛?cè)肟燔嚨馈?）拋光液領(lǐng)域：以安集為例，安集在銅及銅阻擋層拋光液突破 14nm 工 藝，并持續(xù)拓

40、展鎢拋光液和介電材料拋光液在 3D NAND 先進(jìn)制程的應(yīng) 用，產(chǎn)品技術(shù)已經(jīng)接近國(guó)際最高水平。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，公司 CMP 拋 光液在全球市場(chǎng)的份額由 2019 年的 3%左右成長(zhǎng)到 2020 年的 4.5%左右。 未來隨著產(chǎn)能進(jìn)一步放量，市場(chǎng)份額將加速擴(kuò)張。2） 拋 光墊 領(lǐng)域 ： 以鼎龍為例 ，鼎龍 已通 過 28nm 產(chǎn) 品全 制程 （ILD/SIT/W/Cu/GKMG）的驗(yàn)證并獲得訂單，針對(duì) 14nm 以下先進(jìn)制程 開發(fā)的新產(chǎn)品在客戶端驗(yàn)證進(jìn)展順利，將在 21 年底獲得新突破。國(guó)內(nèi) 廠商初步打破拋光墊技術(shù)壟斷，產(chǎn)能仍在釋放當(dāng)中。隨著市場(chǎng)推進(jìn)和產(chǎn) 能建設(shè)雙管齊下，拋光墊國(guó)產(chǎn)化之路

41、未來可期。3.4. 靶材 ：功能薄膜制備核心，國(guó)產(chǎn)替代逐步提升3.4.1. 功能薄膜制備核心，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)上行靶材是濺射工藝核心原材料，功能薄膜制備必經(jīng)之路。濺射工藝屬于物 理氣相沉積（PVD）的一種，在超大規(guī)模集成電路制造過程中被反復(fù)使 用到。它利用離子源產(chǎn)生的離子流，在高真空中經(jīng)過加速聚集形成高速 度能離子流束，轟擊固體表面，使固體表面的離子離開固體沉積在基底 表面形成電子薄膜，存在工藝不可替代性。被轟擊的固體稱為靶材，是 濺射工藝的重要基石。靶材制造產(chǎn)業(yè)鏈可分為“金屬提純-靶材制造-濺射鍍膜-終端應(yīng)用”四大 環(huán)節(jié)，核心環(huán)節(jié)聚焦靶材制造和濺射鍍膜。產(chǎn)業(yè)鏈上游為高純金屬，中 游為高純?yōu)R射靶材

42、，下游為相關(guān)應(yīng)用。根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)顯示，靶材下游領(lǐng)域涵蓋半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太 陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、電子器件和其他領(lǐng)域。在全球靶材應(yīng) 用市場(chǎng)中，占比最高的為顯示面板，信息存儲(chǔ)排名第二，其次為半導(dǎo)體 芯片和太陽(yáng)能電池。國(guó)內(nèi)靶材應(yīng)用市場(chǎng)中，主要分為顯示面板、半導(dǎo)體 芯片和太陽(yáng)能三大領(lǐng)域，其中半導(dǎo)體芯片占比近 50%。半導(dǎo)體和面板行業(yè)景氣周期上行，為靶材增長(zhǎng)持續(xù)賦能。靶材 2020 年 全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模為195.63億美元，2015-2020年CAGR超10%。 就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來說，2020 年中國(guó)靶材市場(chǎng)規(guī)模約 337.38 億元。隨著國(guó)內(nèi) 進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束，國(guó)產(chǎn)替代動(dòng)力充足，預(yù)計(jì)到 2026 年國(guó)內(nèi)靶材行 業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 653 億元，21-26 年 CAGR 為 14.98%。3.4.2. 市場(chǎng)寡頭壟斷嚴(yán)重，國(guó)產(chǎn)替代逐步提升靶材行業(yè)準(zhǔn)入門檻較高，主要體現(xiàn)在技術(shù)與客戶壁壘這兩個(gè)方面：1） 技術(shù)壁壘：美國(guó)、日本等跨國(guó)集團(tuán)先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，通常將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò) 展至下游終端應(yīng)用領(lǐng)域，將上游基礎(chǔ)