1、4/4單結(jié)晶體管(雙基極二極管）原理體管又叫雙基極二極管,它的符號和外形見附圖判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬用表置于R10擋或R*擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極,紅表筆接另外兩極,當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極.單結(jié)晶體管B1和的判斷方法是：把萬用表置于R10擋或R1擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應(yīng) 當(dāng)說明的是，上述判別B1、B2的方法,不一定對所有的單結(jié)晶體管都適用，有個(gè)別管子的-B1間的正向電阻值較小。不過準(zhǔn)確地判斷哪極是B1，哪極是 B2在實(shí)際使用中并不特別重要。即使1、B用顛倒了，也不會(huì)使管子損壞,只影

2、響輸出脈沖的幅度（單結(jié)晶體管多作脈沖發(fā)生器使用），當(dāng)發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅 度偏小時(shí)，只要將原來假定的B1、B對調(diào)過來就可以了。單結(jié)晶體管工作原理-雙基極二極管伏安特性曲線單結(jié)管雙基極二極管（單結(jié)晶體管)的結(jié)構(gòu) 雙基極二極管又稱為單結(jié)晶體管，它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。在一片高電阻率的N型硅片一側(cè)的兩端各引出一個(gè)電極，分別稱為第一基極B和第二基極B2。而在硅片是另一側(cè)較靠近B2處制作一個(gè)PN結(jié),在型硅上引出一個(gè)電極,稱為發(fā)射極E。兩個(gè)基極之間的電阻為RB,一般在215kW之間，BB一般可分為兩段,RB =B1 R2，RB是第一基極B1至結(jié)的電阻；RB2是第一基極B2至PN結(jié)的電阻.雙基極二極管的符號見圖的右

3、側(cè)。 圖 雙基極二極管的結(jié)構(gòu)與符號 等效電路 雙基極二極管的工作原理 將雙基極二極管按圖2()接于電路之中，觀察其特性。首先在兩個(gè)基極之間加電壓B,再在發(fā)射極和第一基極1之間加上電壓UE，E可以用電位器R進(jìn)行調(diào)節(jié).這樣該電路可以改畫成圖2(b)的形式,雙基極二極管可以用一個(gè)N結(jié)和二個(gè)電阻RB1、B組成的等效電路替代. (） (b） 圖 雙基極二極管的特性測試電路當(dāng)基極間加電壓時(shí)，R上分得的電壓為 式中稱為分壓比，與管子結(jié)構(gòu)有關(guān)，約在0。50。9之間. 2。當(dāng)UEUBBD時(shí),單結(jié)晶體管內(nèi)在PN結(jié)導(dǎo)通,發(fā)射極電流IE突然增大。把這個(gè)突變點(diǎn)稱為峰點(diǎn)P。對應(yīng)的電壓UE和電流分別稱為峰點(diǎn)電壓UP和峰點(diǎn)電

4、流IP。顯然，峰點(diǎn)電壓 =UUD 式中UD為單結(jié)晶體管中N結(jié)的正向壓降,一般取0.7V。在單結(jié)晶體管中PN結(jié)導(dǎo)通之后,從發(fā)射區(qū)（區(qū))向基壓(區(qū)）發(fā)射了大量的空穴型載流子，IE增長很快，E和B1之間變成低阻導(dǎo)通狀態(tài)，RB迅速減小，而E和B1之間的電壓E也隨著下降。這一段特性曲線的動(dòng)態(tài)電阻為負(fù)值，因此稱為負(fù)阻區(qū).而2的電位高于的電位，空穴型載流子不會(huì)向B運(yùn)動(dòng)，電阻B2基本上不變。 當(dāng)發(fā)射極電流I增大到某一數(shù)值時(shí)，電壓UE下降到最低點(diǎn)。特性由線上的這一點(diǎn)稱為谷點(diǎn)。與此點(diǎn)相對應(yīng)的是谷點(diǎn)電壓V和谷點(diǎn)電流V.此后，當(dāng)調(diào)節(jié)P使發(fā)射極電流繼續(xù)增大時(shí)，發(fā)射極電壓略有上升,但變化不大.谷點(diǎn)右邊的這部分特性稱為飽和

5、區(qū)。綜上所述，單結(jié)晶體管具有以下特點(diǎn):（1)當(dāng)發(fā)射極電壓等于峰點(diǎn)電壓U時(shí),單結(jié)晶體管導(dǎo)通。導(dǎo)通之后,當(dāng)發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓UV時(shí)，單結(jié)晶體管就恢復(fù)截止。（2)單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP與外加固定電壓UBB及其分壓比有關(guān)。而分壓比是由管子結(jié)構(gòu)決定的，可以看做常數(shù).對于分壓比不同的管子,或者外加電壓UBB的數(shù)值不同時(shí)，峰值電壓P也就不同。(3)不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓UV和谷點(diǎn)電流IV都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在2V之間。在觸發(fā)電路中,常選用稍大一些、UV低一些和V大一些的單結(jié)管，以增大輸出脈沖幅度和移相范圍.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相半控橋式整流電路圖 單結(jié)晶體管的伏安特性曲線調(diào)節(jié)RP，使UE從零逐漸增加.當(dāng)E比較小時(shí)（UUBBUD）,單結(jié)晶體管內(nèi)的PN結(jié)處于反向偏置，與B1之間不能導(dǎo)通，呈現(xiàn)很大電阻。當(dāng)U很小時(shí)，