1、投資案件結(jié)論和投分析意見(jiàn)隨著 P型電池逼近效率極限N 型電池將逐漸展開(kāi)對(duì)P 型的替代2022年來(lái)公布的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃中明確為 N型的占比56%隨著N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)落地漿料端成本占比將抬升同時(shí)有限的銀礦產(chǎn)量無(wú)法支撐光伏用銀需求的快速增長(zhǎng)推動(dòng)行業(yè)持續(xù)進(jìn)行低銀化和去銀化探索電鍍銅作為去銀化終局技術(shù)具備導(dǎo)電性能更優(yōu)柵線(xiàn)寬度更細(xì)發(fā)電效率更高節(jié)約原材料成本等優(yōu)勢(shì)有望實(shí)現(xiàn)銅對(duì)銀的完全替代多家廠商均在積極探索電鍍銅技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的可能性電鍍銅過(guò)程可分為圖形化和金屬化兩個(gè)環(huán)節(jié)核心難在于圖形化。聚焦國(guó)內(nèi)上市公司建議關(guān)注圖形化環(huán)節(jié)各技術(shù)路線(xiàn)專(zhuān)用設(shè)備廠商及金屬化環(huán)節(jié)電鍍?cè)O(shè)備龍頭。推薦標(biāo)的：邁為股份（儲(chǔ)備圖形化和電鍍銅設(shè)備、帝爾激

2、光（布局圖形化環(huán)節(jié)激光設(shè)備、芯碁微裝（直寫(xiě)光刻曝光機(jī)龍、蘇大維格（深耕圖形化+光刻設(shè)備、天準(zhǔn)科技（LDI設(shè)備新秀、東威科技（電鍍?cè)O(shè)備龍?jiān)蚣斑壿媹D形化環(huán)節(jié)主要有兩條路線(xiàn)1光刻路（掩膜光刻和激光直寫(xiě)光刻光刻路線(xiàn)下的激光直寫(xiě)光刻相比掩膜光刻成本更低更具備經(jīng)濟(jì)性主要用到激光直接成（LDI設(shè)備，無(wú)需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光；2）激光路線(xiàn)。激光開(kāi)槽工藝可應(yīng)用于不同的太陽(yáng)能電池技術(shù)路線(xiàn)為了確保開(kāi)槽過(guò)程中不損傷電池對(duì)激光精度的要求更高目前激光工藝解決方案還需進(jìn)一步完善。金屬化環(huán)節(jié)電鍍?cè)O(shè)備：分為垂直電鍍和水平電鍍，垂直電鍍工藝及設(shè)備較為成熟采用夾點(diǎn)掛鍍方式自動(dòng)化難度較高限制生產(chǎn)效率水平電鍍無(wú)需手工裝掛能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)

3、化作業(yè)未來(lái)或?qū)⒊蔀殡婂児に嚨闹匾l(fā)展方向但技術(shù)難度較高目前電鍍?cè)O(shè)備的產(chǎn)能與絲網(wǎng)印刷設(shè)備相比還存在差距，未來(lái)生產(chǎn)效率提升將是主要關(guān)注點(diǎn)。有別于大眾的認(rèn)識(shí)市場(chǎng)認(rèn)為未來(lái)電鍍銅技術(shù)將會(huì)從光刻或激光路線(xiàn)中二選一但我們認(rèn)為不同的電路線(xiàn)可以匹配不同的銅電鍍工藝，未來(lái)幾年時(shí)間光伏行業(yè)將會(huì)是多技術(shù)路線(xiàn)并存的局面因此也會(huì)有不同路線(xiàn)的銅電鍍技術(shù)同時(shí)存在我們認(rèn)為未來(lái)在電鍍銅的圖形化環(huán)節(jié)光刻和激光路線(xiàn)將會(huì)并存：光刻路線(xiàn)用于 HT 電池，激光路線(xiàn)用于 OPCn 或 電池。市場(chǎng)認(rèn)為電鍍銅技術(shù)還處于初期探索階段發(fā)展速度較慢距離大規(guī)模量產(chǎn)十分遙遠(yuǎn)。我們認(rèn)為光伏行業(yè)仍處于技術(shù)快速迭代的階段，正如2016-2018年金剛線(xiàn)切割對(duì)砂

4、漿切割技術(shù)的替代更具經(jīng)濟(jì)性以及發(fā)展前景的新技術(shù)將會(huì)實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的迅速迭代隨著多家廠商不斷推進(jìn)電鍍銅技術(shù)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)光伏電鍍銅技術(shù)將會(huì)實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。目錄1N型速滲下，鍍銅望推去銀化本 6隨N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)落地，光伏用銀需求將快速增長(zhǎng) 6電鍍銅：去銀化終局技術(shù)，多家廠商紛紛開(kāi)展技術(shù)研發(fā) 9圖化：心突點(diǎn)，路線(xiàn)索量可行性 12光刻、激光等多路線(xiàn)推動(dòng)，探索圖形化量產(chǎn)可能性 種子層制備 14光刻路線(xiàn) 15激光路線(xiàn) 17重點(diǎn)標(biāo)的：邁為股份、帝爾激、芯碁微裝、蘇大維格、天準(zhǔn)科技邁為股份：儲(chǔ)備圖形化和電鍍銅設(shè)備 18帝爾激光：布局圖形化環(huán)節(jié)激光設(shè)備 20芯碁微裝：直寫(xiě)光刻曝光機(jī)龍頭 22蘇維格：深耕圖形光刻設(shè)

5、備 24天準(zhǔn)科技LDI設(shè)備新秀 26金化：/平電各有點(diǎn)，效提升關(guān)鍵 29垂直電鍍技術(shù)成熟，水平電鍍有望突破量產(chǎn)瓶頸 重點(diǎn)標(biāo)的：東威科技：電鍍?cè)O(shè)備龍頭 重公司值表 33風(fēng)提示 33圖表目錄圖：N型電池單瓦銀漿耗量高于P型電池 8圖：HJ/OPCoPC 漿料非硅成本占比分別463636% 8 HYPERLINK l _TOC_250023 圖：HJT 和 OPCon將逐步替代PEC技術(shù) 8 HYPERLINK l _TOC_250022 圖：銅電鍍主要分為圖形化和金屬化 9圖：異質(zhì)結(jié)電池銅電鍍電極結(jié)構(gòu) 圖：銅電鍍工藝流程 HYPERLINK l _TOC_250021 圖：銅電極內(nèi)部更均勻且接觸更

6、好，有利于提高電池效率 HYPERLINK l _TOC_250020 圖：邁為Surive 合作HJT電池效率提升曲線(xiàn) HYPERLINK l _TOC_250019 圖：光刻、激光圖形化銅電鍍路線(xiàn)與絲網(wǎng)印刷路線(xiàn)差別 圖0：半導(dǎo)體光刻圖形化工藝原理 圖1：激光圖形化電鍍工藝流程 HYPERLINK l _TOC_250018 圖2：種子層選擇性制備方法 HYPERLINK l _TOC_250017 圖3：泛半導(dǎo)體主要光刻技術(shù)分為直寫(xiě)光刻和掩膜光刻 圖4：直寫(xiě)光刻技術(shù)原理 HYPERLINK l _TOC_250016 圖5：種子層和掩膜工藝步驟比較 HYPERLINK l _TOC_250

7、015 圖6：圖形化技術(shù)的激光路線(xiàn) HYPERLINK l _TOC_250014 圖7：公司深耕三大基準(zhǔn)技術(shù)，聚焦泛半導(dǎo)體領(lǐng)域 圖8：銅電鍍工序及技術(shù)難點(diǎn) 圖9：邁為Surive合作HJT電池效率提升曲線(xiàn) 圖0：公司 5-201 年?duì)I業(yè)收入CAGR 約76% 圖1：公司 5-201 年歸母凈利潤(rùn)C(jī)AGR約74% HYPERLINK l _TOC_250013 圖2：近年來(lái)公司毛利率及凈利率回升 HYPERLINK l _TOC_250012 圖3：公司在光伏領(lǐng)域全面布局各種技術(shù)路線(xiàn)，在其他領(lǐng)域加速拓展新應(yīng)用 圖4：公司 5-201 年?duì)I業(yè)收入CAGR 約79% 圖5：公司 5-201 年歸母

8、凈利潤(rùn)C(jī)AGR約87% HYPERLINK l _TOC_250011 圖6：近年來(lái)公司毛利率及凈利率整體穩(wěn)定 HYPERLINK l _TOC_250010 圖7：公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于PCB及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域 圖8：公司 8-201 年?duì)I業(yè)收入CAGR 約78% 圖9：公司 8-201 年歸母凈利潤(rùn)C(jī)AGR約83% HYPERLINK l _TOC_250009 圖0：公司毛利率/凈利率分別在4020%水平上下波動(dòng) HYPERLINK l _TOC_250008 圖1：蘇大維格主要業(yè)務(wù)布局 圖2：公司 iScan激光直寫(xiě)設(shè)備能實(shí)現(xiàn)0.8m分辨精度及0.5m 套刻精度圖3：公司 5-201 年?duì)I業(yè)收

9、入CAGR 約30% 圖4：公司歸母凈利潤(rùn)有望改善 HYPERLINK l _TOC_250007 圖5：未來(lái)公司盈利能力有望恢復(fù) HYPERLINK l _TOC_250006 圖6：天準(zhǔn)科技主要業(yè)務(wù)布局 HYPERLINK l _TOC_250005 圖7：天準(zhǔn)科技LDI激光直接成像設(shè)備 圖8：公司 5-201 年?duì)I業(yè)收入CAGR 約42% 圖9：公司 5-201 年歸母凈利潤(rùn)C(jī)AGR約30% HYPERLINK l _TOC_250004 圖0：近年來(lái)公司毛利率整體穩(wěn)定 圖1：PCB垂直連續(xù)電鍍線(xiàn) 圖2：光伏電池片水平電鍍?cè)O(shè)備示意圖 HYPERLINK l _TOC_250003 圖3：

10、東威科技產(chǎn)品矩陣 HYPERLINK l _TOC_250002 圖4：東威科技光伏鍍銅設(shè)備 圖5：公司 7-201 年?duì)I業(yè)收入CAGR 約21% 圖6：公司 7-201 年歸母凈利潤(rùn)C(jī)AG37% HYPERLINK l _TOC_250001 圖7：近年來(lái)公司毛利率及凈利率穩(wěn)中有升 表：N型電池平均轉(zhuǎn)換效率高于P型電池、未來(lái)提效空間大 6表：202 年來(lái)電池片擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃 6表：205 年全球光伏電池用銀需求測(cè)算 9表：銅電鍍技術(shù)相比絲網(wǎng)印刷降本增效優(yōu)勢(shì)突出 表：銅電鍍技術(shù)與其他金屬化技術(shù)潛力對(duì)比 表：PCB 產(chǎn)品最小線(xiàn)寬要求不斷提升 表：圖形化環(huán)節(jié)各企業(yè)設(shè)備技術(shù)進(jìn)展 表：公司定增項(xiàng)目擬拓展直寫(xiě)

11、光刻設(shè)備下游應(yīng)用 表：金屬化環(huán)節(jié)各企業(yè)電鍍銅設(shè)備技術(shù)進(jìn)展 表0：銅電鍍技術(shù)主要新增環(huán)節(jié)及設(shè)備 HYPERLINK l _TOC_250000 表1：重點(diǎn)公司估值表 1.N型加速滲透下電鍍銅有望推動(dòng)去銀化降本隨N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)落地，光伏用銀需求將快速增長(zhǎng)N 型太陽(yáng)能電池新技術(shù)發(fā)展前景明確，預(yù)計(jì)市場(chǎng)占比逐年提升。目前主流的太陽(yáng)能池為單晶PEC電池，但N型電池符合光伏行業(yè)降本增效的大背景性能更為優(yōu)異1N型電池單瓦發(fā)電表現(xiàn)更具優(yōu)勢(shì)，N型電池雙面率更高，可以更好利用背面反射光線(xiàn)；2）N型電池溫度系數(shù)高，在溫度更高的環(huán)境下功率損失更少3N型電池衰減慢其硅片中沒(méi)有硼元素，效率損失大幅降低，而 P 型電池?fù)诫s硼元

12、素，會(huì)和殘留的氧產(chǎn)生硼氧復(fù)合，降低光伏電池的活性。N 型電池相比 P 型電池轉(zhuǎn)換效率更高，而且具備提效空間，需求望迎來(lái)增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線(xiàn)圖（2021 年版），預(yù)計(jì) 2030 年 OPCn電池工藝和T電池工藝合計(jì)占比有望過(guò)半，成為電池片領(lǐng)域的主要工藝路線(xiàn)。表：N型電池平均轉(zhuǎn)換效率高于P型電池、未來(lái)提效空間大分類(lèi)EEEEEBSF p 型多晶黑硅電池.-p 型多晶ERC p 型多晶黑硅電池.ERC p 型鑄錠單晶電池.p 型單晶ERC p 型單晶電池.TOCon 單晶電池.n 型單晶異質(zhì)結(jié)電池.IBC 電池.I、；注：.背接觸 n 型單晶電池目前處于中試階段；.均只記正面效率。光伏擴(kuò)產(chǎn)浪

13、潮下，N 型電池占據(jù)主要地位。2 年來(lái)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃中，明確 N 型占比近 據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)今年以來(lái)光伏電池公布的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃超410G其中2306GW 已經(jīng)明確為 N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)占比近56%剩余擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目尚未公開(kāi)技術(shù)類(lèi)型，多標(biāo)明“高效電池項(xiàng)目”在N 型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)規(guī)劃中有十余家公司選擇異質(zhì)結(jié)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模1011GW6家企業(yè)選擇OPCn路線(xiàn)，擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模64GW。擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目電池片型產(chǎn)能規(guī)模（W）公告日期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目電池片型產(chǎn)能規(guī)模（W）公告日期金陽(yáng)新能源捷登智能寶馨科技東方日升華晟新能源華晟華能瀾滄江公潤(rùn)陽(yáng)股份20W二代異質(zhì)結(jié)電池規(guī)?；慨a(chǎn)項(xiàng)目樂(lè)山10W高效異質(zhì)結(jié)電池項(xiàng)目18W高效異質(zhì)結(jié)電池和8W光伏組件生產(chǎn)線(xiàn)15WN 型超低碳

14、高效異質(zhì)結(jié)電池片與15W高效太陽(yáng)能組件項(xiàng)目5W異質(zhì)結(jié)電池及組件項(xiàng)目 宣城48W雙面微晶異質(zhì)結(jié)項(xiàng)5W雙面微晶高效異質(zhì)結(jié)電池與組件項(xiàng)年產(chǎn)5W異質(zhì)結(jié)電池片生產(chǎn)項(xiàng)目HJT202022727HJT102022914HJT18202261HJT152022129HJT52022125HJT482022518HJT52022518HJT52022318中利集團(tuán)5W異質(zhì)結(jié)電池、5W光伏組件制造項(xiàng)目HJT52022322水發(fā)能源5W異質(zhì)結(jié)光伏電池片5W電池組件生產(chǎn)線(xiàn)和3W集中式光伏電站配套建設(shè)項(xiàng)目HJT52022421雅博股份巴彥淖爾年產(chǎn)5W異質(zhì)結(jié)（HJ）光伏組件及3h 儲(chǔ)能CK的新能源產(chǎn)業(yè)HJT5202272

15、7國(guó)潤(rùn)能源3W異質(zhì)結(jié)電池智能制造產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目HJT32022630昊晟科技高效異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備及發(fā)電設(shè)備制造項(xiàng)目HJT032022622沐邦高科中潤(rùn)光能10WPCon 光伏電池生產(chǎn)基地項(xiàng)目PCon10202272010WPCN 光伏電池生產(chǎn)基地項(xiàng)PCon10202281716W大尺寸高效光伏電池項(xiàng)目PCon16202274晶科能源年產(chǎn)1W高效電池生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目PCon2022729億晶光電滁州年產(chǎn)10W光伏電池、10W光伏切片及10W光伏組件項(xiàng)目PCon102022922英利能源年產(chǎn)5W高效N 型太陽(yáng)能電池材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目PCon52022816昱輝光能5W組件、2W PCon 電池和光伏材料制造基地

16、項(xiàng)目PCon22022525上機(jī)數(shù)控年產(chǎn)25W單晶硅切片及年產(chǎn)24WN 型高效晶硅電池生產(chǎn)項(xiàng)目N 型242022815中科云網(wǎng)&深圳普樂(lè)15WN 型電池N 型152022913中環(huán)控股&江蘇中清安徽鳳臺(tái)10W高效N 型電池及10W先進(jìn)組件項(xiàng)目N 型102022718華耀光電呼和浩特10W光伏N 型電池片生產(chǎn)項(xiàng)目N 型10202288愛(ài)旭股份珠海年產(chǎn)65W新世代高效晶硅太陽(yáng)能電池建設(shè)項(xiàng)目N 型65202256通威股份年產(chǎn)32W高效晶硅電池項(xiàng)目322022331隆基綠能年產(chǎn)20W單晶硅棒和切片項(xiàng)目30W高效單晶電池項(xiàng)目及5W高效光伏組件項(xiàng)目302022313晶澳科英發(fā)睿寧晉13W高效電池項(xiàng)目132

17、022212曲靖10W高效電池、5W組件項(xiàng)目102022519揚(yáng)州10W高效電池項(xiàng)目102022623寧晉5W切片、6W高效電池項(xiàng)目6202272020W光伏電池?cái)U(kuò)產(chǎn)計(jì)劃202022331英發(fā)德耀20W光伏電池?cái)U(kuò)產(chǎn)計(jì)劃202022331正泰新能12W電池及18W組件項(xiàng)目12202263010萬(wàn)噸多晶硅、0W單晶拉棒（包括切片、10W電池片及組件項(xiàng)目，10W江蘇陽(yáng)光光伏電站項(xiàng)目102022423天合光能天合光能（西寧）新能源產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目102022618東方希望光伏全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目10202274阿特斯青海新能源全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目10202287合計(jì)419各公司公告、北極星太陽(yáng)能光伏網(wǎng)、索比光伏網(wǎng)，N 型電

18、池單瓦銀漿耗用量高于 P 型電池。隨著大硅片和薄片化時(shí)代來(lái)臨，大硅片對(duì)應(yīng)漿料印刷面積變大薄硅片加速漿料無(wú)接觸印刷的需求，在N 型電池中，OPCn 和JT都是雙面電池，銀漿用量相比P 型的 PEC增，且JT電池使用的低溫銀漿為保證導(dǎo)電性，其銀含量高于高溫銀漿，因此銀漿消耗量更大，并且低溫銀漿主要依賴(lài)日本進(jìn)口，價(jià)格顯著高于高溫銀漿。IC由于特殊的電池設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，銀漿用量也會(huì)提升。銀漿耗用量增大是限制光伏行業(yè)未來(lái)發(fā)展的痛點(diǎn)，降低銀耗成為 N型電池降本關(guān)鍵。根據(jù)阿特斯數(shù)據(jù)，目前 PEC電池單瓦銀漿平均耗用量13m，OPCn 和HJT電池的平均銀耗分別為15/W和25m/。未來(lái)隨著N型電池不斷替代P 型電

19、池，新增裝機(jī)量逐年增長(zhǎng)，光伏行業(yè)將大幅增加對(duì)銀的耗用量，導(dǎo)致漿料價(jià)格上漲客戶(hù)成本承壓。根據(jù)集邦新能源數(shù)據(jù)，OPCn 和 JT 電池非硅成本中，銀漿成本分別占 36%和 46%，降低銀耗成為N型電池降本的關(guān)鍵，也是行業(yè)亟需解決的問(wèn)題。圖1：N型電池單瓦銀漿耗量高于P型電池圖 2：HJ/ERC 漿料非硅成占比分別 46/36/36%0500005RCTCnHT0RC)TC()HT)漿料(元)化學(xué)品耗(元設(shè)備折(元)能耗(元人工及其()漿料成本占(%)阿特斯、聚和新材、隨 N 型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)落地，光伏用銀需求將快速增長(zhǎng)。據(jù) CPIA 預(yù)測(cè)，未來(lái) PEC 電池片市占率將逐步下降到2025年P(guān)EC/OPCo

20、/JT市占率將分別達(dá)到61%/20%/15%。在 N 型電池逐步開(kāi)始替代 P 型的背景下，每年新增裝機(jī)以 OPCn 和 HT為主，我們假設(shè)新增裝機(jī)中 OPCn/JT 分別占比 40%/40%其他新增裝機(jī)路線(xiàn)銀耗與 PEC 相近，根據(jù) CPIA 預(yù)計(jì) 2025 年全球新增裝機(jī) 300GW，測(cè)算得到 2025 年全球光伏電池片用銀需求量達(dá)到5580噸，占2021年全球銀礦產(chǎn)量的2325%。隨著年度新增裝機(jī)量的提升，光伏用銀需求持續(xù)增長(zhǎng)可能會(huì)推高銀價(jià)同時(shí)有限的銀礦產(chǎn)量難以支撐光伏行業(yè)的快速發(fā)展。圖3HJT 和n將逐步替代ERC技術(shù)78901E E E E FRCTCnHT其他CIA占比裝機(jī)（W）銀耗

21、（m占比裝機(jī)（W）銀耗（mW）用銀需求（噸）PCon40%120151800HJT40%120253000其他20%6013780合計(jì)3005580I、d、阿特，申萬(wàn)宏源研究漿料降本國(guó)產(chǎn)化+技術(shù)突破為主要降本路徑目前主要通過(guò)多主柵技術(shù)以及減小柵線(xiàn)寬度來(lái)減少正銀消耗量，未來(lái)漿料降本主要通過(guò)金屬化技術(shù)升級(jí)迭代和漿料降本兩方面行。一方面，通過(guò)新型金屬化技術(shù)升級(jí)迭代降低銀耗：1）銅電鍍技術(shù)；2）激光轉(zhuǎn)印或鋼板印刷等新型印刷技術(shù)3噴墨打印技術(shù)。另一方面可以通過(guò)優(yōu)化漿料降低價(jià)值量實(shí)現(xiàn)有效降本，主要包括銀包銅漿料和低溫銀漿國(guó)產(chǎn)化。銅電鍍技術(shù)在所有技術(shù)中可以做無(wú)銀漿消耗，降本潛力最大。電鍍銅：去銀化終局技術(shù)多

22、家廠商紛開(kāi)展技術(shù)研發(fā)銅電鍍工藝的核心環(huán)節(jié)主要分為圖形化與金屬化。銅電鍍是指在基體金屬表面通過(guò)電解方法沉積金屬銅的電極制備工藝，通過(guò)電鍍銅柵線(xiàn)達(dá)到降低銀漿耗量的目的。銅電鍍與傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷的差異主要是在CO膜之后和燒結(jié)之前分為圖形化與金屬化兩大核心環(huán)節(jié)圖形化環(huán)節(jié)主要包括鍍種子層、掩膜感光膠、曝光顯影等步驟，直接在 CO 上電鍍金屬電極是非選擇性的而且CO和電鍍銅之間的附著性能較差容易引發(fā)電極脫落因此電鍍之前需要在 CO薄膜表面沉積種子層并沉積圖形化的掩膜以實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍金屬化主要包括電鍍銅、去光感膠、PVD 鍍焊接層等環(huán)節(jié)，金屬化環(huán)節(jié)的主要設(shè)備即為電鍍?cè)O(shè)備按照工藝不同分為垂直電鍍和水平電鍍。圖4銅

23、電鍍主要分為圖形化和金屬化中科院電工所圖5：異質(zhì)結(jié)電池銅電鍍電極結(jié)構(gòu)圖6：銅電鍍工藝流程資料來(lái)源硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池接觸特性及銅金屬化研究、申萬(wàn)宏源研究資料來(lái)源硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池接觸特性及銅金屬化研究、申萬(wàn)宏源研究銅電鍍技術(shù)可以提升電池轉(zhuǎn)化效率和降低成本，未來(lái)有望得到進(jìn)一步發(fā)展。相比傳絲印技術(shù)電鍍銅優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在1銅柵線(xiàn)的導(dǎo)電性比銀漿更強(qiáng)銅柵線(xiàn)是純銅，電內(nèi)部致密且均勻，可有效地降低電池電極的歐姆損耗，且電鍍電極與透明導(dǎo)電薄膜連成體，無(wú)明顯孔洞，具有優(yōu)異的接觸性能。而低溫導(dǎo)電漿料由于其燒結(jié)溫度不超過(guò) 250漿料中 Ag顆粒間粘結(jié)不緊密，存在較多的空隙，影響載流子的傳輸。2）銅電鍍工藝可進(jìn)一步降低柵線(xiàn)寬

24、度，發(fā)電效率更高3）銅電鍍技術(shù)用低價(jià)金屬銅代替貴價(jià)銀粉大幅降低了原材料成本。同時(shí)，銅電鍍?cè)O(shè)備可以兼容 OPCn 和 JT技術(shù)，隨著未來(lái) N 型電池逐步替代P型技術(shù)，在光伏行業(yè)降本增效訴求下，銅電鍍技術(shù)有望進(jìn)一步得到發(fā)展。圖7：銅電極內(nèi)部更均勻且接觸更好，有利于提高電池效率資料來(lái)源硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池接觸特性及銅金屬化研究、申萬(wàn)宏源研究低溫銀漿+絲網(wǎng)印刷銅電鍍1低溫銀漿+絲網(wǎng)印刷銅電鍍1更好的高寬比（最大接近于1）1工藝成熟2更低的電極歐姆損耗優(yōu)點(diǎn)2步驟簡(jiǎn)單，圖形一次成型，可以實(shí)現(xiàn)多種圖形印刷3遮光損失降低3自動(dòng)化設(shè)備，產(chǎn)量大，設(shè)備成熟4轉(zhuǎn)換效率提升05%5不使用銀漿，成本降低缺點(diǎn)電極寬度：如何實(shí)現(xiàn)

25、40um 以下線(xiàn)寬漿料導(dǎo)電性：降低低溫銀漿電阻率雙面異質(zhì)結(jié)電池銀漿耗量大：如何實(shí)現(xiàn)降本工藝流程復(fù)雜：良品率控制種子層和掩膜工藝：成本上升化學(xué)藥品穩(wěn)定性控制雙面電鍍的設(shè)備及夾具設(shè)計(jì)優(yōu)化路徑優(yōu)化的絲網(wǎng)印刷技術(shù)無(wú)網(wǎng)結(jié)網(wǎng)版二次印刷鋼板印刷圖形壓印無(wú)種子層涉及的可行性低成本掩膜長(zhǎng)效性、易維護(hù)的化學(xué)鍍液CIA未來(lái)預(yù)期常規(guī)M未來(lái)預(yù)期常規(guī)MB鋼網(wǎng)MB銀包銅鋼網(wǎng)電鍍銅主柵用量（mgw）88000細(xì)柵用量（mgw）10812120漿料價(jià)格（元kg）5800580058002500-漿料成本（分w）104492869636-8效率增益基準(zhǔn)+01%基準(zhǔn)基準(zhǔn)+04%良率基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)偏低設(shè)備投資基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)偏高配

26、套設(shè)施基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)基準(zhǔn)復(fù)雜邁為股份JT疊層峰會(huì)、低銀化趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)，多家廠商紛紛開(kāi)展電鍍銅技術(shù)研發(fā)。2021 年 10 月，金石能源發(fā)布無(wú)需低溫銀漿與焊帶的銅柵技術(shù)和柵線(xiàn)互聯(lián)技術(shù)。2021 年 11 月，海源復(fù)材與蘇州捷得寶簽約合作銅柵線(xiàn)技術(shù)海源復(fù)材擬向捷得寶表示，包括 OPCn 和JT在內(nèi)全球有 12家客戶(hù)與其持續(xù)進(jìn)行銅柵線(xiàn)驗(yàn)證邁為股份與SuDrve自2021年起合作研發(fā)高效JT電池，電池片電極在無(wú)種子層電鍍?cè)O(shè)備上完成Sunrve 優(yōu)化了其無(wú)種子層直接電鍍工藝，使電極高寬比得到提升（柵線(xiàn)寬度可達(dá) 9m，高度 7），最新轉(zhuǎn)換效率高達(dá)2641%。圖8：邁為Srive 合作HT電池效率提升曲線(xiàn)年月

27、年月17年月日444（）（）086420邁為股份電鍍銅技術(shù)目前還存在不足1電鍍銅設(shè)備的產(chǎn)能與傳統(tǒng)銀漿絲網(wǎng)印刷設(shè)備仍存在較大差距無(wú)法滿(mǎn)足光伏行業(yè)快速增長(zhǎng)的需求2在電鍍銅工藝生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生干膜和油墨等有機(jī)污染物，環(huán)保方案更為復(fù)雜；3）由于銅柵線(xiàn)較細(xì)，在相同應(yīng)力下附著力較小因此相比于銀柵線(xiàn)更容易發(fā)生“脫柵”。而且銅易氧化，氧化后會(huì)影響自身導(dǎo)電性，還會(huì)一直擴(kuò)散進(jìn)而導(dǎo)致電池片或組件失效。電鍍銅代替銀漿節(jié)省了原材料成本，但綜合考慮環(huán)保、曝光顯影、干磨、研孔、線(xiàn)路、設(shè)備折舊、化學(xué)用品、生態(tài)環(huán)境等因素，目前綜合成本可能還比銀漿貴。未來(lái)光伏行業(yè)如要大規(guī)模應(yīng)用電鍍銅技術(shù)，需要從設(shè)備產(chǎn)能、環(huán)保處理、生產(chǎn)工藝等方面

28、進(jìn)行改進(jìn)。圖形化：核突破，多路線(xiàn)探索量可行性圖形化是電鍍銅技術(shù)的核心突破點(diǎn)，可以通過(guò)光刻或激光等工藝路線(xiàn)實(shí)現(xiàn)。電鍍銅的圖形化環(huán)節(jié)主要包括鍍種子層、掩膜/感光油墨、曝光顯影/激光開(kāi)槽等步驟，直接在 CO上電鍍金屬電極是非選擇性的而且CO和電鍍銅之間的附著性能較差容易引發(fā)電極脫落因此電鍍之前需要在 CO 薄膜表面沉積種子層，并沉積圖形化的掩膜以實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍圖形化環(huán)節(jié)由于具備更高的技術(shù)難度，設(shè)備價(jià)值量相比金屬化環(huán)節(jié)更高。圖9：光刻、激光圖形化銅電鍍路線(xiàn)與絲網(wǎng)印刷路線(xiàn)差別資料來(lái)源華晟新能源一種單面或雙面太陽(yáng)能電池的圖形化掩膜及太陽(yáng)能電池專(zhuān)利CI、圖形化可通過(guò)光刻或激光方式實(shí)現(xiàn)。光刻制作圖形化類(lèi)似于P

29、CB工藝，主要通過(guò)將光膠作為掩膜材料制作掩膜，經(jīng)過(guò)處理、曝光、顯影后在感光膠上的圖形可以顯現(xiàn)出來(lái)再進(jìn)行銅電鍍。激光制作圖形化是通過(guò)激光開(kāi)槽的方式，將位于導(dǎo)電金屬層待電鍍區(qū)域絕緣掩膜層采用激光去除，以露出導(dǎo)電金屬層的待電鍍區(qū)域，而保留在導(dǎo)電金屬層上的絕緣掩膜層直接形成圖形化掩膜。圖10：半導(dǎo)體光刻圖形化工藝原理圖11：激光圖形化電鍍工藝流程資料來(lái)源圖形光刻工藝原理、申萬(wàn)宏源研究資料來(lái)源一種單面或雙面太陽(yáng)能電池的圖形化掩膜及太陽(yáng)能電池專(zhuān)利、申萬(wàn)宏源研究光刻、激光等多路推動(dòng)探索圖形化量產(chǎn)可能性種子層制備電鍍太陽(yáng)能電池的長(zhǎng)期可靠性是決定銅金屬化能否量產(chǎn)的決定性因素之一。銅是一深能級(jí)雜質(zhì)，會(huì)迅速擴(kuò)散到硅

30、中并與硅發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致器件退化和故障。因此，銅的擴(kuò)散阻擋層至關(guān)重要，一般采用硅鎳合金作為銅擴(kuò)散阻擋層，額外的阻擋層沉積將增加工藝雜性和成本，而 JT電池通過(guò)在電極和硅之間插入 CO 薄膜，CO 薄膜優(yōu)異的銅擴(kuò)散阻擋性能使得T電池?zé)o需額外沉積阻擋層。種子層具備低電阻及優(yōu)良接觸特性有助于實(shí)現(xiàn)電鍍銅技術(shù)直接在CO上進(jìn)行電鍍鍍層和 CO間的接觸為物理接觸附著力主要為范德華力容易引起電極脫落為改善金屬與透明導(dǎo)電薄膜的接觸及附著特性，需在電鍍之前在透明導(dǎo)電薄膜表面沉積一層極薄的種子層（100n），增加電鍍金屬與 CO 之間的附著性能。金屬種子層具有高橫向?qū)щ娦砸约案玫慕佑|特性，有助于實(shí)現(xiàn)雙面電鍍，一般選

31、擇在硅中擴(kuò)散速率較慢的金屬鎳。種子層制備分為全面沉積和選擇性制備，選擇性制備有望成為技術(shù)發(fā)展方向。全面積種子層通過(guò)物理氣相沉積（PVD）比如磁控濺射或者化學(xué)鍍技術(shù)實(shí)現(xiàn)。選擇性制備種子層主要可通過(guò)激光轉(zhuǎn)印或者噴墨打印/絲網(wǎng)印刷的方式實(shí)現(xiàn)激光轉(zhuǎn)印技術(shù)是指通過(guò)激光把種子層從塑料載體轉(zhuǎn)移至基板上然后通過(guò)燒制介電層實(shí)現(xiàn)種子層與 CO的接觸種子層的選擇性制備可以顯著簡(jiǎn)化電鍍工藝，不需要全面沉積種子層和選擇性回蝕，未來(lái)或?qū)榉N子層制備技術(shù)的主要發(fā)展方向。圖12：種子層選擇性制備方法Noel ag roesss or Son eeroon Soar Cel Meazaon Usga SrredSeedaer光

32、路線(xiàn)在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫(xiě)光刻與掩膜光刻。其中，掩膜光刻是指由光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，具體可分為接近/接觸式光刻以及投影光刻相較于接觸式和接近式光刻技術(shù)投影式光刻技術(shù)更加先進(jìn)通過(guò)投影的原理能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。直寫(xiě)光刻也稱(chēng)無(wú)掩膜光刻，是計(jì)算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料基材表面上，無(wú)需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光，其在PCB領(lǐng)域一般稱(chēng)為“直接成像”。直寫(xiě)刻根據(jù)輻射源的不同大致可進(jìn)一步分為兩大主要類(lèi)型：一種是光學(xué)直寫(xiě)光刻，如激光直寫(xiě)光刻；另一種是帶電粒子直寫(xiě)光刻，如電子束直寫(xiě)、離子束直寫(xiě)等

33、。圖13：泛半導(dǎo)體主要光刻技術(shù)分為直寫(xiě)光刻和掩膜光刻資料來(lái)源：芯碁微裝招股說(shuō)明書(shū)、申萬(wàn)宏源研究直寫(xiě)光刻技術(shù)具備精度更高和簡(jiǎn)化流程等優(yōu)點(diǎn)，有望運(yùn)用于電鍍銅技術(shù)圖形化環(huán)節(jié)。激光直寫(xiě)光刻是高精度激光束根據(jù)設(shè)計(jì)的圖形聚焦至涂覆有感光材料的基材表面上，無(wú)需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光。LDI（Lsr DrctImgng）屬于直接成像的一種，光由紫外激光器發(fā)出，LDI 技術(shù)的成像質(zhì)量比傳統(tǒng)曝光技術(shù)更清晰，在中高端 PCB 制造中具有明顯勢(shì)有望運(yùn)用于電鍍銅技術(shù)的圖形化環(huán)節(jié)在PCB領(lǐng)域下游對(duì)光刻精度的要求不斷提升，目前光刻直寫(xiě)設(shè)備可實(shí)現(xiàn)的最小線(xiàn)寬達(dá)到 5；同時(shí)，直寫(xiě)光刻設(shè)備從 CM 文件開(kāi)始接成像，免除了傳統(tǒng)曝光所需

34、的底片制作流程及返工流程，有縮短生產(chǎn)周期。PB產(chǎn)品類(lèi)型9年1年3年表PB產(chǎn)品類(lèi)型9年1年3年多層板mm0mI板mm0m柔性板mm5mICIC載板mm5m資料來(lái)源：芯碁微裝招股說(shuō)明書(shū)、申萬(wàn)宏源研究資料來(lái)源：芯碁微裝招股書(shū)、申萬(wàn)宏源研究掩膜光刻路徑多樣主要由種子層印刷方式和掩膜類(lèi)別決定1PVD鍍種子層+有機(jī)掩膜：PVD 鍍種子層沉積掩膜或噴涂感光油墨通過(guò)曝光顯影刻蝕出電鍍區(qū)域的凹槽兩側(cè)同時(shí)電鍍銅去除掩膜并進(jìn)行種子層回蝕2圖形化種子層+介電掩膜：PVD鍍種子層在種子層上噴涂固化油墨沉積網(wǎng)格圖案進(jìn)行種子層回蝕去除網(wǎng)格之間的種子層電池片表面沉積介電層去除油墨，在介電層表面形成開(kāi)口兩側(cè)同時(shí)進(jìn)行電鍍）印種子

35、網(wǎng)格+介電掩膜：在 CO 膜表面通過(guò)噴墨或絲印實(shí)現(xiàn)種子網(wǎng)格的印刷在電池片表沉積介電層銅電鍍。圖15：種子層和掩膜工藝步驟比較CSEM由于設(shè)備產(chǎn)能有限和掩膜成本較高，掩膜光刻在光伏電鍍銅領(lǐng)域或不具備經(jīng)濟(jì)性?？坦に囃ㄟ^(guò)旋涂液體抗蝕劑并進(jìn)行紫外線(xiàn)照射來(lái)形成柵線(xiàn)開(kāi)口，這種工藝可獲得更細(xì)線(xiàn)和更高的高寬比，但對(duì)于光伏生產(chǎn)來(lái)說(shuō)過(guò)于昂貴。PCB 領(lǐng)域的電鍍采用光敏 UV 油墨或膜形成柵線(xiàn)開(kāi)口，采用干膜電鍍得到的電極橫截面呈矩形，相比于 UV 油墨具備更好的辨率和高寬比。然而 UV 油墨或干膜仍需要基于光刻的步驟，在光伏行業(yè)電鍍銅領(lǐng)域或具備經(jīng)濟(jì)性，因此大規(guī)模生產(chǎn)和低成本的替代工藝非常重要。激光路線(xiàn)激光路線(xiàn)主要包

36、括激光開(kāi)槽和激光轉(zhuǎn)印兩種方案：激光開(kāi)槽是一種前景廣闊的太陽(yáng)能電池鍍銅方法，但它與 HT 電池工藝不兼容。HT太陽(yáng)能電池的本征非晶硅層和摻雜非晶硅層厚度小于 20，激光束會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞鈍化層，在不影響器件性能的情況下燒蝕 CO 層是不可能的。有技術(shù)提出通過(guò)在 CO 上沉積 O/-Si 疊層（其中 -Si 層用作激光照射的吸收劑，AO3薄膜在該區(qū)域被燒蝕）通過(guò)激光開(kāi)槽形成電鍍開(kāi)口選擇性沉積種子層銅電鍍。另一種優(yōu)化的激光路線(xiàn)是激光誘導(dǎo)正向轉(zhuǎn)移（I）在 CO上沉積介電層通過(guò)第一道激工序把種子層從塑料箔誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移至電表面通過(guò)第二道激光工序燒制介電層，形成種子層與 CO 的接觸電鍍銅。該技術(shù)路線(xiàn)無(wú)需事先鍍鎳等預(yù)

37、處理，工序流程簡(jiǎn)化電鍍工藝也比較簡(jiǎn)單。圖16：圖形化技術(shù)的激光路線(xiàn)oppr eazaon of eerdes or son eeoon soar es: roess,reabyadaeges在圖形化環(huán)節(jié)，多家企業(yè)及機(jī)構(gòu)選擇不同工藝路線(xiàn)對(duì)電鍍銅技術(shù)進(jìn)行探索。帝爾激布局圖形化環(huán)節(jié)的激光開(kāi)槽技術(shù)根據(jù) 8月投資者關(guān)系活動(dòng)記錄公司前期在OPC電鍍工藝上已實(shí)現(xiàn)較好的中試應(yīng)用效果，今年在 IC 路線(xiàn)又有了突破，證明激光路線(xiàn)在不同電池技術(shù)上應(yīng)用廣闊。目前帝爾已有電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單，因?yàn)殡婂冦~環(huán)節(jié)對(duì)激光的精準(zhǔn)性要求較高，既要保證開(kāi)槽較細(xì)，還要實(shí)現(xiàn)后續(xù)銅離子的較好吸附，因此設(shè)備單 GW價(jià)值量較高。芯碁微裝基

38、于自身在PCB領(lǐng)域直寫(xiě)光刻的深厚積累，積極推進(jìn)激光直寫(xiě)光刻設(shè)備在光伏領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。邁為股份與 SunDrve 聯(lián)合研發(fā)高效 JT 電池，采用無(wú)種子層直接電鍍工藝實(shí)現(xiàn)最高轉(zhuǎn)換效率高達(dá)2641%根據(jù)邁為投資者關(guān)系記錄明年上半年有望實(shí)現(xiàn)在客戶(hù)端的中試線(xiàn)試運(yùn)行。表7：圖形化環(huán)節(jié)各企業(yè)設(shè)備技術(shù)進(jìn)展圖形化路線(xiàn)公司名稱(chēng)技術(shù)進(jìn)展光刻激光邁為股芯碁微帝爾激光與 SunDie 聯(lián)合研發(fā)高效 HJT 電池，采用無(wú)種子層直接電鍍工藝實(shí)現(xiàn)最高轉(zhuǎn)換效率高達(dá)2641%。根據(jù)邁為公告，明年上半年有望實(shí)現(xiàn)在客戶(hù)端的中試線(xiàn)試運(yùn)行公司已將應(yīng)用于 PCB 線(xiàn)路層曝光的直寫(xiě)光刻設(shè)備曝光精度（最小線(xiàn)寬）由 8m 提升至6m PCB

39、阻焊層曝光精度由 515m 提至 400m，與此同時(shí)直寫(xiě)光刻設(shè)備產(chǎn)能效率也不斷提升。在新能源光伏領(lǐng)域，公司已經(jīng)與下游知名電池片廠商進(jìn)行技術(shù)探討前期在 PCon 電鍍工藝上已實(shí)現(xiàn)較好的中試應(yīng)用效果，今在 BC 路線(xiàn)又有了突破，證明激光路線(xiàn)在不同電池技術(shù)上應(yīng)用廣闊目前帝爾已有電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單因?yàn)殡婂冦~環(huán)對(duì)激光的精準(zhǔn)性要求較高，既要保證開(kāi)槽較細(xì)，還要實(shí)現(xiàn)后續(xù)銅離子的較好吸附，因此設(shè)備單 W價(jià)值量較高資料來(lái)源：各公司公告、微信公眾號(hào)，申萬(wàn)宏源研究光刻/激光各有優(yōu)劣，未來(lái)或?qū)⒊识嗉夹g(shù)路線(xiàn)并行格局。光刻路線(xiàn)下的干膜成本較高目前主要通過(guò)采用成本較低的 UV 油控制成本，光刻設(shè)備效率相比絲網(wǎng)印刷較低，

40、未來(lái)效率還需進(jìn)一步提升。相比光刻路線(xiàn)，激光圖形化路線(xiàn)效率更高、成本更低，具備量產(chǎn)潛力。目前局限在于1激光束可能會(huì)損壞鈍化層，不適合JT電池技術(shù)路線(xiàn)2技術(shù)成熟度及生產(chǎn)良率相對(duì)較低。我們認(rèn)為，未來(lái)電鍍銅技術(shù)或?qū)⑹嵌喾N路線(xiàn)并行的局面：光刻路線(xiàn)用于T電池，激光路線(xiàn)用于OPCn 或BC電池。重點(diǎn)標(biāo)的邁為股份、帝爾激光芯碁微裝、蘇大維天準(zhǔn)科技邁為股：儲(chǔ)備圖形化和電鍍銅設(shè)備公司聚焦半導(dǎo)體、顯示、光伏領(lǐng)域，深耕真空、激光、圖形化三大基準(zhǔn)技術(shù)。公司業(yè) 務(wù)可分為太陽(yáng)能電池成套生產(chǎn)設(shè)備單機(jī)配件及其他20221 上述業(yè)務(wù)營(yíng)收分別為1393、 243、124億元，營(yíng)收占比分別為7913%、1382%、705%，太陽(yáng)能電

41、池成套生產(chǎn)設(shè)備 系公司營(yíng)收主要來(lái)源。在光伏領(lǐng)域，作絲網(wǎng)印刷設(shè)備龍頭，市占率超過(guò) 70%；同時(shí)積極推動(dòng)并成功研制 HT 電池量產(chǎn)設(shè)備，2022 年以來(lái)累計(jì)公布 JT整線(xiàn)訂單或潛在合作超16G（包括2022年4 月 C48G、2022年7月愛(ài)康科技12G、2022 年9月華晟72GW2022年 9月潤(rùn)海新能源3GW并成功研制了用于光伏行業(yè)的激光設(shè)備并取得一定市場(chǎng)份額。圖17：公司深耕三大基準(zhǔn)技術(shù)，聚焦泛半導(dǎo)體領(lǐng)域資料來(lái)源：邁為股份官網(wǎng)、申萬(wàn)宏源研究注：藍(lán)字部分為公司已開(kāi)發(fā)設(shè)備前瞻布局銅電鍍技術(shù)加速去銀化進(jìn)程根據(jù)邁為中報(bào)信息公司采取類(lèi)光刻工（干膜/濕+曝光）來(lái)實(shí)現(xiàn)銅電鍍環(huán)節(jié)的圖形化，在銅電鍍的四個(gè)技

42、術(shù)難點(diǎn)，目前邁為已經(jīng)攻克了兩個(gè)半。邁為認(rèn)為JT電池不適合采用激光路線(xiàn)電鍍銅一方面激光會(huì)損傷JT電池的鈍化層；同時(shí)相比掩膜光刻路線(xiàn)，激光無(wú)法限制銅電鍍的側(cè)向生長(zhǎng)，會(huì)影響光照面積。從電鍍銅推進(jìn)速度來(lái)看預(yù)計(jì)今年10 月會(huì)確定整體工藝路線(xiàn)明年上半年有望實(shí)現(xiàn)在客戶(hù)端的中試線(xiàn)試運(yùn)行。邁為同步布局銀包銅技術(shù)，持續(xù)推進(jìn)光伏行業(yè)去銀化降本。與 SuDrve 自 2021 年起合作研發(fā)高效 JT 電池，電池片電極在無(wú)種子層電鍍?cè)O(shè)備上完成SDrve優(yōu)化了其無(wú)種子層直接電鍍工藝，使電極高寬比得到提（柵線(xiàn)寬度可達(dá)9，高度7），最新轉(zhuǎn)換效率高達(dá)2641%。圖18：銅電鍍工序及技術(shù)難點(diǎn) 圖19邁為/re作HT 電池效率提升

43、曲線(xiàn) 年月月月日7日1年月日4年月日4（）（）2086420邁為股份（JT疊層峰會(huì)）邁為股份受益于下游光伏裝機(jī)需求擴(kuò)張，公司業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)。受益于全球光伏裝機(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)高效電池技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備投資以及公司絲網(wǎng)印刷產(chǎn)線(xiàn)市場(chǎng)份額快速提升，公司營(yíng)收及歸母凈利潤(rùn)均高速增長(zhǎng)。2021年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3095億元，同比增長(zhǎng)3544%；歸母凈利潤(rùn)為 643 億元，同比增長(zhǎng) 6297%。2022 年以來(lái)公司累計(jì)公布 HT 整線(xiàn)訂單或潛在合作達(dá)21GW為后續(xù)營(yíng)收和利潤(rùn)增長(zhǎng)提供保障20221公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入1760億元，同比增長(zhǎng) 4208%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 396 億元，同比增長(zhǎng) 5720%。近年來(lái)公司毛利率及凈

44、利率水平有所回升，20221實(shí)現(xiàn)毛利率4007%、凈利率2184%。圖20201221年?duì)I業(yè)收入AGR約76%圖21015201年歸母凈利潤(rùn)AR約7%00000000 營(yíng)業(yè)收入（百萬(wàn)元）營(yíng)收yy（%）歸母凈利潤(rùn)（百萬(wàn)元）歸母凈利潤(rùn)yy（）d、d、圖22：近年來(lái)公司毛利率及凈利率回升%56789011毛利率（%）凈利率（%）d帝爾激：布局圖形化環(huán)節(jié)激光設(shè)備公司是光伏激光加工設(shè)備龍頭，在光伏行業(yè)擁有高市占率。公司是全球領(lǐng)先的光伏用設(shè)備解決方案供應(yīng)商，在光伏激光應(yīng)用領(lǐng)域具有較強(qiáng)的技術(shù)積累。主要產(chǎn)品激光消融設(shè)備SE激光摻雜設(shè)備市場(chǎng)占有率穩(wěn)定在80%左右，下游客戶(hù)包括隆基、阿特斯晶澳太陽(yáng)能等全球光伏組件

45、龍頭企業(yè)。全面布局電池工藝路線(xiàn)，充分受益于下游擴(kuò)產(chǎn)及技術(shù)變化帶來(lái)的設(shè)備需求紅利。光伏行業(yè)景氣發(fā)展拉動(dòng)光伏激光設(shè)備需求，P 型電池向 N 型電池發(fā)展帶來(lái)激光設(shè)備需求再次提升。無(wú)論何種太陽(yáng)能電池技術(shù)路線(xiàn)成為主流，公司的光伏激光設(shè)備均能實(shí)現(xiàn)相關(guān)應(yīng)用：1公司基于原有的 SE 激光摻雜設(shè)備、激光消融設(shè)備，推出激光轉(zhuǎn)印解決方案；2）公司針對(duì) OPCon 研制了激光硼摻雜技術(shù)，針對(duì) JT 進(jìn)行了激光修復(fù)和激光無(wú)損切割等產(chǎn)品儲(chǔ)備。同時(shí)公司針對(duì) C技術(shù)儲(chǔ)備了大尺寸無(wú)損消融技術(shù)以及激光開(kāi)槽設(shè)備等有望充分受益于新型高效電池技術(shù)迭代。圖23：公司在光伏領(lǐng)域全面布局各種技術(shù)路線(xiàn)，在其他領(lǐng)域加速拓展新應(yīng)用帝爾激光公司公告

46、、申萬(wàn)宏源研究積極布局電鍍銅激光開(kāi)槽技術(shù)，目前已取得量產(chǎn)訂單。公司積極布局圖形化環(huán)節(jié)的光開(kāi)槽技術(shù)，根據(jù)帝爾投資者交流信息，公司前期在 OPCon電鍍工藝上已實(shí)現(xiàn)較好的試應(yīng)用效果，今年在 IBC 路線(xiàn)又有了突破，證明激光路線(xiàn)在不同電池技術(shù)上應(yīng)用廣闊。目前帝爾已有電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單，因?yàn)殡婂冦~環(huán)節(jié)對(duì)激光的精準(zhǔn)性要求較高，既要保證開(kāi)槽較細(xì)，還要實(shí)現(xiàn)后續(xù)銅離子的較好吸附，因此設(shè)備單GW 價(jià)值量較高。公司業(yè)績(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)，營(yíng)收凈利表現(xiàn)良好。公司核心產(chǎn)品 PC 激光消融和激光摻雜設(shè)備的市占率常年居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，目前貢獻(xiàn)主要營(yíng)收來(lái)源；同時(shí)受益于公司在個(gè)技術(shù)路線(xiàn)均有產(chǎn)品布局：2015-2021 年?duì)I收年復(fù)

47、合增速約為 79%，2021 年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 1257億元，同比增長(zhǎng) 1721%；2015-201 年歸母凈利潤(rùn)年復(fù)合增速約為 87%，2021 年公司歸母凈利潤(rùn)為 381 億元，同比增長(zhǎng) 211%。20221 公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入 665 億元，同比增長(zhǎng) 1075%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 216 億元，同比增長(zhǎng) 2143%。近年來(lái)，公司毛利率均保持在 45%以上，凈利率水平呈波動(dòng)上升趨勢(shì)；20221 實(shí)現(xiàn)毛利率 4675%、凈利率 3247%。0000 營(yíng)業(yè)收入（百萬(wàn)元）營(yíng)收yy（%）87%0歸母凈利潤(rùn)（百萬(wàn)元）歸母凈利潤(rùn)yy（）dd%56789011毛利率（%）凈利率（%）d芯碁微：直寫(xiě)光刻曝光龍

48、頭立足直寫(xiě)光刻技術(shù)，產(chǎn)品覆蓋B 及泛半導(dǎo)體等領(lǐng)域公司專(zhuān)業(yè)從事以直寫(xiě)光刻為技術(shù)核心的直接成像設(shè)備及直寫(xiě)光刻設(shè)備的研發(fā)制造，主要產(chǎn)品包括PB 直接成像設(shè)備及自動(dòng)線(xiàn)系統(tǒng)泛半導(dǎo)體直寫(xiě)光刻設(shè)備及自動(dòng)線(xiàn)系統(tǒng)其他激光直接成像設(shè)備等。產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)包括：絲網(wǎng)印刷領(lǐng)域（最小線(xiàn)寬7-m）PCB領(lǐng)域（最小線(xiàn)寬 0m，包括單層板、多層板、DI 板、柔性板、IC 載板等）及泛半導(dǎo)體領(lǐng)（最小線(xiàn)寬3m以下包括低世代 ED顯示面板晶圓級(jí)封裝及 IC制造等領(lǐng)域，且擬進(jìn)入高世代ED顯示面板領(lǐng)域。圖27：公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于B 及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域資料來(lái)源：芯碁微裝招股說(shuō)明書(shū)國(guó)內(nèi)直寫(xiě)光刻設(shè)備龍頭，定增項(xiàng)目將拓展新能源光伏領(lǐng)

49、域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。作為國(guó)內(nèi)唯一一家曝光顯影設(shè)備上市公司，芯碁微裝生產(chǎn)的光刻機(jī)設(shè)備通過(guò)圖形化技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)電鍍銅工藝。光伏用曝光機(jī)精度只需要達(dá)到微米級(jí)，已將應(yīng)用于PCB線(xiàn)路層曝光的直寫(xiě)光刻設(shè)備曝光精（最小線(xiàn)寬）由8m提升至6PCB阻焊層曝光精度由75/150m提升至40/70與此同時(shí)直寫(xiě)光刻設(shè)備產(chǎn)能效率也不斷提升單位產(chǎn)品使用成本不斷下降。根據(jù)公司定增預(yù)案，公司預(yù)計(jì)投資總計(jì)318億元建設(shè)現(xiàn)代化直寫(xiě)光刻設(shè)備生產(chǎn)基地拓展直寫(xiě)光刻設(shè)備在新型顯示、PCB 阻焊層、引線(xiàn)框架以及新能源光伏等領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用。在新能源光伏領(lǐng)域，公司已經(jīng)與下游知名電池片廠商進(jìn)行技術(shù)探討。表8：定增項(xiàng)目擬拓展直寫(xiě)光刻設(shè)備下游應(yīng)用項(xiàng)目名稱(chēng)直

50、寫(xiě)光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)應(yīng)用深化拓展項(xiàng)目項(xiàng)目總投資3175619 萬(wàn)元項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容本項(xiàng)目擬建設(shè)現(xiàn)代化的直寫(xiě)光刻設(shè)備生產(chǎn)基地，深化拓展直寫(xiě)光刻設(shè)備在新型顯示、PCB 阻焊層、引線(xiàn)框架以及新能源光伏等領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用，擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)有NEX系列產(chǎn)品的同時(shí)，不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品并推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化落地預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)210（臺(tái)套）直寫(xiě)光刻設(shè)備產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模。項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)合肥市高新區(qū)長(zhǎng)安路與長(zhǎng)寧大道交口西南角芯碁微裝公司公告、公司業(yè)績(jī)穩(wěn)健增長(zhǎng)，電鍍銅曝光設(shè)備有望成為新增長(zhǎng)極。近年來(lái)，受益于直寫(xiě)設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，公司營(yíng)收及凈利潤(rùn)均穩(wěn)健增長(zhǎng)。2021 年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 492 億元，同比增長(zhǎng) 5874%；歸母凈利潤(rùn)為 106 億元，同比增

51、長(zhǎng) 4944%。20221 公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入255 億元，同比增長(zhǎng) 3695%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 057 億元，同比增長(zhǎng) 3172%。未來(lái)隨著公司光伏電鍍銅領(lǐng)域光刻設(shè)備驗(yàn)證通過(guò)陸續(xù)出貨，有望持續(xù)貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)?cè)隽?。公司毛利率凈利率水平基本穩(wěn)定，分別在40%/20%水平上下波動(dòng)。83%0AAAA 0AAAA 營(yíng)業(yè)收入（百萬(wàn)元）營(yíng)yy（%d歸母凈利潤(rùn)（百萬(wàn)元）歸母凈利潤(rùn)yy（）圖30：公司毛利/凈利率分別在40/2%水平上下波動(dòng).%.%AAAA1毛利率（%）凈利率（%）d蘇大維：深耕圖形+光刻設(shè)備公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的微納結(jié)構(gòu)產(chǎn)品制造和技術(shù)服務(wù)商。公司通過(guò)自主研發(fā)微納光學(xué)關(guān)制造設(shè)備光刻機(jī)，建立了微納光學(xué)研發(fā)與

52、生產(chǎn)制造的基礎(chǔ)技術(shù)平臺(tái)體系，形成了公安全和新型印材、消費(fèi)電子新材料、反光材料、高端智能裝備四大事業(yè)群。在持續(xù)的技創(chuàng)新推動(dòng)下，公司緊密貼合下游市場(chǎng)需求變化，積極布局 OF/DOE、V/AR 等領(lǐng)域的產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。圖31：蘇大維主要業(yè)務(wù)布局蘇大維格公司公告、申萬(wàn)宏源研究依托光刻技術(shù)，積極拓展光伏領(lǐng)域應(yīng)用。公司始終致力于打造功能強(qiáng)大、性能穩(wěn)定的統(tǒng)一光刻平臺(tái)并通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、增加設(shè)備型號(hào)、拓展應(yīng)用領(lǐng)域，為產(chǎn)品的前瞻性技術(shù)開(kāi)發(fā)提供基礎(chǔ)平臺(tái)公司具備多年的光刻機(jī)研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?zāi)軌蛱峁?yīng)用于IC芯片投影式光刻機(jī)的核心部件定位光柵尺產(chǎn)品，目前正積極拓展光刻設(shè)備在光伏銅電鍍方案圖形化方面的應(yīng)用。 MScn 系激

53、光直寫(xiě)設(shè)備能實(shí)現(xiàn) 08m 分辨精度及 0m 套刻精度，采用無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻技術(shù)去除了繁瑣的掩膜加工步驟降低研發(fā)生產(chǎn)成本縮短研發(fā)周期具有快速、精細(xì)等曝光模式和Ms/晶圓器件制作等多種工作模式。圖32：公司n激光直寫(xiě)設(shè)備能實(shí)現(xiàn)0.8m 分辨精度及0.m 套刻精度 資料來(lái)源：蘇大維格官網(wǎng)、申萬(wàn)宏源研究公司營(yíng)收穩(wěn)步增長(zhǎng)業(yè)績(jī)有望迎來(lái)改善2021年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1737億元同比增長(zhǎng) 2477%；歸母凈利潤(rùn)為-350 億元，虧損原因主要系 1）國(guó)際形勢(shì)及疫情影響下，子公司華日升微棱鏡反光材料銷(xiāo)售下滑嚴(yán)重，疊加化工原材料價(jià)格暴漲，公司計(jì)提商譽(yù)減值 3億元2子公司維業(yè)達(dá)由于產(chǎn)能利用率及設(shè)備稼動(dòng)率較低導(dǎo)致虧損2022

54、1公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入88億元同比增長(zhǎng)985%歸母凈利潤(rùn)為-001億元主要系受長(zhǎng)三角地區(qū)疫情、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇影響，在新管理團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)以及維業(yè)達(dá)持續(xù)導(dǎo)入龍頭客戶(hù)下，2022Q2 公司扭轉(zhuǎn) Q1 虧損狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 138 萬(wàn)元。近年來(lái)，公司毛利率及凈利率水平略有下降，但毛利潤(rùn)仍維持在較高水平；20221 毛利率 1568%、凈利率為-069%，未來(lái)公司經(jīng)營(yíng)狀況和盈利能力有望持續(xù)改善。圖33205221年?duì)I業(yè)入AR約3%圖34：歸母凈利有望改善0 營(yíng)業(yè)收入（百萬(wàn)元）營(yíng)收yy（%）0-0-0-0-0 -%-%-%-%-%歸母凈利潤(rùn)（百萬(wàn)元）歸母凈利yy（）d、d、圖35：未來(lái)公司盈利能力有望恢復(fù)%-

55、%-%1-%-%-%毛利率（%）凈利率（%）d天準(zhǔn)科：I設(shè)備新秀機(jī)器視覺(jué)設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，橫向布局多產(chǎn)品領(lǐng)域。天準(zhǔn)聚焦機(jī)器視覺(jué)，成功應(yīng)用于消類(lèi)電子產(chǎn)品的尺寸測(cè)量與缺陷檢測(cè)，形成了機(jī)器視覺(jué)算法、精密機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、精密驅(qū)動(dòng)與控制等完畢的技術(shù)體系根據(jù)公司2022半年報(bào)，2021 年在國(guó)內(nèi)機(jī)器視覺(jué)行業(yè)市占率為77%主要產(chǎn)品包括視覺(jué)測(cè)量裝備視覺(jué)檢測(cè)裝備視覺(jué)制程裝備和智能網(wǎng)聯(lián)方案等。產(chǎn)品功能涵蓋尺寸與缺陷檢測(cè)、自動(dòng)化生產(chǎn)裝配、智能倉(cāng)儲(chǔ)物流等工業(yè)領(lǐng)域多個(gè)環(huán)節(jié)。圖36：天準(zhǔn)科主要業(yè)務(wù)布局天準(zhǔn)科技招股說(shuō)明書(shū)立足核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，推出 I 設(shè)備迅速貢獻(xiàn)收入。天準(zhǔn)將自身打造的機(jī)器視覺(jué)和精密光電等技術(shù)復(fù)用到新領(lǐng)域，LDI 產(chǎn)

56、品的核心技術(shù)與天準(zhǔn)其他產(chǎn)品有很大重疊，公司在 LDI領(lǐng)域具備明顯競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)公司2020年年底推出LDI激光直接成像設(shè)備2021年第一年銷(xiāo)售就實(shí)現(xiàn)了近 7000 萬(wàn)元的營(yíng)業(yè)收入，并持續(xù)提升 LDI 產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)，完善功能、拓展應(yīng)用場(chǎng)景以 DI 系列激光直接成像設(shè)備為例采用亞微米級(jí)精密驅(qū)控平臺(tái)全新一代DMD控制技術(shù)以及光學(xué)成像設(shè)計(jì)，融合天準(zhǔn)視覺(jué)算法、融合標(biāo)定、補(bǔ)償算法等技術(shù)，以確保更高的成像質(zhì)量、產(chǎn)能以及對(duì)位精度。圖37：天準(zhǔn)科技LI 激光直接成像設(shè)備資料來(lái)源：公司官網(wǎng)、申萬(wàn)宏源研究在光伏領(lǐng)域，公司的硅片自動(dòng)檢測(cè)分選裝備在缺陷檢測(cè)準(zhǔn)確率方面與瑞士梅耶博格類(lèi)最先進(jìn)產(chǎn)品水平相當(dāng)，在檢測(cè)速度方面高于梅耶博

57、格水平，覆蓋國(guó)內(nèi)絕大部分光伏硅切片廠商，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要是天準(zhǔn)科技和奧特維兩家供應(yīng)商，兩家份額大致相當(dāng)。公司營(yíng)收及凈利潤(rùn)整體保持較好增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2015-2021 年?duì)I收復(fù)合年均增長(zhǎng)率約為 42%、歸母凈利潤(rùn)復(fù)合年均增長(zhǎng)率約為 30%。2021 年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 1265 億元，同比增長(zhǎng) 3123%；歸母凈利潤(rùn)為 134 億元，同比增長(zhǎng) 2491%。20221 公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入465 億元，同比增長(zhǎng) 2509%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 003 億元，同比增長(zhǎng) 4145%，公司上半年實(shí)施股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃影響歸母凈利潤(rùn)扣除股份支付費(fèi)用影響后歸母公凈利潤(rùn)為025億元近年來(lái)公司毛利率水平較為穩(wěn)定20

58、221毛利率為4373%凈利率為067%主要系股權(quán)激勵(lì)支付費(fèi)用影響。圖3公司05201 年?duì)I業(yè)入AR 約42%圖 39：公司 21501 年歸母凈利潤(rùn) AGR 約 30%0000 ）收yy%0-% 歸母凈利潤(rùn)（百萬(wàn)元）潤(rùn)yydd圖40：近年來(lái)公司毛利整體穩(wěn)定%56789011毛利率（%）凈利率（%）d金屬化：垂直/水平電鍍各有亮點(diǎn)，效率提升關(guān)鍵垂直電鍍技術(shù)成熟，水平電鍍有望突破量產(chǎn)瓶頸光伏鍍銅關(guān)鍵在于柵線(xiàn)的均勻性和填充性能。電鍍銅工藝的基本原理就是利用電解學(xué)反應(yīng)在基體表面鍍上一層金屬銅膜層，通電后發(fā)生電極反應(yīng)，電解液中帶正電離子向極反應(yīng)區(qū)的負(fù)相移動(dòng)，帶負(fù)電離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動(dòng)，發(fā)生金屬堆

59、積鍍層和放出氣體。光伏電鍍銅的關(guān)鍵在于電鍍柵線(xiàn)的均勻性和填充性能，很大程度上取決于鍍銅液的能、電流密度等技術(shù)參數(shù)。隨著電流密度上升，得到的銅鍍層更均勻致密，在電流密度更高的邊緣區(qū)域銅離子沉積更快，而中間區(qū)域則有可能出現(xiàn)空心、孔洞等情況，同時(shí)銅電極會(huì)向外擴(kuò)散，影響單位電池表面的吸光面積，影響轉(zhuǎn)換效率。金屬化環(huán)節(jié)的主要設(shè)備即為電鍍?cè)O(shè)備，電鍍銅工藝根據(jù)電池片的放置及傳送方式不分為垂直電鍍和水平電鍍：垂直電鍍中鍍件垂直于鍍液平面，利用馬達(dá)帶動(dòng)鋼帶或鏈條在同一固定高度處水平傳動(dòng)，實(shí)現(xiàn)鍍件在不同工藝段槽體內(nèi)的平穩(wěn)傳動(dòng)與連續(xù)生產(chǎn)。垂直電鍍技術(shù)較為成熟，技難度相對(duì)較低，主要應(yīng)用于PCB領(lǐng)域，采用夾點(diǎn)掛鍍方式，

60、自動(dòng)化難度較高，限制生產(chǎn)率提升。水平電鍍是將電池片的放置方式由垂直改變?yōu)槠叫杏阱円阂好?，電池片通過(guò)導(dǎo)電滾輪實(shí)現(xiàn)與電路的聯(lián)通，同時(shí)帶動(dòng)水平置于導(dǎo)電滾輪上的電池片向前運(yùn)動(dòng)。相比垂直電鍍，平電鍍具備優(yōu)勢(shì)：無(wú)需進(jìn)行手工裝掛，大幅提升自動(dòng)化程度，具備規(guī)?；慨a(chǎn)潛力；不用掛具，降低碎片率，提高生產(chǎn)良率；無(wú)需預(yù)留裝夾位置，增加實(shí)用面積；電鍍均勻性好。水平電鍍工藝技術(shù)難度較高，設(shè)備價(jià)值量更高，在使用過(guò)程中設(shè)備調(diào)試難度更大，平電鍍的研發(fā)設(shè)計(jì)仍存在技術(shù)性問(wèn)題，未來(lái)有待進(jìn)一步完善。圖41：B 垂直連續(xù)電鍍線(xiàn) 圖42：光伏電池片水平電鍍?cè)O(shè)備示意圖?；劭萍肌①Y料來(lái)源：國(guó)知局、申萬(wàn)宏源研究多家廠商積極布局垂直水平電鍍工藝