光刻、腐蝕工藝基礎(chǔ)試題光刻、腐蝕工藝基礎(chǔ)試題擴(kuò)散工藝基礎(chǔ)試題擴(kuò)散工藝基礎(chǔ)試題姓名TOC\o"1-5"\h\z1同樣的基區(qū)離子注入量，擴(kuò)散結(jié)深做得較深時(shí)，R值將變。2同樣的擴(kuò)散結(jié)深，離子注入量減小時(shí)，R值將變。3某NPN產(chǎn)品，基區(qū)擴(kuò)散時(shí)H2未通進(jìn)，其余條件正常，所造成的后果是和c4基區(qū)離子注入量發(fā)生了較大變化，其余工序正常加工，流程到哪幾步可以根據(jù)哪三個(gè)參數(shù)的什么現(xiàn)象判別出注入量發(fā)生了如何的變化？5其余條件不變，發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散條件如何變化造成hFE增大？6發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散條件不變，其余哪些條件變化對hFE構(gòu)成影響？什么樣的影響？7控溫電偶處于溫度更高的位置時(shí)（如緊靠加熱爐絲），整體爐溫將。8控溫電偶斷開，將出現(xiàn)的現(xiàn)象是，后果是9控溫電偶在某處短路，將出現(xiàn)的現(xiàn)象是，后果是10有哪些現(xiàn)象（含儀表顯示和其他外觀）可以確認(rèn)加熱爐絲斷開了？11某管擴(kuò)散爐一端保溫石棉未包裹嚴(yán)密，后果是。12磷預(yù)擴(kuò)散爐管出氣口常出現(xiàn)少量液體，這是為什么？當(dāng)發(fā)生石英帽被粘住取不下來時(shí)該怎么辦？13PBF（乳膠硼源）的主要成分是什么？14畫出一幅POCl3源瓶的氣路圖。15您所知道的幾種P型擴(kuò)散雜質(zhì)元素：N型擴(kuò)散雜質(zhì)元素：。16您所知道的哪些擴(kuò)散雜質(zhì)元素的擴(kuò)散系數(shù)大？。17您所知道的擴(kuò)散結(jié)深跟雜質(zhì)元素的什么性質(zhì)、工藝條件的哪些參數(shù)有怎樣的關(guān)系？（定性也行，能定量更好?。㎡18擴(kuò)散工序哪些情況會引入沾污？沾污會造成哪些后果？

說出某產(chǎn)品從頭到尾流程順序：（著重與光刻相鄰的工程）根據(jù)光刻膠照光后的不同性質(zhì)分為_性膠和—性膠。膠的標(biāo)號越大，表示，在同TOC\o"1-5"\h\z樣的勻膠條件下膠膜越—。同一標(biāo)號的膠，勻膠轉(zhuǎn)速越快，膜越—。膠膜較厚的膠，曝光條件應(yīng)較—。一定厚度的—性膠，曝光過度將造成；曝光不足則造成。前烘條件過弱，會造成，前烘條件過強(qiáng)，會造成。顯影機(jī)排風(fēng)不暢會引起，顯影噴頭噴完后又有顯影液滴落會引起，顯影過度會引起?！按虻啄ぁ钡哪康氖?，打底膜條件過強(qiáng)將造成?？蘏iO2的腐蝕液成分是，主要化學(xué)反應(yīng)是；刻Al的腐蝕液成分是，主要化學(xué)反應(yīng)是?？蘏iO2后可以用等離子去膠嗎？，刻Al后可以用H2SO4去膠嗎？。請分別說明理由。畫出某一型號晶體管芯片的平面圖、剖面圖。發(fā)射區(qū)光刻有幾片圖形不好（已腐蝕），請說出返工步驟，，返工的副作用是。光刻的缺陷有稱為“小島”“針孔”。它們的定義分別是：舉出兩個(gè)典型案例，說明在第幾次光刻“小島”“針孔”在什么位置會對產(chǎn)品的什么參數(shù)造成什么影響。有那些因素會引起“小島”“針孔”？若要刻出更細(xì)的線條，工程中要調(diào)節(jié)那些工藝參數(shù)？從光刻的角度看，163和160相比有什么區(qū)別，由此來看光刻、腐蝕應(yīng)有哪些注意點(diǎn)。平面圖1234567891011121314剖面圖金屬化工藝基礎(chǔ)試題姓名1金屬化的目的是，通常管芯正面金屬是，背面金屬是，或。2本公司用于正面金屬化有兩類設(shè)備：和。分別說明二者的優(yōu)缺點(diǎn)。金屬化要在一定的真空度條件下進(jìn)行，舉例說明某一項(xiàng)工程應(yīng)達(dá)到真空度為多少。若真空度不符合要求，會造成。4什么情況時(shí)背面蒸金要摻砷？應(yīng)摻砷的片子未摻是什么結(jié)果？背面能不能直接蒸銀而不用鈦鎳？什么情況時(shí)背面蒸鈦鎳銀要加做離子注入？分別說明對蒸發(fā)源有什么要求，要是哪方面未達(dá)到要求會有什么后果？蒸發(fā)過程中設(shè)備發(fā)生問題，能否將尚未完成的片子鐘罩內(nèi)保留，破真空打開鐘罩排除故障后繼續(xù)蒸發(fā)？為什么？背面金屬化前的清洗工藝是什么？背面金屬化前的清洗時(shí)有殘液濺落到正面會引起什么后果？擴(kuò)散泵或冷泵是不能在大氣壓下工作的，若因操作失誤，泵內(nèi)腔暴露在大氣壓下，會造成什么后果？擋板被熔化了一些！是由哪幾個(gè)可能的原因造成？會造成什么后果？當(dāng)班怎么處理？事后怎么處理？從金屬化的角度看，163和160相比有什么區(qū)別，由此來看金屬化應(yīng)有哪些注意點(diǎn)。在工作實(shí)踐中你對所遇到的某問題作出了正確判斷并解決,舉一事例。在工作實(shí)踐中遇到的某問題至今尚未認(rèn)識清楚，舉一事例。離子注入工藝基礎(chǔ)試題離子注入工藝基礎(chǔ)試題離子注入工藝基礎(chǔ)試題離子注入工藝基礎(chǔ)試題姓名1和擴(kuò)散相比，離子注入的優(yōu)點(diǎn)是：;缺點(diǎn)是：。2在離子注入前硅片表面做一層薄氧化層的作用是3光刻膠可以用來掩蔽離子注入嗎？光刻膠可以用來掩蔽預(yù)淀積擴(kuò)散嗎（如B2O3>POCl3預(yù)擴(kuò)）？為什么？離子注入后片子不進(jìn)爐加工，能用四探針測出R嗎？為什么？□5同樣的基區(qū)離子注入量，擴(kuò)散結(jié)深做得較深時(shí)R值將變。□6同樣的擴(kuò)散結(jié)深，離子注入量減小時(shí)，R值將變?！?基區(qū)離子注入量發(fā)生了較大變化，其余工序正常加工，流程到哪幾步可以根據(jù)哪三個(gè)參數(shù)的什么現(xiàn)象判別出注入量發(fā)生了如何的變化？8當(dāng)離子注入設(shè)備發(fā)生故障時(shí)，什么情況會使注入量偏離設(shè)定值？如何判別、處理？9做過硼離子注入和GS126片狀硼源做過預(yù)淀積的硅片用同一條件做再擴(kuò)散，是什么后果?CVDCVD工藝基礎(chǔ)試題CVDCVD工藝基礎(chǔ)試題姓名CVD所形成的薄膜和擴(kuò)散形成的熱氧化層相比，其優(yōu)點(diǎn)是：，TOC\o"1-5"\h\z缺點(diǎn)是：。LPCVD和PECVD系統(tǒng)在工作時(shí)，反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓一般為。3為控制反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓，LPCVD和PECVD有一組控制系統(tǒng)，簡述控制過程。4同樣是抽真空，LPCVD系統(tǒng)和蒸發(fā)、濺射系統(tǒng)有什么不同，為此工藝處理周期、處理內(nèi)容又有什么不同？（著重?cái)⑹鯟VD的）5淀積PSG時(shí)，通入反應(yīng)室的氣體是；淀積Si3N4時(shí)，通入反應(yīng)室的氣體是。6APCVD或LPCVD在淀積PSG時(shí)，通過什么方法控制PSG中的磷含量？通過什么方法評價(jià)PSG中的磷含量？7在工作實(shí)踐中你對所遇到的某問題作出了正確判斷并解決,舉一事例。8在工作實(shí)踐中遇到的某問題至今尚未認(rèn)識清楚，舉一事例。測試工藝基礎(chǔ)試題測試工藝基礎(chǔ)試題姓名測試工藝基礎(chǔ)試題測試工藝基礎(chǔ)試題姓名用適當(dāng)?shù)姆绞矫枋龀鯬N結(jié)電壓-電流特性。用適當(dāng)?shù)姆绞矫枋龀鯬N結(jié)硬擊穿和軟擊穿的區(qū)別。用圖示方式描述出晶體管的輸入、輸出特性。晶體管的測試條件對測試結(jié)果有什么影響？舉例說明對某一參數(shù)基本沒有影響，對另一參數(shù)有一定程度影響。5現(xiàn)場測試一只晶體管，PNP或NPN型號未知，三根引線的電極也未知。要求判別出PNP還是NPN型、測出BVeb。、BVcb。、BVce。、山尸已（Ic=200mA）、（【c=2A）、vBes（【c=2A）。題中未給出的測試條件自行給出，并記錄。晶體管未損壞且測出極性、hFE和另外至少一個(gè)參數(shù)為通過；測出全部參數(shù)且方法正確為良好；測出全部參數(shù)且方法正確并說明判斷的理由為優(yōu)秀。6附加題：某客戶在考核晶體管BVeBo時(shí)，將C、E兩極接到儀器上，加正向電壓時(shí)測BVCEo,加反向電壓時(shí)測BVeBo。這樣是否可行？有什么問題？腐槽和鈍化工藝基礎(chǔ)試題腐槽和鈍化工藝基礎(chǔ)試題腐槽和鈍化工藝基礎(chǔ)試題腐槽和鈍化工藝基礎(chǔ)試題1臺面結(jié)構(gòu)和平面的晶體管相比，有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？臺面腐蝕液的成分是什么？寫出腐硅的化學(xué)反應(yīng)方程式。畫出一幅臺面結(jié)構(gòu)的晶體管管芯的剖面圖。玻璃鈍化所用玻粉的主要成分是什么？玻璃鈍化除了用玻粉，還用什么材料？它們各起什么作用？說明某型號玻粉的工藝條件。用料配比、主要操作過程、時(shí)間、溫度、氣體等。玻粉對別的工序造成沾污有哪些途徑？要避免玻粉的沾污，應(yīng)注意哪些環(huán)節(jié)？平面工藝和臺面工藝的優(yōu)缺點(diǎn)及流程區(qū)別考試題姓名得分_選擇填空或自述填空：（每空格5分）1深結(jié)較深的產(chǎn)品適合用（平面臺面）工藝生產(chǎn)。2平面工藝更適合生產(chǎn)線條更（粗型）的產(chǎn)品。3某產(chǎn)品必須用鎵擴(kuò)散，那只能用（平面宜面）工藝生產(chǎn)；另一款產(chǎn)品準(zhǔn)備用網(wǎng)格狀發(fā)射區(qū)的版圖，那只能用（平面臺面）工藝生產(chǎn)。4目前國內(nèi)批量供應(yīng)的可控硅類產(chǎn)品都是（平面臺面）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。5為了使產(chǎn)品耐高電壓，平面結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品一般用作保護(hù)；臺面結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品一般用作保護(hù)。6從電性能上看，平面產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是；臺面產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是。7從機(jī)械應(yīng)力方面看，（平面臺面）結(jié)構(gòu)產(chǎn)品應(yīng)力大，易造成和。8從對生產(chǎn)環(huán)境的要求方面看，（平面臺面）工藝對凈化要求更嚴(yán)。9同樣的廠房條件，（平面臺面）工藝容易造成光刻針孔密度大。10蒸鋁以前的清洗，（平面臺面）產(chǎn)品可以用1#、2#液，（平面臺面）產(chǎn)品不可以用2#液。敘述題：（每題10分）1從工藝過程看，平面產(chǎn)品比臺面產(chǎn)品多做那些工序？2臺面產(chǎn)品比平面產(chǎn)品多做那些工序？晶體管制造技術(shù)人員提高考試□根據(jù)關(guān)聯(lián)的緊密性，定性地將左欄的產(chǎn)品指標(biāo)同右欄的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)連線：擊穿電壓芯片面積最大電流擴(kuò)金與否特征頻率材料電阻率與厚度開關(guān)時(shí)間擴(kuò)散結(jié)深□某擴(kuò)散工藝晶體管成管，PNP或NPN型號未知，三根引線的電極也未知。用JT-1或QT-2如何判別出極性和三根引線？（已知擴(kuò)散工藝晶體管是對合金工藝晶體管而言，因合金工藝晶體管判別三個(gè)電極無法給出充要條件，如無特別說明，本文不討論合金工藝晶體管）□以單向可控硅和NPN晶體管為例進(jìn)行比較，說明結(jié)構(gòu)的區(qū)別，畫出典型的剖面圖；分別說明兩者在擴(kuò)散和光刻過程中的區(qū)別?！醭Ｒ?guī)摻雜濃度高了造成擊穿電壓降低，雜質(zhì)原子多了引起R□值變小。解釋為什么同樣的基區(qū)注入，加強(qiáng)條件多推結(jié)深，R□值變小了，EB擊穿電壓卻變高了？□給出不同注入劑量?R□的定量關(guān)系。（缺已知條件的可以假定）某只晶體管生產(chǎn)過程中基區(qū)離子注入未進(jìn)行，其余正常加工，問最終測試是什么現(xiàn)象？PNP和NPN應(yīng)分別回答。N+襯底擴(kuò)散所用P型控片電阻率相差較大時(shí)，定量給出Xj測試結(jié)果的關(guān)系。光刻引線孔時(shí)發(fā)生鉆蝕，分別說明鉆蝕到什么程度會對哪一個(gè)參數(shù)造成什么影響？平面結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，光刻缺陷（孔或島）在哪塊版什么位置對什么參數(shù)有什么影響？臺面結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)的晶體管相比，有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？臺面保護(hù)所用的玻璃粉主要成分是什么？玻璃粉造成沾污的主要途徑有哪些？金擴(kuò)散起什么作用？金元素沾污了產(chǎn)品會有什么后果？如何避免金沾污？玻璃粉殘留在硅片表面對后續(xù)加工有什么影響?設(shè)想一下，用光刻法涂玻璃粉應(yīng)該怎么做？畫出達(dá)林頓產(chǎn)品的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，畫出達(dá)林頓典型的版圖示意圖，指出電阻的位置。假定電阻阻值和集電極電流，說明單管hFE和達(dá)林頓hFE的定量關(guān)系。用幾句話描述蒸發(fā)臺擋板的正確位置。通常晶體管封裝形式有哪幾種？對應(yīng)消耗功率為多少？什么叫環(huán)境額定、管殼額定？什么叫A組試驗(yàn)、B組試驗(yàn)、C組試驗(yàn)？晶體管工作時(shí)會發(fā)熱，為什么對結(jié)溫要作出限制？理論最高結(jié)溫的確定依據(jù)什么？芯片背面金屬有金有銀，各有何特點(diǎn)？可否用同一種工藝和引線（框架）焊接？

晶體管制造技術(shù)人員提高考試（續(xù)）□某中功率晶體管如右圖，它的參數(shù)是：BVcbo120V,BVce°35V,hFE100倍（其余忽略）。為開發(fā)一款耐高壓產(chǎn)品,將材料電阻率及高阻層厚度都提高,但版圖仍不變,出樣品的結(jié)果是：BVCbo260V,BVCeo220V,hFE100倍（其余忽略）。請解釋后者bvcbo和bvceo為何差距這么?。繙y達(dá)林頓的EB電阻時(shí)有呈現(xiàn)右圖曲線，請解釋曲線為何彎曲？某產(chǎn)品BVebo12V，現(xiàn)有一客戶提出要求BVebo為14V,請調(diào)整工藝來滿足。—□按照動力服從設(shè)備、設(shè)備服從工藝、工藝服從產(chǎn)品、產(chǎn)品服從市場的原則，描述你所在的工序設(shè)備對動力（環(huán)境、材料）有哪些要求？工藝對設(shè)備有哪些要求？假定這些要求能滿足（也可假定有部分要求未能滿足），本工序加工能達(dá)到什么工藝指標(biāo)？更進(jìn)一步，這些工藝指標(biāo)能達(dá)到的話，對于產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)哪些指標(biāo)？（工藝指標(biāo)指加工過程檢測的參數(shù)，如R口、SiO2厚度、線條等）□目前動力、環(huán)境、材料有哪些不能滿足要求？對工藝、產(chǎn)品有什么影響？建議采取哪些措施能暫時(shí)克服？如何能徹底解決？□某晶體管是TO-3外形（金屬封裝，舊型號叫F2）,它的有關(guān)功率的幾個(gè)指標(biāo)是：TjW175°C，管殼額定（加散熱片），Tc=75°C時(shí)耗散功率是50W；求結(jié)至殼的熱阻Rthj-c?又問，若散熱裝置不佳，只能確