一、氣相沉積氣相沉積可以分為三類：真空蒸鍍1、PVD離子鍍?yōu)R射鍍常壓CVD2、CVD低壓CVD光CVD金屬有機(jī)化合物熱分解射頻PECVD3、PECVD直流PECVD射頻直流PECVD

｛｛｛4、PVD全稱：物理氣相沉積（Physicalvapordispotion)5、PVD工藝目的：①沉積AL作為背電極，收集單位面積載流子；

②減少出射光，提高光在非晶硅薄膜中的利用率；

③填充2nd激光凹槽，作為子電池正負(fù)電極的內(nèi)連導(dǎo)線；。二、PVD八大系統(tǒng)1、真空室PVD真空室可以分為五室、八室、十室，一車間的為五室、八室，二、三車間的為八室，四車間的為十室。十室PVD是在八室PVD的基礎(chǔ)上多了兩個(gè)濺射室。真空狀態(tài)可以分為三種：低真空：10E2pa~10E5pa中真空：10E-1pa~10E2pa高真空：10E-5pa~10E-1pa濺射室濺射真空度一般為：9.9E-2~9.9E-1pa｛3、進(jìn)氣系統(tǒng)PVD進(jìn)氣系統(tǒng)主要有：破空閥，Ar氣、氧氣門閥。破空閥將外界空氣放入真空腔室內(nèi)部。Ar氣、氧氣門閥主要用來在濺射室通入Ar氣、氧氣等正常工藝所需氣體。4、真空測量系統(tǒng)：PVD每個(gè)腔室都有一個(gè)真空硅，它有一個(gè)探針伸入到真空室內(nèi)，在中真空和高真空狀態(tài)測量較準(zhǔn)確，在低真空狀態(tài)測量較準(zhǔn)確。5、加熱系統(tǒng)：PVD進(jìn)片室、隔離室、緩沖室都由碘鎢燈或者鋼管進(jìn)行加熱的部件，加熱主要是工藝需要。6、工件傳送系統(tǒng)PVD每個(gè)腔室都有一個(gè)電機(jī)，電機(jī)的轉(zhuǎn)速由變頻器控制1、2、3、8、9、10室是高速傳送。4、5、6、7室是低速傳送。調(diào)整高速度和低速度的參數(shù)，可以改變其大小。7、冷卻系統(tǒng)PVD冷卻系統(tǒng)由兩種:水冷與風(fēng)冷；風(fēng)冷是講熱氣流直接通過管道排出去。①進(jìn)出片室與濺射室的大組合泵屬于水冷；②隔離室兩個(gè)小組合泵屬于風(fēng)冷。③靶材冷卻時(shí)是與總冷卻水管獨(dú)立開來，靶材冷卻時(shí)需要較低的溫度。8、磁控濺射靶：磁控濺射分為四種：直流濺射、射頻濺射、脈沖濺射、中頻濺射。我們的PVD只用到了中頻濺射與直流濺射；①中頻濺射：中頻濺射用的是中頻電源；中頻電源用的室兩個(gè)相位不同、振幅相同、頻率相同的電壓；中頻電源的作用：避免了陰極消失，陰極中毒，提高了磁控濺射靶的穩(wěn)定性；中頻靶的原理：它利用孿生靶濺射系統(tǒng)，即將中頻交流電的兩輸出端，接到閉合磁場非平衡濺射的各自陰極上；②直流濺射：直流濺射用的是直流電源；直流靶可以分為：銀靶、鋁靶、鎳鎘靶；直流濺射的原理：直流濺射過程中有一系列物理化學(xué)反應(yīng)：如：二次粒子發(fā)射、陰極濺射、氣體的解吸與分解、陰極被加熱；a、陰極濺射：在濺射室中通入的Ar氣在高壓作用下電離成Ar正離子和電子，Ar正離子在陰極作用下加速，與靶材撞擊釋放能量，Al原子脫離晶格束縛，Al原子高速度飛向基片，沉積形成薄膜。三、PVD腔室結(jié)構(gòu)（原理圖見版書）PVD有十個(gè)腔室：進(jìn)片室、隔離室1、緩沖室1、濺射室1、2、3、4、緩沖室2、隔離室2、出片室。①上料臺(tái)：上料臺(tái)有三個(gè)感應(yīng)器，只有后兩個(gè)感應(yīng)器同時(shí)亮?xí)r才會(huì)自動(dòng)定位，進(jìn)片室門閥自動(dòng)打開。兩組間隔時(shí)間由加熱時(shí)間和傳動(dòng)速度決定，一般大于68秒。上料之前需要進(jìn)行掩膜，掩膜的目的是防止邊緣鍍鋁后掃邊未掃干凈，造成邊緣短路，功率降低。②進(jìn)片室：作用：在真空狀態(tài)與大氣狀態(tài)進(jìn)行交替，使芯片能夠進(jìn)入高真空的隔離室和濺射室。進(jìn)片室有碘鎢燈用于加熱。

⑤濺射室：PVD有四個(gè)濺射室，前兩個(gè)是中頻濺射（ZnO)室，后兩個(gè)室是直流濺射室。a、中頻濺射室；ZnO靶材的結(jié)構(gòu)：ZnO靶材屬于陶瓷，有三層結(jié)構(gòu)：ZnO層、銦層和銅層。在ZnO靶材與冷卻箱之間加了一層石墨，用于加強(qiáng)冷卻效果。ZnO靶材的作用：能更有效地減少出射光，提高光在非晶硅薄膜中的利用率。b、直流濺射室；四、PVD品質(zhì)分析PVD的品質(zhì)不良可以歸納為以下幾類：①黑點(diǎn)：沉積時(shí)掃穿背電極，或掩