(單選)1:三相半波可控整流電路輸出電壓的脈動(dòng)頻率與交流輸入電源的頻率之比（ A:6B:3C:2D:1正確答案:B)2:三相橋式全控整流電路進(jìn)行相位控制時(shí)，其移相范圍為（A:0~30°B:0~45°C:0~90°D:0~150°正確答案:D(單選)3:電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，當(dāng)控制角α≥（ ）時(shí)，整流輸出電壓均值等于零。A:90°B:120°C:150°D:180°正確答案:C(單選)4:在SPWM逆變器中假設(shè)正弦調(diào)制波頻率為三角載波頻率為則波比為（ 。A:50B:100C:200D:5000正確答案:B(單選)5:在三相橋式可控整流電路中，輸出電壓由（ ）段線電壓組成A:2B:4C:6D:8正確答案:C(單選)6:單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角α的最大移相范圍是（ A:90°B:120°C:150°D:180°正確答案:D(單選題)7:α為（ ）度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A:0°B:60°C:30°D:120°正確答案:C(單選)8:晶閘管反向峰值電壓被規(guī)定為反向不重復(fù)峰值電壓的（ 。A:80%B:90%C:110%D:120%正確答案:B(單選)9:普通晶閘管上升時(shí)間為（ A:0.5-1.5usB:0.5-3usC:0.7-5usD:0.8-6us正確答案:B)10:晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加（A:正向電壓B:反向電壓C:正向電流D:觸發(fā)電流正確答案:(多選)11:相控整流電路實(shí)現(xiàn)有源逆變的條件有（ A:負(fù)載側(cè)存在直流電勢(shì)B:直流電勢(shì)的絕對(duì)值大于整流輸出電壓的絕對(duì)值C:晶閘管觸發(fā)角大于90度D:90正確答案:A,B,C)12:帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路的特點(diǎn)（A:適用于低電壓場(chǎng)合B:適用于高電壓場(chǎng)合C:適用于小電流場(chǎng)合D:適用于大電流場(chǎng)合正確答案:A,D)13:晶閘管具有以下哪三種極性（。A:陽極AB:陰極KC:門極KD:柵極G正確答案:A,B,C(多選)14:IGBT具有以下哪三種極性（ A:門極KB:柵極GC:集電極D:發(fā)射極正確答案:B,C,D)15:電力電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)有（A:高頻化B:模塊化C:數(shù)字化D:綠色化正確答案:A,B,C,D)16:通常所用的電能有（A:交流B:直流C:單相D:三相正確答案:A,B(多選)17:IGBT的輸出特性可分為（ A:正向阻斷區(qū)B:有源區(qū)C:飽和區(qū)D:非線性區(qū)正確答案:A,B,C)18:三相交流調(diào)壓電路的常見形式（A:星形聯(lián)結(jié)B:線路控制三角形聯(lián)結(jié)C:中點(diǎn)控制三角形聯(lián)結(jié)D:支路控制三角形聯(lián)結(jié)正確答案:A,B,C,D(多選)19:變換器根據(jù)相數(shù)可分為（ A:單相B:二相C:三相D:四相正確答案:A,C(多選)20:觸發(fā)電路根據(jù)控制晶閘管的通斷情況可分為（ A:移相觸發(fā)B:過零觸發(fā)C:過壓觸發(fā)D:過流觸發(fā)正確答案:A,B)21:A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T)22:40A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:F)23:A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T)24:負(fù)載阻抗角表示負(fù)載中電壓超前電流的角度。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)25:二次擊穿是指當(dāng)GTR的集電極電流增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升，并伴隨電壓的陡然下降。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)26:電力MOSFET是一種單極性電力電子器件，在導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)27:晶閘管在承受正向陽極電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才有可能A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)28:雙向晶閘管在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向晶閘管在第I和第III象限有對(duì)稱的伏安特性。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)29:電壓驅(qū)動(dòng)型是通過從控制端注入或者抽出電壓來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷控制的電力電子器件。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T)30:DC-DCA:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(單選)1:三相半波可控整流電路輸出電壓的脈動(dòng)頻率與交流輸入電源的頻率之比（ A:6B:3C:2D:1正確答案:B)2:三相橋式全控整流電路進(jìn)行相位控制時(shí)，其移相范圍為（A:0~30°B:0~45°C:0~90°D:0~150°正確答案:D(單選)3:電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，當(dāng)控制角α≥（ ）時(shí)，整流輸出電壓均值等于零。A:90°B:120°C:150°D:180°正確答案:C)4:在SPWM波比為（ A:50B:100C:200D:5000正確答案:B(單選)5:在三相橋式可控整流電路中，輸出電壓由（ ）段線電壓組成A:2B:4C:6D:8正確答案:C(單選)6:單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角α的最大移相范圍是（ A:90°B:120°C:150°D:180°正確答案:D(單選)7:α為（ ）度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A:0°B:60°C:30°D:120°正確答案:C(單選)8:晶閘管反向峰值電壓被規(guī)定為反向不重復(fù)峰值電壓的（ 。A:80%B:90%C:110%D:120%正確答案:B(單選)9:普通晶閘管上升時(shí)間為（ A:0.5-1.5usB:0.5-3usC:0.7-5usD:0.8-6us正確答案:B(單選)10:晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加（ 。A:正向電壓B:反向電壓C:正向電流D:觸發(fā)電流正確答案:D(多選)11:相控整流電路實(shí)現(xiàn)有源逆變的條件有（ A:負(fù)載側(cè)存在直流電勢(shì)B:直流電勢(shì)的絕對(duì)值大于整流輸出電壓的絕對(duì)值C:晶閘管觸發(fā)角大于90度D:90正確答案:A,B,C)12:帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路的特點(diǎn)（A:適用于低電壓場(chǎng)合B:適用于高電壓場(chǎng)合C:適用于小電流場(chǎng)合D:適用于大電流場(chǎng)合正確答案:A,D)13:晶閘管具有以下哪三種極性（A:陽極AB:陰極C:門極D:柵極正確答案:A,B,C(多選)14:IGBT具有以下哪三種極性（ A:門極KB:柵極GC:集電極D:發(fā)射極正確答案:B,C,D)15:電力電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)有（A:高頻化B:模塊化C:數(shù)字化D:綠色化正確答案:A,B,C,D(多選)16:通常所用的電能有（ A:交流B:直流C:單相D:三相正確答案:A,B(多選)17:IGBT的輸出特性可分為（ A:正向阻斷區(qū)B:有源區(qū)C:飽和區(qū)D:非線性區(qū)正確答案:A,B,C)18:三相交流調(diào)壓電路的常見形式（A:星形聯(lián)結(jié)B:線路控制三角形聯(lián)結(jié)C:中點(diǎn)控制三角形聯(lián)結(jié)D:支路控制三角形聯(lián)結(jié)正確答案:A,B,C,D)19:變換器根據(jù)相數(shù)可分為（A:單相B:二相C:三相D:四相正確答案:A,C(多選)20:觸發(fā)電路根據(jù)控制晶閘管的通斷情況可分為（ A:移相觸發(fā)B:過零觸發(fā)C:過壓觸發(fā)D:過流觸發(fā)正確答案:A,B)21:A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T)22:40A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:F(判斷題)23:由單極性器件和雙極性器件集成混合而成的電力電子器件被稱為復(fù)合型器件。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T)24:負(fù)載阻抗角表示負(fù)載中電壓超前電流的角度。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)25:二次擊穿是指當(dāng)GTR的集電極電流增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升，并伴隨電壓的陡然下降。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)26:電力MOSFET是一種單極性電力電子器件，在導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電。A:對(duì)B:錯(cuò)正確答案:T(判斷題)27:晶閘管在承受正向陽極電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才有可能被開通