模擬集成電路設計教學大綱目錄TOC\o"1-3"\h\z一、課程開設目的和要求 75二、教學中應注意的問題 75三、課程內容及學時分配 75第一章模擬電路設計緒論 75第二章MOS器件物理基礎 75第三章單級放大器 76第四章差動放大器 76第五章無源與有源電流鏡 76第六章放大器的頻率特性 76第八章反饋 76第九章運算放大器 76高級專題 76四、授課學時分配 77五、實踐環(huán)節(jié)安排 77六、教材及參考書目 78

課程名稱：模擬集成電路設計課程編號：055515英文名稱：AnalogICdesign課程性質：獨立設課課程屬性：專業(yè)限選課應開學期：第5學期學時學分：課程總學時48，其中實驗學時8。課程總學分3學生類別：本科生適用專業(yè)：電子科學與技術專業(yè)的學生。先修課程：電路、模擬電子技術、半導體物理、固體物理、集成電路版圖設計等課程。一、教學目的和要求CMOS模擬集成電路設計課程是電子科學與技術專業(yè)（微電子方向）的主干課程，在教學過程中可以培養(yǎng)學生對在先修課程中所學到的有關知識和技能的綜合運用能力和CMOS模擬集成電路分析、設計能力，掌握微電子技術人員所需的基本理論和技能，為學生進一步學習碩士有關專業(yè)課程和日后從事集成電路設計工作打下基礎。二、教學中應注意的問題1、教學過程中應強調基本概念的理解，著重注意引導和培養(yǎng)學生的電路分析能力和設計能力2、注重使用集成電路設計工具對電路進行分析仿真設計的訓練。3、重視學生的計算能力培養(yǎng)。三、教學內容第一章模擬電路設計緒論本課程討論模擬CMOS集成電路的分析與設計，既著重基本原理，也著重于學生需要掌握的現代工業(yè)中新的范例。掌握研究模擬電路的重要性、研究模擬集成電路以及CMOS模擬集成電路的重要性，掌握電路設計的一般概念。第二章MOS器件物理基礎重點與難點：重點在于MOS的I/V特性以及二級效應。難點在于小信號模型和SPICE模型。掌握MOSFET的符號和結構，MOS的I/V特性以及二級效應，掌握MOS器件的版圖、電容、小信號模型和SPICE模型，會用這些模型分析MOS電路。了解長溝道器件和短溝道器件的比較。第三章單級放大器重點與難點：重點在于放大器的電路特性和分析方法。難點在于放大器設計中各種特性的折衷考慮。掌握放大器設計的基本概念，掌握采用電阻負載、二極管連接的MOS負載、電流源負載、工作在線性區(qū)的MOS為負載的共源級以及帶源級負反饋的共源級放大器的電路特性和分析方法；掌握源跟隨器、共柵級、折疊式共源共柵等單級放大器的電路特性和分析方法；理解放大器設計中各種特性的折衷考慮。第四章差動放大器重點與難點：重點在于差動對的定性和定量分析。難點在于差動對的小信號分析。掌握單端與差動工作方式的特點，基本差動對的定性和定量分析，掌握共模響應的概念以及MOS為負載的差動對的電路特性，理解Gilbert單元的設計思路。第五章無源與有源電流鏡重點與難點：重點在于電流鏡的特性和分析設計方法。難點在于電流鏡的小信號分析。掌握基本電流鏡、共源共柵電流鏡、有源電流鏡等電路的特性和分析設計方法。第六章放大器的頻率特性重點與難點：重點在于電路的頻率特性分析方法和設計。掌握密勒效應、極點與結點的關聯方法，掌握共源級電路的頻率特性分析方法和設計，理解源跟隨器、共柵級、共源共柵級、差動對等電路的頻率特性分析方法。第八章反饋重點與難點：重點在于反饋電路的特性，放大器的種類以及檢測和返回機制。難點在于負載的影響。掌握反饋電路的特性，放大器的種類以及檢測和返回機制，掌握電壓-電壓反饋、電流-電壓反饋、電壓-電流反饋、電流電流反饋等四種反饋結構，理解負載的影響。第九章運算放大器重點與難點：重點在于一級運放、兩級運放以及性能的比較和提高方法。難點在于速度、精度和功耗之間進行折中考慮。掌握運算放大器的性能參數，一級運放、兩級運放以及性能的比較和提高方法。并學會在速度、精度和功耗之間進行折中考慮高級專題講述更高級的課題：帶隙基準、初級開關電容電路以及非線性和失配的影響。四、教學課時分配 本課程計劃課時56，其中理論授課40學時，實驗16學時。教學課時分配表章次課時分配（學時）授課實驗課外討論備注第一章模擬電路設計緒論32第二章MOS器件物理基礎32第三章單級放大器102第四章差動放大器82第五章無源與有源電流鏡82第六章放大器的頻率特性102第八章反饋42第九章運算放大器42總復習2合計4016總授課學時數56注：課時分配中的內容可根據課程需要進行設置。五、實踐環(huán)節(jié)安排實驗是教學的重要環(huán)節(jié)。通過實驗來驗證、鞏固課堂所學的理論知識，培養(yǎng)鍛煉學生的實踐能力，進一步提高學生的分析問題解決問題的能力?；疽螅好看螌嶒炚n前，學生應預習實驗講義，明確實驗目的和任務，擬定實驗步驟，并認真復習與實驗內容相關的理論。實驗過程中嚴格按實驗規(guī)程操作。愛護實驗儀器設備。實驗完成后要寫出實驗報告，其內容包括實驗數據的整理和計算，對實驗結果及實驗中出現的問題的分析討論，對實驗方法的建議等。實驗報告一律用規(guī)定的格式書寫。本課程實驗共16學時8個實驗，課時結束后有一個周的集成電路設計實訓。實驗具體內容如下。實驗課時分配表實驗內容實驗學時基本門電路設計-電路仿真2MOS管的I-V特性曲線仿真2電阻做負載的共源級放大器設計2二極管連接的MOS做負載的共源級放大器設計2電流源做負載的共源級放大器設計2共柵放大器設計2共源共柵放大器設計2差分放大器設計2合計16五、教材及參考書目教材：[美]畢查德.拉扎維著，陳貴燦等譯.模擬CMOS集成電路設計[M].西安交通大學出版社，2003年參考書：1.P