模擬集成電路設(shè)計教學(xué)大綱目錄TOC\o"1-3"\h\z一、課程開設(shè)目的和要求 75二、教學(xué)中應(yīng)注意的問題 75三、課程內(nèi)容及學(xué)時分配 75第一章模擬電路設(shè)計緒論 75第二章MOS器件物理基礎(chǔ) 75第三章單級放大器 76第四章差動放大器 76第五章無源與有源電流鏡 76第六章放大器的頻率特性 76第八章反饋 76第九章運算放大器 76高級專題 76四、授課學(xué)時分配 77五、實踐環(huán)節(jié)安排 77六、教材及參考書目 78

課程名稱：模擬集成電路設(shè)計課程編號：055515英文名稱：AnalogICdesign課程性質(zhì)：獨立設(shè)課課程屬性：專業(yè)限選課應(yīng)開學(xué)期：第5學(xué)期學(xué)時學(xué)分：課程總學(xué)時48，其中實驗學(xué)時8。課程總學(xué)分3學(xué)生類別：本科生適用專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的學(xué)生。先修課程：電路、模擬電子技術(shù)、半導(dǎo)體物理、固體物理、集成電路版圖設(shè)計等課程。一、教學(xué)目的和要求CMOS模擬集成電路設(shè)計課程是電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)（微電子方向）的主干課程，在教學(xué)過程中可以培養(yǎng)學(xué)生對在先修課程中所學(xué)到的有關(guān)知識和技能的綜合運用能力和CMOS模擬集成電路分析、設(shè)計能力，掌握微電子技術(shù)人員所需的基本理論和技能，為學(xué)生進一步學(xué)習(xí)碩士有關(guān)專業(yè)課程和日后從事集成電路設(shè)計工作打下基礎(chǔ)。二、教學(xué)中應(yīng)注意的問題1、教學(xué)過程中應(yīng)強調(diào)基本概念的理解，著重注意引導(dǎo)和培養(yǎng)學(xué)生的電路分析能力和設(shè)計能力2、注重使用集成電路設(shè)計工具對電路進行分析仿真設(shè)計的訓(xùn)練。3、重視學(xué)生的計算能力培養(yǎng)。三、教學(xué)內(nèi)容第一章模擬電路設(shè)計緒論本課程討論模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計，既著重基本原理，也著重于學(xué)生需要掌握的現(xiàn)代工業(yè)中新的范例。掌握研究模擬電路的重要性、研究模擬集成電路以及CMOS模擬集成電路的重要性，掌握電路設(shè)計的一般概念。第二章MOS器件物理基礎(chǔ)重點與難點：重點在于MOS的I/V特性以及二級效應(yīng)。難點在于小信號模型和SPICE模型。掌握MOSFET的符號和結(jié)構(gòu)，MOS的I/V特性以及二級效應(yīng)，掌握MOS器件的版圖、電容、小信號模型和SPICE模型，會用這些模型分析MOS電路。了解長溝道器件和短溝道器件的比較。第三章單級放大器重點與難點：重點在于放大器的電路特性和分析方法。難點在于放大器設(shè)計中各種特性的折衷考慮。掌握放大器設(shè)計的基本概念，掌握采用電阻負載、二極管連接的MOS負載、電流源負載、工作在線性區(qū)的MOS為負載的共源級以及帶源級負反饋的共源級放大器的電路特性和分析方法；掌握源跟隨器、共柵級、折疊式共源共柵等單級放大器的電路特性和分析方法；理解放大器設(shè)計中各種特性的折衷考慮。第四章差動放大器重點與難點：重點在于差動對的定性和定量分析。難點在于差動對的小信號分析。掌握單端與差動工作方式的特點，基本差動對的定性和定量分析，掌握共模響應(yīng)的概念以及MOS為負載的差動對的電路特性，理解Gilbert單元的設(shè)計思路。第五章無源與有源電流鏡重點與難點：重點在于電流鏡的特性和分析設(shè)計方法。難點在于電流鏡的小信號分析。掌握基本電流鏡、共源共柵電流鏡、有源電流鏡等電路的特性和分析設(shè)計方法。第六章放大器的頻率特性重點與難點：重點在于電路的頻率特性分析方法和設(shè)計。掌握密勒效應(yīng)、極點與結(jié)點的關(guān)聯(lián)方法，掌握共源級電路的頻率特性分析方法和設(shè)計，理解源跟隨器、共柵級、共源共柵級、差動對等電路的頻率特性分析方法。第八章反饋重點與難點：重點在于反饋電路的特性，放大器的種類以及檢測和返回機制。難點在于負載的影響。掌握反饋電路的特性，放大器的種類以及檢測和返回機制，掌握電壓-電壓反饋、電流-電壓反饋、電壓-電流反饋、電流電流反饋等四種反饋結(jié)構(gòu)，理解負載的影響。第九章運算放大器重點與難點：重點在于一級運放、兩級運放以及性能的比較和提高方法。難點在于速度、精度和功耗之間進行折中考慮。掌握運算放大器的性能參數(shù)，一級運放、兩級運放以及性能的比較和提高方法。并學(xué)會在速度、精度和功耗之間進行折中考慮高級專題講述更高級的課題：帶隙基準(zhǔn)、初級開關(guān)電容電路以及非線性和失配的影響。四、教學(xué)課時分配 本課程計劃課時56，其中理論授課40學(xué)時，實驗16學(xué)時。教學(xué)課時分配表章次課時分配（學(xué)時）授課實驗課外討論備注第一章模擬電路設(shè)計緒論32第二章MOS器件物理基礎(chǔ)32第三章單級放大器102第四章差動放大器82第五章無源與有源電流鏡82第六章放大器的頻率特性102第八章反饋42第九章運算放大器42總復(fù)習(xí)2合計4016總授課學(xué)時數(shù)56注：課時分配中的內(nèi)容可根據(jù)課程需要進行設(shè)置。五、實踐環(huán)節(jié)安排實驗是教學(xué)的重要環(huán)節(jié)。通過實驗來驗證、鞏固課堂所學(xué)的理論知識，培養(yǎng)鍛煉學(xué)生的實踐能力，進一步提高學(xué)生的分析問題解決問題的能力?；疽螅好看螌嶒炚n前，學(xué)生應(yīng)預(yù)習(xí)實驗講義，明確實驗?zāi)康暮腿蝿?wù)，擬定實驗步驟，并認真復(fù)習(xí)與實驗內(nèi)容相關(guān)的理論。實驗過程中嚴(yán)格按實驗規(guī)程操作。愛護實驗儀器設(shè)備。實驗完成后要寫出實驗報告，其內(nèi)容包括實驗數(shù)據(jù)的整理和計算，對實驗結(jié)果及實驗中出現(xiàn)的問題的分析討論，對實驗方法的建議等。實驗報告一律用規(guī)定的格式書寫。本課程實驗共16學(xué)時8個實驗，課時結(jié)束后有一個周的集成電路設(shè)計實訓(xùn)。實驗具體內(nèi)容如下。實驗課時分配表實驗內(nèi)容實驗學(xué)時基本門電路設(shè)計-電路仿真2MOS管的I-V特性曲線仿真2電阻做負載的共源級放大器設(shè)計2二極管連接的MOS做負載的共源級放大器設(shè)計2電流源做負載的共源級放大器設(shè)計2共柵放大器設(shè)計2共源共柵放大器設(shè)計2差分放大器設(shè)計2合計16五、教材及參考書目教材：[美]畢查德.拉扎維著，陳貴燦等譯.模擬CMOS集成電路設(shè)計[M].西安交通大學(xué)出版社，2003年參考書：1.P