第四節(jié)離子晶體1、離子晶體定義：由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體注：（1）結(jié)構(gòu)微粒：陰、陽離子（2）相互作用：離子鍵（3）種類繁多：含離子鍵的化合物晶體：強堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽（4）理論上，結(jié)構(gòu)粒子可向空間無限擴展2、離子晶體的物理性質(zhì)

（1）硬度較大

（2）熔、沸點較高

（3）固態(tài)時不導電，熔化狀態(tài)才導電。一、離子晶體氯化銫的晶體結(jié)構(gòu)科學探究：找出CsCl、NaCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)NaClCsCl6688NaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù)返回原處科學探究：你認為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)？根據(jù)表3—5、表3—6分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。離子Na+Cs+Cl-離子半徑/pm95169181NaClCsClr+/r-=r+/r-=C.N.=6C.N.=80.5250.934CaF2的晶胞CaF2型（螢石）（1）立方晶系，面心立方晶胞。（2）配位數(shù)8：4。（3）Ca2+，F(xiàn)-，離子鍵。（4）Ca2+立方最密堆積，F(xiàn)-填充在全部四面體空隙中。

3、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素：晶體中正負離子的半徑比決定正負離子的配位數(shù)電荷因素：晶體中正負離子的電荷比決定正負離子配位數(shù)是相等鍵性因素：離子晶體的結(jié)構(gòu)類型還與離子鍵的純粹程度(簡稱鍵性因素)，即與晶體中正負離子的相互極化程度有關(guān)。（3）晶格能的作用晶格能越大：形成的離子晶體越穩(wěn)定；（離子鍵越強）熔點越高；硬度越大。晶格能也影響了巖漿晶出的次序，晶格能越大，巖漿中的礦物越易結(jié)晶析出無單個分子存在（NaCl不表示分子式）。熔沸點較高，硬度較大，難揮發(fā)難壓縮。且隨著離子電荷的增加，核間距離的縮短，晶格能增大，熔點升高。一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導電，水溶液或者熔融狀態(tài)下能導電。小結(jié)：離子晶體的性質(zhì)某些離子晶體的晶格能F-Cl-Br-I-Li+Na+K+Rb+Cs+1036923821785740853786715689659807747682660631757704649630604返回原處

2.下列有關(guān)晶體的敘述中不正確的是()A.

金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價鍵形成的碳原子環(huán)中,最小的環(huán)上有6個碳原子B.

氯化鈉晶體中,每個Na+周圍距離相等的Na+離子共有6個C.

氯化銫晶體中,每個銫原子周圍緊鄰8個氯原子D.

干冰晶體中,每個二氧化碳分子周圍緊鄰8個二氧化碳分子Ｄ3.關(guān)于晶體的下列說法正確的是A.在離子晶體中只要有陰離子就一定有陽離子B.在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子C.原子晶體的熔沸點一定比金屬晶體的高D.分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低Ａ4、下列物質(zhì)的熔沸點順序判斷不正確的是（）A.Li<Na<K<RuB.F2<Cl2<Br2<I2C.金剛石>碳化硅>晶體硅D.NaCl>KCl>CsClＡ二、晶格能1、定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時釋放的能量。2、影響晶格能的大小的因素：（1）陰、陽離子所帶電荷的越多晶格能越大。（2）陰、陽離子的半徑越小，晶格能越大。仔細閱讀表3—8，分析晶格能的大小與離子晶體的熔點有什么關(guān)系？離子晶體的晶格能與哪些因素有關(guān)？（3）晶格能的作用晶格能越大：形成的離子晶體越穩(wěn)定；（離子鍵越強）熔點越高；硬度越大。晶格能也影響了巖漿晶出的次序，晶格能越大，巖漿中的礦物越易結(jié)晶析出無單個分子存在（NaCl不表示分子式）。熔沸點較高，硬度較大，難揮發(fā)難壓縮。且隨著離子電荷的增加，核間距離的縮短，晶格能增大，熔點升高。一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導電，水溶液或者熔融狀態(tài)下能導電。小結(jié)：離子晶體的性質(zhì)例：下列熱化學方程式中，能直接表示出氯化鈉晶格能的是______A、Na+(g)+Cl-(g)=NaCl(s);△HB、Na(s)+1/2Cl2(g)=NaCl(s);△H1C、Na(s)=Na(g);△H2D、Na(g)-e-=Na+(g);△H3E、1/2Cl2(g)=Cl(g);