標準解讀

GB/T 11073-1989 是一項中國國家標準，其全稱為《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。該標準規(guī)定了測量硅片從中心到邊緣電阻率變化的具體方法和要求，旨在為半導體材料的質(zhì)量控制和性能評估提供統(tǒng)一的測試準則。以下是標準內(nèi)容的詳細說明：

標準適用范圍

本標準適用于單晶硅片，特別是用于制造半導體器件的硅片，其目的是通過測量硅片不同半徑位置的電阻率，來評估材料的均勻性和質(zhì)量。

測量原理

  1. 四探針法：標準推薦使用四探針技術(shù)進行測量，這是一種非破壞性測試方法，通過在硅片表面放置四個緊密排列的探針，施加電流并通過電壓探針測量電壓降，從而計算出電阻率。

  2. 徑向測量：測量時，探針沿硅片半徑方向移動，從中心點開始逐步向外，記錄不同半徑下的電阻率值，以描繪出硅片的徑向電阻率分布圖。

測量設(shè)備與條件

  • 規(guī)定了四探針測試儀的技術(shù)要求，包括探針的材質(zhì)、直徑、間距以及施加電流的穩(wěn)定性和測量精度。
  • 要求測量環(huán)境控制在一定溫度和濕度范圍內(nèi)，以減少外部因素對測量結(jié)果的影響。
  • 對樣品的預處理，如清潔度、溫度均衡等也給出了指導。

測量步驟

  1. 樣品準備：確保硅片表面干凈無污染，溫度穩(wěn)定。
  2. 探針布置：按照標準規(guī)定的探針間距和布局放置探針。
  3. 電流施加與電壓測量：向樣品施加恒定電流，同時測量電壓降。
  4. 數(shù)據(jù)記錄：記錄每個測量點的電阻率，并標記對應的半徑位置。
  5. 數(shù)據(jù)處理：對收集的數(shù)據(jù)進行分析，計算電阻率隨半徑的變化趨勢。

數(shù)據(jù)處理與報告

  • 描述了如何根據(jù)測量數(shù)據(jù)繪制徑向電阻率曲線，以及如何計算平均電阻率、最大最小差異等關(guān)鍵參數(shù)。
  • 要求在測試報告中包含測量條件、設(shè)備信息、樣品描述及所有關(guān)鍵測量結(jié)果。

標準的實施與監(jiān)督

強調(diào)了標準執(zhí)行的重要性，建議各使用單位應嚴格遵循標準操作，以確保測量結(jié)果的準確性和可比性。雖然未直接提及監(jiān)督機制，但通常情況下，遵循國家標準的操作應接受行業(yè)或第三方機構(gòu)的審核或認證。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11073-2007
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 11073-1989硅片徑向電阻率變化的測量方法_第1頁
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UDCC669.782:621.317.33H21中華人民共和國國家標準GB11073-89硅片徑向電阻率變化的測量方法Standardmethodformeasuringradialresistivityvarationonsiliconslices1989-03-31發(fā)布1990-02-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅片徑向電阻率變化的測量方法GB11073-89Standardmethodformeasuringradialresistivityvariationonsiliconslices主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了用直排四探針方法測量硅單晶片徑向電阻率變化的方法。本標準適用于硅片厚度小于探針平均間距，直徑大于15mm，電阻率為1×10-3～1×10"Q·cm硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。2引用標準GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查)GB6615、硅片電阻率的直排四探針測試方法方法提要使用GB6615方法，根據(jù)要求，選擇四種選點方案中的-一種進行測量利用兒何修正因子計算出硅片電阻率及徑向電阻率變化。本標準提供四種測址選點方案。采用不同的選點方案能測得不同的徑向電阻率變化值、儀器設(shè)備GB6615規(guī)定的儀器設(shè)備裝置。探針間距為1.00mm或1.59mm。4.2樣品架應具有平移和旋轉(zhuǎn)360°功能。平移精度為±0.15mm；旋轉(zhuǎn)精度為±5°。試驗樣品5.1從一批硅片中按GB2828計數(shù)抽樣方案或商定的方案抽取樣品。5.2按GB6615的4.2條～4.3條制備樣品。5.3如果硅片沒有主參考面，則必需在硅片背面圓周上作一參考標記，以便測址時對硅片定位。如果是仲裁測量，并且硅片只有一個參考面，則需在硅片背面參考面邊緣的中點作一參考標記。5.4找出任意三條相交45°且不與硅片參考面相交的直徑，測量并記下該樣品直徑，如果這三條直徑長度都在表1規(guī)定的直徑偏差范圍以內(nèi)，則以標稱直徑為直徑值。否則以三個測量的業(yè)均值為直徑值表1硅片的幾何參數(shù)中心點厚度，最小標稱直徑直徑偏拳總厚度變化

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