TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介制作群安電子TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介1TP金屬黃光流程材料一次壓干膜一次曝光一次顯影一次蝕刻金屬一次蝕刻ITO一次去膜二次壓干膜二次曝光二次顯影二次蝕刻金屬二次去膜TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介紅線框內(nèi)部分流程也可用印刷制程取代2TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介材料：PET+ITO+金屬PET規(guī)格：厚度50~150um金屬類(lèi)別：--Cu

--Cu+NiCu

--Cu+NiCuTi

--其他（NiCuNi、APC、Ag合金等）ITO類(lèi)別：--非結(jié)晶ITO（方阻150~400Ω）

--結(jié)晶ITO（方阻80~160Ω）材料3干膜的選擇NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易結(jié)合，需選用附著力好的干膜，如需要做30以下細(xì)線路還需選擇解析度良好的干膜；壓膜條件溫度：110+5壓力：3.5kg/cm2一次壓膜TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介4制程能力：底片（film）：最細(xì)可做20/20um

玻璃底片（光罩）：最細(xì)可做10/10um曝光注意事項(xiàng)：注意避免吸真空不良曝光能量把握適度需要使用平行光曝光機(jī)TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介一次曝光5顯影注意事項(xiàng)：控制顯影點(diǎn)40~60%控制好顯影液濃度及PH顯影后最好有烘干以增加干膜附著力關(guān)注顯影后線寬是否與底片一致TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介一次顯影6反應(yīng)原理使用氧化劑在酸性環(huán)境下氧化金屬蝕刻注意事項(xiàng)：注意蝕刻后線路品質(zhì)，避免線路鋸齒控制好蝕刻藥液濃度注意干膜是否有浮離問(wèn)題藥水不能攻擊ITOTP金屬黃光制程簡(jiǎn)介一次蝕刻金屬7蝕刻ITO注意事項(xiàng)：注意蝕刻后線路品質(zhì)，避免線路鋸齒控制好蝕刻藥液濃度注意干膜是否有浮離問(wèn)題藥液不能攻擊金屬非晶ITO蝕刻較快，注意控制好蝕刻速度避免蝕刻過(guò)度TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介一次蝕刻ITO8脫膜注意事項(xiàng)：控制好藥液濃度；控制去膜點(diǎn)30~50%注意干膜反粘關(guān)注材料方阻變化，藥液不能攻擊ITO

注意D/FAdhesionPromotor是否去除干凈TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介一次脫膜9干膜要求：附著力要好；壓膜條件：溫度：110+5壓力：3.5kg/cm2TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介二次壓膜10曝光注意事項(xiàng)：注意避免吸真空不良曝光能量把握適度注意對(duì)位準(zhǔn)確，勿對(duì)偏關(guān)注材料及底片是否漲縮

無(wú)線路可用散射光曝光機(jī)TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介二次曝光11顯影注意事項(xiàng)：控制顯影點(diǎn)40~60%控制好顯影液濃度及PHTP金屬黃光制程簡(jiǎn)介二次顯影12蝕刻金屬注意事項(xiàng)：控制好蝕刻藥水濃度關(guān)注視窗金屬殘留問(wèn)題關(guān)注ITO方阻變化TP金屬黃光制程簡(jiǎn)介二次蝕刻金屬13脫膜注意事項(xiàng)：注意干膜反粘控制好藥液濃度關(guān)注