ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T32280—2015

硅片翹曲度測試

自動非接觸掃描法

Testmethodforwarpofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32280—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心東莞市華源光電科技有限公司

、、。

本標準主要起草人孫燕何宇徐新華王飛堯張海英樓春蘭向興龍

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32280—2015

硅片翹曲度測試

自動非接觸掃描法

1范圍

本標準規(guī)定了硅片翹曲度的非破壞性自動非接觸掃描測試方法

、。

本標準適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的切割研磨腐蝕拋光刻

50mm,100μm、、、、、

蝕外延或其他表面狀態(tài)硅片的翹曲度測試本方法可用于監(jiān)控因熱效應(yīng)和或機械效應(yīng)引起的硅片

、。()

翹曲也可用于砷化鎵藍寶石等其他半導(dǎo)體晶片的翹曲度測試

,、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073—2013

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻轉(zhuǎn)的方法進行重力校正的代表性晶片典型片應(yīng)與被測晶片具有完全相同的標稱直徑標

。、

稱厚度基準結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向

、。

4方法提要

將被測晶片放置在平坦?jié)崈舻男∥P上吸盤帶動晶片沿規(guī)定的圖形在兩個相對的探頭之間運

、,

動兩個探頭同時對晶片的上下表面進行掃描獲得一組晶片上下表面分別到最近的探頭間的距離數(shù)

,,

據(jù)對應(yīng)掃描的每一點得到一對X和Y坐標都相同的距離數(shù)值成對的位移數(shù)值用于構(gòu)造一個中位

。,;

面而在中位面上的重力效應(yīng)的校正是通過從一個典型片測量值或理論值減去一個重力校正值得到

,,

的也可以通過翻轉(zhuǎn)晶片重復(fù)掃描進行校正從合適的中位面構(gòu)造一個最小二乘法基準面計算每對測

,。,

量點上的基準面偏離翹曲度即為最大的正數(shù)和最小的負數(shù)間的代數(shù)差

(RPD)。(RPD)(RPD)。

注晶片的翹曲可能是由于晶片的上下表面不相同的應(yīng)力造成的所以它不可能通過測量其中一個面確定中位

:,。

面包含了向上向下或兩者都有的曲度在某些情況下中位面是平的因此翹曲度為零或正數(shù)值

、,,,,。

5干擾因素

51