標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 6620-1995 硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法》相對(duì)于《GB 6620-1986》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:
首先,在標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)上,從GB變更為GB/T,這一變化意味著該標(biāo)準(zhǔn)由強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)。這種轉(zhuǎn)變通常反映了行業(yè)或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)化要求的更加靈活的態(tài)度。
其次,新版本對(duì)術(shù)語定義進(jìn)行了細(xì)化和完善,確保了與國際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的一致性和準(zhǔn)確性。這有助于提高測(cè)試結(jié)果的可比性,并促進(jìn)國際貿(mào)易和技術(shù)交流。
再者,《GB/T 6620-1995》增加了關(guān)于測(cè)試設(shè)備的要求,包括但不限于光源、探測(cè)器等關(guān)鍵組件的技術(shù)參數(shù)規(guī)定。這些新增內(nèi)容旨在規(guī)范測(cè)試條件,減少因設(shè)備差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)偏差,從而保證測(cè)量結(jié)果的一致性和可靠性。
此外,新版標(biāo)準(zhǔn)還明確了具體的測(cè)試步驟及數(shù)據(jù)處理方法,提供了更詳細(xì)的指導(dǎo)信息,幫助使用者正確執(zhí)行實(shí)驗(yàn)操作并準(zhǔn)確計(jì)算出硅片的翹曲度值。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 6620-2009
- 1995-04-18 頒布
- 1995-12-01 實(shí)施
文檔簡介
UDC.669.782-415:620:173:26H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6620-1995硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法Testmethodformeasuringwarponsiliconslicesbynoncontactscanning1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法CB/T6620-1995Testmethodrormeasuringwarponsilicon代替6620-86sltcesbynoncontactscanning主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)翹曲度的非接觸式測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于50mm,厚度為150~1000m的圓形硅片的翹曲度。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片的翹曲度方法原理硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上,3支點(diǎn)形成一基準(zhǔn)平面。硅片上、下表面相對(duì)于測(cè)量儀的一對(duì)探頭沿規(guī)定路徑同時(shí)進(jìn)行掃描,成對(duì)地給出上、下探頭與硅片最近表面之間的距離,求其一系列差值。差值中最大值與最小值相減除以2,所得數(shù)值表示硅片翹曲度。掃描路徑如圖1所示。翹曲度的示意圖如圖2所示。一掃描制形圖1測(cè)量掃描路徑圖國家技
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