毫米波理論與技術

第二章毫米波固態(tài)源

第六章毫米波固態(tài)電路2011年4月毫米波真空管分類慢波型正交場放大器（CFA）磁控管（Magnetron）速調管（Klystron）行波管（TWT）返波管（BWO）快波型回旋管（Gyrotron）萊達管（Ledatron）潘努管（Peniotron）毫米波固態(tài)源分類二端器件IMPATTGunn三端器件MESFETHEMTFETPHEMTFET倍頻器只考慮穩(wěn)態(tài)振蕩時器件中的電流基波分量i(t)=Acos(ωt+φ)設器件的微分阻抗和電路阻抗分別為Zd(A)=-Rd(A)+jXd(A)Zc(ω)=Rc(ω)+jXc(ω)則起振條件Rd(A)>Rc(ω)平衡條件Zd(A)+Zc(ω)=0穩(wěn)定條件振蕩的三種條件振蕩器噪聲分析注入鎖定單雙漂結構對比單漂區(qū)（SDR）雙漂區(qū)（DDR）結構p+-n-n+p+-p-n-n+漂移區(qū)數(shù)量12結面積較小較大輸出功率較小較大工藝復雜性和成本較低較高毫米波IMPATT二極管

的封裝結構和熱模型IMPATT二極管CW功率隨頻率變化IMPATT二極管封裝結構

（100GHz以下）陶瓷環(huán)封裝f<50GHz石英環(huán)封裝50GHz<f<100GHzIMPATT二極管開放結構

（100GHz以上）單石英支撐雙石英支撐直接接觸毫米波二極管波導型振蕩電路1963年Gunn發(fā)現(xiàn)在外加電場作用下半導體能級間電子轉移產生負阻效應RWH（Radley,Watkins,Hilsum）雙谷理論模型1964年Kromer證明了二者是同一種效應§2.3Gunn振蕩器與IMPATT對比，Gunn器件不是結效應器件，而是體效應器件，也稱電子轉移器件優(yōu)點：噪聲低，適合作低噪聲本振缺點：輸出功率較低Gunn與IMPATT對比Gunn與IMPATT二極管CW功率鰭線振蕩器=鰭線諧振器+有源器件鰭線諧振器用一段帶有偏置電路和適當調諧電路的鰭線制作有源器件可以是Gunn、IMPATT等二端器件，也可以是FET、HEMTFET等三端器件§6.1鰭線振蕩器簡單的鰭線振蕩器鰭線壓控振蕩器周期柵鰭線振蕩器單柵鰭線振蕩器鰭線FET振蕩器P=2(P1+P2)理論合成效率可達200%這是因為串聯(lián)可使Gunn管比單個時有更大的負阻，也更容易與阻抗較高的傳輸線匹配關鍵：等幅同相合成串聯(lián)雙管合成振蕩器鰭線串聯(lián)雙管合成振蕩器Gunn二極管和串聯(lián)雙管合成振蕩器的等效電路等效電路鰭線串聯(lián)雙Gunn管合成振蕩器

的輸出功率鰭線串聯(lián)雙Gunn管合成振蕩器

的輸出功率穩(wěn)定度和頻率穩(wěn)定度D-band(110-140GHz)

quasi-opticaloscillatorGroovedmirrortypeFabry-Perotquasi-opticaloscillator倍頻器將交流能量轉換為其諧波頻率的交流能量，與振蕩器將直流能量轉換為交流能量不同。倍頻器與其說是信號源，不如說是頻率變換電路。§2.5二端器件倍頻源按功能信號倍頻功率倍頻按器件二端電抗性二極管變容二極管階躍二極管電阻性二極管三端倍頻器分類平面管芯結構和臺面管芯結構等效電路變容二極管的管芯結構和等效電路結電容結電容變化系數(shù)γ=1/3緩變結γ=1/2突變結γ>1超突變結變容二極管的非線性特性零偏壓結電容PN結的勢壘電位差反向偏壓絕對值并聯(lián)型（電流激勵型）和串聯(lián)型（電壓激勵型）二極管倍頻電路的基本形式并聯(lián)型（電流激勵型）特點：二極管上只有f1和Nf1頻率的電流優(yōu)點：二極管可接地，利于散熱，適合大功率倍頻缺點：二極管與輸入輸出回路均為并聯(lián)，使得輸入輸出阻抗都較低串聯(lián)型（電壓激勵型）特點：二極管上只有f1和Nf1頻率的電壓優(yōu)點：輸入輸出阻抗較高，且隨諧波次數(shù)N的增加，效率下降程度比并聯(lián)型小，對N>3的場合較適合缺點：散熱不如并聯(lián)型二極管倍頻電路兩種形式的特點空閑回路（LmCm）匹配電路偏置電路倍頻附加電路W頻段高功率二倍頻電路輸出部分二倍頻器HBV三倍頻器450GHz單管三倍頻器和異質結勢壘變容二極管（HBV）器件[M.Saglam2002]反向并聯(lián)二極管對平衡倍頻器35%bandwidthQ-to-Wbandfrequencydoubler[C.Nguyen1987]鰭線平衡倍頻電路75-110GHzfullwaveguidebandMMICtripler[M.Morgan2001]W頻段單片集成平衡三倍頻器900GHz平衡三倍頻器[2004]900GHz平衡三倍頻器性能三端器件振蕩器和倍頻器FET二倍頻器（微帶結構）二端器件混頻器單二極管混頻器（單端混頻器）反向并聯(lián)二極管對偶次諧波混頻器二極管平衡混頻器二極管雙平衡混頻器三端器件混頻器§6.3混頻器梁式Schottky二極管俯視圖二極管混頻原理混頻器噪聲系數(shù)和SSB變頻損耗亞諧波混頻器反向并聯(lián)二極管對偶次諧波混頻電路平衡混頻電路230GHzsingleendedmixer[J.W.Archer1981]波導單端混頻器SSB變頻損耗和噪聲溫度單端混頻器亞諧波混頻器亞諧波混頻器300-360GHzsub-harmonicmixerusingplanarSchottkydiodes[B.Thomas2005]單脊鰭線亞諧波混頻器Wide-bandsubharmonicallypumpedW-bandmixerinsingle-ridgefin-line[P.J.Meier1982]單片亞諧波混頻器E-bandmonolithicSchottkydiodepairsubharmonicmixer[E.B.Stoneham2006]單片四次諧波混頻器60GHzUniplanarMMIC4SubharmonicMixer[M.W.Chapman2002]有限寬度地共面（FGC）波導鰭線－共面線平衡混頻器鰭線－帶線平衡混頻器鰭線－帶線平衡混頻器微帶平衡混頻器V頻段單片集成混合環(huán)平衡混頻器IVbandsinglybalanceddiodemixer[C.Florian2005]W頻段單片集成混合環(huán)平衡混頻器91-99GHzmonolithicHEMTSchottkydiodesinglybalancedmixer[Velocium]單片雙平衡混頻器70-90GHzmonolithicHBTstarmixer[Velocium]單柵和雙柵三端器件混頻電路三端器件平衡混頻電路單片有源平衡混頻器32-46GHzmonolithicGaAsPHEMTbalancedmixer[Mimix]HEMT器件結構及其等效電路實際HEMT器件的典型結構單級、雙級低噪聲放大器56-70GHzmonolithicPHEMTlownoiseamplifier[TriQuint]單片低噪聲放大器平衡式分布式（行波式）反饋式有源匹配式有損匹配式寬帶放大器類型平衡式寬帶放大器分布式（行波式）寬帶放大器反饋式寬帶放大器有源匹配式寬帶放大器有損匹配式寬帶放大器寬帶放大器性能比較平衡式分布式（行波式）負反饋有源匹配有損匹配應用頻段范圍1個倍頻程多個倍頻程（最寬）幾個倍頻程幾個倍頻程幾個倍頻程阻抗匹配效果優(yōu)良優(yōu)良良好良好較差噪聲系數(shù)低中等較高較高高輸出功率線性度好一般較好較好一般電路尺寸較大較小中等較小小制造允許公差大中等中等中等大80-100GHzmonolithicHEMTbalanced,3-stage,lownoiseamplifier[TriQuint]平衡式放大器DC-60GHzmonolithicMMHEMTlownoisea