石英坩堝小結(jié)一石英坩堝的歷史和現(xiàn)狀1.早期石英珀蝸早期的石英珀蝸是全部透明的，最早期的石英珀蝸是全部的透明的結(jié)構(gòu)，這種透明的結(jié)構(gòu)卻容易引起導(dǎo)致不均勻的熱傳輸條件，增加晶棒生長的困難度。所以這種珀蝸基本被淘汰使用。2.現(xiàn)代的石英珀蝸現(xiàn)代拉單晶的石英珀蝸一般是采用電弧法生產(chǎn)，半透明狀，是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料?，F(xiàn)代的石英珀蝸則存在二種結(jié)構(gòu)，外側(cè)是一層具有高氣泡密度的區(qū)域，稱為氣泡復(fù)合層，內(nèi)側(cè)則是一層3~5mm的透明層，稱之為氣泡空乏層。氣泡復(fù)合層的目的是在與均勻的輻射有加熱器所提供的輻射熱源。氣泡空乏層的目的在于降低與溶液接觸區(qū)域的氣泡密度，而改善單晶生長的成功率及晶棒品質(zhì)。二國內(nèi)石英坩堝的情況分析國內(nèi)石英珀蝸廠家有：錦州圣戈班、荊州菲利華、揚(yáng)州華爾、寧波寶斯達(dá)、余姚通達(dá)、杭州大和等。錦州圣戈班、荊州菲利華、揚(yáng)州華爾，他們的工藝采用真空熔融法，外幾家采用的是涂層法，即在珀蝸內(nèi)壁用精細(xì)石英砂噴涂到珀蝸表面大約1~2mm左右。涂的不均勻，這就會造成在單晶生長過程中內(nèi)壁脫落導(dǎo)致單晶生長失敗。寧波寶斯達(dá)有一種涂鋇鍋，可應(yīng)用到太陽能單晶用珀蝸上。涂鋇工藝也可用人工進(jìn)行，但是人工涂鋇的缺點(diǎn)在于在涂鋇的同時(shí)引進(jìn)多余的雜質(zhì)且人工噴涂不均勻，使得在開始拉晶的時(shí)候由于雜質(zhì)過多或者單晶生長過程中內(nèi)壁脫落，造成放肩時(shí)斷線，需提雜后才能進(jìn)行繼續(xù)拉晶。產(chǎn)石英坩堝與進(jìn)口石英坩堝對比爾匯科技有限公司~余姚市通達(dá)電器電信有限公司等。從這些公司公布的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)來看，跟國際標(biāo)準(zhǔn)（美國GE公司）相當(dāng)。石英珀蝸的主要指標(biāo)包括三個方面：幾何尺寸；純度、雜質(zhì)含量；外觀。幾何尺寸體現(xiàn)了精加工水平，由于單晶生產(chǎn)廠家的熱場系統(tǒng)（主要是石墨珀蝸）相對固定，因此石英珀蝸的幾何尺寸有統(tǒng)一要求。由于GE坩蝸進(jìn)入市場較早，所以我國產(chǎn)品幾何尺寸一般沿用了GE的標(biāo)準(zhǔn)。純度、雜質(zhì)含量標(biāo)準(zhǔn)，采用了石英砂原料生產(chǎn)廠家的標(biāo)準(zhǔn)，由于國產(chǎn)坩蝸都采用了進(jìn)口原料，國內(nèi)坩蝸廠家的標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)一致。但是，國內(nèi)坩蝸廠家主要列出了A1、Fe、Ca、Cu、K、Na、Li、B等8種雜質(zhì)含量的指標(biāo)，而GE標(biāo)準(zhǔn)除這8種元素外還列出了As、Cd、Cr、Mg、Mn、Ni、P、Sb、T、Zr等指標(biāo)，而且GE的指標(biāo)相對要求也高一些。外觀包括觸痕、裂紋、劃傷、凹坑、表面附著物和沾污、斑點(diǎn)和失透點(diǎn)、氣泡、波紋等，每一種缺陷都給出了定義和控制限度。由于引進(jìn)了國外先進(jìn)的工藝技術(shù)，在缺陷控制方面有很大的提高，國產(chǎn)免洗坩蝸也能做到免檢的水平。原材料石英坩蝸的原材料是二氧化硅，就其純度而言，大體分為兩種，一種是以天然水晶為原料的石英砂，它的雜質(zhì)總含量（指Al、Fe等13種雜質(zhì)元素的總和）一般均在50ppm以下，另一種是用高純合成原料（如四氯化硅）經(jīng)高溫水解溶制而成的產(chǎn)品，它的純度很高，13種雜質(zhì)元素的總含量一般均不超過2ppm，但是它的價(jià)格昂貴，軟化點(diǎn)低，不少坩蝸廠家用這種高純合成原料在坩蝸內(nèi)層燒結(jié)一層lmm左右的透明層，從而既保證了坩蝸內(nèi)表面的純度，又不致于使坩蝸軟化點(diǎn)過低。國產(chǎn)石英坩蝸一般采用進(jìn)口原料，石英坩蝸亦能追溯到所用原料，并在坩蝸質(zhì)量文件中附有原料的分析測試報(bào)告，在質(zhì)量管理上有很大的改進(jìn)。工藝技術(shù)國內(nèi)石英坩蝸生產(chǎn)廠家采用合資、獨(dú)資、技術(shù)引進(jìn)等多種方式大力提高工藝技術(shù)水平，提升產(chǎn)品質(zhì)量。錦州圣戈班引進(jìn)法國圣戈班技術(shù)，采用先進(jìn)的真空除氣泡技術(shù)。余姚市通達(dá)電器電信有限公司引進(jìn)日本坩蝸生產(chǎn)技術(shù)，在坩蝸內(nèi)層用高純合成原料燒結(jié)1.2mm的透明層，既解決了內(nèi)層的純度問題，又解決了國產(chǎn)坩蝸高溫軟化塌陷問題。然而國產(chǎn)坩蝸在生產(chǎn)高品質(zhì)大直徑坩蝸方面與GE還有一定的距離。另有一些特殊規(guī)格的坩蝸還未批量生產(chǎn)，如生產(chǎn)重?fù)絾尉У耐繉盂嵛?，低硼、低鋁、低堿坩蝸等。產(chǎn)品性能國產(chǎn)坩蝸與GE坩蝸相比在使用性能上還有一定的差距。國產(chǎn)坩蝸軟化點(diǎn)低、壽命短、易下陷，單晶一旦斷苞，幾次回熔后很難再長出單晶。此外，石英坩蝸下陷后，石墨坩蝸裸露，引起碳含量超標(biāo)。國產(chǎn)坩蝸內(nèi)表面氣泡多，雜質(zhì)點(diǎn)、斑點(diǎn)多，拉晶過程中脫落下的石英砂容易使單晶斷苞。國產(chǎn)坩蝸雖說使用了進(jìn)口原料，然而由于制作過程中的沾污、清洗或純化不過關(guān)，包裝材料不潔凈或由于質(zhì)量管理的漏洞，可能引起雜質(zhì)的污染。四石英坩堝的特性(主要介紹熱學(xué)性能和結(jié)晶性能)熱學(xué)性能：熱學(xué)性能主要體現(xiàn)在以下幾個方面它的形變點(diǎn)為1075°C它的軟化點(diǎn)為1730C其最高連續(xù)使用溫度為1100C，短時(shí)間內(nèi)為1450C。結(jié)晶性能石英珀蝸在高溫下具有趨向變成二氧化硅的晶體(方石英)。這個過程稱為再結(jié)晶，也稱為“失透”，通常也稱為“析晶”。析晶通常發(fā)生在石英珀蝸的表層，按照中國石英玻璃行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，半導(dǎo)體工業(yè)用石英玻璃在1400C±5°C下保溫6小時(shí)，其析晶層的平均厚度應(yīng)為＜100^m。五石英坩堝對原料的要求石英珀蝸的幾何尺寸和外觀是生產(chǎn)工藝決定的，而純度是由原料決定的.石英珀蝸用原料要求純度高、一致性好，粒度分布均勻。由害成分高時(shí)會影響珀蝸的熔制，影響其耐溫性，還會出現(xiàn)氣泡、色斑、脫皮等現(xiàn)象，嚴(yán)重影響石英珀蝸質(zhì)量。例如：當(dāng)Al含量過高時(shí)會對拉制單晶硅的純度產(chǎn)生影響，當(dāng)Na、K、Li等元素含量高時(shí)會使石英珀蝸軟化溫度降低，當(dāng)Cu、Mn、Fe等元素含量高時(shí)會產(chǎn)生色斑。有害元素含量高還會產(chǎn)生一些氣泡、白斑等缺陷，造成石英珀蝸透明度下降，嚴(yán)重時(shí)還影響珀蝸成形。我國對石英原料純度一般是以Al等十三個有害元素來衡量的要求他們的總和要小于20*10-8。石英中雜質(zhì)大多數(shù)是在石英形成時(shí)伴生的，石英雜質(zhì)礦物是雜質(zhì)的富集點(diǎn)，主要有二種來源，一是石英生長時(shí)包裹在石英晶體中的雜質(zhì)礦物，主要是硅酸鹽類礦物及金屬氧化物類礦物。這類包裹分固態(tài)和氣液兩種。固態(tài)包裹體主要有云母、綠簾石、鉀長石、赤電礦等；氣液包裹體主要有結(jié)晶水和氣組成，主要成分為co2、h2o、h2o2、n2、ch4、CO等。水晶中氣液包裹體較少，石英中較多，最高可達(dá)800mg/Kg以上。另一種是生產(chǎn)過程中二次污染的雜質(zhì)，生產(chǎn)過程的空氣、水、設(shè)備和操作人員都能對產(chǎn)品產(chǎn)生污染，這是很難控制和處理的雜質(zhì)。六石英坩堝涂層無光澤化devitrification石英珀蝸本身是非晶質(zhì)的介態(tài)能，在適當(dāng)?shù)臈l件下他會發(fā)生相變化而形成穩(wěn)定的白矽石結(jié)晶態(tài)，這種過程一般稱之為《無光澤化devitrification》，白矽石結(jié)晶態(tài)的形成包括成核與成長二個階段，成核通常發(fā)生在石英石墨珀蝸壁上的結(jié)構(gòu)缺陷或雜質(zhì)（特別是一些堿性金屬或重金屬）。初期的白矽石結(jié)晶為球狀，進(jìn)一步的成長則是沿著珀蝸壁成樹枝狀往側(cè)向發(fā)展，這是因?yàn)槭⑹晡伵c溶液的反應(yīng)時(shí)的垂直方向的成長受到抑制之故。在白矽石結(jié)晶與非晶質(zhì)石英珀蝸壁之間通常夾雜著一層矽溶液，而在白矽石結(jié)晶的邊緣，通常覆蓋著棕色的sio氣泡。這層滲透入石英石墨珀蝸壁的溶液，隨著時(shí)間的增加，可能使得白矽石結(jié)晶整個剝落。這些剝落的白矽石顆粒，隨著流動而飄動在溶液中。大部分的顆粒，在一定時(shí)間之后即可完全溶解于溶液內(nèi)。然而仍有些幾率，部分較大的顆粒在未完全溶解之前，即撞倒晶棒的表面，而導(dǎo)致位錯的產(chǎn)生。在一個非常凹狀的生長界面的邊緣區(qū)域，對于這種有顆粒引起的位錯現(xiàn)象，顯得特別敏感。微小的顆粒如果碰到生長界面的中心區(qū)域，仍有可能不會產(chǎn)生位錯。生長中的晶棒受到白矽石顆粒碰撞，而產(chǎn)生位錯的機(jī)率隨著每單位時(shí)間由石英石墨珀蝸壁所釋出的顆粒數(shù)目及大小之增加而增加。也就是說，產(chǎn)生位錯的機(jī)率隨著石英珀蝸的使用時(shí)間及溫度增加而增加。因此石英石墨珀蝸的使用總是有著時(shí)間的限制，超過一定的時(shí)間，過多的白矽石顆粒將從石英珀蝸壁釋放出來，使得零位錯的生長而終止。這種石英石墨珀蝸使用壽命的限制，是生長更大尺寸晶棒及ccz（多次加料）晶棒生長的一大阻礙。涂鋇工藝與原理人們發(fā)現(xiàn)，只要在石英珀蝸上涂一層可以促進(jìn)devitrification的物質(zhì)，既可大幅度的增加石英珀蝸的使用壽命及成晶率。這種可以促進(jìn)devitrification的物質(zhì)，一般用含有鋇離子的化合物這是因?yàn)殇^在硅中的平衡偏析系數(shù)非常小，使得他在硅晶棒中的濃度小于2.5x10（-9）/cm3，因而不會影響到晶棒的品質(zhì)。通常的做法是將石英珀蝸壁涂上一層含有結(jié)晶水的氫氧化鋇（Ba（OH）2.8H2O）（飽和的氫氧化鋇水溶液）。這層氫氧化鋇會與空氣中的二氧化碳反應(yīng)形成碳酸鋇。而當(dāng)這種石英坩蝸在單晶爐上被加熱時(shí)，碳酸鋇會分解形成氧化鋇，隨著氧化鋇與石英坩蝸反應(yīng)形成硅酸鋇（BaSiO3）。由于硅酸鋇的存在，使得石英坩蝸壁上形成一層致密微小的方石英結(jié)晶。這種微小的方石英結(jié)晶很難被溶液滲入而剝落，即使剝落也很快被溶液溶解掉，，因此可以大幅度的改善石英坩蝸的使用壽命及長晶良率。另外在石英坩蝸外壁形成一層方石英結(jié)晶的好處，是它可以增加石英坩蝸的強(qiáng)度，減少高溫軟化現(xiàn)象。附：CaCO3與SiO2轉(zhuǎn)化為CaSiO3的反應(yīng)：CaCO3=（高溫）CaO+CO2f。CaO+SiO2=（高溫）CaSiO3由于Ba的活潑性結(jié)合力大于Ca，所以一定能反應(yīng)的。BaCO3+SiO2=（高溫）BaSiO3+CO2f。BaSiO3的性質(zhì)：密度：4.399g/cm3，熔點(diǎn)：1604°C，折射率：1.673。無色結(jié)晶粉末，正交晶結(jié)構(gòu)。能溶于鹽酸，不溶于冷水，在熱水中分解。通常帶六個水分子，BaSiO3-6H2O，稱偏硅酸鋇；六水合硅酸鋇。五石英坩蝸在拉單晶中出現(xiàn)的現(xiàn)象及其分析1.石英坩堝使用后壁上出現(xiàn)棕色小圈現(xiàn)象：在鍋壁上出現(xiàn)棕色小圈。解釋：石英坩蝸本身是非晶質(zhì)，石英坩蝸本身是非晶質(zhì)的介態(tài)能，在適當(dāng)?shù)臈l件下他會發(fā)生相變化而形成穩(wěn)定的方石英結(jié)晶態(tài)。方石英結(jié)晶態(tài)的形成包括成核與成長二個階段，成核通常發(fā)生在石英坩蝸壁上的結(jié)構(gòu)缺陷或雜質(zhì)（特別是一些堿性金屬或重金屬）。初期的方石英結(jié)晶為球狀，進(jìn)一步的成長則是沿著坩蝸壁成樹枝狀往側(cè)向發(fā)展，這是因?yàn)槭③嵛伵c溶液的反應(yīng)時(shí)的垂直方向的成長受到抑制之故。在方石英結(jié)晶與非晶質(zhì)石英坩蝸壁之間通常夾雜著一層硅溶液，而在方石英結(jié)晶的邊緣，通常覆蓋著棕色的sio氣泡。Sio氣體為棕色，棕色的小圈是sio的結(jié)晶。根本原因在于坩蝸壁上的雜質(zhì)或者硅料清洗不干凈所帶來的酸堿或重金屬殘留，使坩蝸在高溫下不穩(wěn)定，造成上訴現(xiàn)象。注：一氧化硅（sio）的物理化學(xué)性質(zhì)Sio：黑棕色至黃土色無定形粉末。熔點(diǎn)＞1702°C。沸點(diǎn)1880°C，由純度99.5%的二氧化硅粉末與煤瀝青粉末（或硅粉）以C/SiO2=1.3或Si/SiO2=1.2配比混合，放入電加熱的真空爐，注入非氧化性氣體（如氬、氫等氣體），高溫反應(yīng)，制得超細(xì)（0.1/um以下）無定形氧化硅。一般它可由二氧化硅在高溫下與純硅作用后迅速冷卻制得：SiO2+Sif2SiOSio是si與sio2在真空條件下加熱生成的產(chǎn)物，在引晶的時(shí)候硅液表面有一層棕色的煙環(huán)繞，此為sio。解決途徑：1.硅料的清洗需要保證無酸堿殘留或重金屬坩蝸本身的質(zhì)量過關(guān)改進(jìn)工藝，使用涂層或噴涂坩蝸。2.石英坩堝的析晶析晶是指熔凝石英向方晶石轉(zhuǎn)化的過程。會導(dǎo)致坩蝸的結(jié)構(gòu)，形態(tài)和密度的變化；從而導(dǎo)致石英坩蝸的碎裂和機(jī)械故障。析晶是包括了兩個過程：a）.晶核作用b）.生長形成。引起晶核作用的原因是堿成分和其他金屬所造成的坩蝸表面的污染。為了減小晶核作用，我們的生產(chǎn)工藝是"高溫熔制涂層法（CoatingMethod）”，成品坩蝸的內(nèi)層有0.6mm?2.0mm的透明層，這個透明層是純度極高的石英砂熔制而成，能夠保證將晶核作用降到最低點(diǎn)。而生長形成的速度取決于坩蝸在使用中的外部溫度和石英坩蝸的粘度。熔凝石英的析晶速度隨溫度的升高，OH一羥基含量的增加，以及石英的粘度的下降而加快。因此制造的高粘度，低OH一羥基含量石英坩蝸具有良好的抗析晶的優(yōu)良性能；現(xiàn)象：石英坩蝸在高溫下具有趨向變成二氧化硅的晶體（方石英）。這個過程稱為再結(jié)晶，也稱為“失透”，通常也稱為“析晶”。解釋：析晶通常發(fā)生在石英坩蝸的表層，按照中國石英玻璃行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，半導(dǎo)體工業(yè)用石英玻璃在1400°C±5°C下保溫6小時(shí)，其析晶層的平均厚度應(yīng)為V100^m,在100^m之內(nèi)的析晶是屬于正常的。嚴(yán)重的析晶對拉單晶的影響很大，石英坩蝸內(nèi)壁發(fā)生析晶時(shí)有可能破換坩蝸內(nèi)壁原有的涂層，這將導(dǎo)致涂層下面的氣泡層和熔硅發(fā)生反應(yīng)，造成部分顆粒狀氧化硅進(jìn)入熔硅內(nèi)，使得正在生長中的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變異而無法正常長晶。析晶將減薄石英坩蝸原有的厚度，降低了坩蝸的強(qiáng)度容易引起石英坩蝸的變形?？赡艿脑颍?石英坩蝸受到沾污，在所有隊(duì)石英坩蝸的沾污中，堿金屬離子鉀（K）鈉（Na）鋰（Li）和堿土金屬離子鈣（Ca）鎂（Mg）這些離子的存在是石英坩蝸產(chǎn)生析晶的主要因素。2在操作過程中，因操作方法不當(dāng)也會產(chǎn)生析晶如在防止石英坩蝸和裝填硅料的過程中，帶入的汗水，口水，油污，塵埃等。3新的石墨坩蝸未經(jīng)徹底煅燒或受到沾污就投入使用是造成石英坩蝸外層析晶的主要原因。4用于拉晶的原料純度低，所含雜質(zhì)太多或清洗工藝存在問題。5熔料時(shí)溫度過高，也將加重析晶的程度。6石英坩蝸的生產(chǎn)，清洗，包裝過程中受到沾污。解決途徑：1石英坩蝸的生產(chǎn)廠商要保證其生產(chǎn)的坩蝸從用料到生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)都符合質(zhì)量要求。2在單晶生產(chǎn)的整個過程中應(yīng)嚴(yán)格按照工藝規(guī)程認(rèn)真操作。3拉晶所用的原料純度一定要符合生產(chǎn)要求，如果原料本身所含雜質(zhì)較多，在溶料過程中也會造成析晶。尤其是堿金屬離子的存在，將會降低析晶溫度200?300C.4原料的清洗一定要符合工藝要求，進(jìn)過酸或堿處理的原料如果未將酸堿殘液沖洗徹底，易造成析晶。5新的石墨器件，如石墨坩蝸因含有一定的灰粉和其它雜質(zhì)，在投入使用前須經(jīng)過徹底的高溫煅燒才能使用。6熔料時(shí)應(yīng)選用合適的熔料溫度以減少析晶或降低析晶的程度。石英坩堝的變形現(xiàn)象：石英珀蝸使用后變形影響：石英珀蝸?zhàn)冃魏?，在拉晶過程中隨著蝸位的上升，石英珀蝸?zhàn)冃蔚耐钩霾糠謱⑴鲎驳綄?dǎo)流筒，影響或無法繼續(xù)正常的拉晶。溶料中發(fā)生掛邊造成的石英珀蝸?zhàn)冃?，珀蝸上口向?nèi)凸出過多，當(dāng)溶完料蝸位上升到正常引晶位置時(shí)，已碰撞到導(dǎo)流筒，這將直接導(dǎo)致不能拉晶的嚴(yán)重后果。3溶料中發(fā)生鼓包且鼓包較大時(shí)，在拉晶過程中隨著液位的下降，鼓包會漸漸露出液面，這時(shí)已經(jīng)拉出的晶棒會碰擦鼓包，如不及時(shí)停爐會發(fā)生晶棒跌落的嚴(yán)重事故?？赡艿脑颍貉b料方法不當(dāng)。在液位線上的料與石英珀蝸的接觸呈面接觸狀態(tài)，這在熔料過程中容易發(fā)生掛邊導(dǎo)致珀蝸?zhàn)冃?。珀蝸?zhàn)钌喜咳垦b了碎小細(xì)料，這在熔料時(shí)易發(fā)生下部已溶完，上部呈結(jié)晶狀態(tài)而造成珀蝸?zhàn)冃巍Ｈ哿戏椒ú划?dāng)。溫度過高。由于硅熔點(diǎn)為1420°C，一般的熔料溫度在1550~1600°C左右，如果熔料溫度過高，在熔料過程中極易發(fā)生變形。溫度過低。當(dāng)熔料料溫度偏低時(shí)，珀蝸上部的料與蝸壁接觸處易發(fā)生似熔非熔的狀態(tài)，當(dāng)下部料熔完上部已掛邊的塊料將石英珀蝸下拉二發(fā)生變形。原料質(zhì)量參差不齊，齊所含雜質(zhì)遠(yuǎn)高于原始多晶，酸洗工藝不盡完善，這對珀蝸的正常使用影響也非常大，主要表現(xiàn)在容易發(fā)生嚴(yán)重析晶。石英本身存在質(zhì)量問題。石英珀蝸在生產(chǎn)，清洗，包裝中受到沾污發(fā)生析晶（包括液位線以上的部分）這樣石英珀蝸原有的厚度會減薄，強(qiáng)度也隨之下降，容易發(fā)生變形。注： 德通單晶車間石英珀蝸的質(zhì)量檢測標(biāo)準(zhǔn)外徑高度弧度壁厚底部透明層18"456-458321+2/-2N97.5-99.0-10.5 320"504-508356N109-1010-12 4外觀指標(biāo)弧度以下小于0.8mm黑點(diǎn)在夾層允許1個，直壁上小于1.0mm黑點(diǎn)在夾層允許1個弧度以下小于0.3mm氣泡在夾層允許1個，直壁上小于0.5mm氣泡在夾層允許1個雜質(zhì)含量Al、Fe、Ca、Mg、Cu、Co、Ni、Mn、Ti、Na、K、Li、B13個雜質(zhì)元素的總含量不大于30*10-6。4.石英坩堝的破裂在熔料和拉晶的過程中有時(shí)會發(fā)生石英珀蝸破裂，發(fā)生破裂的原因有以下幾個因素。1熔料的方法不當(dāng)1.1二次結(jié)晶上部硅料熔化后沿著石英珀蝸的內(nèi)壁向下流到底部時(shí)往往會因底部溫度過低而發(fā)生“二次”結(jié)晶，硅料在“二次”結(jié)晶時(shí)發(fā)生膨脹而將石英珀蝸脹裂。1.2底部翻料后漏硅當(dāng)上部熔硅液體沿蝸壁流到珀蝸底部時(shí)將底部塊料和石英珀蝸粘連在一起，當(dāng)上部硅料完全熔化成液體后，對底部的塊料形成浮力，當(dāng)浮力大到足以將未熔完的塊料脫離與之粘連的石英珀蝸底部時(shí)，往往能將珀蝸拉破。2熔料的溫度不當(dāng)溶料的溫度太高會加劇珀蝸析晶的程度，增加了破裂的可能性。3原料問題原料的雜質(zhì)太多或在原料的清洗和