實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)時(shí)間2015-11-14實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆侦o態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)方法。實(shí)驗(yàn)設(shè)備PC機(jī)一臺(tái)，TD-CMA實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)一套實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)所用的靜態(tài)存儲(chǔ)器由一片6116（2K×8bit）構(gòu)成（位于MEM單元），如圖2-1-1SRAM6116引腳圖所示。6116有三個(gè)控制線：CS（片選線）、OE（讀線）、WE（寫(xiě)線），其功能如表2-1-1所示，當(dāng)片選有效（CS=0）時(shí)，OE=0時(shí)進(jìn)行讀操作，WE=0時(shí)進(jìn)行寫(xiě)操作，本實(shí)驗(yàn)將CS常接地。圖2-1-1SRAM6116引腳圖由于存儲(chǔ)器（MEM）最終是要掛接到CPU上，所以其還需要一個(gè)讀寫(xiě)控制邏輯，使得CPU能控制MEM的讀寫(xiě)，實(shí)驗(yàn)中的讀寫(xiě)控制邏輯如圖2-1-2所示，由于T3的參與，可以保證MEM的寫(xiě)脈寬與T3一致，T3由時(shí)序單元的TS3給出（時(shí)序單元的介紹見(jiàn)附錄2）。IOM用來(lái)選擇是對(duì)I/O還是對(duì)MEM進(jìn)行讀寫(xiě)操作，RD=1時(shí)為讀，WR=1時(shí)為寫(xiě)。圖2-1-2讀寫(xiě)控制邏輯實(shí)驗(yàn)原理圖如圖2-1-3所示，存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)總線上接有8個(gè)LED燈顯示D7…D0的內(nèi)容。地址線接至地址總線，地址總線上接有8個(gè)LED燈顯示A7…A0的內(nèi)容，地址由地址鎖存器（74LS273，位于PC&AR單元）給出。數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)（位于IN單元）經(jīng)一個(gè)三態(tài)門(mén)（74LS245）連至數(shù)據(jù)總線，分時(shí)給出地址和數(shù)據(jù)。地址寄存器為8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其實(shí)際容量為256字節(jié)。圖2-1-3存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖實(shí)驗(yàn)箱中所有單元的時(shí)序都連接至?xí)r序與操作臺(tái)單元，CLR都連接至CON單元的CLR按鈕。實(shí)驗(yàn)時(shí)T3由時(shí)序單元給出，其余信號(hào)由CON單元的二進(jìn)制開(kāi)關(guān)模擬給出，其中IOM應(yīng)為低（即MEM操作），RD、WR高有效，MR和MW低有效，LDAR高有效。實(shí)驗(yàn)結(jié)果以從00地址單元讀出11H為例：實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析（1）寫(xiě)入存儲(chǔ)器：通過(guò)WR、RD、IOM控制存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)，IOR控制數(shù)據(jù)地址的輸出，LDAR控制地址寄存器門(mén)控信號(hào)。給存儲(chǔ)器的00H、01H、02H、03H、04H地址單元中分別寫(xiě)入數(shù)據(jù)11H、12H、13H、14H、15H。先關(guān)掉存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)（WR=0，RD=0）和地址寄存器門(mén)控信號(hào)（LDAR=0），數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)輸出要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，打開(kāi)輸入三態(tài)門(mén)（IOR=0），然后使存儲(chǔ)器處于寫(xiě)狀態(tài)（WR=1，RD=0，IOM=0），按動(dòng)ST產(chǎn)生T3脈沖，即將數(shù)據(jù)打入到存儲(chǔ)器中。（2）讀存儲(chǔ)器：通過(guò)地址的輸入，讀出相應(yīng)地址的數(shù)據(jù)。在進(jìn)行讀操作時(shí)，應(yīng)先關(guān)閉IN單元的輸出（IOR=1），然后使存儲(chǔ)器處于讀狀態(tài)（WR=0，RD=1，IOM=0），此時(shí)數(shù)據(jù)總線上的數(shù)即為從存儲(chǔ)器當(dāng)前地址中讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容。實(shí)驗(yàn)心得通過(guò)這次實(shí)驗(yàn)，對(duì)于靜態(tài)存儲(chǔ)器得工作特性及使用方法有了較好的掌握。對(duì)于半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)及讀出數(shù)據(jù)的過(guò)程也有了一定的認(rèn)識(shí)。在此