探測(cè)器一般采用半導(dǎo)體探測(cè)器或正比計(jì)數(shù)管，也可以選用NaI（Tl）閃爍。一般采用1—額定工作條件見(jiàn)表2。產(chǎn)品中如采用某些溫度敏感件（例如液晶顯示屏，環(huán)境溫2偏高溫±2℃，低溫3光子能量推薦活度5.896，Mn22.16，Ag41，Eu12～17，U4核素能量55FeMn碘化鈉（鉈硅（鋰在規(guī)定的能量響應(yīng)范圍中，能量非線性EEmax 使用碘化鈉（鉈）和正比計(jì)數(shù)管要求能量非線性求能量非線性

，使用硅（鋰）對(duì)于不同元素儀器有不同的含量校準(zhǔn)曲線，其非線性ccCmaxc 在被分析的含量段，要求含量非線性 iC 要求相對(duì)固有誤差i5%。在額定工作條件（2）的上、下限，要求相對(duì)工作誤差i10%。i1(NinNi2

1nn （n＞10要求穩(wěn)定性誤差25%。EBKabA △N/N0≤1%：x lnmB

mB 25mm范圍內(nèi)可調(diào)。與5.13.2相同原因，要求在測(cè)量窗口均勻分布三個(gè)圓柱狀裝置，用以調(diào)節(jié)被測(cè)物質(zhì)準(zhǔn)本面與激發(fā)源間的距離滿足8～25mm的要求。測(cè)量窗口處應(yīng)設(shè)置一個(gè)易于操作的有鎖定裝置的圓片（源閘，在儀器不工作時(shí)用后，在距探測(cè)裝置外表面5cm25μSv/h（2.5mrem/h。基質(zhì)中應(yīng)不含干擾元素。標(biāo)樣的厚度應(yīng)大于所含物質(zhì)特征X射線的飽和吸收厚度。能量刻度標(biāo)樣和檢查標(biāo)樣的基質(zhì)中應(yīng)不含干擾元素。其所含物質(zhì)至少應(yīng)研磨至驗(yàn)，檢驗(yàn)結(jié)果應(yīng)符合5.3條的要求。征X射線能量如表5所示。5能量性，應(yīng)符合5.5條的要求。合5.7條的要求。NHNAHNBH NLNALNBL 時(shí)的相對(duì)工作誤差，應(yīng)滿足5.8條的要求。EJ436-895.55.17式檢驗(yàn)。在連續(xù)正常生產(chǎn)時(shí)，一般1～2a也應(yīng)周期性進(jìn)行一次型式檢驗(yàn)。于5臺(tái)時(shí)，C組全檢。6A1—26.236.346.4B56.666.176.786.8.196.8.2C6.8.3S—沖擊6.8.4傾斜跌落6.8.5碰撞6.8.66.8.77判定數(shù)定數(shù)判定數(shù)定數(shù)A01—523812B1—523812C1—322512

附錄（補(bǔ)充件A1平衡過(guò)濾片的最佳質(zhì)量厚度

I

-me0e-IAI0

-IBI0

xmA——過(guò)濾片AI I- I I mB xmAmB A1.2在能量EB通帶內(nèi)，X射線分別通過(guò)過(guò)濾片A、B

I II(e-mAxmA－e-mB 由式A3xmAxmBΔI隨xm變化的函數(shù)I(xm)

xmAxmB

)IA

e-mAxm－e-mBxI0I用數(shù)學(xué)方法求I(xm)的極值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的xmdI(xm)令：

dI(xm)

(e-mAxm