第《計(jì)算機(jī)組成原理》武漢大學(xué)202x級(jí)期末考試試題B類A卷+答案

《計(jì)算機(jī)組成原理》武漢大學(xué)202x級(jí)期末考試試題B類A卷+答案

武漢大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院

202x-202x學(xué)年第一學(xué)期202x級(jí)《計(jì)算機(jī)組成原理》

期末考試試題B類A卷(閉卷)

學(xué)號(hào)_____________班級(jí)_________姓名_____________成績________

一、單項(xiàng)選擇題（每小題2分，共20分）

1、定點(diǎn)數(shù)運(yùn)算發(fā)生溢出時(shí)應(yīng)該_________。

A．輸出錯(cuò)誤信息B．舍入處理

C．向左規(guī)格化D．向右規(guī)格化

2、尾數(shù)采用補(bǔ)碼的浮點(diǎn)數(shù)運(yùn)算中，出現(xiàn)______情況應(yīng)該進(jìn)行規(guī)格化處理。

A．符號(hào)位與最高數(shù)值位不同B．符號(hào)位與最高數(shù)值位相同

C．符號(hào)位與最低數(shù)值位不同D．符號(hào)位與最低數(shù)值位相同

3、SRAM寫入數(shù)據(jù)的條件是_______。

A．AB有效比R/W#＝0早到達(dá)B．AB有效與R/W#＝0同時(shí)到達(dá)

C．AB有效比R/W#＝0遲到達(dá)D．AB有效與ADS#＝0同時(shí)到達(dá)

4、DRAM地址分兩次輸入（行選通RAS#、列選通CAS#）的目的是____。

A．提高速度B．減少芯片引出線C．刷新D．電平需要

5、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器速度最快的是________。

A．EPROMB．DRAMC．SRAMD．FLASHMEMORY

6、多體交叉存儲(chǔ)器主要解決的問題是_________。

A．?dāng)U充主存儲(chǔ)器的容量B．提高主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸率

C．減少主存儲(chǔ)器芯片數(shù)量D．簡化線路結(jié)構(gòu)

7、某主機(jī)的Cache容量是256塊，采用直接映像方式，主存中的第i塊將會(huì)映像到Cache的第_________塊中。

A．256B．i(mod256)C．iD．i+1

8、在磁盤存儲(chǔ)器中，以下正確的描述是_______。

A．各磁道的位密度相等B．內(nèi)圈磁道的位密度較大

C．外圈磁道的位密度較大D．內(nèi)外圈磁道的位密相等

9、FM的編碼效率是_______。

A．50％B．25％C．75％D．100％

10、DLL磁記錄方式的優(yōu)點(diǎn)是_______。

A．自同步能力強(qiáng)B．抗干擾能力強(qiáng)且存儲(chǔ)密度高

C．讀寫電路簡單D．可以提高磁盤傳輸率

二、運(yùn)算方法與運(yùn)算器分析題（共20分）

某機(jī)字長32位，浮點(diǎn)表示時(shí)，階碼占8位，尾數(shù)占24位，各包含一位符號(hào)位，問：①帶符號(hào)定點(diǎn)小數(shù)的最大表示范圍是多少?（4分）

②帶符號(hào)定點(diǎn)整數(shù)的最大表示范圍是多少?（4分）

③浮點(diǎn)表示時(shí)，最大的正數(shù)是多少?（4分）

④浮點(diǎn)表示時(shí)，最大的負(fù)數(shù)是多少?（4分）

⑤浮點(diǎn)表示時(shí)，最小的規(guī)格化正數(shù)是多少?（4分）

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三、指令系統(tǒng)與控制器設(shè)計(jì)題（共20分）

設(shè)有一臺(tái)計(jì)算機(jī)，其指令長度為16位，指令格式如下：

OPRMD

其中OP為操作碼，占5位；R為寄存器編號(hào)，占3位，可有8個(gè)寄存器;M為尋址方式，占2位，與D一起決定源操作數(shù)，規(guī)定如下：

M=00，為立即尋址，D為立即數(shù)；

M=01，為相對(duì)尋址，D為位移量；

M=10，