電力電子第2章電力電子器件第一頁(yè)，共126頁(yè)?！瞿M和數(shù)字電子電路的基礎(chǔ)

——晶體管和集成電路等電子器件

電力電子電路的基礎(chǔ)

——電力電子器件■本章主要內(nèi)容：◆對(duì)電力電子器件的概念、特點(diǎn)和分類等問題作了簡(jiǎn)要概述。◆分別介紹各種常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問題。

引言2第二頁(yè)，共126頁(yè)。

2.1.1電力電子器件的概念和特征

2.1.2應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成

2.1.3電力電子器件的分類

2.1.4本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)2.1

電力電子器件概述3第三頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏﹄娮悠骷母拍?/p>

◆電力電子器件（PowerElectronicDevice）是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。

?主電路：在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電能的變換或控制任務(wù)的電路。

?廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類，目前往往專指電力半導(dǎo)體器件。

2.1.1電力電子器件的概念和特征電真空器件

(汞弧整流器、閘流管)半導(dǎo)體器件

(采用的主要材料硅）4第四頁(yè)，共126頁(yè)。■電力電子器件的特征

◆所能處理電功率的大小，也就是其承受電壓和電流的能力，是其最重要的參數(shù)，一般都遠(yuǎn)大于處理信息的電子器件。

◆為了減小本身的損耗，提高效率，一般都工作在開關(guān)狀態(tài)。

◆由信息電子電路來(lái)控制

,而且需要驅(qū)動(dòng)電路。

◆自身的功率損耗通常仍遠(yuǎn)大于信息電子器件，在其工作時(shí)一般都需要安裝散熱器。

2.1.1電力電子器件的概念和特征5第五頁(yè)，共126頁(yè)。2.1.1電力電子器件的概念和特征■功率半導(dǎo)體器件（電力電子器件）的狀態(tài)

導(dǎo)通態(tài)（on）關(guān)斷態(tài)（off）切換態(tài)（換流與換相）

6第六頁(yè)，共126頁(yè)。?通態(tài)損耗是電力電子器件功率損耗的主要成因。?當(dāng)器件的開關(guān)頻率較高時(shí)，開關(guān)損耗會(huì)隨之增大而可能成為器件功率損耗的主要因素。

通態(tài)損耗斷態(tài)損耗開關(guān)損耗開通損耗關(guān)斷損耗?電力電子器件的功率損耗2.1.1電力電子器件的概念和特征7第七頁(yè)，共126頁(yè)。2.1.1電力電子器件的概念和特征散熱器8第八頁(yè)，共126頁(yè)。2.1.1電力電子器件的概念和特征水冷系統(tǒng)9第九頁(yè)，共126頁(yè)。2.1.1電力電子器件的概念和特征10第十頁(yè)，共126頁(yè)。2.1.1電力電子器件的概念和特征并聯(lián)水路結(jié)構(gòu)11第十一頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏﹄娮悠骷趯?shí)際應(yīng)用中，一般是由控制電路、驅(qū)動(dòng)電路和以電力電子器件為核心的主電路組成一個(gè)系統(tǒng)。

電氣隔離圖2-1電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中的系統(tǒng)組成2.1.2應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成12第十二頁(yè)，共126頁(yè)?！霭凑漳軌虮豢刂齐娐沸盘?hào)所控制的程度◆半控型器件

?主要是指晶閘管（Thyristor）及其大部分派生器件。?器件的關(guān)斷完全是由其在主電路中承受的電壓和電流決定的。

◆全控型器件?目前最常用的是

IGBT和PowerMOSFET。

?通過控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通，又可以控制其關(guān)斷。

◆不可控器件

?電力二極管（PowerDiode）?不能用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷。2.1.3電力電子器件的分類13第十三頁(yè)，共126頁(yè)?！霭凑镇?qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)◆電流驅(qū)動(dòng)型

?通過從控制端注入或者抽出電流來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制。

◆電壓驅(qū)動(dòng)型

?僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號(hào)就可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制?！霭凑镇?qū)動(dòng)信號(hào)的波形（電力二極管除外

）◆脈沖觸發(fā)型

?通過在控制端施加一個(gè)電壓或電流的脈沖信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)器件的開通或者關(guān)斷的控制。

◆電平控制型

?必須通過持續(xù)在控制端和公共端之間施加一定電平的電壓或電流信號(hào)來(lái)使器件開通并維持在導(dǎo)通狀態(tài)或者關(guān)斷并維持在阻斷狀態(tài)。

2.1.3電力電子器件的分類14第十四頁(yè)，共126頁(yè)?！霭凑蛰d流子參與導(dǎo)電的情況◆單極型器件

?由一種載流子參與導(dǎo)電。◆雙極型器件

?由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。

◆復(fù)合型器件

?由單極型器件和雙極型器件集成混合而成，也稱混合型器件。

2.1.3電力電子器件的分類15第十五頁(yè)，共126頁(yè)?！霰菊聝?nèi)容◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它新型器件的順序，分別介紹各種電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問題?！鰧W(xué)習(xí)要點(diǎn)

◆最重要的是掌握其基本特性?！粽莆针娏﹄娮悠骷男吞?hào)命名法，以及其參數(shù)和特性曲線的使用方法。

◆了解電力電子器件的半導(dǎo)體物理結(jié)構(gòu)和基本工作原理。

◆了解某些主電路中對(duì)其它電路元件的特殊要求。2.1.4本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)16第十六頁(yè)，共126頁(yè)。

2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理

2.2.2電力二極管的基本特性

2.2.3電力二極管的主要參數(shù)

2.2.4電力二極管的主要類型2.2不可控器件——電力二極管17第十七頁(yè)，共126頁(yè)。■電力二極管（PowerDiode）自20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用，但其結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠，直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。■在采用全控型器件的電路中電力二極管往往是不可缺少的，特別是開通和關(guān)斷速度很快的快恢復(fù)二極管和肖特基二極管，具有不可替代的地位。

整流二極管及模塊2.2不可控器件——電力二極管·引言18第十八頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏ΧO管是以半導(dǎo)體PN結(jié)為基礎(chǔ)的,實(shí)際上是由一個(gè)面積較大的PN結(jié)和兩端引線以及封裝組成的。從外形上看，可以有螺栓型、平板型等多種封裝。AKAKa)IKAPNJb)c)AK圖2-2電力二極管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)

a)外形b)基本結(jié)構(gòu)c)電氣圖形符號(hào)2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理19第十九頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理

ZP5A硅整流管電力二極管穩(wěn)壓二極管平板整流管ABB7100AZP7100A/400V20第二十頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理ZP200A電力二極管21第二十一頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理整流二極管22第二十二頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理三相整流橋模塊23第二十三頁(yè)，共126頁(yè)?！龆O管的基本原理——PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴舢?dāng)PN結(jié)外加正向電壓（正向偏置）時(shí)，在外電路上則形成自P區(qū)流入而從N區(qū)流出的電流，稱為正向電流IF，這就是PN結(jié)的正向?qū)顟B(tài)。

◆當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)（反向偏置）時(shí)，反向偏置的PN結(jié)表現(xiàn)為高阻態(tài)，幾乎沒有電流流過，被稱為反向截止?fàn)顟B(tài)。

◆PN結(jié)具有一定的反向耐壓能力，但當(dāng)施加的反向電壓過大，反向電流將會(huì)急劇增大，破壞PN結(jié)反向偏置為截止的工作狀態(tài)，這就叫反向擊穿。

?按照機(jī)理不同有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種形式。

?反向擊穿發(fā)生時(shí)，采取了措施將反向電流限制在一定范圍內(nèi)，PN結(jié)仍可恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。?否則PN結(jié)因過熱而燒毀，這就是熱擊穿。

2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理24第二十四頁(yè)，共126頁(yè)?！鯬N結(jié)的電容效應(yīng)◆稱為結(jié)電容CJ，又稱為微分電容◆按其產(chǎn)生機(jī)制和作用的差別分為勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD

?勢(shì)壘電容只在外加電壓變化時(shí)才起作用，外加電壓頻率越高，勢(shì)壘電容作用越明顯。在正向偏置時(shí)，當(dāng)正向電壓較低時(shí)，勢(shì)壘電容為主。

?擴(kuò)散電容僅在正向偏置時(shí)起作用。正向電壓較高時(shí)，擴(kuò)散電容為結(jié)電容主要成分。◆結(jié)電容影響PN結(jié)的工作頻率，特別是在高速開關(guān)的狀態(tài)下，可能使其單向?qū)щ娦宰儾?，甚至不能工作?.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理25第二十五頁(yè)，共126頁(yè)?！鲮o態(tài)特性◆主要是指其伏安特性

◆正向電壓大到一定值（門檻電壓UTO

），正向電流才開始明顯增加，處于穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)。與IF對(duì)應(yīng)的電力二極管兩端的電壓即為其正向電壓降UF。

◆承受反向電壓時(shí)，只有少子引起的微小而數(shù)值恒定的反向漏電流。IOIFUTOUFU圖2-5電力二極管的伏安特性2.2.2電力二極管的基本特性由半導(dǎo)體物理可推出： Is

飽和電流;UT=kT/q為溫度電壓當(dāng)量；k波爾茲曼常數(shù)；(T=300k;時(shí)

UT=26mv)Is26第二十六頁(yè)，共126頁(yè)。a)IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdtub)UFPiiFuFtfrt02V

圖2-6電力二極管的動(dòng)態(tài)過程波形正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置

■動(dòng)態(tài)特性

◆因?yàn)榻Y(jié)電容的存在，電壓—電流特性是隨時(shí)間變化的，這就是電力二極管的動(dòng)態(tài)特性，并且往往專指反映通態(tài)和斷態(tài)之間轉(zhuǎn)換過程的開關(guān)特性。

◆由正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置

?電力二極管并不能立即關(guān)斷，而是須經(jīng)過一段短暫的時(shí)間才能重新獲得反向阻斷能力，進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。

?在關(guān)斷之前有較大的反向電流出現(xiàn)，并伴隨有明顯的反向電壓過沖。?延遲時(shí)間：td=t1-t0

電流下降時(shí)間：tf=t2-t1

反向恢復(fù)時(shí)間：trr=td+tf

恢復(fù)特性的軟度：

tf

/td，或稱恢復(fù)系數(shù)，

用Sr表示。t0:正向電流降為零的時(shí)刻t1:反向電流達(dá)最大值的時(shí)刻t2:電流變化率接近于零的時(shí)刻2.2.2電力二極管的基本特性27第二十七頁(yè)，共126頁(yè)。UFPuiiFuFtfrt02V◆由零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置

?先出現(xiàn)一個(gè)過沖UFP，經(jīng)過一段時(shí)間才趨于接近穩(wěn)態(tài)壓降的某個(gè)值（如2V）。

?正向恢復(fù)時(shí)間tfr

?出現(xiàn)電壓過沖的原因:電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)起作用所需的大量少子需要一定的時(shí)間來(lái)儲(chǔ)存，在達(dá)到穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通之前管壓降較大；正向電流的上升會(huì)因器件自身的電感而產(chǎn)生較大壓降。電流上升率越大，UFP越高。

圖2-6電力二極管的動(dòng)態(tài)過程波形

b)零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置

2.2.2電力二極管的基本特性28第二十八頁(yè)，共126頁(yè)。■正向平均電流IF(AV)◆指電力二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，在指定的管殼溫度（簡(jiǎn)稱殼溫，用TC表示）和散熱條件下，其允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。

◆IF(AV)是按照電流的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的，使用時(shí)應(yīng)按有效值相等的原則來(lái)選取電流定額，并應(yīng)留有一定的裕量。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)平均值：有效值：29第二十九頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)最高工作結(jié)溫要求電流有效值產(chǎn)生的結(jié)溫不能超過最高工作結(jié)溫相同有效值表示在一個(gè)周期內(nèi)所產(chǎn)生的熱量相同額定電流定義為正向平均電流額定電流工作狀態(tài)下不能超過最高工作結(jié)溫實(shí)際波形電流與允許的最大正弦半波電流造成的發(fā)熱效應(yīng)相等正向平均電流定義與平均電流定義的區(qū)別？30第三十頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)正向平均電流IF(AV)的計(jì)算正弦半波電流的平均值為工頻正弦半波正弦半波電流的有效值為正弦半波電流的有效值與平均值的關(guān)系二極管額定電流：有效值是橋梁31第三十一頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)二極管額定電流為100A，能通過多大的有效值電流？流過二極管的電流有效值為100A，應(yīng)該選擇其額定電流為多少（不考慮裕量）？?jī)蓚€(gè)二極管分別流過下面兩個(gè)電流波形，問這兩個(gè)二極管是否可以選擇同一型號(hào)？例題：32第三十二頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)解：

二極管額定電流即正向平均電流，其值為100A，根據(jù)正向平均電流與有效值電流的關(guān)系可得有效值為：

留1.5到2倍的裕量，可得流過最大有效值電流為：2.解：

利用有效值與額定電流關(guān)系可得：33第三十三頁(yè)，共126頁(yè)。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)3.解：

a)波形有效值為：b)波形有效值為：具有相同正向平均電流：下面分析是否正確?a)波形平均值為：，b)波形平均值為：所以不能選擇同一型號(hào)?？梢赃x擇同一型號(hào)34第三十四頁(yè)，共126頁(yè)?！稣驂航礥F◆指電力二極管在指定溫度下，流過某一指定的穩(wěn)態(tài)正向電流時(shí)對(duì)應(yīng)的正向壓降。■反向重復(fù)峰值電壓URRM

◆指對(duì)電力二極管所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓?！羰褂脮r(shí)，應(yīng)當(dāng)留有兩倍的裕量。

■最高工作結(jié)溫TJM

◆結(jié)溫是指管芯PN結(jié)的平均溫度，用TJ表示。

◆最高工作結(jié)溫是指在PN結(jié)不致?lián)p壞的前提下所能承受的最高平均溫度。

◆TJM通常在125～175C范圍之內(nèi)?！龇聪蚧謴?fù)時(shí)間trr■浪涌電流IFSM

◆指電力二極管所能承受最大的連續(xù)一個(gè)或幾個(gè)工頻周期的過電流。2.2.3電力二極管的主要參數(shù)35第三十五頁(yè)，共126頁(yè)?！霭凑照驂航?、反向耐壓、反向漏電流等性能，特別是反向恢復(fù)特性的不同，介紹幾種常用的電力二極管。

◆普通二極管（GeneralPurposeDiode）

?又稱整流二極管（RectifierDiode），多用于開關(guān)頻率不高（1kHz以下）的整流電路中。

?其反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，一般在5s以上。

?其正向電流定額和反向電壓定額可以達(dá)到很高。

2.2.4電力二極管的主要類型36第三十六頁(yè)，共126頁(yè)。◆快恢復(fù)二極管（FastRecoveryDiode——FRD）?恢復(fù)過程很短，特別是反向恢復(fù)過程很短（一般在5s以下）。

?快恢復(fù)外延二極管（FastRecoveryEpitaxialDiodes——FRED），采用外延型P-i-N結(jié)構(gòu)，其反向恢復(fù)時(shí)間更短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右）。?從性能上可分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100ns以下，甚至達(dá)到20~30ns。2.2.4電力二極管的主要類型37第三十七頁(yè)，共126頁(yè)?！粜ぬ鼗O管（SchottkyBarrierDiode——SBD）?屬于多子器件

?優(yōu)點(diǎn)在于：反向恢復(fù)時(shí)間很短（10~40ns），正向恢復(fù)過程中也不會(huì)有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管；因此，其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高。

?弱點(diǎn)在于：當(dāng)所能承受的反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場(chǎng)合；反向漏電流較大且對(duì)溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。2.2.4電力二極管的主要類型38第三十八頁(yè)，共126頁(yè)。二極管特點(diǎn)： 1.不可控器件 2.

PN結(jié)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 3.單向?qū)щ?4.動(dòng)態(tài)特性（開通和關(guān)斷過程） 5.額定電壓和電流39第三十九頁(yè)，共126頁(yè)。思考題：1.已知U2=220V,選擇二極管的電壓。2.已知Id=10A，選擇二極管的電流。40第四十頁(yè)，共126頁(yè)。

2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理

2.3.2晶閘管的基本特性

2.3.3晶閘管的主要參數(shù)

2.3.4晶閘管的派生器件2.3半控型器件——晶閘管41第四十一頁(yè)，共126頁(yè)?！鼍чl管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又稱作可控硅整流器（SiliconControlledRectifier——SCR），以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。

■1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室（BellLaboratories）發(fā)明了晶閘管，到1957年美國(guó)通用電氣公司（GeneralElectric）開發(fā)出了世界上第一只晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化?！鲇捎谄淠艹惺艿碾妷汉碗娏魅萘咳匀皇悄壳半娏﹄娮悠骷凶罡叩模夜ぷ骺煽?，因此在大容量的應(yīng)用場(chǎng)合仍然具有比較重要的地位。晶閘管及模塊2.3

半控器件—晶閘管·引言42第四十二頁(yè)，共126頁(yè)。2.3

半控器件—晶閘管·引言

螺栓型晶閘管外觀43第四十三頁(yè)，共126頁(yè)。2.3

半控器件—晶閘管·引言平板型晶閘管外觀44第四十四頁(yè)，共126頁(yè)。2.3

半控器件—晶閘管·引言換流器中的晶閘管組件45第四十五頁(yè)，共126頁(yè)。2.3

半控器件—晶閘管·引言高壓直流輸電換流器46第四十六頁(yè)，共126頁(yè)。■晶閘管的結(jié)構(gòu)◆從外形上來(lái)看，晶閘管也主要有螺栓型和平板型兩種封裝結(jié)構(gòu)?！粢鲫?yáng)極A、陰極K和門極（控制端）G三個(gè)聯(lián)接端。◆內(nèi)部是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

圖2-7晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)

a)外形b)結(jié)構(gòu)c)電氣圖形符號(hào)

2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理47第四十七頁(yè)，共126頁(yè)。圖2-8晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理

a)雙晶體管模型b)工作原理

■晶閘管的工作原理

◆按照晶體管工作原理，可列出如下方程：（2-2）（2-1）（2-3）（2-4）式中1和2分別是晶體管V1和V2的共基極電流增益；ICBO1和ICBO2分別是V1和V2的共基極漏電流。2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理48第四十八頁(yè)，共126頁(yè)?！艟w管的特性是：在低發(fā)射極電流下

是很小的，而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來(lái)之后，

迅速增大?！粼诰w管阻斷狀態(tài)下，IG=0，而1+2是很小的。由上式可看出，此時(shí)流過晶閘管的漏電流只是稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。

◆如果注入觸發(fā)電流使各個(gè)晶體管的發(fā)射極電流增大以致1+2趨近于1的話，流過晶閘管的電流IA（陽(yáng)極電流）將趨近于無(wú)窮大，從而實(shí)現(xiàn)器件飽和導(dǎo)通?！粲捎谕怆娐坟?fù)載的限制，IA實(shí)際上會(huì)維持有限值。

由以上式（2-1）~（2-4）可得(2-5)2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理49第四十九頁(yè)，共126頁(yè)。■除門極觸發(fā)外其他幾種可能導(dǎo)通的情況◆陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)

◆陽(yáng)極電壓上升率du/dt過高

◆結(jié)溫較高◆光觸發(fā)■這些情況除了光觸發(fā)由于可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應(yīng)用于高壓電力設(shè)備中之外，其它都因不易控制而難以應(yīng)用于實(shí)踐。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。

2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理50第五十頁(yè)，共126頁(yè)。■靜態(tài)特性

◆正常工作時(shí)的特性

?當(dāng)晶閘管承受反向電壓時(shí)，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。

?當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。

?晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用，不論門極觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通。?若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。

2.3.2晶閘管的基本特性51第五十一頁(yè)，共126頁(yè)?！艟чl管的伏安特性

?正向特性

√當(dāng)IG=0時(shí)，如果在器件兩端施加正向電壓，則晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)，只有很小的正向漏電流流過。

√如果正向電壓超過臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開通?！屉S著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低，晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。

√如果門極電流為零，并且陽(yáng)極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài)，IH稱為維持電流。

圖2-9晶閘管的伏安特性

IG2>IG1>IG

正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+2.3.2晶閘管的基本特性J2被擊穿最大轉(zhuǎn)折電壓一般為幾百伏，設(shè)計(jì)時(shí)為了防止不受控導(dǎo)通，要遠(yuǎn)離正向最大轉(zhuǎn)折電壓52第五十二頁(yè)，共126頁(yè)。?反向特性

√其伏安特性類似二極管的反向特性。

√晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時(shí)，只有極小的反向漏電流通過。

√當(dāng)反向電壓超過一定限度，到反向擊穿電壓后，外電路如無(wú)限制措施，則反向漏電流急劇增大，導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。

圖2-9晶閘管的伏安特性 IG2>IG1>IG正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+2.3.2晶閘管的基本特性53第五十三頁(yè)，共126頁(yè)?！鰟?dòng)態(tài)特性◆開通過程

?由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程需要時(shí)間，再加上外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電流的增長(zhǎng)不可能是瞬時(shí)的。?延遲時(shí)間td

(0.5~1.5s)

上升時(shí)間tr(0.5~3s)

開通時(shí)間tgt=td+tr?延遲時(shí)間隨門極電流的增大而減小,上升時(shí)間除反映晶閘管本身特性外，還受到外電路電感的嚴(yán)重影響。提高陽(yáng)極電壓,延遲時(shí)間和上升時(shí)間都可顯著縮短。

圖2-10晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的90%100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的10%2.3.2晶閘管的基本特性54第五十四頁(yè)，共126頁(yè)?！絷P(guān)斷過程

?由于外電路電感的存在，原處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)必然也是有過渡過程的。

?反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr

正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr

關(guān)斷時(shí)間tq=trr+tgr?關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。

?在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不是受門極電流控制而導(dǎo)通。圖2-10晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形100%反向恢復(fù)電流最大值尖峰電壓90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2.3.2晶閘管的基本特性55第五十五頁(yè)，共126頁(yè)。■電壓定額◆斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM?是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓（見圖2-9）。

?國(guó)標(biāo)規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）UDSM的90%。

?斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo?！舴聪蛑貜?fù)峰值電壓URRM

?是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓（見圖2-8）。

?規(guī)定反向重復(fù)峰值電壓URRM為反向不重復(fù)峰值電壓（即反向最大瞬態(tài)電壓）URSM的90%。?反向不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于反向擊穿電壓。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)56第五十六頁(yè)，共126頁(yè)。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)額定電壓的標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)：

1000V以下，每隔100V為一級(jí)，如：100V,200V,……

1000V~3000V，每隔200V為一級(jí)，如：1000V,1200V,1400V,……晶閘管額定電壓值57第五十七頁(yè)，共126頁(yè)。

◆通態(tài)（峰值）電壓UT?晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。

◆通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。選用時(shí)，一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓2~3倍?！鲭娏鞫~◆通態(tài)平均電流IT(AV）

?國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。

?按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的。?一般取其通態(tài)平均電流為按發(fā)熱效應(yīng)相等（即有效值相等）的原則所得計(jì)算結(jié)果的1.5~2倍。

2.3.3晶閘管的主要參數(shù)58第五十八頁(yè)，共126頁(yè)。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)正向平均電流IF(AV)的計(jì)算59正弦半波電流的平均值為工頻正弦半波正弦半波電流的有效值為正弦半波電流的有效值與平均值的關(guān)系二極管額定電流：有效值是橋梁59第五十九頁(yè)，共126頁(yè)。◆維持電流IH

?維持電流是指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。?結(jié)溫越高，則IH越小。

◆擎住電流IL?擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。

?約為IH的2~4倍

◆浪涌電流ITSM

?指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)60第六十頁(yè)，共126頁(yè)。■動(dòng)態(tài)參數(shù)

◆開通時(shí)間tgt和關(guān)斷時(shí)間tq

◆斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt

?在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。

?電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會(huì)使晶閘管誤導(dǎo)通。

◆通態(tài)電流臨界上升率di/dt

?在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無(wú)有害影響的最大通態(tài)電流上升率。

?如果電流上升太快，可能造成局部過熱而使晶閘管損壞。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)61第六十一頁(yè)，共126頁(yè)。2.3.3晶閘管的主要參數(shù)使晶閘管導(dǎo)通的條件：

使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）；或：uAK>0且uGK>0。維持晶閘管導(dǎo)通的條件：

使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。晶閘管關(guān)斷的條件：

要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。

方式：施加反壓；或增大回路電阻使電流為零。62第六十二頁(yè)，共126頁(yè)?！隹焖倬чl管（FastSwitchingThyristor——FST）

◆有快速晶閘管和高頻晶閘管。

◆快速晶閘管的開關(guān)時(shí)間以及du/dt和di/dt的耐量都有了明顯改善。

◆從關(guān)斷時(shí)間來(lái)看，普通晶閘管一般為數(shù)百微秒，快速晶閘管為數(shù)十微秒，而高頻晶閘管則為10s左右。

◆高頻晶閘管的不足在于其電壓和電流定額都不易做高。

◆由于工作頻率較高，選擇快速晶閘管和高頻晶閘管的通態(tài)平均電流時(shí)不能忽略其開關(guān)損耗的發(fā)熱效應(yīng)。

2.3.4晶閘管的派生器件63第六十三頁(yè)，共126頁(yè)。a)b)IOUIG=0GT1T2■雙向晶閘管（TriodeACSwitch——TRIAC或Bidirectionaltriodethyristor）◆可以認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成。◆門極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，在第Ｉ和第III象限有對(duì)稱的伏安特性。

◆雙向晶閘管通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示其額定電流值。圖2-11雙向晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性a)電氣圖形符號(hào)b)伏安特性

2.3.4晶閘管的派生器件64第六十四頁(yè)，共126頁(yè)。a)KGAb)UOIIG=0■逆導(dǎo)晶閘管（ReverseConductingThyristor——RCT）

◆是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件，不具有承受反向電壓的能力，一旦承受反向電壓即開通?！艟哂姓驂航敌?、關(guān)斷時(shí)間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn)，可用于不需要阻斷反向電壓的電路中。

圖2-12逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性

a)電氣圖形符號(hào)b)伏安特性

2.3.4晶閘管的派生器件65第六十五頁(yè)，共126頁(yè)。AGKa)AK光強(qiáng)度強(qiáng)弱b)OUIA■光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT）

◆是利用一定波長(zhǎng)的光照信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。

◆由于采用光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣，而且可以避免電磁干擾的影響，因此光控晶閘管目前在高壓大功率的場(chǎng)合。圖2-13光控晶閘管的電氣圖形符 號(hào)和伏安特性

a)電氣圖形符號(hào)b)伏安特性

2.3.4晶閘管的派生器件66第六十六頁(yè)，共126頁(yè)。晶閘管特點(diǎn) 1.半可控器件 2.PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，三端四層 3.單向?qū)щ?4.導(dǎo)通和關(guān)斷條件 5.動(dòng)態(tài)特性（開通和關(guān)斷過程） 6.額定電壓和電流67第六十七頁(yè)，共126頁(yè)。習(xí)題1.電力電子器件的損耗包括：______。（A）通態(tài)損耗

（B）斷態(tài)損耗

（C）開關(guān)損耗

（D）三者都是2.按照輸入輸出電能的形式劃分，電力電子變換電路可分為：

；

；

；

。3.在電力電子主電路和控制電路間進(jìn)行電氣隔離的方法有

，

。4.對(duì)于同一只晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值上存在IL=___IH的關(guān)系。5.額定電壓1000V，額定電流100A的晶閘管做開關(guān)使用，與交流電源和阻感負(fù)載串聯(lián)組成單相交流調(diào)壓電路。當(dāng)電壓裕量取3倍，電流裕量取2倍時(shí)，下列哪種情況下晶閘管選擇正確（以下數(shù)值均為有效值）。

(A)電源200V，負(fù)載電流60A(B)電源200V，負(fù)載電流30A(C)電源250V，負(fù)載電流60A(D)電源250V，負(fù)載電流30A6.晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有

個(gè)PN結(jié)，其導(dǎo)通原理可用

晶體管模型描述。68第六十八頁(yè)，共126頁(yè)。習(xí)題7.圖中陰影部分為一個(gè)周期內(nèi)的負(fù)載電流波形，波形為矩形波，幅值為100A，則其電流平均值Id=（

）A，電流有效值I=（

）A。（A）25（B）50（C）75（D）1008.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么，維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么，怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？9.型號(hào)kp

100-3（IF(AV)=100A，UTN=3×100V）的晶閘管用在下面電路中是否合適（晶閘管IH=4mA）？解：是否滿足下面條件①imax≥IH②Imax≤IRMS③Umax≤UTN=(2～3)UTmax①imax=E/R=2mA;②Imax=2mA≤1.57IF(AV)/(1.5～2)③Umax=100V≤UTN不適合69第六十九頁(yè)，共126頁(yè)。

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管

2.4.2電力晶體管

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2.4.4絕緣柵雙極晶體管2.4典型全控型器件70第七十頁(yè)，共126頁(yè)。■門極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問世后不久出現(xiàn)。■20世紀(jì)80年代以來(lái)，電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)嶄新時(shí)代?！龅湫痛怼T極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力MOSFETIGBT單管及模塊2.4典型全控型器件·引言71第七十一頁(yè)，共126頁(yè)。■晶閘管的一種派生器件，但可以通過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷，因而屬于全控型器件。

■GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理

◆GTO的結(jié)構(gòu)?是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。?是一種多元的功率集成器件，雖然外部同樣引出個(gè)極，但內(nèi)部則包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的小GTO

元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起。

圖2-14GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)各單元的陰極、門極間隔排列的圖形并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)斷面示意圖電氣圖形符號(hào)

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管72第七十二頁(yè)，共126頁(yè)。2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管73第七十三頁(yè)，共126頁(yè)。

圖2-8晶閘管的雙晶體管模型 及其工作原理

a)雙晶體管模型b)工作原理◆GTO的工作原理

?仍然可以用如圖2-8所示的雙晶體管模型來(lái)分析，V1、V2的共基極電流增益分別是1、2。1+2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件，大于1導(dǎo)通，小于1則關(guān)斷。

?GTO與普通晶閘管的不同√設(shè)計(jì)2較大，使晶體管V2控制靈敏，易于GTO關(guān)斷?！虒?dǎo)通時(shí)1+2更接近1，導(dǎo)通時(shí)接近臨界飽和，有利門極控制關(guān)斷，但導(dǎo)通時(shí)管壓降增大。

√多元集成結(jié)構(gòu)，使得P2基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管74第七十四頁(yè)，共126頁(yè)。?GTO的導(dǎo)通過程與普通晶閘管是一樣的，只不過導(dǎo)通時(shí)飽和程度較淺。

?而關(guān)斷時(shí)，給門極加負(fù)脈沖，即從門極抽出電流，當(dāng)兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流IA和IK的減小使1+2<1時(shí)，器件退出飽和而關(guān)斷。

?GTO的多元集成結(jié)構(gòu)使得其比普通晶閘管開通過程更快，承受di/dt的能力增強(qiáng)。

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管75第七十五頁(yè)，共126頁(yè)?！鯣TO的動(dòng)態(tài)特性

◆開通過程與普通晶閘管類似。

◆關(guān)斷過程

?儲(chǔ)存時(shí)間ts

下降時(shí)間tf

尾部時(shí)間tt?通常tf比ts小得多，而tt比ts要長(zhǎng)。?門極負(fù)脈沖電流幅值越大，前沿越陡，

ts就越短。使門極負(fù)脈沖的后沿緩慢衰減，在tt階段仍能保持適當(dāng)?shù)呢?fù)電壓，則可以縮短尾部時(shí)間。圖2-15GTO的開通和關(guān)斷過程電流波形

Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6抽取飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的大量載流子的時(shí)間等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū)，陽(yáng)極電流逐漸減小時(shí)間

殘存載流子復(fù)合所需時(shí)間

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管76第七十六頁(yè)，共126頁(yè)?！鯣TO的主要參數(shù)◆GTO的許多參數(shù)都和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同。

◆最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO?用來(lái)標(biāo)稱GTO額定電流。

◆電流關(guān)斷增益off

?最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO與門極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比。

?off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個(gè)主要缺點(diǎn)。

◆開通時(shí)間ton

?延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。?延遲時(shí)間一般約1~2s，上升時(shí)間則隨通態(tài)陽(yáng)極電流值的增大而增大。

◆關(guān)斷時(shí)間toff

?一般指儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間之和，而不包括尾部時(shí)間。

?儲(chǔ)存時(shí)間隨陽(yáng)極電流的增大而增大，下降時(shí)間一般小于2s。■不少GTO都制造成逆導(dǎo)型，類似于逆導(dǎo)晶閘管。當(dāng)需要承受反向電壓時(shí)，應(yīng)和電力二極管串聯(lián)使用。

2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管77第七十七頁(yè)，共126頁(yè)。■電力晶體管（GiantTransistor——GTR）按英文直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（BipolarJunctionTransistor——BJT）

■GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理

◆與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的。

◆最主要的特性是耐壓高、電流大、開關(guān)特性好。

2.4.2電力晶體管78第七十八頁(yè)，共126頁(yè)。◆

GTR的結(jié)構(gòu)

?采用至少由兩個(gè)晶體管按達(dá)林頓接法組成的單元結(jié)構(gòu)，并采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成。

?

GTR是由三層半導(dǎo)體（分別引出集電極、基極和發(fā)射極）形成的兩個(gè)PN結(jié)（集電結(jié)和發(fā)射結(jié)）構(gòu)成，多采用NPN結(jié)構(gòu)。圖2-16GTR的結(jié)構(gòu)、電氣圖形符號(hào)和內(nèi)部載流子的流動(dòng)a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖b)電氣圖形符號(hào)c)內(nèi)部載流子的流動(dòng)+表示高摻雜濃度，-表示低摻雜濃度2.4.2電力晶體管79第七十九頁(yè)，共126頁(yè)。空穴流電子流c)EbEcibic=bibie=(1+b)ib圖2-16c)內(nèi)部載流子的流動(dòng)

?在應(yīng)用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法。集電極電流ic與基極電流ib之比為

稱為GTR的電流放大系數(shù)，它反映了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力。當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流Iceo時(shí)，ic和ib的關(guān)系為?單管GTR的

值比處理信息用的小功率晶體管小得多，通常為10左右，采用達(dá)林頓接法可以有效地增大電流增益。(2-9)(2-10)2.4.2電力晶體管80第八十頁(yè)，共126頁(yè)?！鯣TR的基本特性◆靜態(tài)特性

?在共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性分為截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)三個(gè)區(qū)域。

?在電力電子電路中，

GTR工作在開關(guān)狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或飽和區(qū)。

?在開關(guān)過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時(shí)，一般要經(jīng)過放大區(qū)。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)OIcib3ib2ib1ib1<ib2<ib3Uce圖2-17共發(fā)射極接法時(shí)GTR的輸出特性2.4.2電力晶體管81第八十一頁(yè)，共126頁(yè)?！魟?dòng)態(tài)特性?開通過程

√需要經(jīng)過延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr，二者之和為開通時(shí)間ton。√增大基極驅(qū)動(dòng)電流ib的幅值并增大dib/dt，可以縮短延遲時(shí)間，同時(shí)也可以縮短上升時(shí)間，從而加快開通過程。?關(guān)斷過程√需要經(jīng)過儲(chǔ)存時(shí)間ts和下降時(shí)間tf，二者之和為關(guān)斷時(shí)間toff。√減小導(dǎo)通時(shí)的飽和深度以減小儲(chǔ)存的載流子，或者增大基極抽取負(fù)電流Ib2的幅值和負(fù)偏壓，可以縮短儲(chǔ)存時(shí)間，從而加快關(guān)斷速度。?GTR的開關(guān)時(shí)間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短很多。ibIb1Ib2Icsic0090%Ib110%Ib190%Ics10%Icst0t1t2t3t4t5tttofftstftontrtd圖2-18GTR的開通和關(guān)斷過程電流波形主要是由發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容和集電結(jié)勢(shì)壘電容充電產(chǎn)生的。

是用來(lái)除去飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存在基區(qū)的載流子的，是關(guān)斷時(shí)間的主要部分。

2.4.2電力晶體管82第八十二頁(yè)，共126頁(yè)。■GTR的主要參數(shù)◆電流放大倍數(shù)、直流電流增益hFE、集電極與發(fā)射極間漏電流Iceo、集電極和發(fā)射極間飽和壓降Uces、開通時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff

◆最高工作電壓?GTR上所加的電壓超過規(guī)定值時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。?擊穿電壓不僅和晶體管本身的特性有關(guān)，還與外電路的接法有關(guān)。

?發(fā)射極開路時(shí)集電極和基極間的反向擊穿電壓BUcbo

基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓BUceo

發(fā)射極與基極間用電阻聯(lián)接或短路聯(lián)接時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓BUcer和BUces

發(fā)射結(jié)反向偏置時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓BUcex

且存在以下關(guān)系：

?實(shí)際使用GTR時(shí)，為了確保安全，最高工作電壓要比BUceo低得多。2.4.2電力晶體管83第八十三頁(yè)，共126頁(yè)。◆集電極最大允許電流IcM

?規(guī)定直流電流放大系數(shù)hFE下降到規(guī)定的1/2~1/3時(shí)所對(duì)應(yīng)的Ic。?實(shí)際使用時(shí)要留有較大裕量，只能用到IcM的一半或稍多一點(diǎn)。◆集電極最大耗散功率PcM

?指在最高工作溫度下允許的耗散功率。?產(chǎn)品說明書中在給出PcM時(shí)總是同時(shí)給出殼溫TC，間接表示了最高工作溫度。

2.4.2電力晶體管84第八十四頁(yè)，共126頁(yè)?！鯣TR的二次擊穿現(xiàn)象與安全工作區(qū)◆當(dāng)GTR的集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí)，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿?！舭l(fā)現(xiàn)一次擊穿發(fā)生時(shí)如不有效地限制電流，Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升，同時(shí)伴隨著電壓的陡然下降，這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。

◆出現(xiàn)一次擊穿后，GTR一般不會(huì)損壞，二次擊穿常常立即導(dǎo)致器件的永久損壞，或者工作特性明顯衰變，因而對(duì)GTR危害極大。

SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM圖2-19GTR的安全工作區(qū)二次擊穿功率

◆安全工作區(qū)（SafeOperatingArea——SOA）

?將不同基極電流下二次擊穿的臨界點(diǎn)連接起來(lái)，就構(gòu)成了二次擊穿臨界線。?GTR工作時(shí)不僅不能超過最高電壓

UceM，集電極最大電流IcM和最大耗散功率PcM，也不能超過二次擊穿臨界線。2.4.2電力晶體管85第八十五頁(yè)，共126頁(yè)。■分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡(jiǎn)稱電力MOSFET（PowerMOSFET）?！鲭娏OSFET是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的，它的特點(diǎn)有：◆驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小。

◆開關(guān)速度快，工作頻率高。

◆熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR。

◆電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過 10kW的電力電子裝置。

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管86第八十六頁(yè)，共126頁(yè)。2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

供電電力主要由一些電解電容和幾個(gè)MOSFET組成87第八十七頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏OSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理◆電力MOSFET的種類

?按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。?當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道的稱

為耗盡型。

?對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)

才存在導(dǎo)電溝道的稱為增強(qiáng)型。

?在電力MOSFET中，主要是N溝道增強(qiáng)型。

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管88第八十八頁(yè)，共126頁(yè)?！綦娏OSFET的結(jié)構(gòu)

?是單極型晶體管。?結(jié)構(gòu)上與小功率MOS管有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷壳半娏OSFET大都采用了垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所以又稱為VMOSFET（VerticalMOSFET），這大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。?按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用

V型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET（VerticalV-grooveMOSFET）和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的DMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET）。?電力MOSFET也是多元集成結(jié)構(gòu)。圖2-20電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖b)電氣圖形符號(hào)2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管89第八十九頁(yè)，共126頁(yè)。◆電力MOSFET的工作原理?截止：當(dāng)漏源極間接正電壓，柵極和源極間電壓為零時(shí)，P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過。

?導(dǎo)通

√在柵極和源極之間加一正電壓UGS，正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子——電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面。

√當(dāng)UGS大于某一電壓值UT時(shí)，使P型半導(dǎo)體反型成N型半導(dǎo)體，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

√UT稱為開啟電壓（或閾值電壓），UGS超過UT越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，漏極電流ID越大。

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管90第九十頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏OSFET的基本特性

◆靜態(tài)特性

?轉(zhuǎn)移特性√指漏極電流ID和柵源間電壓

UGS的關(guān)系，反映了輸入電壓和輸出電流的關(guān)系。

√ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率被定義為

MOSFET的跨導(dǎo)Gfs，即

圖2-21電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性

a)轉(zhuǎn)移特性(2-11)√是電壓控制型器件，其輸入阻抗極高，輸入電流非常小。2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管91第九十一頁(yè)，共126頁(yè)。?輸出特性

√是MOSFET的漏極伏安特性?！探刂箙^(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）、飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）、非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）三個(gè)區(qū)域，飽和是指漏源電壓增加時(shí)漏極電流不再增加，非飽和是指漏源電壓增加時(shí)漏極電流相應(yīng)增加。

√工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換。?本身結(jié)構(gòu)所致，漏極和源極之間形成了一個(gè)與MOSFET反向并聯(lián)的寄生二極管。?通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。

圖2-21電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性

b)輸出特性2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管92第九十二頁(yè)，共126頁(yè)。◆動(dòng)態(tài)特性

?開通過程

√開通延遲時(shí)間td(on)

電流上升時(shí)間tr

電壓下降時(shí)間tfv

開通時(shí)間ton=td(on)+tr+

tfv

?關(guān)斷過程

√關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)

電壓上升時(shí)間trv

電流下降時(shí)間tfi

關(guān)斷時(shí)間toff=td(off)+trv+tfi?MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系，可以降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻Rs，從而減小柵極回路的充放電時(shí)間常數(shù)，加快開關(guān)速度。信號(hào)iDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tfRsRGRFRLiDuGSupiD+UE圖2-22電力MOSFET的開關(guān)過程a)測(cè)試電路b)開關(guān)過程波形up為矩形脈沖電壓信號(hào)源，Rs為信號(hào)源內(nèi)阻，RG為柵極電阻，RL為漏極負(fù)載電阻，RF用于檢測(cè)漏極電流。

(a)(b)2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管93第九十三頁(yè)，共126頁(yè)。?不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而其關(guān)斷過程是非常迅速的。?開關(guān)時(shí)間在10~100ns之間，其工作頻率可達(dá)100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。?在開關(guān)過程中需要對(duì)輸入電容充放電，仍需要一定的驅(qū)動(dòng)功率，開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管94第九十四頁(yè)，共126頁(yè)?！鲭娏OSFET的主要參數(shù)◆跨導(dǎo)Gfs、開啟電壓UT以及開關(guān)過程中的各時(shí)間參數(shù)?！袈O電壓UDS

?標(biāo)稱電力MOSFET電壓定額的參數(shù)?！袈O直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM

?標(biāo)稱電力MOSFET電流定額的參數(shù)。

◆柵源電壓UGS

?柵源之間的絕緣層很薄，UGS>20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿。

◆極間電容

?

CGS、CGD和CDS?！袈┰撮g的耐壓、漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區(qū)。

2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管95第九十五頁(yè)，共126頁(yè)?！鯣TR和GTO是雙極型電流驅(qū)動(dòng)器件，由于具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)，但開關(guān)速度較低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。而電力MOSFET是單極型電壓驅(qū)動(dòng)器件，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT）綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。

2.4.4絕緣柵雙極晶體管96第九十六頁(yè)，共126頁(yè)。2.4.4絕緣柵雙極晶體管IGBT97第九十七頁(yè)，共126頁(yè)。2.4.4絕緣柵雙極晶體管98第九十八頁(yè)，共126頁(yè)。■IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理

◆IGBT的結(jié)構(gòu)

?是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。?由N溝道VDMOSFET與雙極型晶體管組合而成的IGBT，比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)

制，使得IGBT具有很強(qiáng)的通流能力。?簡(jiǎn)化等效電路表明，IGBT

是用GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于一個(gè)由

MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管。

圖2-23IGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖b)簡(jiǎn)化等效電路c)電氣圖形符號(hào)RN為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。

2.4.4絕緣柵雙極晶體管99第九十九頁(yè)，共126頁(yè)。2.4.4絕緣柵雙極晶體管■MOSFET與IGBT結(jié)構(gòu)比較

100第一百頁(yè)，共126頁(yè)?！鬒GBT的工作原理

?IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同，是一種場(chǎng)控器件。

?其開通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定的。

√當(dāng)UGE為正且大于開啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為晶體管提供基極電流進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通。

√當(dāng)柵極與發(fā)射極間施加反向電壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，使得IGBT關(guān)斷。

?電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得電阻RN減小，這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。

2.4.4絕緣柵雙極晶體管101第一百零一頁(yè)，共126頁(yè)?！鯥GBT的基本特性

◆靜態(tài)特性

?轉(zhuǎn)移特性

√描述的是集電極電流

IC與柵射電壓UGE之間的關(guān)系?！涕_啟電壓UGE(th)是

IGBT能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓，隨溫度升高而略有下降。

（a）圖2-24IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性a)轉(zhuǎn)移特性

2.4.4絕緣柵雙極晶體管102第一百零二頁(yè)，共126頁(yè)。?輸出特性（伏安特性）

√描述的是以柵射電壓為參考變量時(shí)，集電極電流IC與集射極間電壓UCE之間的關(guān)系。

√分為三個(gè)區(qū)域：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。

√當(dāng)UCE<0時(shí)，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)。

√在電力電子電路中，IGBT工作在開關(guān)狀態(tài)，因而是在正向阻斷區(qū)和飽和區(qū)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換。

(b)圖2-24IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性b)輸出特性

2.4.4絕緣柵雙極晶體管103第一百零三頁(yè)，共126頁(yè)?！魟?dòng)態(tài)特性

?開通過程√開通延遲時(shí)間td(on)

電流上升時(shí)間tr

電壓下降時(shí)間tfv

開通時(shí)間ton=td(on)+tr+

tfv√tfv分為tfv1和tfv2兩段。

?關(guān)斷過程

√關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)

電壓上升時(shí)間trv

電流下降時(shí)間tfi

關(guān)斷時(shí)間toff=td(off)+trv+tfi

√tfi分為tfi1和tfi2兩段

?引入了少子儲(chǔ)存現(xiàn)象，因而IGBT的開關(guān)速度要低于電力MOSFET。

圖2-25IGBT的開關(guān)過程2.4.4絕緣柵雙極晶體管104第一百零四頁(yè)，共126頁(yè)。■IGBT的主要參數(shù)◆前面提到的各參數(shù)。◆最大集射極間電壓UCES

?由器件內(nèi)部的PNP晶體管所能承受的擊穿電壓所確定的。

◆最大集電極電流

?包括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP。

◆最大集電極功耗PCM

?在正常工作溫度下允許的最大耗散功率。

2.4.4絕緣柵雙極晶體管105第一百零五頁(yè)，共126頁(yè)?！鬒GBT的特性和參數(shù)特點(diǎn)可以總結(jié)如下：

?開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。

?在相同電壓和電流定額的情況下，IGBT的安全工作區(qū)比GTR大，而且具有耐脈沖電流沖擊的能力。

?通態(tài)壓降比VDMOSFET低，特別是在電流較大的區(qū)域。

?輸入阻抗高，其輸入特性與電力MOSFET類似。?與電力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時(shí)保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)。

2.4.4絕緣柵雙極晶體管106第一百零六頁(yè)，共12