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量量各種貼片電容值表X7R片電容述X7R貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class2類(lèi)材料的電容。它的容量相對(duì)穩(wěn)定。X7R片電容性具有較高的電容量穩(wěn)定性在-55℃~125℃工作溫度范圍內(nèi)溫度特性為±15%。層疊獨(dú)石結(jié)構(gòu),具有高可靠性。優(yōu)良的焊接性和和耐焊性,適用于回流爐和波峰焊。應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。X7R片電容量范圍厚度與符號(hào)對(duì)應(yīng)表符號(hào)
ACEGJKMNPXYZ最大厚度毫米(英寸)0201~1206X7R貼片電容選型表封裝尺寸0201
040206030805
1206工作電壓
201625501001016100161000100150220
AAA
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330470680
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200
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200
500封裝尺寸0201
04020603080512061210~2225X7R貼片電容選型表封裝尺寸
121018121825
2220
2225工作電壓
101625100500
10050050
100
5020050100電容量
1000150J?JJ?J?J022JJ003300470JJJJJJJ0JJ00
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101625100500
10050050
10050200100封裝尺寸
12101812
1825
2220
2225NPOCOG貼電容容量格表??2009-07-1516:28閱354???論?字號(hào):大?中小NPO貼片電容簡(jiǎn)述貼電容屬于Class1溫補(bǔ)償型電容。它的容量穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓、時(shí)間的變化而變化。尤其適用于高頻電子電路。貼電容特性具有最高的電容量穩(wěn)定性,在-55℃~125工作溫度范圍內(nèi),溫特性為:0±30ppm/℃(COG0±60ppm/層疊獨(dú)石結(jié)構(gòu),具有高可靠性。優(yōu)良的焊接性和和耐焊性,適用于回流爐和波峰焊。應(yīng)用于各種高頻電路如振、時(shí)電路等。NPO貼片電容容量范圍符號(hào)
ACEGJKMNPXYZ最大厚度毫米(英寸)0201~1206貼電容選型表封裝尺寸0201
0402060308051206工作電壓10
16
251625502550100165010020016
2102050505000電容
AAAA
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AAAA
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NMM工作電壓10
16
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04020603
0805
12061210~2225COG(NPO)貼片電容選型表封裝尺寸1210
1812
1825
2225工作電壓
2550
100
2050250050
100
2050510205050000000
100
205000電容
101215182227333947566882100120150
JJJJJJJJJJJJJJJ量180(pF220)270330390470560JJJ680JJJ820JJJ
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2550
100
2050250050
100
2050510205050000000
100
205000封裝尺寸1210
1812
18252225我們把用來(lái)制造片式多層瓷介電容MLCC的陶瓷叫電容器瓷。這里所說(shuō)的瓷介就用電容器瓷制成的陶瓷介質(zhì)。大家知道,瓷是一類(lèi)質(zhì)硬、性脆的無(wú)機(jī)燒結(jié)體。就其顯微結(jié)構(gòu)而論,大都具有多晶多相結(jié)構(gòu)。其性能往往決定于其成份和結(jié)構(gòu)。當(dāng)配方確定之后,能否達(dá)到預(yù)期的效果,關(guān)鍵取決于制造陶瓷粉料的工藝。按其用途可以分為三類(lèi)頻補(bǔ)償電容器UJSL②高頻熱穩(wěn)定電容器③低頻高介電容器瓷X7R、、)按溫度系數(shù)分可以分為兩類(lèi):①負(fù)溫度系數(shù)電容器瓷(即高頻熱補(bǔ)償電容器瓷)度系數(shù)電容器瓷(即平時(shí)我們常說(shuō)的COG、X7R瓷)。按工作頻率可以分為三類(lèi):低頻、高頻、微波介質(zhì)。高頻熱補(bǔ)償、熱穩(wěn)定電容器瓷是專(zhuān)供Ⅰ類(lèi)瓷介電容器作介質(zhì)用,其料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2加入適量的稀土類(lèi)氧化物等配制而成。其特點(diǎn)是介質(zhì)系數(shù)較大,介質(zhì)損耗小,溫度系數(shù)和范圍廣,一般在~-5600ppm/℃之間可調(diào)。高頻熱補(bǔ)償電容瓷常用來(lái)制造的負(fù)溫產(chǎn)品,其用途最廣的地方就是振蕩回路,像彩電高頻頭。大家知道,振蕩回路都是由電感和電容構(gòu)成,回路中的電感線(xiàn)圈一般具有正的電感溫度系數(shù)。因此,為了保持振蕩回路中頻π度變化而發(fā)生漂移,就須先用具有適當(dāng)?shù)呢?fù)溫度系數(shù)的電容器來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。低頻高介電容器是指強(qiáng)介鐵電陶瓷,一般作Ⅱ類(lèi)瓷介電容器的介質(zhì)。具有自發(fā)極化性質(zhì)的非線(xiàn)性陶瓷材料,一般以鈦酸鋇BaTiO3)主體的鐵電陶瓷其特點(diǎn)是介電系數(shù)特別高,一般數(shù)千,甚至上萬(wàn);介系數(shù)隨溫度呈非線(xiàn)性變化,介電常數(shù)隨施加的外電場(chǎng)有非線(xiàn)性關(guān)系。二、瓷介代號(hào)
陶瓷介質(zhì)的代號(hào)是按其陶瓷粉料的溫度特性來(lái)命名的。常用的幾種陶瓷粉料的含義如下:Y5V溫度特性Y代-25℃;5代+85℃;溫度系數(shù)V代-80%~+30%Z5U:溫度特性Z代+℃5表+℃;溫度系數(shù)U代表-56%~+22%X7R溫度特性X代表-55℃;7表+℃溫度系數(shù)R代表±15%NP0溫度系數(shù)是30ppm/℃三、其它電子陶瓷的產(chǎn)品及用途壓電陶瓷:利用其機(jī)-電轉(zhuǎn)換性能以制造換能器、濾波器及變壓器等。半導(dǎo)體瓷:其電氣性能對(duì)外界物理?xiàng)l件極其敏感,可制造各種敏感元件。比如熱敏電阻,氣敏電阻。磁性瓷:即鐵氧體瓷,是鐵磁性氧化物。用以制造高頻或微波鐵氧體器件以恒磁器件。如VCD中磁珠。微波介質(zhì)瓷質(zhì)因素大特性好制聲表面波濾波(SAWF)瓷濾波器。貼片電容的材質(zhì)規(guī)格貼片電容目前使用NPOX7RZ5U等不同的材質(zhì)規(guī)格,不同的規(guī)格有不同用途。下面我們僅就常用的NPOX7R和介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意的司對(duì)于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法里們引用的是敝司巨電子公司的命名方法他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。NPO、X7R和Y5V的要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。一NPO電器NPO是種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度-55到+125時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,容量隨頻率的變化小±ΔC。電的漂移或滯后小±%,相對(duì)大于2%薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型容量相對(duì)使用壽命的變化小。NPO電器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好NPO電器適合用于蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。二X7R電容X7R電容器被稱(chēng)為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器當(dāng)溫度-55到+℃時(shí)其容量變化為15%需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線(xiàn)性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年化1%,表現(xiàn)為10年化了約5%X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。三Z5U電容器
Z5U容器稱(chēng)”用”瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影較大,它的老化率最大可達(dá)每10年降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感ESL和等效串聯(lián)電阻ESR低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。Z5U容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下工作溫度范圍℃---+85溫度特性+22%-----56%介質(zhì)損耗最大4%四Y5V電器Y5V電器是一種有一定溫度限制的通用電容器,-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到82%。Y5V的介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)μF電器。Y5V電器的其他技術(shù)指標(biāo)如:工作溫
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