2015集成電子學(xué)研究生試卷講解_第1頁
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文檔簡介

考核日期2015年6月日(時(shí)間：午至，共2小時(shí))課程編號(hào)03015001課程名稱集成電子學(xué)(班級(jí))任課教師陳勇教學(xué)方式課堂教學(xué)學(xué)時(shí)50學(xué)分2.5開課學(xué)院微固學(xué)院成績()，Latchupeffect的中文翻譯為()；穿通的英文翻譯為()，聲子散射的英文翻譯為()，天線效應(yīng)的英文翻譯為()。(3)、集成電路中MOS器件的閾值電壓選擇主要考慮()、()和()三個(gè)相互矛盾制約的因素。()。(5)、無結(jié)MOS器件截止時(shí)，半導(dǎo)體襯底處于()區(qū)；當(dāng)其處于飽和導(dǎo)通時(shí)，半導(dǎo)體襯底處于()區(qū)。來保證精度；對(duì)于兩組多電阻串聯(lián)，可以采用()來達(dá)到兩電阻串(7)、對(duì)于集成電路互連延遲，忽略寄生電感，可以用()延遲模型來RC)(8)、對(duì)于下圖的多晶硅耗盡效應(yīng)電勢分布，其中tox是指()，共6頁，第1頁Vgb-Vfb是指()。(2)、高K柵介質(zhì)等效氧化層厚度EOT；(3)、短溝道MOS器件的熱載流子效應(yīng)共6頁，第2頁(5)、SOIMOS器件的Kink效應(yīng)；(1).對(duì)比畫出HALO結(jié)構(gòu)和普通結(jié)構(gòu)MOSFET的表面勢示意圖；S共6頁，第3頁……(4).畫出N型無結(jié)薄膜MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖；………………效…………CMOS中，為什么需要采用高K材料和低K材料？(2)、如何測量MOSFET的閾值電壓？如何從輸出特性曲線上區(qū)別器件飽和是共6頁，第4頁……效……………無……………題……………答……………內(nèi)…………以……………線……………封……………密……(5)、為何體硅MOSFET不能采用零摻雜？而薄膜全耗盡SOIMOS器件可以采分析討論(1).對(duì)于全耗盡SOIMOSFET，如果采用高斯盒求解準(zhǔn)二維泊松方程得到溝道表(c)、寫出得到的特征長度關(guān)系式，要縮小器件溝道長度，可以采用哪些方法？共6頁，第5頁

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