第四軍醫(yī)大學(xué)唐都腦科醫(yī)院神經(jīng)外科電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究

碩士生：導(dǎo)師：輔導(dǎo)老師：電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第1頁(yè)Stroke200萬(wàn)150萬(wàn)700萬(wàn)200億年中國(guó)腦血管防治指南電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第2頁(yè)China’sbattlewithstroke

Fuelledbythespreadofunhealthywesternlifestyles—suchaspoordiet,physicalinactivity,andtobaccosmoking—chronicdiseasescauseabout80%ofdeathsinChinaeachyear,athirdofwhichareduetostroke.

－LancetNeurol.Dec;7(12):1073腦卒中鏖戰(zhàn)中國(guó)電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第3頁(yè)Ratio67%33%Ischemicstroke電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第4頁(yè)美國(guó)卒中協(xié)會(huì)溶栓治療指南推薦

IntravenousrtPA(0.9mg/kg,maximumdose90mg)isrecommendedforselectedpatientswhomaybetreatedwithin3hoursofonsetofischemicstroke.(ClassI,LevelofEvidenceA)Intra-arterialthrombolysisisanoptionfortreatmentofselectedpatientswhohavemajorstrokeof<6hours’durationduetoocclusionsoftheMCAandwhoarenototherwisecandidatesforintravenousrtPA.(ClassI,LevelofEvidenceB)狹窄溶栓時(shí)間窗是溶栓治療瓶頸臨床實(shí)際使用率3-5%電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第5頁(yè)谷氨酸損傷機(jī)制谷氨酸神經(jīng)毒性腦缺血期谷氨酸顯著升高谷氨酸濃度與神經(jīng)損傷呈正相關(guān)升高機(jī)制一次升高：缺血后突觸前膜去極化，ATP合成不足，再攝取障礙。二次升高：胞漿膜完整性受到損害，加重谷氨酸釋放。損傷作用非NMDA受體：

Na＋、H2O進(jìn)入細(xì)胞；Cl－失衡，造成細(xì)胞水腫。NMDA受體：

Ca2＋進(jìn)入細(xì)胞，鈣超載，血腦屏障破壞。電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第6頁(yè)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子保護(hù)機(jī)制BDNF促進(jìn)中樞神經(jīng)存活、增殖和分化促進(jìn)突觸生長(zhǎng)和重塑腦創(chuàng)傷后BDNF表示顯著提升如能有效增加缺血區(qū)域BDNF表示可顯著降低梗死比，促進(jìn)功效恢復(fù)。電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第7頁(yè)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子保護(hù)機(jī)制增加血腦屏障滲透性，加重腦損傷促進(jìn)神經(jīng)、血管再生；神經(jīng)保護(hù)作用急性期晚期VEGF電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第8頁(yè)谷氨酸VEGF超急性期急性期VEGFBDNF缺血損傷后期電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第9頁(yè)電刺激肌張力障礙特發(fā)性震顫癲癇精神性疾病帕金森高頻低頻高頻刺激可降低谷氨酸釋放低頻刺激可增加神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子表示電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第10頁(yè)第一部分：深部電刺激對(duì)急性缺血性腦

卒中保護(hù)作用及機(jī)制研究第二部分：皮層電刺激對(duì)急性缺血性腦

卒中保護(hù)作用及機(jī)制研究電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第11頁(yè)第一部分：深部電刺激對(duì)急性缺血性腦卒中保護(hù)作用及機(jī)制研究電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第12頁(yè)雙極電極旁前囟右側(cè)4.3mm深度為距顱平面1.7mm電極植入部位電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第13頁(yè)試驗(yàn)分組250－280g雄性SD大鼠對(duì)照2Hz20Hz100Hz100/2Hz電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第14頁(yè)技術(shù)路線(xiàn)TTC染色行為學(xué)評(píng)分建立大鼠MCAO模型缺血24小時(shí)處死大鼠提取腦組織保護(hù)效果觀(guān)察機(jī)制研究免疫印跡法測(cè)定VEGF表示免疫印跡法測(cè)定BDNF表示植入電極，于缺血3h開(kāi)始電刺激2h篩選成功大鼠模型電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第15頁(yè)深麻醉取腦冰鹽水10min冠狀面切片(2mm)2％TTC染色10％福爾馬林固定37℃

30min拍照并進(jìn)行圖象分析TTC染色借助于鼠腦槽電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第16頁(yè)TTC染色*P<0.05,vsControlgroup;#P<0.05,vsothergroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第17頁(yè)Garcia評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試得分0123自主運(yùn)動(dòng)（籠中活動(dòng)5分鐘）沒(méi)有活動(dòng)幾乎不能活動(dòng)能活動(dòng)，但活動(dòng)范圍沒(méi)有抵達(dá)鼠籠中3面活動(dòng)范圍最少在能抵達(dá)鼠籠中3面四肢活動(dòng)對(duì)稱(chēng)性左側(cè)：沒(méi)有活動(dòng)左側(cè)肢體有輕微活動(dòng)左側(cè)肢體遲緩活動(dòng)雙側(cè)肢體活動(dòng)對(duì)稱(chēng)前肢對(duì)稱(chēng)性（提起尾巴時(shí)前肢伸展情況）左側(cè)：不活動(dòng)無(wú)法伸展左側(cè)能活動(dòng)，肢體能輕微伸展左側(cè)活動(dòng)和肢體伸展不如右側(cè)雙側(cè)前肢對(duì)稱(chēng)伸展金屬絲鼠籠中攀援情況…不能攀援左側(cè)稍弱攀援正常觸摸雙側(cè)軀干反應(yīng)…左側(cè)無(wú)反應(yīng)左側(cè)反應(yīng)減弱反應(yīng)對(duì)稱(chēng)觸須反應(yīng)…左側(cè)無(wú)反應(yīng)左側(cè)反應(yīng)減弱反應(yīng)對(duì)稱(chēng)電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第18頁(yè)Garcia行為學(xué)評(píng)分aP<0.05,vsControlgroup;bP<0.05,vs2Hzgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第19頁(yè)免疫印跡法測(cè)定BDNF/VEGF表示*P<0.05,vsControlgroup;電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第20頁(yè)小結(jié)2Hz血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子VEGF降低了梗死比顯著提升了行為學(xué)表現(xiàn)抑制了血腦屏障通透性升高？電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第21頁(yè)第二部分：皮層電刺激對(duì)急性缺血性腦卒中保護(hù)作用及機(jī)制研究電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第22頁(yè)旁前囟右側(cè)4.3mm電極置于硬腦膜外電極植入部位

單級(jí)電極anodal/cathodal電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第23頁(yè)

試驗(yàn)分組250－280g雄性SD大鼠假手術(shù)組shamgroup對(duì)照組vehiclegroup陽(yáng)極刺激組anodal陰極刺激組cathodal電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第24頁(yè)建立大鼠MCAO模型技術(shù)路線(xiàn)TTC染色缺血24小時(shí)處死大鼠提取腦組織保護(hù)效果觀(guān)察機(jī)制研究免疫印跡法測(cè)定VEGF表示免疫印跡法測(cè)定BDNF表示植入電極，于缺血3h開(kāi)始電刺激3h篩選成功大鼠模型行為學(xué)評(píng)分TUNEL染色伊文氏藍(lán)灌注測(cè)定血腦屏障滲透性電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第25頁(yè)TTC染色*P<0.05,vsVehiclelgroup;#P<0.05,vscathodalgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第26頁(yè)Garcia行為學(xué)評(píng)分*P<0.05,vsVehiclelgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第27頁(yè)TUNEL染色＋P<0.05vsshamgroup;*P<0.05,vsVehiclelgroup;#P<0.05,vscathodalgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第28頁(yè)免疫印跡法測(cè)定VEGF表示＋P<0.05vsshamgroup;*P<0.05,vsVehiclelgroup;#P<0.05,vscathodalgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第29頁(yè)免疫印跡法測(cè)定BDNF表示＋P<0.05vsshamgroup;電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第30頁(yè)伊文氏藍(lán)染色試驗(yàn)＋P<0.05vsshamgroup;*P<0.05,vsVehiclelgroup;#P<0.05,vscathodalgroup電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第31頁(yè)

小結(jié)皮層電刺激血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子VEGF降低血腦屏障滲透性降低了梗死比提升了行為學(xué)表現(xiàn)降低了細(xì)胞凋亡電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第32頁(yè)討論與分析100Hz刺激組與對(duì)照組相比其行為學(xué)表現(xiàn)、梗死比差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義，其可能與刺激開(kāi)始時(shí)間相關(guān)。2Hz刺激組與對(duì)照組相比BDNF表示無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異，其可能與刺激連續(xù)時(shí)間較短相關(guān)。電刺激對(duì)缺血性腦卒中保護(hù)機(jī)制除急性期降低VEGF表示外是否存在其它原因還有待深入試驗(yàn)驗(yàn)證。電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第33頁(yè)在大鼠永久性腦卒中模型，電刺激有顯著保護(hù)作用。且以頻率為2Hz陽(yáng)極電刺激保護(hù)作用最顯著。在大鼠永久性腦卒中模型，低頻短時(shí)電刺激可降低VEGF表示，且VEGF表示水平與神經(jīng)保護(hù)作用呈負(fù)相關(guān)。電刺激為臨床治療腦卒中提供了新思緒。小結(jié)電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第34頁(yè)1.劉競(jìng)輝等。電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用《中華神經(jīng)外科疾病研究雜志》，，12(1)：8-11.

2.JinghuiLiu,JiangLi,ZhenweiZhao,etal.Protectiveeffectofcorticalelectricstimulationoncerebralischemiainjuryinrats.（submission）論文發(fā)表電刺激對(duì)大鼠缺血性腦卒中保護(hù)作用研究第35頁(yè)衷心感激恩師趙振偉教授，在我求學(xué)期間給予了我無(wú)私關(guān)心和幫助。導(dǎo)師高尚醫(yī)德，精湛醫(yī)術(shù)，嚴(yán)謹(jǐn)治學(xué)態(tài)度，讓我能夠成為他學(xué)生而倍感自豪。全部一切，無(wú)不深深影響著我，激勵(lì)著我，使我受益終生。衷心感激高國(guó)棟教授，在我求學(xué)期間給予無(wú)私幫助和深切關(guān)心，為我在今后學(xué)習(xí)過(guò)程中樹(shù)立了更高更遠(yuǎn)志向，為我今后工作中注入了認(rèn)真嚴(yán)謹(jǐn)，不停創(chuàng)新，勇攀高峰精神。衷心感激輔導(dǎo)老師李江副教授對(duì)我試驗(yàn)工作指導(dǎo)和幫助，使我