精品文檔-下載后可編輯去耦電容的有效使用方法-基礎(chǔ)電子去耦電容有效使用方法的要點(diǎn)大致可以分為以下兩種。另外，還有其他幾點(diǎn)需要注意。要點(diǎn)1：使用多個去耦電容要點(diǎn)2：降低電容的ESL（等效串聯(lián)電感）其他注意事項(xiàng)要點(diǎn)1：使用多個去耦電容去耦電容的有效使用方法之一是用多個（而非1個）電容進(jìn)行去耦。使用多個電容時，使用相同容值的電容時和使用不同容值的電容時，效果是不同的。使用多個容值相同的電容時使用1個22F的電容時（藍(lán)色）、增加1個變?yōu)?個時（紅色）、再增加1個變?yōu)?個（紫色）時的頻率特性。如圖所示，當(dāng)增加容值相同的電容后，阻抗在整個頻率范圍均向低的方向轉(zhuǎn)變，也就是說阻抗越來越低。這一點(diǎn)可通過思考并聯(lián)連接容值相同的電容時，到諧振點(diǎn)的容性特性、取決于ESR（等效串聯(lián)電阻）的諧振點(diǎn)阻抗、諧振點(diǎn)以后的ESL（等效串聯(lián)電感）影響的感性特性來理解。并聯(lián)的電容容值是相加的，所以3個電容為66F，容性區(qū)域的阻抗下降。諧振點(diǎn)的阻抗是3個電容的ESR并聯(lián)，因此為圖片，假設(shè)這些電容的ESR全部相同，則ESR減少至1/3，阻抗也下降。諧振點(diǎn)以后的感性區(qū)域的ESL也是并聯(lián)，因此為圖片，假設(shè)3個電容的ESL全部相同，則ESL減少至1/3，阻抗也下降。由此可知，通過使用多個相同容值的電容，可在整個頻率范圍降低阻抗，因此可進(jìn)一步降低噪聲。使用多個容值不同的電容時這些曲線是在22F的電容基礎(chǔ)上并聯(lián)增加0.1F、以及0.01F的電容后的頻率特性。通過增加容值更小的電容，可降低高頻段的阻抗。相對于一個22F電容的頻率特性來說，0.1F和0.01F的特性是合成后的特性（紅色虛線）。這里必須注意的是，有些頻率點(diǎn)產(chǎn)生反諧振，阻抗反而增高，EMI惡化。反諧振發(fā)生于容性特性和感性特性的交叉點(diǎn)。所增加電容的電容量，一般需要根據(jù)目標(biāo)降噪頻率進(jìn)行選型。另外，在這里給出的頻率特性波形圖是理想的波形圖，并未考慮PCB板的布局布線等引起的寄生分量。在實(shí)際的噪聲對策中，需要考慮寄生分量的影響。關(guān)鍵要點(diǎn)去耦電容的有效使用方法有兩個要點(diǎn)：①使用多個電容，②降低電容的ESL。使用多個電容時，容值相同時和不同時的效果不同。要點(diǎn)2：降低電容的ESL（等效串聯(lián)電感）去耦電容的有效使用方法的第二個要點(diǎn)是降低電容的ESL（即等效串聯(lián)電感）。雖說是“降低ESL”，但由于無法改變單個產(chǎn)品的ESL本身，因此這里是指“即使容值相同，也要使用ESL小的電容”。通過降低ESL，可改善高頻特性，并可更有效地降低高頻噪聲。即使容值相同也要使用尺寸較小的電容對于積層陶瓷電容（MLCC），有時會準(zhǔn)備容值相同但尺寸不同的幾個封裝。ESL取決于引腳部位的結(jié)構(gòu)。尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小，通常ESL較小。下圖是容值相同、大小不同的電容的頻率特性示例。如圖所示，更小的1005尺寸的諧振頻率更高，在之后感性區(qū)域的頻率范圍阻抗較低。這正如在“電容的頻率特性”中所介紹的，電容的諧振頻率是基于以下公式的，從公式中可見，只要容值相同，ESL越低諧振頻率越高。另外，感性區(qū)域的阻抗特性取決于ESL，這一點(diǎn)也曾介紹過。關(guān)于噪聲對策，當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時，可以選擇尺寸小的電容。使用旨在降低ESL的電容積層陶瓷電容中，有些型號采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)。如圖所示，普通電容的電極在短邊側(cè)，而LW逆轉(zhuǎn)型的電極則相反，在長邊側(cè)。由于L（長度）和W（寬度）相反，故稱“LW逆轉(zhuǎn)型”。是通過增加電極的寬度來降低ESL的類型。三端電容是為了改善普通電容（兩個引腳）的頻率特性而優(yōu)化了結(jié)構(gòu)的電容。三端電容是將雙引腳電容的一個引腳（電極）的另一端向外伸出作為直通引腳，將另一個引腳作為GND引腳。在上圖中，輸入輸出電極相當(dāng)于兩端伸出的直通引腳，左右的電極當(dāng)然是導(dǎo)通的。這種輸入輸出電極（直通引腳）和GND電極間存在電介質(zhì)，起到電容的作用。將輸入輸出電極串聯(lián)插入電源或信號線（將輸入輸出電極的一端連接輸入端，另一端連接輸出端），GND電極接地。這樣，由于輸入輸出電極的ESL不包括在接地端，因此接地的阻抗變得非常低。另外，輸入輸出電極的ESL通過在噪聲路徑直接插入，有利于降低噪聲（增加插入損耗）。通過在長邊側(cè)成對配置GND電極，可抑制ESL；再采用并聯(lián)的方式，可使ESL減半?；谶@樣的結(jié)構(gòu)，三端電容不僅具有非常低的ESL，而且可保持低ESR，與相同容值相同尺寸的雙引腳型電容相比，可顯著改善高頻特性。下一篇文章計(jì)劃對相關(guān)的幾點(diǎn)注意事項(xiàng)進(jìn)行介紹。關(guān)鍵要點(diǎn):去耦電容的有效使用方法有兩個要點(diǎn)：①使用多個電容，②降低電容的ESL。通過降低電容的ESL，可改善高頻特性，并可更有效地降低高頻噪聲。有的電容雖然容值相同，但因尺寸和結(jié)構(gòu)不同而ESL更小。其他注意事項(xiàng)①Q(mào)較高的陶瓷電容電容具有被稱為“Q”的特性。下圖即表示Q和頻率－阻抗特性之間的關(guān)系。當(dāng)Q值高時，阻抗在特定的窄帶會變得非常低。當(dāng)Q值低時，阻抗雖然不會極度下降，但可以在很寬的頻段內(nèi)降低。這種特性可能有助于符合某些EMC標(biāo)準(zhǔn)。例如，使用電容量變化較大的電容時，如果Q值很高，則可能存在無法消除目標(biāo)頻率噪聲的個體。在這種情況下，還有一種通過使用具有低Q的電容來抑制波動影響的手法。②熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形旨在提高散熱性的熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形，圖形的電感分量會增加。電感分量的增加會使諧振頻率向低頻端移動，所以有時可能無法獲得理想的噪聲消除效果。③探討對策時的電容試裝試制后需要對高頻噪聲采取對策，可以考慮增加小容量的電容器。此時，如下圖所示，如果在大容量電容器上安裝要增加的電容器（左例），則縱向會增加額外的電感分量，因此不能充分發(fā)揮增加電容器的效果。在中間的例子中，雖然未違背“盡可能使小容量電容靠近噪聲源”的理論，但阻抗會與實(shí)際修改的PCB布局不同。好的方法是以盡量接近實(shí)際修改的配置進(jìn)行探討（右例）。在探討對策時，也可能會發(fā)生雖然噪聲試驗(yàn)OK，但安裝到修改后的PCB時NG的現(xiàn)象，因此需要在探討時就有意識地按照實(shí)際來安裝。④電容的電容量變化率噪聲對策用的電容的電容量變化率較大時，諧振頻率的波動會變大，目標(biāo)消減頻段會產(chǎn)生變化或波動，有時很難找到理想的噪聲對策。尤其是需要在窄頻段大幅消除噪聲時，需要格外注意。下表表示電容量變化率和實(shí)際的電容量和諧振頻率之間的關(guān)系。仔細(xì)看這個表的話可以看出，雖然視條件而定，不過很多情況是無法接受的。⑤電容器的溫度特性眾所周知，電容的特性會受溫度影響。目前，EMC測試的溫度特性尚未標(biāo)準(zhǔn)化，但在某些應(yīng)用中，不得不在明顯的高溫或低溫條件/環(huán)境下工作、或在會產(chǎn)生較大溫度變化的條件/環(huán)境下使用。在這類情況下，非常有可能發(fā)生“④電容量變化率”中提到的問題，所以，用于噪聲對策的電容，需要盡量使用具有CH、C0G特性的溫度特性優(yōu)異的產(chǎn)品。理解Q與頻率－阻抗特性之間的關(guān)系，并根據(jù)目的區(qū)分Q的差異。高Q電容窄帶阻抗急劇下降。低Q電容在較寬頻段相對平緩下降。PCB圖形的熱風(fēng)焊盤