半導體芯片制造高級工考試試題一、填空題1.禁帶寬度的大小決定著（電子從價帶跳到導帶）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。2.硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用(硫酸)系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。3.鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（氧化物），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。4.在半導體制造工藝中往往把減薄、劃片、分片、裝片、內引線鍵合和管殼封裝等一系列工藝稱為（組裝）。5.釬焊包括合金燒結、共晶焊；聚合物焊又可分為（導電膠粘接）、(銀漿燒結)等。6.金絲球焊的優(yōu)點是無方向性，鍵合強度一般(大于)同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。7.芯片焊接質量通常進行鏡檢和(剪切強度)兩項試驗。8.如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合(不合格)。9.釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(濕度)控制。10外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計三部分，而(可靠性)設計也包含在這三部分中間。11.厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，(氧化鈹陶瓷)，氮化鋁(A1N)陶瓷。12.微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和(集總參數(shù))微波混合集成電路兩類。13.外延層的遷移率低的因素有原材料純度（不夠）；反應室漏氣；外延層的晶體（質量差）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。14.離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（平均投影射程）和（平均投影標準差）。15、二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（氧化）、（氣相）淀積、PECVD淀積。16、半導體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（Pn結介質）（Pn結隔離）（Pn結介質混合）隔離等三種基本方法.17、最常用的金屬膜制備方法有（電阻）加熱蒸發(fā)、（電子束）蒸發(fā)、（濺射）。18、熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，經(jīng)過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。19雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（替位）擴散和（間隙）擴散兩種。20半導體材料可根據(jù)其性能、晶體結構、結晶程度、化學組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學組成可分為（元素）半導體、（化合物）半導體、固溶半導體三大類。延生長方法比較多，其中主要的有（化學氣相）外延、（液相）外延、金屬有機化學氣相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的（完整）性、（成品）率，并影響其電學性能和（可靠性）性，所以半導體芯片制造工藝需在超凈廠房內進行。二、判斷題1．雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。(F)2．邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。(T)3．晶體的特點是在各個晶向上的物理性能、機械性能、化學性能相同。(F)4．門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列。(T)5．晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。(F)。6．目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。(T)7．退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。(T)8．設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。(F)9．鈀．銀電阻的燒結分預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。(T)10．厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。(T)11．厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。(F)12．厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。(T)13．絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。(F)14．在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。(F)15．可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。(T)16．硅MOSFET和硅JFET結構相同。(F)17．場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。(T)18片狀源擴散具有設備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復性和表面質量都較好，適于批量生產(chǎn)，應用越來越普遍。(T)19.值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質量優(yōu)劣的重要標志。(T)20低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。(T)三、選擇題1．禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。A．越不容易受B．越容易受C．基本不受2．變容二極管的電容量隨()變化。A．正偏電流B．反偏電壓C．結溫3．雙極晶體管的1c7r噪聲與()有關。A．基區(qū)寬度B．外延層厚度C．表面界面狀態(tài)4．半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的()，使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結溫下工作。2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應的幾何圖形,從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是晶圓加工過程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準備。決定了芯片的性能，成品率，可靠性。.7、有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法？答：常壓化學氣相淀積（APCVD）,低壓化學氣相淀積（LPCVD），等離子體輔助CVD。8、典型的GaAsMESFET結構IC的工藝流程？答:存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形成金屬互連---集成電路成品.9、潔凈區(qū)工作人員應注意些什么？答:保持部件與工具潔凈,保持個人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來提去,人員不能觸摸或翻動潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進行。10、簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工藝質量？答:外延要求1.集電極擊穿電壓要求