大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案_第1頁(yè)
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第第頁(yè)大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案2023年4月11日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP1345芯片的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案。

圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案的展示板圖

低成本和高可靠性是離線(xiàn)電源設(shè)計(jì)中兩個(gè)最重要的目標(biāo)。為了達(dá)到這一目標(biāo),準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器正逐漸代替反激式電源轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等消費(fèi)電子充電器設(shè)計(jì)中?;诖粟厔?shì),大聯(lián)大世平基于onsemiNCP1345芯片推出了高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案,不僅可以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)于消費(fèi)電子充電效率的需求,還可以減少物料成本,為設(shè)計(jì)帶來(lái)更高的性?xún)r(jià)比。

圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖

NCP1345是一款高度集成的準(zhǔn)諧振反激式控制器,適用于設(shè)計(jì)高性能離線(xiàn)USB-PD和USBType-C電源轉(zhuǎn)換器。其包含雙引腳VCC架構(gòu),允許直接連接到輔助繞組,以簡(jiǎn)化VCC管理器件數(shù)量并增加性能。不僅如此,NCP1345還具有基于一次側(cè)的輸出限制電路,以確保無(wú)論輸出電壓或輸出功率在任何情況時(shí),都能保持恒定輸出電流限制。此外,NCP1345所具備的準(zhǔn)諧振(QR)專(zhuān)有波谷鎖定電路,可確保穩(wěn)定的波谷切換。并且為了確保電源的安全耐用性,NCP1345內(nèi)置了Brownout/in檢測(cè)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)以及AC線(xiàn)電壓移除檢測(cè)等功能。

圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高集成準(zhǔn)諧振反激式電源轉(zhuǎn)換器方案的方塊圖

將此方案結(jié)合onsemi的FUSB15101PD3.0協(xié)議控制器可提供PD3.0(5V/3A,9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A)和PPS功能,使其適用于智能手機(jī)、PAD和支持PD3.0或PPS協(xié)議的NB適配器。另外值得一提的是,該設(shè)計(jì)還提出了一個(gè)雙輔助電源,用于支持PWM控制器。在低輸出電壓時(shí),該P(yáng)WM控制器由高壓輔助電壓供電,而在高輸出電壓時(shí),則由低壓輔助電壓供電,這種方式能夠有效減少電源體積的同時(shí),提升電源性能。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):

具有掉電檢測(cè)功能的集成高壓?jiǎn)?dòng)電路;集成X2電容器放電能力;8V至38V的寬VCCL范圍;用于連接高壓輔助繞組的150VVCCH引腳;36.5VVCC過(guò)壓保護(hù);基于初級(jí)側(cè)的恒定輸出電流限制;繞組短路異常過(guò)流故障保護(hù)檢測(cè);內(nèi)部過(guò)溫保護(hù);谷底開(kāi)關(guān)操作,帶谷底鎖定以實(shí)現(xiàn)無(wú)噪音;用于快速減少開(kāi)關(guān)的快速頻率折返頻率;帶輸出電壓補(bǔ)償?shù)奶S模式;最小化空載功耗;用于降低EMI特征的頻率抖動(dòng);閉鎖或自動(dòng)恢復(fù)過(guò)載保護(hù);可調(diào)過(guò)功率保護(hù);固定/可調(diào)最大頻率箝位;嚴(yán)重故障條件下的故障引腳,與OTP兼容的NTC。

方案規(guī)格:

通用交流輸入范圍(90–264Vac);非常低的待機(jī)(5V和230Vac)功耗,無(wú)插入電纜;非常低的紋波和噪聲;固有的OVP、SCP和OCP保護(hù);在230V和滿(mǎn)載時(shí)高達(dá)190kHz的高工作頻率;高功率密度(1.62W/cm3);在拔下電纜時(shí)快速關(guān)閉FET,并在再次插入電纜Vbus降至5V時(shí)打開(kāi)FET;帶谷底開(kāi)關(guān)的準(zhǔn)諧振電流模式控制;谷底鎖定避免了谷底跳躍操作時(shí)的可聞噪音;支持Type-CPD3

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