國(guó)內(nèi)微電子設(shè)備領(lǐng)域單項(xiàng)冠軍，打破壟斷助力自主可控長(zhǎng)光所機(jī)電轉(zhuǎn)制而，晶片阻生產(chǎn)備市占率7微電子設(shè)備領(lǐng)域單項(xiàng)冠軍，晶片電阻生產(chǎn)設(shè)備市占率達(dá)0。長(zhǎng)春光華微電備工程中心有限公于2002年由中科院長(zhǎng)春光機(jī)所電工程研究部轉(zhuǎn)制而，專(zhuān)注于被動(dòng)電子元件和微電子設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)，其主要產(chǎn)品分布在晶片電阻生產(chǎn)設(shè)備、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、激光精細(xì)加工設(shè)備、精密機(jī)械產(chǎn)品等4個(gè)領(lǐng)，技術(shù)與品質(zhì)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平為國(guó)際主要被動(dòng)元件生產(chǎn)企業(yè)配，產(chǎn)品出口日本、韓國(guó)、泰國(guó)、菲律賓、馬來(lái)西亞等國(guó)家，以及中國(guó)臺(tái)灣、香港等地區(qū)，在國(guó)內(nèi)有大量中資、臺(tái)資、港資、美資和韓資企業(yè)用戶(hù)，其中晶片電阻生產(chǎn)設(shè)（如激光調(diào)阻機(jī)、電阻劃片）市場(chǎng)占有率達(dá)70以上，助力我國(guó)打破國(guó)外技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)了電阻生產(chǎn)的自主控。表1光華微電子典型產(chǎn)品分類(lèi)典型產(chǎn)品介紹示意圖被動(dòng)元件產(chǎn)設(shè)備激光調(diào)阻機(jī)先進(jìn)的現(xiàn)代化片式電阻阻值修調(diào)設(shè)備，采用無(wú)機(jī)械接觸式的激光加工工藝，具備生產(chǎn)速度快（80萬(wàn)/小時(shí)，調(diào)阻精度高1、0.1）等優(yōu)點(diǎn)。紅外激光劃片機(jī)0201片式電阻制程中的專(zhuān)用設(shè)備，適合小尺寸陶瓷基板的劃線(xiàn)制程需求，通過(guò)高精密直線(xiàn)定位平臺(tái)配合高功率激光器，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的全自動(dòng)劃線(xiàn)。AS101激光劃線(xiàn)機(jī)01005片式電阻制程中的專(zhuān)用設(shè)備，適合小尺寸陶瓷基板的劃電阻膜層制程需求，通過(guò)高精密直線(xiàn)定位平臺(tái)配合激光器，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的全自動(dòng)在油墨上劃線(xiàn)。全自動(dòng)測(cè)阻ART-101用于普通貼片電阻、超低阻貼片電的測(cè)量，是和全自/半自動(dòng)測(cè)量環(huán)境。半導(dǎo)體封測(cè)試設(shè)備RFID電子標(biāo)簽裝設(shè)備生產(chǎn)射頻電子標(biāo)簽的關(guān)鍵設(shè)備RFID射頻識(shí)別技術(shù)是一種非接觸自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，該設(shè)備能對(duì)各種高頻天線(xiàn)、超高頻天線(xiàn)進(jìn)行封裝，實(shí)現(xiàn)芯片與天線(xiàn)間的互連。芯片前道程設(shè)備GPS1200晶圓測(cè)探針臺(tái)晶圓探針檢測(cè)的專(zhuān)用設(shè)備，滿(mǎn)足12英寸8英寸晶圓的測(cè)試需求。圖1公司發(fā)展歷程

從公司發(fā)展歷程來(lái)看1998年，為實(shí)現(xiàn)片式電阻生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替，長(zhǎng)光所受風(fēng)華高科委托研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)全自動(dòng)激光調(diào)阻機(jī)，打破國(guó)際壟斷，并于2002年共同成光華微電。在美國(guó)、日本等企業(yè)陸續(xù)退出國(guó)內(nèi)市場(chǎng)背景下公司產(chǎn)品在中高端市場(chǎng)占有率超過(guò)70，激光調(diào)阻機(jī)累計(jì)發(fā)貨超過(guò)1000臺(tái)公司在部分機(jī)型現(xiàn)了100的國(guó)產(chǎn)化率，目前已達(dá)到80萬(wàn)粒/小時(shí)精密調(diào)阻（國(guó)際領(lǐng)先水平。隨后公司進(jìn)入半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，半自動(dòng)鋁絲焊機(jī)占據(jù)國(guó)內(nèi)80以上市場(chǎng)2020年，公功研制國(guó)內(nèi)首臺(tái)商用12英寸全自動(dòng)晶圓探針臺(tái)，能夠同時(shí)滿(mǎn)足12英寸和8英寸Wafer的測(cè)試需求，性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到或者接近國(guó)際水平，打破國(guó)外對(duì)該設(shè)備的壟斷情況，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)對(duì)于該設(shè)備技術(shù)的自主可控目前該設(shè)備已實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)平臺(tái)定位精度，在中芯國(guó)際等7家客戶(hù)中試并交付27臺(tái)設(shè)備量產(chǎn)使用。背靠長(zhǎng)光所、風(fēng)華高科，產(chǎn)業(yè)資源充沛。股權(quán)結(jié)構(gòu)上，長(zhǎng)光集團(tuán)、長(zhǎng)光財(cái)興、風(fēng)光高科分別持有光華微電子28.3216.45、16.45股份。長(zhǎng)光集團(tuán)是中科院長(zhǎng)春光機(jī)所專(zhuān)業(yè)從事經(jīng)營(yíng)性資產(chǎn)運(yùn)營(yíng)管理的全資子公，管長(zhǎng)春光機(jī)所參控股企業(yè)73家。長(zhǎng)春光機(jī)所作為科技國(guó)家隊(duì)，在基礎(chǔ)研究、工程技術(shù)研究等方面具備雄厚的技術(shù)底蘊(yùn)，被譽(yù)為中國(guó)光學(xué)事業(yè)的搖籃，多年來(lái)，一直對(duì)公司各項(xiàng)產(chǎn)品形成持續(xù)的技術(shù)支撐，極大的加快了攻關(guān)效。長(zhǎng)光財(cái)興由吉林中小企業(yè)和民營(yíng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展基金管理中(吉林省財(cái)政廳政府和社會(huì)資本合作中)（持股83.33）和長(zhǎng)光集團(tuán)（持股16.67）共同設(shè)立主要長(zhǎng)光所科技專(zhuān)利成果轉(zhuǎn)化投資業(yè)務(wù)。其作為省政府引導(dǎo)基金，在公司的合規(guī)化管理等方面給予深入指導(dǎo)和幫助，為公司登陸資本市場(chǎng)打下良好基礎(chǔ)風(fēng)華高科是國(guó)內(nèi)知名被動(dòng)元件制造商，亦是公司主要客戶(hù)之一，長(zhǎng)在資金和市場(chǎng)兩端對(duì)公司的支，助力公司洞察市場(chǎng)方向，布局新產(chǎn)品，打開(kāi)新局面；華盈科技、華聚科技、光盈科技、光聚科技為光華微電子持股平臺(tái)全員持股的管理模式有效提升公司凝聚力及核心競(jìng)爭(zhēng)。合資成立新公司，逐步完善技術(shù)短板及產(chǎn)業(yè)布局。子公司方面公司近幾年通過(guò)貨幣入股、技術(shù)入股等方式先后投資了佛山中科燦光微電子設(shè)備有限公司、滁州長(zhǎng)光高端智能裝備有限公司、中科長(zhǎng)光精拓智能裝備（蘇州）有限公司、長(zhǎng)春長(zhǎng)光辰星軟件科技有限公司、至臻精測(cè)半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，在市場(chǎng)開(kāi)拓、軟件開(kāi)發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、售后快速響應(yīng)等方面提升公司的綜合能力。圖2公司股權(quán)結(jié)構(gòu)圖公進(jìn)入高速發(fā)展期新訂單充裕。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)上，從可獲得數(shù)據(jù)來(lái)看2018年光華微電子營(yíng)收1.30億元（同+6478，凈利潤(rùn)2372.3萬(wàn)元（同+21.18，毛率為41.3，凈利率為18.3。據(jù)光華微電子官網(wǎng)“十三五”期間公司實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收4.8億元，平均年增幅達(dá)28。據(jù)工信部數(shù)據(jù)公司不斷加大研發(fā)投入2020年研發(fā)費(fèi)投入792.79萬(wàn)元（歷史第二位，占銷(xiāo)售收入比重為10.55，創(chuàng)近年來(lái)新。公司現(xiàn)有員工104人，研發(fā)人員占比60以上。據(jù)長(zhǎng)春日?qǐng)?bào)2022年2月新聞，光華微電子新訂單接到“手軟，2021年公司產(chǎn)值超過(guò)2億元，今年國(guó)內(nèi)國(guó)外訂單更是接二連。2 1.30 12 1.30 1102172182191營(yíng)業(yè)收入 凈利潤(rùn)5046.041.341.14030 25.3 24.3 18.5201002172182191毛利率凈利率0.790.740.200.240.18奧普光電曾劃收購(gòu)司0股權(quán)長(zhǎng)光所控股上市公司奧普光電002338）曾計(jì)劃收購(gòu)光華微電子100股權(quán)，于未獲得證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)，奧普光電決定終止該次重組事項(xiàng)。209年，奧普光擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式向長(zhǎng)光、長(zhǎng)光財(cái)興、風(fēng)華高科、光機(jī)科技、華盈科技、光盈科技、光聚科技和華聚科技購(gòu)買(mǎi)其合計(jì)持有的光華微電子100股，交易價(jià)格為億元。光華微電子曾給出業(yè)績(jī)承諾2019至2021年度的凈利潤(rùn)分別將不低于3000萬(wàn)元3900萬(wàn)元及4900萬(wàn)元，三年累積實(shí)現(xiàn)的凈利潤(rùn)不低于1.18億元。2019年12月，重組事項(xiàng)遭證監(jiān)會(huì)否決，審核意見(jiàn)為申請(qǐng)人未能充分說(shuō)明標(biāo)的資產(chǎn)新產(chǎn)品業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)的依據(jù)和合理性，標(biāo)的資產(chǎn)未來(lái)盈利能力可實(shí)現(xiàn)性存在重大不確表22019年奧普光電曾計(jì)劃收購(gòu)光華微電子100股權(quán)交易方案奧普光電擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式向光機(jī)所、長(zhǎng)光財(cái)興、風(fēng)華高科、光機(jī)科技、華盈科技、光盈科技、光聚科技及華聚科技購(gòu)買(mǎi)其合計(jì)持有的光華微電子100股權(quán)。交易對(duì)價(jià)光華微電子100股份的交易價(jià)格為39,100萬(wàn)元評(píng)估增值率收益法下擬購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)評(píng)估值為39,100.00萬(wàn)元，較其賬面價(jià)值13,682.88萬(wàn)元，增值25,417.12萬(wàn)元，增值率為185.76發(fā)行股份募集配套資金擬向不超過(guò)10名特定投資者非公開(kāi)發(fā)行股份募集配套資金不超過(guò)16000萬(wàn)元購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)之股份發(fā)行價(jià)12.14元/股業(yè)績(jī)承諾光華微電子20192021年凈利潤(rùn)（扣除非經(jīng)常性損益及配套募集資金影響后歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)，但因光華微電子員工持股等事項(xiàng)對(duì)凈利潤(rùn)的影響不納入考核范疇）分別將不低于3000萬(wàn)元、3900萬(wàn)元及4900萬(wàn)元，三年累積實(shí)現(xiàn)的凈利潤(rùn)不低于1.18億元超額獎(jiǎng)勵(lì)超額部分的40作為超額業(yè)績(jī)獎(jiǎng)勵(lì)支付給光華微電子在職管理團(tuán)隊(duì)及核心人員且該等超額業(yè)績(jī)獎(jiǎng)勵(lì)不得超過(guò)本次交易對(duì)價(jià)的20證監(jiān)會(huì)審核意見(jiàn)2019年12月26日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)并購(gòu)重組委召開(kāi)2019年第72次并購(gòu)重組委工作會(huì)議，對(duì)公司本次重組事項(xiàng)進(jìn)行了審核，根據(jù)會(huì)議審核結(jié)果，公司本次重組事項(xiàng)未獲得審核通過(guò)。審核意見(jiàn)為“申請(qǐng)人未能充分說(shuō)明標(biāo)的資產(chǎn)新產(chǎn)品業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)的依據(jù)和合理性，標(biāo)的資產(chǎn)未來(lái)盈利能力可實(shí)現(xiàn)性存在重大不確定。激光加工設(shè)備核心供應(yīng)商，深度受益國(guó)產(chǎn)替代激光調(diào)阻機(jī)劃片機(jī)片式電核心生設(shè)備激光調(diào)阻機(jī)、激光劃片機(jī)是生產(chǎn)片式電阻等的專(zhuān)用設(shè)備，隨片式電阻需求增長(zhǎng)而增長(zhǎng)。片式電阻是目前電子行業(yè)應(yīng)用最為廣泛的被動(dòng)元件之，目前全球片式電阻出貨量每月超過(guò)兩千多億顆，且每一顆電阻都需要經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻工藝來(lái)對(duì)其阻值進(jìn)行精確修整而達(dá)到目標(biāo)值激光調(diào)阻機(jī)、激光劃片機(jī)主要應(yīng)用于片式電阻生產(chǎn)的前端工序中，分別用于調(diào)節(jié)電阻阻值、劃片切割，與被動(dòng)元件需求緊密相關(guān)。圖5片式電阻的生產(chǎn)工藝激光調(diào)阻機(jī)是調(diào)節(jié)電阻阻值的關(guān)鍵設(shè)備，對(duì)電阻精準(zhǔn)度起到核心作用。激光調(diào)阻機(jī)是一種集光、機(jī)、電、算為一體的現(xiàn)代化高精密工業(yè)設(shè)備，主要由精密電阻測(cè)量模塊、激光系統(tǒng)及高速掃描模塊、機(jī)器視覺(jué)以及自動(dòng)化上下料四大核心模塊組成。該設(shè)備主要用于片式電阻的生產(chǎn)，其工作原理是將激光系統(tǒng)輸出的脈沖激光束聚焦成很小的光點(diǎn)，以達(dá)到適當(dāng)?shù)哪芰棵芏?，利用該激光束?duì)電阻表面進(jìn)行切割，使其膜層熔融、蒸發(fā)、氣化以改變電阻導(dǎo)電體的有效導(dǎo)電面積或有效導(dǎo)電長(zhǎng)度，從而快速精準(zhǔn)的調(diào)節(jié)電阻阻值，使批量生產(chǎn)的片式電阻達(dá)到高的阻值精度。圖6公司生產(chǎn)的激光調(diào)阻機(jī) 圖7激光調(diào)阻示意圖激光劃片機(jī)用于劃線(xiàn)切片，下游應(yīng)用廣泛。半導(dǎo)體元件通常是格狀地淀積在硅或鍺制成的基質(zhì)材料上，其上包含幾百個(gè)到幾千個(gè)單器件與電路。經(jīng)過(guò)加工與檢驗(yàn)后，必須把每個(gè)“細(xì)片”或“印?！狈珠_(kāi)，這樣才能裝入組合件中激光劃片機(jī)的工作原理是利用高精度的視覺(jué)對(duì)位系統(tǒng)，通過(guò)俯視和仰視相機(jī)實(shí)現(xiàn)在擬劃線(xiàn)基板的正面和反面劃線(xiàn)，并保證兩面的劃線(xiàn)重合度。激光劃片機(jī)的應(yīng)用范圍極為廣泛，除可應(yīng)用在片式電阻生產(chǎn)過(guò)程中外，還可以應(yīng)用在光伏板、光纖、集成電路、顯示面板等生產(chǎn)工藝中涉及劃線(xiàn)切割的工序中。圖8公司生產(chǎn)的激光劃片機(jī) 圖9晶粒外觀(guān)無(wú)法確保嚴(yán)格一致性，對(duì)激光劃片機(jī)精度要求極高資料來(lái)源：《激光劃片機(jī)的晶圓自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)方法研究》，研究所半導(dǎo)體需求國(guó)產(chǎn)替代速，設(shè)商持續(xù)益電子元件需求旺盛，推動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備升級(jí)換代電子化、智能化驅(qū)動(dòng)被動(dòng)元件需求不斷提升，帶動(dòng)激光調(diào)阻機(jī)、劃片機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備需求釋放。電阻在電路中起到阻礙電流的作用，是電路中必不可少的基礎(chǔ)電子元件，幾乎所有的電子設(shè)備都需要規(guī)模化的配置。隨著電子化、智能化水平的持續(xù)提高，消費(fèi)電子、新能源5G通信、工業(yè)4.0、云計(jì)算等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)包括電阻在內(nèi)的被動(dòng)元件需求不斷提升，行業(yè)迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院2021年我國(guó)被動(dòng)元件需求規(guī)模達(dá)到146億美元，同比增長(zhǎng)8.96。而激光調(diào)阻機(jī)、劃片機(jī)是電阻生產(chǎn)必不可少的設(shè)備，電子領(lǐng)對(duì)先進(jìn)制造、工藝流程改進(jìn)等方面要不斷提，推動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備持續(xù)釋放需求及升級(jí)換代。圖1020192021年全球主要地區(qū)被動(dòng)元件需求規(guī)模 圖11被動(dòng)元件下游增長(zhǎng)情況（單位：億美元）隨日美系廠(chǎng)商逐步退出國(guó)內(nèi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，自主可控要求不斷提升，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。電子信息工業(yè)多數(shù)核心生產(chǎn)設(shè)備的制造技術(shù)都掌握在德國(guó)、美國(guó)等國(guó)家的少數(shù)公司手中，我國(guó)生產(chǎn)的設(shè)備一般都用于非核心生產(chǎn)工序。行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)包括德國(guó)通快Trumpf、德國(guó)羅芬西納公司Rofin-SinarTechnologiesIns、美國(guó)相干公司CoherentInc、雷科股、華工科技、杰普特、武漢三工等。日美系廠(chǎng)商逐步退出市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，被動(dòng)元件產(chǎn)能逐步向我國(guó)及港澳臺(tái)地區(qū)轉(zhuǎn)移的背景下，被動(dòng)元件專(zhuān)用設(shè)備供給端也將隨之變化就激光加工設(shè)備而言，國(guó)內(nèi)部分廠(chǎng)商生產(chǎn)的相關(guān)設(shè)備在精度、效率和穩(wěn)定性方面仍較國(guó)際水平有一定差華微電子開(kāi)發(fā)出的設(shè)備已經(jīng)基本能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)相關(guān)進(jìn)口設(shè)備的替代，在激光調(diào)阻機(jī)、電阻劃片機(jī)領(lǐng)域市場(chǎng)占有率70上，部分機(jī)型實(shí)現(xiàn)了100的國(guó)產(chǎn)化率，有望盡享國(guó)產(chǎn)替代市場(chǎng)爆發(fā)。半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，國(guó)產(chǎn)化需求迫切中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，需求、份額持續(xù)提升。根據(jù)SEMI《全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告，2021年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷(xiāo)售額激增，相比2020年的712億美元增長(zhǎng)了44，達(dá)到1026億美元，再次創(chuàng)下歷史新高。中國(guó)大陸第二次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場(chǎng)，銷(xiāo)售額增長(zhǎng)58，達(dá)到296億美元，在全球市場(chǎng)占比高達(dá)28.9值得注意的是，這也是中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)連續(xù)第四年出現(xiàn)增。2022年，受缺芯等因素影響，據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額放緩5，為23億美元，連續(xù)第三年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。1200112001000102.410768060806040200697571195662645340827200-0217 218 219 220 221 222全球市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 中國(guó)場(chǎng)增8723453112.5962181122中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，自主可控勢(shì)在必行。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體國(guó)產(chǎn)化率的提升還處于起步階段，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(chǎng)商所使用的半導(dǎo)體設(shè)備仍主要依賴(lài)進(jìn)口。根據(jù)中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)2021年半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口46,894臺(tái)，合計(jì)進(jìn)口額170.5億美元，同比分別增長(zhǎng)84.3和56.4。近年來(lái)，由于全球供鏈的緊張和國(guó)際貿(mào)易摩，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)越來(lái)越意識(shí)到半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的重要性，產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同發(fā)展更加緊密。憑借區(qū)位、定制化服務(wù)以及供應(yīng)穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，未來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額將有望大幅提升。20 17020 17056010109401080.682.746.354.9502000216217218219220221中國(guó)設(shè)備進(jìn)口額（億美元）增速5.85.55.85.57.826.39.720.0 24.9中國(guó)陸中國(guó)灣地區(qū)韓北美 日本 歐其他地區(qū)技術(shù)、產(chǎn)品客戶(hù)多優(yōu)勢(shì)，度受益產(chǎn)替代求爆發(fā)技術(shù)優(yōu)勢(shì)突出，滿(mǎn)足最新一代工藝及定制特殊工藝需求技術(shù)研發(fā)實(shí)力雄厚，產(chǎn)品基本實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。公司依托長(zhǎng)光所機(jī)電部技術(shù)積累，在光學(xué)、精密機(jī)械和計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制方面具有較強(qiáng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在精密、超精密儀器設(shè)備及其相關(guān)精密機(jī)械傳動(dòng)和運(yùn)動(dòng)控制單元技術(shù)、高頻高精度激光微細(xì)加工設(shè)備及其相關(guān)單元技術(shù)等領(lǐng)域具有理論和實(shí)際研制開(kāi)發(fā)能力公司生的激光調(diào)阻機(jī)具有高效率、高精度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足下游片式電阻生產(chǎn)企業(yè)連續(xù)、穩(wěn)定、高效生產(chǎn)的要；生產(chǎn)的激光劃片機(jī)采用雙CCD系統(tǒng)、配合8軸高速控制卡，以保證設(shè)備的工作效率和工作精度。滿(mǎn)足主流客戶(hù)最新一代工藝需求及定制特殊工需求，產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)突出。通過(guò)對(duì)在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)、精密機(jī)械設(shè)計(jì)、圖像識(shí)別技術(shù)、激光精細(xì)加工工藝等核心關(guān)鍵單元技術(shù)進(jìn)行有效集成，公司激光調(diào)阻機(jī)最寬測(cè)阻范圍為1mΩ-1000MΩ，最高測(cè)量精度為0.005，測(cè)量響應(yīng)時(shí)間為17μs，最快調(diào)阻速度為85萬(wàn)只/小時(shí)；激光劃片機(jī)雙面劃重合精度為1.5μm，其高精度劃線(xiàn)控制平臺(tái)的絕對(duì)定位精度為0.8μm、重復(fù)定位精度為0.3μm，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)精度為1″，陶瓷基板劃片斷線(xiàn)率為0.1‰。標(biāo)的公司的產(chǎn)品可滿(mǎn)足多家主流客戶(hù)最新一代工藝需求及定制特殊工。表3光華微電子產(chǎn)品價(jià)格、毛利率、產(chǎn)銷(xiāo)量情況產(chǎn)品名稱(chēng)平均價(jià)格（萬(wàn)元）毛利率產(chǎn)量（臺(tái)）出貨量（臺(tái)）銷(xiāo)量（臺(tái)）產(chǎn)銷(xiāo)率2019年1-6月激光調(diào)阻機(jī)59.5240.04141394671.43激光劃片機(jī)59.6331.80141322157.142018年激光調(diào)阻機(jī)67.4944.2024624115161.38激光劃片機(jī)56.2225.3078773950.002017年激光調(diào)阻機(jī)65.3448.4012012010184.17激光劃片機(jī)59.1515.102116838.10綁定重點(diǎn)客戶(hù)，高精度要求筑造高壁壘公司下游客戶(hù)覆蓋國(guó)際知名被動(dòng)元件生產(chǎn)廠(chǎng)商，客戶(hù)粘性較強(qiáng)。公司經(jīng)過(guò)多年優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和客戶(hù)建立了良好的合作關(guān)系，增加了客戶(hù)黏，與知名電子元件制造企業(yè)保持了較為長(zhǎng)期的合作關(guān)系包括國(guó)巨公司、風(fēng)華高科昆山厚聲電子工業(yè)有限公、吳江華豐電子科技有限公司、臺(tái)灣華科、恒輝電阻等產(chǎn)品質(zhì)量、產(chǎn)品性能和技術(shù)服務(wù)能力均得到了客戶(hù)的認(rèn)可。公司采取重點(diǎn)突破、以點(diǎn)帶面的銷(xiāo)售策略，主要對(duì)行業(yè)內(nèi)的重點(diǎn)客戶(hù)進(jìn)行開(kāi)拓，通過(guò)與重點(diǎn)客戶(hù)的合作關(guān)系，獲得示范效應(yīng)和品牌效應(yīng)。圖15公司主要合作伙伴

光電子自動(dòng)化設(shè)備對(duì)精準(zhǔn)度的要求很高準(zhǔn)入門(mén)檻高。生產(chǎn)設(shè)備的質(zhì)量、精度、穩(wěn)定性以及效率決定了下游客戶(hù)產(chǎn)品的品質(zhì)、合格率、生產(chǎn)效率以及供貨的及時(shí)。例如激光調(diào)阻機(jī)，其主要功能是通過(guò)激光燒灼使電阻材料氣化實(shí)現(xiàn)對(duì)片式電阻的阻值調(diào)整，使每塊電阻的阻值大小保持在極小的誤內(nèi)。如果激光燒灼的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或過(guò)短，都將導(dǎo)致電阻值無(wú)法調(diào)整到目標(biāo)阻值范圍內(nèi)，因此需要精準(zhǔn)控制激光燒灼的時(shí)間和路徑。因電子元件生產(chǎn)商在選購(gòu)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)設(shè)備時(shí)會(huì)對(duì)廠(chǎng)家和設(shè)備進(jìn)行嚴(yán)格挑，出于產(chǎn)品質(zhì)量及可靠性考慮，電子元器件生產(chǎn)企業(yè)一旦選擇了專(zhuān)用設(shè)備的生產(chǎn)商后不會(huì)輕易更換。同時(shí)，除公司、杰普特、臺(tái)灣雷科等企業(yè)外，國(guó)內(nèi)具備激光調(diào)阻機(jī)、激光劃片機(jī)批量化生產(chǎn)能力的制造商數(shù)量較少下游客戶(hù)可供選擇的設(shè)備供應(yīng)商范圍有限，公司有望持續(xù)受益全球半導(dǎo)體市場(chǎng)擴(kuò)容與國(guó)產(chǎn)替代需求爆發(fā)。推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)商用2英寸探針臺(tái)，性能指標(biāo)達(dá)國(guó)際水平2020年6月，光華微電子宣布研制成功國(guó)內(nèi)首臺(tái)商用12英寸全自動(dòng)晶圓探針臺(tái)，打破國(guó)外的壟斷，目前已實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)平臺(tái)定位精度，其性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到或者接近國(guó)際水，在中芯國(guó)際等7家客戶(hù)中試并交付27臺(tái)設(shè)備量產(chǎn)使用，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備“零”的突破。公晶圓探針臺(tái)產(chǎn)品涵蓋了數(shù)字邏輯半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、光學(xué)傳感器件等多類(lèi)產(chǎn)，可以測(cè)試8寸和2寸的晶，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)上料，并能進(jìn)行大數(shù)據(jù)量的信息處理。該設(shè)備的移動(dòng)平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)大行程、高精度的微米級(jí)XY向精密定位，以及高剛性、高穩(wěn)定性探針接觸的Z向精密移動(dòng)。該設(shè)備使用的精密圖像識(shí)別技術(shù)，能夠使晶圓和探針?lè)€(wěn)定成像，并對(duì)其精密測(cè)量、精密對(duì)準(zhǔn)。該設(shè)備的晶圓承載盤(pán)具有高平面度和高熱穩(wěn)定性的優(yōu)良特性。圖16公司12寸全自動(dòng)晶圓探針臺(tái)在Fab測(cè)試 圖17公司探針臺(tái)內(nèi)部結(jié)構(gòu)全自動(dòng)晶圓探針測(cè)試臺(tái)用于半導(dǎo)體集成電路制程的晶圓針測(cè)工序，是集成電路技術(shù)測(cè)試環(huán)節(jié)所需關(guān)鍵設(shè)備。半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程可以概括的分為四大步驟：晶圓處理工序、晶圓針測(cè)工序、構(gòu)裝工序、測(cè)試工序。全自動(dòng)晶圓探針測(cè)試臺(tái)用于半導(dǎo)體集成電路制程的晶圓針測(cè)工，在晶圓加工之后、封裝工藝之，負(fù)責(zé)晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測(cè)試。經(jīng)過(guò)檢測(cè)，探針臺(tái)將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來(lái)，在進(jìn)入后序工序前予以剔除，從而大幅度降低器件的制造成本該設(shè)備的制造需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值及研發(fā)投入高等特點(diǎn)。表4半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程工序名稱(chēng)簡(jiǎn)要介紹晶圓處理在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開(kāi)關(guān)等，其處理程序通常與產(chǎn)品種類(lèi)和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工制作。晶圓針測(cè)經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測(cè)試，提高效率，同在一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。再用針測(cè)Probe）儀對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號(hào)后，將晶圓切開(kāi)，分割成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類(lèi)，裝入不同的托盤(pán)中，不合格的晶粒則舍棄。構(gòu)裝將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上的一些引線(xiàn)端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片。測(cè)試可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封死后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試，則是根據(jù)客戶(hù)特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專(zhuān)門(mén)測(cè)試，看是否能滿(mǎn)足客戶(hù)的特殊需求，以決定是否須為客戶(hù)設(shè)計(jì)專(zhuān)用芯片。經(jīng)過(guò)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠(chǎng)日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝即可出廠(chǎng)。而末通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。探針臺(tái)技術(shù)門(mén)檻較高，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈。晶圓針測(cè)過(guò)程技術(shù)挑戰(zhàn)極大，通常情況下探針數(shù)量在幾千到幾十萬(wàn)只，要求每只探針要對(duì)應(yīng)一個(gè)微米量級(jí)的Pad盤(pán)（典型情況約為頭發(fā)絲截面積1/4，上圖Pad盤(pán)中的小圓孔為針痕，而整個(gè)過(guò)程要在0.3秒內(nèi)完成，然后再運(yùn)轉(zhuǎn)至下一個(gè)位置由于探針臺(tái)技術(shù)門(mén)檻較高，目前市場(chǎng)處于雙強(qiáng)壟斷態(tài)勢(shì)，東京電(TEL)和東京精密(TSK)兩家日本公司占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額。近年來(lái)韓國(guó)的SEMICS(OPPUS)的探針臺(tái)產(chǎn)品已經(jīng)有一定的銷(xiāo)售量，也逐漸在增長(zhǎng)。我國(guó)有關(guān)單位在探針臺(tái)研制方面已有多年技術(shù)積累，產(chǎn)品以8英寸為主，主要面向LED等產(chǎn)業(yè)目探針測(cè)試臺(tái)的國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈，進(jìn)口替代空間較。公司技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，持續(xù)受益進(jìn)口替代空間打開(kāi)。光華微電子于2015年正式立項(xiàng)開(kāi)展12英寸全自動(dòng)探針臺(tái)產(chǎn)品研發(fā)，先后突破了全自動(dòng)上料機(jī)械手的設(shè)計(jì)、大行程微米級(jí)XY移動(dòng)平臺(tái)精密定位控制技術(shù)、高剛度高穩(wěn)定性探針接觸Z向移動(dòng)平臺(tái)精密控制技術(shù)、基于圖像識(shí)別的晶圓和探針精密測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)技術(shù)、大數(shù)據(jù)量的信息處理和計(jì)算機(jī)控制技術(shù)、高平面度和高熱穩(wěn)定性的晶圓承載盤(pán)技術(shù)等六項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，于2019年起先后在功率半導(dǎo)體器件、光電探測(cè)器、邏輯半導(dǎo)體器件的骨干企業(yè)進(jìn)行了樣機(jī)測(cè)試，其安全性和可靠性得到充分驗(yàn)證，測(cè)試結(jié)果表明產(chǎn)品已經(jīng)能夠滿(mǎn)足產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)要求，已經(jīng)具備替代國(guó)外進(jìn)口設(shè)備用于晶圓探針檢測(cè)能力目前GPS1200型探針臺(tái)基本滿(mǎn)足客戶(hù)產(chǎn)品的測(cè)試需求，即將實(shí)現(xiàn)該領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代。圖18探針需在微米量級(jí)Pad盤(pán)上完成測(cè)試公司積極尋求產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新，建立所企、校企合作，加快技術(shù)攻關(guān)進(jìn)程。2021年，公司積極布局了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的多個(gè)方向，在A(yíng)OI（晶圓表面缺陷自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)）方面，與長(zhǎng)