集成電路產業(yè)專題報告-剖析IC產業(yè)內循環(huán)新機遇發(fā)揮新型舉國體制優(yōu)勢，推進產業(yè)結構升級，強化本土

IC產業(yè)中國：堅定優(yōu)化產業(yè)結構，重視研發(fā)及教育投入奠定產業(yè)升級堅實基礎2008

年以來，隨著人口紅利逐步弱化、勞動力成本上升、匯率升值壓力顯現，依靠出口

貿易拉動經濟增長的模式受到一定程度的挑戰(zhàn)，在此背景下，實體經濟更多地借助資產負

債表的擴張以驅動利潤增長。國內的預算軟約束、土地財政發(fā)展和房價快速上漲造成地方

政府、企業(yè)等資金需求方對于利率不敏感，金融的價格在資產負債擴張過程中不斷

上升，抬升了實體企業(yè)的融資成本，對企業(yè)在投資新項目時的預期收益率提出了更高要求。根據國家統(tǒng)計局數據，我國建筑業(yè)與房地產業(yè)城鎮(zhèn)就業(yè)總人數自

2009

年起快速提升，顯

著高于同期制造業(yè)就業(yè)人數的增速水平。截至

2018

年末，我國城鎮(zhèn)建筑業(yè)與房地產業(yè)城

鎮(zhèn)就業(yè)總人數達到

3177

萬人，較

2005

年增加

196%，而同期我國制造業(yè)城鎮(zhèn)就業(yè)總人數

累計增幅僅有

30%。與此同時，2009

年起我國

GDP貢獻也呈現快速上升態(tài)勢，

2019

年末達到

7.03%，較

2008

年的

4.57%提升

2.45pct。由于短期的資產負債擴張需要長期的利潤回報、現金回報進行維系，因此在投資邊際收益

下降的前提下就對降低社會預期收益率、降低融資成本，同時促進經濟結構向高科技產業(yè)

轉型以提升經濟發(fā)展效率提出了迫切需求。2016

年至今，政府針對產業(yè)一以貫之的“因城施策”、“房住不炒”的調控方針正

顯示了政府優(yōu)化產業(yè)結構的堅定決心。我們認為，在中國經濟由重增速向重質量切換過程

中，以工程師紅利支撐的科技產業(yè)本就擔負著實現經濟結構升級、跨越中等收入陷阱的長

期使命?；仡櫲毡尽㈨n國等地的發(fā)展歷程可見，集成電路產業(yè)在其由“貿易立國”向“科

技立國”轉型升級的過程中都扮演著舉足輕重的角色。考慮當前中美貿易摩擦的時代背景，通過新型舉國體制優(yōu)勢強化科技產業(yè)中關鍵環(huán)節(jié)/關

鍵領域/關鍵產品保障能力已逐步上升至“國家意志”層面，8

月

4

日國務院發(fā)布的《新時

期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展若干政策》正是這一意志的具體彰顯，我們認

為，在財稅/投融資/研究開支/進出口/人才/知識產權/市場應用/國際合作等政策促進下，集

成電路產業(yè)有望迎來資源的充分涌流，逐步成為科技產業(yè)“內循環(huán)”的硬件基礎。中國的研發(fā)費用占

GDP比重領先多數中/低收入國家，基礎研究占比穩(wěn)中有升根據

Wind數據，2018

年中國的研發(fā)費用達到

1.97

萬億，占

GDP比重為

2.19%，接近

作為高收入國家的新加坡在

2015

年的水平（2.18%）與韓國在

2000

年的水平（2.18%），

明顯高于巴西（1.26%，2017

年）、泰國（1.00%，2017

年）、南非（0.83%，2017

年）、

馬來西亞（1.44%，2016

年）等中、低收入國家。從國內研發(fā)費用的結構來看，基礎研究占比穩(wěn)中有升，企業(yè)資金占比快速提高，全社會研

發(fā)投入的質量和效率均得到一定程度改善。根據

Wind數據，2019

年研發(fā)經費總支出同比

增長

10.5%至

2.17

萬億，其中基礎研究經費占比

5.6%。2018

年政府、企業(yè)投入的研發(fā)

經費分別為

3979

億元、15079

億元，占比分別為

20.2%、76.6%，其中企業(yè)投入占比較

2002

年提升

21.6pct。為建設創(chuàng)新型國家和世界科技強國，國家在“十三五”規(guī)劃中明確提出到

2020

年，研發(fā)

費用占

GDP比重將從

2015

年的

2.1%提高至

2.5%（屆時將接近美國當前水平），全國研

發(fā)經費支出從

1.42

萬億元增加至

2.32

萬億元，5

年累計投資

11.22

萬億元，相當于“十

二五”時期的

1.93

倍。中國正在將人口紅利轉變?yōu)楣こ處熂t利，平均受教育年限接近日、韓經濟騰飛前的水平在勞動力成本提升，人口紅利逐漸弱化的經濟環(huán)境中，部分人力資本密集型的加工制造企

業(yè)正將生產基地遷往東南亞等地區(qū)，中國電子產業(yè)的核心驅動力迫切需要實現由人口紅利

向工程師紅利的切換，從而向微笑曲線的兩端延伸。根據

Wind數據，2012

年以來全國每

年新增教育經費投入逾

2

萬億元，2019

年全國公共財政教育經費（包括教育事業(yè)費，基

建經費和教育費附加）同比增長

8.5%至

3.49

萬億，占公共預算支出比重為

14.6%，占

GDP比重為

3.5%。根據

18

年

3

月《政府工作報告》數據，在勞動力市場上

2017

年我國勞動年齡人口平均

受教育年限為

10.5

年，其中

2016

年新增勞動力平均受教育年限為

13.3

年。根據《國家

中長期教育改革和發(fā)展規(guī)劃綱要（2010-2020

年）》，目標到

2020

年我國新增勞動力平均

受教育年限從

12.4

年提高到

13.5

年；主要勞動年齡人口平均受教育年限從

9.5

年提高到

11.2

年，其中接受高等教育的比例達到

20％以上，屆時將接近如前所述的跨越中等收入

陷阱前夕的日本、韓國的比例。我國

R&D人員總量已處全球領先地位，有望借助工程師紅利復制日本、韓國的跨越式發(fā)

展軌跡。根據國家統(tǒng)計年鑒的全時當量（全時人員數加非全時人員數按工作量折算為全時

人員數的總和）數據，2013

年我國

R&D人員總量達

353.3

萬人年，超過美國居世界第一

位，2018

年我國

R&D人員全時當量進一步增長到

461

萬人年。韓國：以半導體國產替代立科技之國，跨越中等收入陷阱創(chuàng)造漢江奇跡根據

2006

年世界銀行《東亞經濟發(fā)展報告》定義，“中等收入陷阱”是指中等收入國家因

勞動力成本不能與低收入國家競爭、技術水平不能與高收入國家競爭而落入經濟停滯/后退

發(fā)展階段。盡管世界銀行對高/中/低等收入國家的劃分標準基于世界經濟發(fā)展有所調整，

但中等收入陷阱卻在多個國家的發(fā)展歷程中重演。據世界銀行統(tǒng)計，在

1960

年的

101

個

中等收入經濟體中，僅

13

個于

2009

年跨越中等收入陷阱成為高收入經濟體。我們認為，

依靠出口自然資源或主要依靠低成本勞動力發(fā)展制造業(yè)的增長模式在中等收入階段面臨

瓶頸，而真正實現“貿易立國”到“技術立國”的轉變才是突破中等收入陷阱的關鍵所在。根據

Wind數據，2018

年韓國

GDP構成中制造業(yè)占比從

1953

年的

7.9%增長至

29.2%，

成為韓國僅次于服務業(yè)的經濟支柱。根據世界銀行收入等級劃分及

Wind數據，1977

年韓

國人均

GNI超過

930

美元成為中等收入國家，1987

年人均

GNI突破

3000

美元進入上中

等收入國家行列；1995

年人均

GNI突破

1.2

萬美元，由此跨越中等收入陷阱成為高收入

國家。而通過回顧韓國

1953

年朝韓之戰(zhàn)結束后至今的發(fā)展歷程，我們發(fā)現韓國經濟發(fā)展可分為

四個階段，其中第一階段（1953-1961

年）戰(zhàn)后重建期通過出售美國所給予的援資度過難

關、以及第二階段（1962-1969

年）的“出口導向”策略推動本土工業(yè)產品自給能力為韓

國后續(xù)發(fā)展奠定良好的產業(yè)基礎；而以“國退民進”推動經濟結構轉型的第三階段

（1970-1979

年）和以

“技術立國”為策略全力支持半導體國產替代的第四階段（1980

年至今）成為推動韓國經濟騰飛的重要轉折時期。在此過程中，韓國經濟結構從政府主導

轉為市場經濟下的民企主導，韓國本土企業(yè)之間的專利共享、互惠合作也進一步鞏固韓國

作為科技強國在全球的市場地位。在“科技立國”戰(zhàn)略推動下，韓國的科技產業(yè)迎來快速發(fā)展，半導體及

3C產品成為韓國

重要出口商品。根據韓國

KDI數據，1990/2000

年電子行業(yè)總產值在韓國制造業(yè)中的占比

為

12.8%/18.3%，位列第一；1971-1984

年、1985-1990

年、1991-2000

年三階段韓國電

子行業(yè)產值的年復合增速分別為

19.5%、24.1%、31.7%，是制造業(yè)領域增速最快的細分

行業(yè)。根據韓國對外貿易協(xié)會數據，1961-2000

年，韓國主要出口品從

1961

年的鐵礦石

（13.0%）、1980

年的服裝（16.0%）向半導體（12.4%）、計算機（8.5%）以及手機（8.5%）

等技術密集型產品轉變。2019

年財富世界

500

榜單中，韓國共有

16

家企業(yè)上榜，其中科

技型企業(yè)（005930

KS，無評級）韓國排名第一、全球排名第

15。日本：VLSI研發(fā)聯合體是舉國體制打造本土半導體產業(yè)鏈的先行者政府發(fā)起的研究聯盟成為日本半導體產業(yè)技術趕超的發(fā)動機。日本通商產業(yè)?。ㄈ毡九f中

央省廳之一，承擔著宏觀經濟管理職能）于

1976

年牽頭成立了

VLSI研發(fā)聯合體，針對

先進的

64K、256K動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）基礎技術進行集中攻堅。我們認為，

主要是三方面原因促成了該聯合體的成立，其一為日本迫于美國的壓力于

1975

年和

1976

年分別開放其國內的計算機和半導體市場；其二為

IBM公司在

1975

年開始著手開發(fā)以一

百萬兆超大規(guī)模集成電路芯片為基礎的第四代未來系統(tǒng)計算機，它的成功將會嚴重威脅到

日本國內公司的生存；其三為

VLSI研發(fā)所需資金龐大，若沒有政府的強大支持，日本的

半導體生產企業(yè)很難追趕上美國企業(yè)。VLSI研發(fā)聯合體由日本電氣、三菱電氣、富士通、、和電氣技術實驗室組成，

下設聯合實驗室和企業(yè)實驗室。聯合實驗室共有六個研究團隊，定員

100

人左右，主要進

行通用性和基礎性的，其中日立、富士通、東芝各自獨立牽頭高精度加工設備研

究室，三菱牽頭處理技術，日本電氣牽頭檢測和設備技術，電氣技術研究室牽頭晶體技術。

三個并列的高精度加工設備研究室的成員主要從室主任所在的企業(yè)中抽調，余下的兩家企

業(yè)分別加入其中；另外三個研究室的成員，則盡量從五家參與企業(yè)中等額抽調。企業(yè)實驗室由

CDL（計算機綜合研究所，computerdesignlaboratory）和

NTIS(日電東

芝信息系統(tǒng)，NipponElectric-ToshibaInformationSystem)構成，各自分散在與其相關的

公司內部，主要進行應用技術方面的研究。VLSI研發(fā)聯合體中適于由中立者擔任的職務

均由通產省出身的人員出任。根據小宮隆太郎等

1984

年

12

月出版的《日本的產業(yè)政策》

中的數據，VLSI組合從

1976

年設立起至

1980

年宣布解散為止的四年里，總事業(yè)費約為

720

億日元。其中由通產省補助金資助的數額為

291

億日元，約占總事業(yè)費的

40%。其

余事業(yè)費則由參加企業(yè)平均分擔

。VLSI研發(fā)聯合體的模式促進日本國內半導體全產業(yè)鏈躋身國際一線。VLSI研發(fā)聯合體首

先在光刻裝置和大口徑晶圓的研制上取得了突破，成功地開發(fā)出了半導體加工過程中的關

鍵設備——縮小投影型光刻裝置，該設備在

1980

年前幾乎全從美國進口，但從

1985

年

開始，日本該設備的國際市場占有率即超過美國；在

1980

年首次開發(fā)出口徑達到

8

吋

(200mmm)的晶圓。與此同時，聯合體促成日本在存儲器生產銷售領域大幅超越了美國，

根據日本通產省數據，在

1976-1980

年里，該研究聯盟共提出

1200

多項專利、300

多項

商業(yè)機密技術、發(fā)表了

460

篇科技論文，并成功突破了

1

微米加工制成。以

DRAM為例，1K、4K的

DRAM是美國于

1970、1972

年研制出來的，但是

16K的

DRAM則是美、日于

1976

年同時研制出來的，到了

64K的

DRAM，日本先美國

2

年于

1977

年

成功推出，率先進入

VLSI時代，在之后

256K、1000K的

DRAM研制上，日本始終保持

領先地位。基于此，日本

DRAM的全球市場份額在

20

世紀

80

年代超越美國，在

1986

年達到巔峰，接近

80%，日本整個半導體產業(yè)的全球地位在隨之快速提升，根據

Gartner數據，1987

年日本的

NEC、、位列全球前

3

大半導體廠，前

20

名中日企占據

10

席。日美貿易戰(zhàn)時期，內需市場成為電子產業(yè)增長的主要引擎1970-1985

年以半導體為排頭兵的日本電子產業(yè)全面崛起，促成國家產業(yè)結構升級。根據

日本經濟產業(yè)省資源數據，從

1973

年開始，鋼鐵的生產量和原油的進口量開始減少，相

較之下，伴隨大規(guī)模集成電路的興起，日本對半導體基礎材料硅的需求與日俱增，正是在

這

15

年內日本電子產業(yè)的產值增加了

5

倍，內需增加了

3

倍，出口增加了超過

11

倍。1985-2000

年美日貿易摩擦加劇，內需增長成為日本電子產業(yè)核心動能。1985

年開始，

美蘇冷戰(zhàn)走向終結，美國的對日政策發(fā)生轉變，SIA(美國半導體行業(yè)協(xié)會)向

USTR(美國

貿易代表辦公室)提起訴訟，要求提高美國產品在日本半導體市場的份額，為防止低價傾銷

采取措施等。美日雙方于

1985

年簽署《廣場協(xié)議》開啟日元大幅升值趨勢，一定程度上

弱化了日本電子產業(yè)的出口競爭力，1986

年

9

月雙方再次簽署半導體協(xié)議，一方面要求

日本加大對美半導體的采購，一方面引入價格監(jiān)督制度限制日本出口產品價格下限。在外部環(huán)境日益惡化、日本半導體產業(yè)自身商業(yè)模式日益僵化的共同作用下，日本電子產

業(yè)整體的出口競爭力不斷下滑。根據日本經濟產業(yè)省資源數據，在這

15

年內日本電子產

業(yè)產值和出口增加了

1.5

倍，國內產值于

2000

年達到頂峰約

26

萬億日元，但是內需則增

加了

2

倍，內需市場的興起主要受數字電視的推廣以及“鎖國”環(huán)境下的手機、PC產品

所拉動。受益于數字電視信號的覆蓋，日本電視機的內需和產值從

2003

年開始季增。從

1996

年

左右日本積極推動電視信號數字化政策，2003

年是日本三大都市圈開始覆蓋數字電視信

號的一年，同時日本政府也將推動電視機換購作為一項產業(yè)振興政策來推廣?；诖?，日

本電視機的內需和產值于

2010

年達到頂峰，根據日本經濟產業(yè)省機器統(tǒng)計數據，2010

年

末日本國內電視機單月需求超過

2000

億日元，2010

年全年總需求達到

11362

億日元。日本“特立獨行”的手機、PC產品成為其電子產業(yè)短期的推動力。2G時代，日本放棄了

全世界主流的

GSM通信標準，而采用了獨特的

PDC方案，使得國內的手機廠商在一個

相對封閉的市場中迅速發(fā)展，但也因此失去了在手機市場的全球競爭力。此外，日本的

PC產業(yè)同樣是在一個“鎖國”的環(huán)境中起步的，由于日本的

PC需要考慮到和日文文字

處理機的兼容性問題，而日文的處理則限制了諸多海外

PC企業(yè)進入日本市場，使得本土

的

NEC-9800

系列

PC長期占據日本國內主要份額，這一封閉的

PC市場格局直到

Windows系統(tǒng)出現得以打破。產業(yè)鏈自主可控、硬件生態(tài)創(chuàng)新以及新型基建成為促進內循環(huán)的重要方向我們認為，與日本數字電視產業(yè)的發(fā)展類似，2019

年北京廣播電視局與北京市經信局聯

合發(fā)布的《北京市超高清視頻產業(yè)發(fā)展行動計劃（2019-2022

年）》有望助推大尺寸、高

清電視的加速普及，為已處于全球領先地位的國內半導體顯示產業(yè)帶來增量需求；但是與

日本手機、PC發(fā)展所經歷的“自主鎖國”市場不同，在中美貿易摩擦的背景下，由于美

國對華為、?？档戎T多科技企業(yè)設立實體清單，造成相應企業(yè)面臨被供應商斷供的窘迫境

地，正常生產、經營受到較大阻力，因此我們認為，對于國內電子產業(yè)而言，產業(yè)鏈自主

可控、硬件生態(tài)創(chuàng)新以及新型基建有望成為發(fā)展內需市場、促進內循環(huán)的重要方向。政策推動高清視頻產業(yè)加速，國內半導體顯示產業(yè)已具備國際競爭力2019

年北京廣播電視局與北京市經信局聯合發(fā)布《北京市超高清視頻產業(yè)發(fā)展行動計劃

（2019-2022

年）》。發(fā)展行動計劃提出將實現

2022

年北京冬奧會、冬殘奧會

4K超高清

電視全程直播，8K超高清實驗直播。根據新華網訊，2019

年

8

月

31

日至

9

月

15

日籃球

世界杯期間，北京賽區(qū)采用“5G+8K”技術對

8

場籃球世界杯進行試播，首次實現“5G+8K”

技術示范應用?！?G+8K”融合發(fā)展已進入產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略窗口期，北京以重大體育賽事

為抓手，加快“5G+8K”技術驗證和示范應用，為

2022

冬奧會賽事直播做好全面準備。4Q18

中國大陸大尺寸

LCD產能已經超越韓國成為全球第一。LCD產業(yè)曾經興于美國、

盛于日本，后又陸續(xù)在韓國、中國臺灣、中國大陸開花結果，作為一個規(guī)模效應顯著、資

金壁壘高企、戰(zhàn)略地位突出的行業(yè)，逆產業(yè)周期擴張更高世代的產線是驅動

LCD成本長

期下降、進而不斷創(chuàng)造新的應用市場的核心動力。根據

DSCC數據，中國大陸的

TFT-LCD產能占比從

4Q18

的

42%提升至

1Q20

的

52%，DSCC預計

4Q22

中國大陸的

TFT-LCD產能占比將進一步提升至

70%。除中國大陸以外，隨著三星、LGD兩大韓系廠商宣布

2020

年將關閉

5

條產線，DSCC預計韓國的

TFT-LCD產能占比將從

1Q20

的

19%下降至

1Q21

的

7%。在大尺寸

LCD領域，根據

WitsView數據，截至

2Q19

全球大尺寸

LCD產能面積中

8.5

代線已經占到

52.6%，10

代線及以上占到

2.75%。分區(qū)域來看，根據

WitsView數據，4Q17

中國大陸的大尺寸

LCD產能面積達到

1682.08

萬平米，全球占比為

29.62%，超過中國臺

灣成為全球第二；4Q18

中國大陸的大尺寸

LCD產能面積達到

2365.47

萬平米，全球占比

為

36.80%，超過韓國成為全球第一；2Q19

中國大陸的大尺寸

LCD產能面積達到

2648.68

萬平米，全球占比提升至

41.0%。隨著全球LCD產能向中國大陸轉移，陸資廠商的市場份額快速提升。根據WitsView數據，

1Q14

京東方大尺寸

LCD的產能面積僅為

263.07

萬平米，全球占比僅

6.17%；14-18

年

間京東方合肥

8.5

代線、重慶

8.5

代線、福州

8.5

代線、合肥

10.5

代線等高世代線陸續(xù)投

產，4Q18

京東方大尺寸

LCD的產能面積快速提升至

1209.40

萬平米，全球占比

18.82%，

超越

LGD成為全球第一。除京東方以外，華星光電大尺寸

LCD的產能面積占比從

1Q14

的

4.84%提升至

2Q19

的

9.27%；中電熊貓大尺寸

LCD的產能面積占比從

1Q14

的

1.10%

提升至

2Q19

的

9.02%，均實現了快速提升。京東方、華星光電領跑全球大尺寸

LCD行業(yè)。相較更倚重電視面板市場的三星、LG等韓

系廠商，京東方在手機、電視、平板、NB、監(jiān)視器等各細分市場的發(fā)展更為均衡。根據

Omdia數據，從大尺寸

TFT-LCD出貨面積的角度而言，2020

年

5

月京東方以

22.8%的

市占率位居全球第一，華星光電、群創(chuàng)光電、LG、分別以

13.0%、12.4%、11.1%、

10.5%的市場率位居二至五名。從應用層面來看，在大尺寸

TFT-LCD出貨面積的維度上，2020

年

5

月京東方在筆記本電

腦面板市場市占率達到

26.0%，位列第一，領先第二名的群創(chuàng)光電近

4.7pct；2020

年

5

月京東方在顯示器面板市場市占率達到

24.7%，領先于

LG的

22.7%、的

14.8%、

三星的

13.3%、群創(chuàng)光電的

12.7%位列第一；在電視面板市場，2020

年

5

月京東方以

21.4%

的市占率位列第一，華星光電以

16.6%的市占率緊隨其后，群創(chuàng)光電、三星、惠科分別以

12.3%、12.2%、8.1%的市占率位居三至五名。國產手機品牌全球競爭力與日俱增，核心器件自主可控大有可為國產品牌在全球手機市場的競爭力與日俱增。根據

IDC數據，隨著全球手機市場滲透率趨

于飽和、消費者換機周期延長，2019

年全球智能手機出貨量同比下降

2.3%至

13.7

億，

但前五大品牌廠商合計市占率同比提升

3.5pct至達到

70.5%，其中華為、OPPO、小米三

大國產品牌合計市占率同比增加

3.8pct至

35.0%。進入

2020

年，受新冠疫情海內外蔓延

的影響，1H20

全球智能手機出貨量同比下降

13.9%至

5.5

億部，但前五大廠商市場集中

度仍進一步提升至

71.9%，華為在海外市場拓展受阻的情況下仍實現了市占率同比

0.6pct的提升，表明國產品牌在全球手機市場的競爭力仍在不斷提升。國內市場本土品牌大放異彩，5G滲透率顯著提速。國內市場來看，根據

IDC數據，隨著

疫情防控見效，2Q20

中國智能手機出貨量環(huán)比大增

31.8%至

8780

萬部，盡管同比仍有

下降，但降幅（10.3%）顯著低于亞太（31.9%）、西歐（14.8%）、美國（12.6%）等地，

表明中國市場已領先全球進入需求復蘇階段。其中，華為以

45.2%（QoQ：2.6pct）市占

率穩(wěn)居國內市場龍頭，Vivo（17.1%）、OPPO（16.1%）、小米（10.4%）緊隨其后，四者

合計占據國內市場

88.7%的份額。另一方面，根據中國信通院數據，盡管

2020

年

1-7

月國內手機出貨量受疫情影響同比下

降

20.4%，但

5G手機滲透率仍在不斷提升，其中

7

月

5G手機滲透率達到

62.4%，1-7M20

累計

5G滲透率達到

44.2%（出貨量

7751

萬部）。截至

2017

年末我國核心芯片自給率依然非常低，目前仍未能形成實質性的份額突破，但

在國際貿易環(huán)境的外部壓力下，以存儲器、CIS、PMIC、MCU等為代表的部分芯片產品

的國產化進程已開始明顯提速，國內具備替代潛力的細分產品龍頭大有可為。根據清華大

學微電子研究所數據，截至

2017

年末，計算機系統(tǒng)中的

MPU、通用電子系統(tǒng)中的

FPGA和

DSP、通信裝備中的

EmbeddedMPU和

DSP、存儲設備中的

DRAM和

NandFlash、

顯示及視頻系統(tǒng)中的

DisplayDriver等，國產芯片占有率幾乎為零?；谌A為海思的多年深耕和

2019

年中美貿易摩擦局勢的催化，根據

IHS數據，3Q19

華

為出貨的手機產品中自研芯片的比例已經達到

74.6%，盡管在

2020

年美國限制、

等

Foundry廠對海思芯片的代工業(yè)務之后，華為手機芯片的國產化進程難免暫時

擱置，但由此也顯示了以海思為代表的國內半導體設計公司的全球競爭力，以及在國內半

導體材料、設備、制造能力不斷進步的長期過程中，消費電子終端核心器件國產替代的發(fā)

展?jié)摿?。智能手機核心器件產業(yè)鏈相關標的包括：（射頻芯片）、（NorFlash、

DRAM）、（指紋識別芯片）、（模擬芯片）、（CMOS圖像傳

感器）、（電源管理芯片）、（晶圓代工）等。電子+時代的硬件生態(tài)創(chuàng)新給半導體成熟制程帶來新機遇“電子+”時代正來臨，華為

1+8+N戰(zhàn)略布局響應“電子+”趨勢。我們認為，5G時代

通信能力及芯片算力的提升有望加速推進終端智能化趨勢，進而實現生產設備終端、消費

終端等萬物互聯。我們將這一趨勢概括為“電子+”，即在物聯網時代實現各類非電子產品

的電子化、簡單電子產品的智能化。華為所提出的

1＋8＋N全場景智慧化戰(zhàn)略，也正是響

應“電子+”趨勢的戰(zhàn)略布局，即以手機為

1

個主入口，以

PC、平板、TV、音響、眼鏡、

手表、車機、耳機為

8

個輔入口，支持“泛

IoT硬件”，覆蓋、運動健康、影音

娛樂、智慧出行、移動辦公等

N個場景。我們認為，基于“電子+”時代物聯網場景的

MCU、分立器件、通信芯片等以成熟制程為主的半導體產品需求有望成為國內半導體市場

國產替代、打造內循環(huán)的重要突破口。物聯網及汽車電子為半導體市場發(fā)展，成熟制程半導體有望成為內循環(huán)重要突破口。而根據

ICInsights預測，物聯網及汽車電子有望成為

2016-2021

年間全球半導體下游市

場增速最快的兩個領域（市場份額僅次于手機和標準電腦）。其中

MCU作為汽車電子及物

聯網電子產品的核心器件，有望受益于下游需求增長實現銷售額和出貨量的正向增長，但

考慮到

2020

年以來全球新冠疫情蔓延下游需求疲弱的影響，ICInsights預計

2023

年全

球

MCU銷售額和出貨量將分別達到

213

億美元和

382

億顆，對應

2019-2023

年

CAGR分別為

3.9%和

6.3%。本土

MCU廠商有望依托于物聯網產品創(chuàng)新打破外資壟斷。從市場份額來看，根據前瞻產

業(yè)研究院數據，2018

年全球及國內

MCU市場仍然由外資主導地位，其中全球市場前五大

外資合計占

83%份額，中國市場前九大外資合計占

76%份額。而從下游應用分布來看，

根據

OFweek產業(yè)研究院數據，中國市場應用（2018

年）仍集中在消費電子（26%）、計

算機網絡（19%）等中低端

MCU產品，相比于全球（2019

年）在汽車電子（33%）、工

控/醫(yī)療（25%）等中高端

MCU應用，仍有較大產品升級空間。另一方面，對本土半導體制造類企業(yè)而言，我們認為其在追逐突破先進制程之外，亦可依

托于特色工藝的差異化競爭，如嵌入式非易失性存儲，模擬

IC，光學器件，傳感器，分立

器件等，因為盡管終端應用的制程需求在不斷向前迭代，但受制于對設備，性能，功耗的

需求，仍然有一些產品如功率器件可以停留在

8

英寸生產線上。半導體是新型基建的基石，本土設備及材料產業(yè)化進程加速上游設備及材料長期是日本半導體產業(yè)的支柱，變局育新機回顧日本電子產業(yè)的發(fā)展歷程，在

1985

年之后由于美國對日政策的轉向以及《廣場協(xié)議》

所造成的日元升值壓力，使得日本電子產業(yè)的驅動力由出口向內需轉變，貿易收支開始減

少；在

2000

年后，日本國內

TV、PC的消費增速趨緩、與海外企業(yè)競爭加劇，日本電子

產業(yè)出現了明顯的衰退，根據日本電信產業(yè)協(xié)會數據，其電子產業(yè)產值由

2000

年的

26.2

萬億日元跌至

2019

年

10.5

萬億日元。但是從產業(yè)結構來看，相對于日本電子產業(yè)總產值的大幅衰退，上游電子元器件和設備的

產值下滑幅度較少。根據日本電信產業(yè)協(xié)會數據，2019

年日本電子產業(yè)總產值較

2000

年

下滑

59.8%，而電子元器件和設備下滑

43.7%，電子元器件和設備占總產值的比重由

2000

年的

44.9%穩(wěn)步提升至

2019

年的

62.9%。由日本電子產業(yè)的發(fā)展經驗可見，在其國內市場終端產品滲透率趨于飽和、海外競爭加劇、

制造中心向中國臺灣、大陸轉移的過程中，電子元器件和設備產業(yè)依然維持了較長時間的

強勢地位，日本村田/TDK等電子元器件廠商、信越/環(huán)球晶圓等硅片廠商以及東京電子/

愛德萬/迪恩士等半導體設備大廠至今仍在全球產業(yè)分工中扮演著舉足輕重的角色。由此可

見，半導體設備和材料的競爭壁壘高、全球產業(yè)競爭格局穩(wěn)定，而在國際貿易形勢日趨復

雜化、國內實現自主可控決心日益堅定的大環(huán)境下，就給本土半導體材料及設備企業(yè)實現

從無到有、從弱到強創(chuàng)造了新機遇。具體來說，半導體設備和材料處于半導體產業(yè)的上游，為半導體芯片的生產提供必要的工

具和原料，是現代半導體制造技術的基礎。半導體生產工藝復雜，對半導體設備和材料的

要求極高。以

7nm技術節(jié)點為例，由于對半導體設備和原材料的精度要求達到更精細的

nm量級以下，并且集成電路產品的晶圓加工工藝步驟將超過

1000

步，每一步的良率都

將影響到綜合良率，因此對設備和材料的穩(wěn)定性要求極高。隨著先進制程不斷迭代，其對

半導體設備和原材料也往往提出更高的精度要求。中國已成為全球半導體設備及材料需求大國，國產替代空間廣闊。根據日本半導體制造裝

置協(xié)會數據，2019

年全球半導體設備銷售額從

2005

年的

328.8

億美元增加至

597.5

億美

元，對應

2006-2019

年

CAGR為

4.4%，同期中國大陸地區(qū)半導體設備銷售額從

13.3

億

美元增加至

134.5

億美元，對應

2006-2019

年

CAGR為

18.0%，占全球半導體設備銷售

額比例從

4.0%提升至

22.5%。根據

Wind數據，2018

年全球半導體材料銷售額從

2006

年的

372.4

億美元增加至

519.4

億美元，對應

2007-2018

年

CAGR為

2.8%，同期中國半

導體材料銷售額從

2006

年的

23.8

億美元增加至

84.4

億美元，對應

2007-2018

年

CAGR為

11.1%，占全球半導體材料銷售額比例從

2006

年的

6.4%增加至

16.2%。本土半導體產能擴張及技術進步，為國產設備提供更好的驗證試用平臺根據半導體行業(yè)內“一代設備，一代工藝，一代產品”的經驗，半導體產品制造要超前電

子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導體設備要超前半導體產品制造開發(fā)新一代產品，因此海外

半導體設備龍頭企業(yè)的技術發(fā)展歷程均離不開全球一流晶圓廠緊密配合，合作開發(fā)、技術

協(xié)同和產品驗證至關重要。目前，以、長江存儲、合肥長鑫為代表的本土半導體制造企業(yè)正分別在邏輯電路

芯片、3DNAND