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文檔簡介
半導(dǎo)體“畫布”之大硅片行業(yè)深度報告硅片:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的“畫布”硅片概況常見的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體及砷化鎵(GaAs)、氮化
鎵(GaN)等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺,硅的熔點為
1415℃,高于鍺的熔點
937℃,
較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中;硅的禁帶寬度大于鍺,更適合制作高
壓器件。相較于砷化鎵,硅安全無毒、對環(huán)境無害,而砷元素為有毒物質(zhì);并且鍺、砷
化鎵均沒有天然的氧化物,在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體,這會導(dǎo)致下游
晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)
品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約
27%,是除了氧元素之外第二豐富的元素,
硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中,儲量豐富并且易于
取得。通常將
95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化,可制
成純度
98%以上的硅;高純度硅經(jīng)過進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)
99.9999999%至
99.999999999%(9-11
個
9)的超純多晶硅;超純多晶硅在石英坩堝中熔化,并摻入
硼(P)、磷(B)等元素改變其導(dǎo)電能力,放入籽晶確定晶向,經(jīng)過單晶生長,制成具
有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定
了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量,而熔體中的硼(P)、磷(B)等雜質(zhì)元素的濃度決定了
單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝
步驟,制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,
保持極高的平整度與表面潔凈度,以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線,使之成為具有特定功能的集成電路或
半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,下游主要包括手機(jī)與平板電腦、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)
電子、軍事太空等領(lǐng)域。半導(dǎo)體硅片分類根據(jù)尺寸分類,半導(dǎo)體硅片的尺寸(以直徑計算)主要有
50mm(2
英寸)、75mm
(3
英寸)、100mm(4
英寸)、150mm(6
英寸)、200mm(8
英寸)與
300mm(12
英寸)等規(guī)格。1965
年,戈登?摩爾提出摩爾定律:集成電路上所集成的晶體管數(shù)量,每隔
18
個
月就提升一倍,相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍,成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)
而言,這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以
便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大,在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多,
單位芯片的成本隨之降低。在摩爾定律的影響下,半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向
發(fā)展。硅片的尺寸越大,相對而言硅片邊緣的損失會越小,有利于進(jìn)一步降低芯片的成
本。例如,在同樣的工藝條件下,300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過
200mm硅
片的兩倍以上,可使用率(衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo))是
200mm硅片
的
2.5
倍左右。目前,全球市場主流的產(chǎn)品是
300mm和
200mm直徑的半導(dǎo)體硅片。終端應(yīng)用領(lǐng)
域來看,300mm主要應(yīng)用在智能手機(jī)、計算機(jī)、云計算、人工智能、
SSD(固態(tài)存儲硬盤)等較為高端領(lǐng)域,目前出貨面積占比
60%以上。200mm硅片主要應(yīng)用在移動
通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等領(lǐng)域,目前出貨面積
20%以上。根據(jù)制造工藝分類,半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以
SOI硅片為代
表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外
延生長形成外延片,拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成
SOI硅片。硅片制作流程(略)半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)流程包括拉晶—>滾磨—>線切割—>倒角—>研磨—>腐蝕—>熱
處理—>邊緣拋光—>正面拋光—>清洗—>檢測—>外延等步驟。其中拉晶、研磨和拋光
是保證半導(dǎo)體硅片質(zhì)量的關(guān)鍵。單晶生長技術(shù)的重點在于保證拉制出的硅錠保持極高純度水平(純度至少為
99.999999999%)的同時,有效控制晶體缺陷的密度。當(dāng)前制備單晶硅技術(shù)主要分為
懸浮區(qū)熔法(FZ法)和直拉法(CZ法)兩種。下游應(yīng)用帶動硅片市場不斷增長硅片終端應(yīng)用逐漸多元化目前手機(jī)、計算機(jī)等仍是半導(dǎo)體行業(yè)終端最大的應(yīng)用市場。2018
年全球手機(jī)和基
站、計算機(jī)用芯片銷售額分別為
487
億美元、280
億美元,在半導(dǎo)體終端市場的占比
分別為
36%、21%。據(jù)
Gartner預(yù)計,2017-2022
年增速最快的半導(dǎo)體終端應(yīng)用領(lǐng)域是工業(yè)電子和汽
車電子,將成為未來幾年全球半導(dǎo)體行業(yè)增長最重要的驅(qū)動力。其中,工業(yè)電子年復(fù)合
增長率預(yù)計可達(dá)
12%。隨著工業(yè)從規(guī)?;呦蜃詣踊?、智能化,工業(yè)與信息化的深度
融合、智能制造轉(zhuǎn)型升級將帶動工業(yè)電子需求的增長。汽車電子
2017-2022
年預(yù)計復(fù)
合增長率為
11%。汽車電子的增長主要源于傳統(tǒng)車輛電子功能的擴(kuò)展、自動駕駛技術(shù)
的不斷成熟以及電動汽車行業(yè)的快速成長。車輛的
ABS(防抱死)系統(tǒng)、車載雷達(dá)、
車載、電子車身穩(wěn)定程序、電控懸掛、電動手剎、壓力傳感器、加速度計、
陀螺儀與流量傳感器等,均需要使用半導(dǎo)體產(chǎn)品,汽車智慧化的趨勢極大地拉動了汽車
電子產(chǎn)品的增長。隨著電動汽車的普及與車輛電壓、電池容量標(biāo)準(zhǔn)的不斷提高,電源管
理器與分離式功率器件的需求量也將隨之上升。通常情況下,汽車電子芯片使用
200mm及以下拋光片與
SOI硅片。汽車電子市場規(guī)模的擴(kuò)大將拉動
200mm及以下
拋光片與
SOI硅片的需求。未來的爆發(fā)式增長將會出現(xiàn)在大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等
新興終端應(yīng)用。半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟(jì)影響,亦受到具體終端市場的影響。例
如
2010
年,全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速僅
4%,但由于
iPhone4
和
iPad的推出,大幅拉動
了半導(dǎo)體行業(yè)的需求,2010
年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達(dá)
32%。2017
年開始,大數(shù)
據(jù)、云計算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn),半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入
了多種新型需求同時爆發(fā)的新一輪上行周期。半導(dǎo)體硅片可應(yīng)用于多個潛在新興終端市
場,如汽車電子功率器件、5G通信設(shè)備中的射頻芯片等,有望爆發(fā)式增長。芯片產(chǎn)能投放拉動硅片需求芯片制造產(chǎn)能情況是判斷半導(dǎo)體硅片需求量最直接的指標(biāo)。2017
至
2020
年,全
球芯片制造產(chǎn)能(折合成
200mm)預(yù)計將從
1985
萬片/月增長至
2407
萬片/月,年
均復(fù)合增長率
6.64%;中國芯片制造產(chǎn)能從
276
萬片/月增長至
460
萬片/月,年均
復(fù)合增長率
18.50%。近年來,隨著、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中
國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。
隨著芯片制造產(chǎn)能的增長,對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長目前,中國大陸企業(yè)的
300mm芯片制造產(chǎn)能低于
200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著
中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升,預(yù)計到
2020
年,中國大陸企業(yè)
300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過
200mm制造芯片制造產(chǎn)能。大硅片市場規(guī)模持續(xù)發(fā)展全球半導(dǎo)體市場規(guī)模近年來增速平穩(wěn),2012-2018
年復(fù)合增速
8.23%。其中,中國大陸集成電路銷售規(guī)模從
2158
億元迅速增長到
2018
年的
6531
億元,復(fù)合增速為
20.27%,遠(yuǎn)超全球其他地區(qū),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向大陸轉(zhuǎn)移。集成電路一般分為設(shè)
計、制造和封測三個子行業(yè),在制造和封測行業(yè)中,均需要大量的半導(dǎo)體新材料支持。
2018
年全球半導(dǎo)體材料市場產(chǎn)值為
519.4
億美元,同比增長
10.68%。其中晶圓
制造材料和封裝材料分別為
322
億美元和
197.4
億美元,同比+15.83%和+3.30%。2018
年,在市場產(chǎn)值為
322
億美金的半導(dǎo)體制造材料中,大硅片、特種氣體、光掩模、CMP材料、光刻膠、光刻膠配套、濕化學(xué)品、靶材分別占比
33%、14%、13%、7%、6%、
7%、4%、3%。分地區(qū)來看,目前大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
83
億美元,全球占比
16%,
僅次于中國臺灣和韓國,為全球第三大半導(dǎo)體材料區(qū)域。隨著半導(dǎo)體市場不斷放量以及工藝制程不斷復(fù)雜,全球半導(dǎo)體硅片材料市場不斷增
長,硅片材料在半導(dǎo)體制造材料中占比
33%,為占比最大的材料。2019
年全球硅片材料
市場規(guī)模達(dá)到
112
億美元,雖然相對
2018
年略有下滑,但整體仍維持在較高水平。出
貨面積來看,2019
年半導(dǎo)體硅片出貨面積
11810
百萬平方英寸,較
2018
年有所下滑,
主要是由于存儲器市場疲軟和庫存正常化所致。硅片價格呈現(xiàn)出一定的周期性。2011-2016
年受行業(yè)低迷影響,硅片價格一路下行。2016
年之后,全球半導(dǎo)體硅片銷售單價從
0.67
美元/英寸上升至
0.95
美元/英寸。
需求側(cè)來看,隨著終端應(yīng)用如
5G、AI、新能源汽車的快速發(fā)展,對芯片的大量需求使
晶圓廠更有動力去大規(guī)模擴(kuò)建工廠和生產(chǎn)線,進(jìn)而拉動對上游硅片尤其是大硅片的需求。
供給端方面,新增產(chǎn)能尚需時間落地,所以中短期供需不平衡的局面仍將持續(xù),硅片價
格有望繼續(xù)走高。國內(nèi)硅片市場規(guī)模持續(xù)增長。受益于全球半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)移,國內(nèi)硅片市場規(guī)模持續(xù)
增長,2018
年國內(nèi)硅片市場規(guī)模超過
9
億美元。十二英寸硅片為主流方向目前,12
英寸硅片在下游產(chǎn)業(yè)中廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品大多使用于制造消費電子芯片。
其中,NAND(包括
3DNAND和
2DNAND)占據(jù)最大的下游應(yīng)用,占比達(dá)
33%。邏輯芯片
和
DRAM芯片分別占比
25%和
22%。CIS等其他應(yīng)用占據(jù)了剩余的
20%的市場份額。其中,
受益于
5G的持續(xù)發(fā)展,2020-2023
年,智能手機(jī)對十二英寸硅片的復(fù)合需求增速有望
達(dá)到
7.8%。全球
DRAM下游主要包括移動終端(40%)、服務(wù)器(22%)和個人電腦(19%)等業(yè)
務(wù)。在5G換機(jī)潮以及數(shù)據(jù)處理等行業(yè)的快速發(fā)展下,全球DRAM需求有望持續(xù)快速增長。
據(jù)
SUMCO,全球
DRAM2019-2023
年需求復(fù)合增速有望達(dá)到
19.2%。目前全球
DRAM主要供應(yīng)廠商包括三星(45%),海力士(29%),美光(21%)等,全
球主流
DRAM工藝目前為
2znm、1xnm和
1ynm,未來
1znm和
1anm有望逐步放量。全球
NAND下游主要包括手機(jī)(48%)、SSD(43%)等業(yè)務(wù)。在
5G換機(jī)潮、云數(shù)據(jù)處
理以及移動電源等行業(yè)的快速發(fā)展下,全球
NAND需求有望持續(xù)快速增長。據(jù)
SUMCO,
全球
NAND2019-2023
年需求復(fù)合增速有望達(dá)到
39.4%。目前全球
NAND主要供應(yīng)廠商包括三星(33%),鎧俠(19%),西數(shù)(15%),美光(11%),
海力士(11%)和因特爾(10%)等。目前,3DNAND已經(jīng)成為
NAND主流工藝。2016
年至
2018
年,受益于手機(jī)、計算機(jī)、云計算服務(wù)器用
CPU、
GPU出貨量的
增加,邏輯芯片市場規(guī)模從
914.98
億美元上升至
1,093.03
億美元,年均復(fù)合增長率
9.30%。據(jù)
Gartner,2016
至
2022
年,全球芯片制造產(chǎn)能中,預(yù)計
20nm及以下制程占
比
12%,32/28nm至
90nm占比
41%,0.13μm及以上的微米級制程占比
47%。目前,90nm及以下的制程主要使用
300mm半導(dǎo)體硅片,90nm以上的制程主要使用
200mm或更小尺
寸的硅片。12
寸硅片需求持續(xù)擴(kuò)大。在下游云計算、區(qū)塊鏈等新興市場的帶動下,12
寸硅片
持續(xù)快速增長。2018
年出貨面積占比達(dá)到
63%,硅片出貨量達(dá)到
470
萬片/月。據(jù)
SUMCO,
未來
3-5
年全球
12
寸硅片仍然存在缺口。2018
年,全球
8
寸硅片出貨面積占比達(dá)到
26%,硅片出貨量達(dá)到
430
萬片/月。在
汽車電子等需求的拉動下,疊加
8
寸硅片基本無新增產(chǎn)能,8
寸硅片有望持續(xù)景氣。全球寡頭壟斷,中國逐步發(fā)力全球硅片寡頭壟斷全球硅片市場行業(yè)集中度高,前五大寶座近幾年未易主。由于半導(dǎo)體硅片行業(yè)具有
技術(shù)難度高、研發(fā)周期長、資金投入大、客戶認(rèn)證周期長等特點,全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)
進(jìn)入壁壘較高,行業(yè)集中度高。2016-2019
近四年,全球硅片市占率前五的寶座由信越
化學(xué)、SUMCO、Siltronic、環(huán)球晶圓、SKSiltron牢牢把持,合計市場份額均在
90%
左右。
2018
年五大巨頭合計銷售額
740.35
億元,占全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)銷售額比重
高達(dá)
93%,為近五年最高市占率。與國際主要半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商相比,中國大陸半導(dǎo)體硅片企業(yè)技術(shù)較為薄弱,市場
份額較小。多數(shù)企業(yè)以生產(chǎn)
200mm及以下拋光片、外延片為主。目前硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)是中
國大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片企業(yè)之一,2018
年占全球半導(dǎo)體硅片市場份額的
2.18%。
同時硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)也是中國大陸率先實現(xiàn)
300mm半導(dǎo)體硅片規(guī)模化銷售的企業(yè),并且在
特殊硅基材料
SOI硅片領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競爭力。政策大力支持行業(yè)的發(fā)展離不開政策的支持。中國政府高度重視半導(dǎo)體行業(yè),制定了一系列政策
推動中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2014
年,國務(wù)院印發(fā)了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推
進(jìn)綱要》,綱要指出:集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保
障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前和今后一段時期是我國集成電路產(chǎn)業(yè)
發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅期。加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、
保障國家安全、提升綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義。到
2020
年,中國集成電路行業(yè)與國
際先進(jìn)水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均增速超過
20%。到
2030
年,產(chǎn)業(yè)鏈
主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平,實現(xiàn)跨越發(fā)展。國內(nèi)大硅片蓄勢待發(fā)我國大硅片發(fā)展起步晚,正積極追趕國際先進(jìn)產(chǎn)品研發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)的步伐。目前
國產(chǎn)
4-6
英寸的硅片基本可以滿足國內(nèi)需求,但是
8
英寸-12
英寸的大硅片國內(nèi)自供率
很低,目前仍面對被國外大公司壟斷的局面,尤其是
12
英寸大硅片。2002
年,
與
IBM首先建成
12
英寸生產(chǎn)線。2005
年
12
英寸硅片的市場份額已占
20%,2008
年
其占比上升至
30%,2018
年就已經(jīng)達(dá)到
63%。國內(nèi)首條
12
英寸半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線由杭
州中芯晶圓于
2017
年
12
月建成。2018
年
11
月,上海新昇成為國內(nèi)第一個實現(xiàn)
300mm硅片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)。目前已投產(chǎn)的
12
英寸晶圓產(chǎn)線已超
20
條,宣布在建的有
8
條,
建成后產(chǎn)能將超
66
萬片/月。在國產(chǎn)替代的大趨勢之下,這對于國產(chǎn)
12
英寸硅片來說將
是一個巨大的機(jī)遇。海外巨頭各有所長信越化學(xué):全球硅片龍頭信越化學(xué)是全球排名第一的半導(dǎo)體硅片制造商,是日本著名的化學(xué)品公司。信越化
學(xué)設(shè)立于
1926
年,為東京證券交易所上市公司。主營業(yè)務(wù)包括
PVC(聚氯乙烯)、有
機(jī)硅塑料、纖維素衍生物、半導(dǎo)體硅片、磷化鎵、稀土磁體、光刻膠等產(chǎn)品的研發(fā)、生
產(chǎn)、銷售。信越化學(xué)采取多元化發(fā)展戰(zhàn)略,在多個產(chǎn)品領(lǐng)域均全球領(lǐng)先。信越化學(xué)于
2001
年開始大規(guī)模量產(chǎn)
300mm半導(dǎo)體硅片,半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品類型包括
300mm半
導(dǎo)體硅片在內(nèi)的各尺寸硅片及
SOI硅片。全球市占率第二,達(dá)到
29%2019
年4
月至
2020年3月,信越化學(xué)實現(xiàn)營業(yè)收入939.5億元,同比下滑
3.17%;
實現(xiàn)凈利潤
191.1
億元,同比上升
1.59%。營收方面,PVC/氯堿、半導(dǎo)體硅片占比較
高,分別占比
31%和
25%。營業(yè)利潤方面,半導(dǎo)體硅片占比最高,達(dá)到
35%。勝高集團(tuán):專注半導(dǎo)體硅片龍頭勝高集團(tuán)(SUMCO)是全球排名第二的半導(dǎo)體硅片制造商,專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)。
1999
年
7
月,由住友金屬工業(yè)株式會社,三菱材料公司和三菱材料硅公司共同投資成
立了一家
300mm硅晶圓開發(fā)制造公司
SiliconUnitedManufacturingCo.,Ltd.。2002
年,硅聯(lián)合制造有限公司從住友金屬工業(yè)有限公司接管了硅業(yè)務(wù),并與三菱材料硅有限
公司合并,并更名為三菱住友硅有限公司。2005
年更名為勝高集團(tuán)。2019
年,勝高集團(tuán)實現(xiàn)營業(yè)收入
191.9
億元,同比下滑
7.88%;實現(xiàn)凈利潤
21.2
億元,同比下滑
43.48%。公司主要產(chǎn)品包括高純單晶硅錠、超純拋光硅片,以及按照
客戶要求差異化加工的
AW高溫退火晶片、EW外延片、JIW結(jié)隔離硅片以及
SOI絕緣體上硅。公司可提供
100-300mm半導(dǎo)體硅片。全球市占率第二,達(dá)到
23%。環(huán)球晶圓:并購助力公司快速發(fā)展環(huán)球晶圓是全球第三大半導(dǎo)體硅片制造商,主要經(jīng)營地在中國臺灣。環(huán)球晶圓專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品有硅錠、50-300mm硅片。環(huán)球晶圓自
2012
年至
2016
年先后收購日本廠商
CovalentMaterial、丹麥廠商
Topsil、美國廠商
SEMI,助力公
司快速發(fā)展。2019
年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入
135.24
億元,同比增加
13.24%,實現(xiàn)凈利
潤
31.76
億元,同比增加
15.24%。德國世創(chuàng):歐洲硅片龍頭德國世創(chuàng)(Siltronic)是全球排名第四的半導(dǎo)體硅片制造商,主營經(jīng)營地在德國。
Siltronic專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),從
1953
年開始從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)的研發(fā)工作,
1998
年實現(xiàn)
300mm半導(dǎo)體硅片的試生產(chǎn),2004
年
300mm半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線投產(chǎn)。
主要產(chǎn)品包括
125-300mm半導(dǎo)體硅片。2016
年至
2018
年,Siltronic實現(xiàn)營業(yè)收入
9.33億歐元、11.77億歐元、14.57億歐元,2017年、2018年同比增長26.15%、23.79%。SKSiltron:韓國硅片龍頭SKSiltron是全球第五大半導(dǎo)體硅片制造商,主要經(jīng)營地在韓國。SKSiltron設(shè)立
于
1983
年,1996
年建成
200mm半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線,2002
年建成
300mm半導(dǎo)體硅
片生產(chǎn)線。2016
年至
2018
年,SKSiltron實現(xiàn)營業(yè)收入
8362.97
億韓元、9330.71
億
韓元、13461.85
億韓元,2017
年、2018
年同比增長
11.57%、44.27%。國產(chǎn)企業(yè)快速發(fā)展:國內(nèi)十二寸大硅片龍頭主要從事半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是中國大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體
硅片制造企業(yè)之一,是中國大陸率先實現(xiàn)
300mm半導(dǎo)體硅片規(guī)?;N售的企業(yè)。公司
目前已成為多家主流半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)商,提供的產(chǎn)品類型涵蓋
300mm拋光片及外延
片、200mm及以下拋光片、外延片及
SOI硅片。公司客戶包括了、、
華虹宏力、華力微電子、長江存儲、武漢新芯、等芯片制造企業(yè),遍布北美、歐
洲、中國、亞洲其他國家或地區(qū)。公司的技術(shù)水平和科技創(chuàng)新能力國內(nèi)領(lǐng)先,公司及控
股子公司擁有已獲授權(quán)的專利
300
項,其中中國大陸
105
項,中國臺灣地區(qū)及國外
195
項;公司及控股子公司擁有已獲授權(quán)的發(fā)明專利
273
項。公司先后收購并控股
Okmetic、上海新昇、新傲科技,參股
soitec,板塊布局日趨
完善。2019
年,公司
300mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能從
2018
年的
10
萬片/月進(jìn)一步提升至
15
萬片/月。本次
IPO擬使用
17.5
億元募集資金提升
300mm半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)技術(shù)節(jié)
點并且新增
15
萬片/月
300mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能。電:橫跨半導(dǎo)體分立器件和半導(dǎo)體硅材料電成立于
2002
年
3
月,專注于集成電路用半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體功率芯片設(shè)
計、開發(fā)、制造和銷售。立昂微電創(chuàng)辦之初即引進(jìn)美國安森美公司具有國際先進(jìn)水平的
全套肖特基芯片工藝技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備及質(zhì)量管理體系,建立了
6
英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線,成
為國內(nèi)先進(jìn)水平的功率器件生產(chǎn)線。2009
年開始,公司成為硅基太陽能專用肖特基芯
片市場的全球主要供應(yīng)商。2012
年收購日本三洋半導(dǎo)體和日本旭化成
MOSFET功率
器件生產(chǎn)線。2015
年
6
月
15
日,立昂成功全資收購國內(nèi)半導(dǎo)體硅片制造巨頭浙江金瑞泓科技
股份公司,一舉成為國內(nèi)少見的具有硅單晶、硅研磨片、硅拋光片、硅外延片及芯片制
造能力的完整產(chǎn)業(yè)平臺,橫跨半導(dǎo)體分立器件和半導(dǎo)體硅材料兩大細(xì)分行業(yè),是目前該
兩大細(xì)分行業(yè)規(guī)模較大的企業(yè),也是國內(nèi)頗具競爭力的半導(dǎo)體材料、功率半導(dǎo)體和集成
電路制造的產(chǎn)業(yè)平臺。公司擬
IPO募集
17.12
億元,用于建設(shè)
10
萬片/月集成電路用
8
英寸硅片項目和
1
萬片/月
6
英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項目,助力公司長遠(yuǎn)發(fā)展。中環(huán)股份:從光伏進(jìn)軍半導(dǎo)體中環(huán)股份成立于
1988
年,2007
年于深圳證券交易所上市。公司主要產(chǎn)品包括半
導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、材料、新材料的制造及銷售;融資租賃業(yè)務(wù);高效光伏
電站項目開發(fā)及運營。產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域,包括集成電路、消費類電子、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)能
發(fā)電、軌道交通、新能源汽車、航空、航天、光伏發(fā)電、工業(yè)控制等產(chǎn)
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