課程思政教學(xué)案例一一《半導(dǎo)體物理》一、授課對(duì)象微電子科學(xué)與工程專業(yè)二年級(jí)本科生二、教學(xué)案例所在章節(jié)第一章引言三、教學(xué)內(nèi)容本次課程為半導(dǎo)體物理第一堂課《引言》，內(nèi)容包括半導(dǎo)體學(xué)科發(fā)展史、專業(yè)課程設(shè)置介紹，課程教學(xué)內(nèi)容概覽、教學(xué)組織及講授形式、考核與成績(jī)組成等。然后介紹中國半導(dǎo)體及集成電路事業(yè)的發(fā)展里程碑事件，重點(diǎn)介紹中國半導(dǎo)體之母謝希德院士作為中國半導(dǎo)體事業(yè)奠基人的奮斗史，激勵(lì)學(xué)生努力學(xué)好半導(dǎo)體物理，為中國集成電路發(fā)展及突破關(guān)鍵“卡脖子”難題奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。四、教學(xué)目標(biāo)知識(shí)目標(biāo)讓學(xué)生了解該課程在專業(yè)課中的地位以及前序、后續(xù)課的關(guān)系；概覽該課程主要內(nèi)容、難點(diǎn)及如何學(xué)好課程的基本方法。思政目標(biāo)通過了解國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢(shì)，特別是中興、華為事件后，西方國家對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)高端芯片技術(shù)的封鎖，激發(fā)學(xué)生熱愛祖國、熱愛科學(xué)，培養(yǎng)學(xué)生踏實(shí)嚴(yán)謹(jǐn)、專注堅(jiān)持、精益求精的工匠精神，為國家半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展努力學(xué)習(xí)、貢獻(xiàn)自己的力量。五、教學(xué)重難點(diǎn)重點(diǎn)：介紹課程內(nèi)容框架、基本概念、基本理論、物理圖像及解決方法，典型試題等；特別介紹第一章能帶理論、第三章載流子統(tǒng)計(jì)分布、第五章連續(xù)性方程及求解等難點(diǎn)內(nèi)容的學(xué)習(xí)方法和技巧。難點(diǎn)：如何將知識(shí)點(diǎn)與物理圖像有機(jī)結(jié)合；如何處理課堂板書與PPT或雨課堂融合；如何將思政元素自然融合于課堂中；如何利用學(xué)生已有知識(shí)如C語言，加深對(duì)半導(dǎo)體物理中的公式、定理的理解和可視化展示（通過課外分組進(jìn)行C語言程序設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體物理中的主要理論、定理的可視化，加深理解）。六、授課形式與教學(xué)方法課堂講授、作業(yè)和課外設(shè)計(jì)七、教學(xué)設(shè)計(jì)/過程介紹半導(dǎo)體物理課程序言知識(shí)點(diǎn)后，講解從中興、華為事件，到西方國家對(duì)中國芯片封鎖，以及中國的應(yīng)對(duì)策略，重點(diǎn)介紹在百年未有之大變局的機(jī)遇和挑戰(zhàn)背景下，通過了解中國半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展史和中國半導(dǎo)體奠基人謝希德教授在新中國成立初期如何回國報(bào)效祖國、從無到有發(fā)展中國半導(dǎo)體學(xué)科的事跡，激勵(lì)學(xué)生為中國集成電路發(fā)展學(xué)好半導(dǎo)體物理、攻關(guān)克難報(bào)效祖國。課程引言學(xué)科介紹學(xué)科發(fā)展專業(yè)前景該課程設(shè)置中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史大事記中國半導(dǎo)體事業(yè)奠基人-謝希德院士的誠與真中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史大事記/1947年，美國貝爾實(shí)監(jiān)室發(fā)明了半導(dǎo)體點(diǎn)接觸式晶體管，從而開創(chuàng)了人類的硅文明時(shí)代口,1956年，我國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子罌件的進(jìn)程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之二,中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件黜期/1957年，北京電子管廠通過還原氧化錯(cuò)，拉出了楮雎品。研制出錯(cuò)點(diǎn)接觸一極管和三極管口/1959年，天津拉制出硅（Si）單品01960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研窕所一一第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）./1962年，天津拉制出礎(chǔ)化做單晶CGaAs）,1962年，我國研究制成硅外延工藝，弁開始研究采用照相制版，光刻工藝口/1963年河北十二所制成硅平面型晶體管。1964年研制出硅外延平面型晶體管.Y1968年，組建國營東光電工廠（B78廠）、上海無線電:九廠,至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”.,1968年，上海無線電十四廠首家制成PMoS（P型金屬一氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSTe）B拉開了我國發(fā)展UoS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相辨研制成功NW）S電路,之后，乂研制成邙稻0由路.謝希德簡(jiǎn)介她是中國半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開創(chuàng)者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子性質(zhì)理論研究方面成果突出，培養(yǎng)出數(shù)位當(dāng)今中國該領(lǐng)域的領(lǐng)軍人才,謝希德（1921年3月19日—2000年3月4日），出生于福建泉州，享譽(yù)海內(nèi)外的著名固體物理學(xué)家、教育家、社會(huì)活動(dòng)家，中科院院士、第三世界科學(xué)院院士“曾任復(fù)旦大學(xué)校長(zhǎng)，為中國高等教育事業(yè)的發(fā)展，物理學(xué)科研機(jī)構(gòu)的建立與發(fā)展，科教領(lǐng)域的國際交流和合作以及物理學(xué)會(huì)的工作做出突出的貢獻(xiàn),主要著作有*《分析力學(xué)》,《量子力學(xué)》、《固體物理引論》等“謝希德對(duì)中國半導(dǎo)體事業(yè)杰出貢獻(xiàn)新中國成立,正在美國麻省理工學(xué)院攻讀博士學(xué)位的謝希德從親人的來信中得到這一消息。昂首場(chǎng)立于世界東方的祖國母親,像磁石般吸引著這個(gè)遠(yuǎn)在異國他鄉(xiāng)的赤子。有人勸告謝希德不要回到當(dāng)時(shí)生活貧困、科研條,她卻視祖國的利益高于一切,決心在學(xué)習(xí)告一段落后,立刻回國參加建設(shè)。 ，獲得博士學(xué)位的謝希德,在莫 學(xué)任教,并于1956年與北京大勺黃昆共同主持開辦了我國 由此開啟高校 和中國 的發(fā)展。八、含思政元素的課外思考/練習(xí)查閱中國半導(dǎo)體奠基人謝希德、黃昆教授的簡(jiǎn)歷，總結(jié)他們對(duì)我國半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展的主要貢獻(xiàn)及成果；調(diào)研國內(nèi)集成電路生產(chǎn)、設(shè)計(jì)及裝備的主要企業(yè)及技術(shù)現(xiàn)狀。九、教學(xué)效果/評(píng)價(jià)課堂特色：板書與PPT結(jié)合；注重各章節(jié)基本概念、知識(shí)點(diǎn)邏輯層次和物理圖像的概括，講透各知識(shí)點(diǎn)來龍去脈及精髓；運(yùn)用理論課講解與回顧、作業(yè)練習(xí)與習(xí)題